JP2006502592A - 抵抗路の電気抵抗の調整方法 - Google Patents

Abstract

２つの層（１０，１１）の間に配置されている、ミアンダターン（１２１）において延在する抵抗路（１２）の電気抵抗をデフォルト値に調整するための方法であって、デフォルト値に関連してより小さい抵抗とミアンダターン（１２１）を橋絡しているヒューズ区間（１８）とを備えている抵抗路（１２）が製造されかつ調整は選択されたヒューズ区間（１８）の切り離しによって行われる形式の方法が提案される。簡単な調整方法を実現するために、ヒューズ区間（１８）の切り離しのためにパルス持続時間が制御される電流パルスをヒューズ区間（１８）を通して送る。

Description

従来技術
本発明は、請求項１の上位概念に記載の、２つの層の間に配置されている、ミアンダターンにおいて延在する抵抗路の電気抵抗をデフォルト値に調整するための方法から出発している。

埋め込まれた抵抗路を有するサンドイッチ連結体は種々のアプリケーションにおいて、例えばＤＥ３７３３１９２Ｃ１から公知であるような、内燃機関における排気ガス温度を測定するための温度検出器に、または例えばＤＥ１９８３８４６６Ａ１またはＤＥ１９９４１０５１Ａ１から公知であるような内燃機関の排気ガスにおける酸素濃度を測定するためのλセンサの測定精度を高めるための加熱装置に使用される。この種の温度検出器の場合、酸化アルミニウムまたは酸化ジルコニウムのような固体電解質から成るセラミックフィルムの間に埋め込まれている抵抗路の大抵は高オーミックなＰＴＣ抵抗が量産において常にできるだけ正確な温度測定が保証されるようにするために製造に規定されて極めて小さな公差領域内にあることが必要である。λセンサに対する加熱装置の場合、十分な測定精度のためには加熱装置を閉ループ制御して、λセンサの作動が一定に保持されるようにすることが必要である。このためにも、抵抗路の大抵は低い抵抗が製造に規定されて狭い許容偏差内にとどまって、加熱装置の不足もしくは過制御が回避されるようにすることが必要である。

それ故に両者の場合とも、抵抗路の抵抗値の後からの調整、すなわち抵抗路が中に形成されているサンドイッチ連結体の完成後に適当な手段による調整、トリム修正または較正が必要である。

測定センサのサンドイッチ連結体に埋め込まれている抵抗路の抵抗をデフォルト値に調整するための公知の方法では（ＤＥ１９８５１９６６Ａ１）、抵抗路を覆っている層の１つに切り欠きが露出され、これを通して抵抗路の加工処理がその内部抵抗の調整のために行われる。抵抗路は切り欠きの領域において分岐および／または閉じられた面、いわゆるヒューズ区間を有し、かつ調整は、分岐および／または閉じられた面が例えばレーザを用いて切断され、これにより抵抗路の抵抗が高められる。このことは、所望のデフォルト値が実現されるまで続けられる。抵抗は抵抗路に接続されている回路装置を介して連続的に測定される。電気的な抵抗路がサンドイッチ連結体の層に挟まれる前にアイソレーション部によっても取り囲まれる加熱装置では、切り欠きがアイソレーション部を通って抵抗路のレベルまでガイドされるかまたはレーザがアイソレーション部を貫通できるようにアイソレーション部が構成されているかである。

両方の場合とも、レーザ調整後に切り欠きは充填材によって封鎖されて、抵抗路が機械的または化学的な影響から保護されるようにする。充填材として有利には、充填後、レーザの熱的な作用によりガラス化されるガラスセラミックが使用される。

発明の利点
請求項１の特徴部分に記載の本発明の方法は、抵抗路の調整またはトリム修正の目的のヒューズ区間の切断のために抵抗路を被覆している層のいずれにも開口が必要でないという利点を有している。これにより開口を封鎖するという付加的な工程が不要になりしかも測定センサを内燃機関の排気ガスに使用した場合の、封鎖材料の化学的または熱的な品質低下による、封鎖に関連したいずれの欠点も回避される。というのは、化学的な品質低下の場合には封鎖材料の導電率が上昇してきて寄生漏れ電流が生じ、ひいてはセンサエレメントの特性曲線がフラットになり、熱的な品質低下の場合には封鎖材料の崩壊によりセンサエレメントが機能しなくなることになるからである。ヒューズ区間の切り離しは、抵抗路と同じ材料から製造されているヒューズ区間の電気的な蒸発を引き起こすエネルギーコントロールされる電流パルスによって行われるので、ミアンダターンまたはミアンダカーブの抵抗が適当に段階付けられていれば、例えばバイナリに段階付けられていれば、抵抗路の抵抗値を１つの更なるヒューズ区間を切断することでその都度高めることができる。その際エネルギーコントロールによって抵抗路の切り離しそれ自体が確実に排除される。

従属請求項に記載の構成によって請求項１に記載の方法の有利な発展形態および改良形態が可能である。

本発明の有利な実施形態によれば、ヒューズ区間とミアンダターンとの接続個所に直接、導体路が導かれ、かつ選択されたヒューズ区間の切り離しのために電流パルスが、選択されたヒューズ区間に通じている２つの導体路に供給される。有利には、導体路は抵抗路に通じている２つの接続導体路の間に配置されかつ接続導体路と同様に、測定ガスまたは排気ガスにさらされていない、センサエレメントの所謂コールド領域に導かれる。この領域における導体路のコンタクト形成によって、電流パルスを選択されたヒューズ区間に印加することができる。電流パルスをガイドするための導体路の高抵抗の絶縁に基づいて、調整すべき低抵抗の抵抗路の、寄生漏れ電流による影響は温度が高い場合にも僅かに留まるので、導体路はセンサエレメントの特性曲線に不都合に作用する何らの効果も受けない。この理由から、導体路に対する材料選択を、高い導電率、小さな温度係数およびこれと結び付いている高い電流負荷耐性、低いコストおよびセンサエレメントの焼結温度および焼結雰囲気に対する整合に関して最適化することができる。

本発明の有利な実施形態によれば、電流パルスとして、パルス持続時間が制御される定電流パルスが使用される。これにより、ヒューズ区間の切り離しのために必要なエネルギが非常に正確に調整設定されるので、ヒューズ区間に並列接続されているミアンダターンは損傷を受けないまたは全く破壊されない。

本発明の有利な実施形態によればパルス持続時間は、選択されたヒューズ区間にて降下する電圧が監視されかつ過比例の電圧上昇が検出されると電流パルスが遮断されることによって制御される。

本発明の有利な実施形態によればヒューズ区間は真ん中を絞った形で実現され、これにより、燃焼パルスの最大のパワー変換がヒューズ区間の最も薄い個所で行われかつそこで材料が溶融されるようにすることが実現される。ヒューズ区間に並列に接続されているミアンダターンは高抵抗でありかつ両側が電気的な絶縁部に埋め込まれているため良好な熱結合を有しているので、ヒューズ区間の切り離しの際にミアンダ抵抗はエネルギー豊富な電流パルスによって一緒に溶融されない。

本発明の有利な実施形態によれば、ヒューズ区間の溶け出た材料は、抵抗路を被覆している２つの層の１つに成形されている中空空間に受容される。中空空間はセンサエレメントの製造の際にヒューズ区間の上に炭素含有シルクスクリーンペーストを加刷することによって製造される。ペーストは焼結の際に完全に酸化しかつ気相に移行するからである。

本発明の択一的な実施形態によれば、ヒューズ区間の１つが、抵抗路の端部に導かれている２つの接続導体路の１つに接続されている。選択されたヒューズ区間を切り離すために選択されたヒューズ区間が加熱されかつ電流パルスが抵抗路の接続導体路に供給される。選択されたヒューズ区間の、外からの局所的な加熱によって、ヒューズ区間の比抵抗が例えば係数２だけ高められる。外からの加熱は有利には、２００℃周辺のレーザパルスを用いて行われる。加熱される点においてヒューズ区間の最も狭い個所に抵抗路の一部およびヒューズ区間に流れる電流パルスによって付加的にエネルギーが供給され、これが局所的な加熱を一層強めるので、更なる加熱が始まり、そのために選択されたヒューズ区間が溶融することになる。電流パルスによる別のヒューズ区間の溶融は局所的な加熱が行われないために妨げられる。本発明の方法のこの形態は、付加的な導体路を個々のヒューズ区間に取り付ける工程が省かれるので、製造コストが下がるという利点を有している。

本発明の変形された実施形態によれば、少なくとも１つの第１のヒューズ区間が、抵抗路の両端部に導かれている２つの接続導体路の１つに接続されており、かつ少なくとも１つの最後のヒューズ区間が導き出されている付加導体路に接続されている。選択されたヒューズ区間を切り離すためにこれは加熱されかつ接続導体路と導き出されている付加導体路との間に電流パルスが供給される。ヒューズ区間から外部へパルスをガイドするための付加的な導体路を設けることで、定電流パルスを維持するために必要である電圧が著しく下げられるという利点が得られる。

図面
本発明を図面に図示されている実施例に基づいて以下の説明において詳細に説明する。図面には次のものが略示されている：
図１には測定抵抗の調整のための装置に接続されている、排気ガス温度を測定するための温度センサが分解図にて示されており、
図２には図１の温度センサの測定抵抗が平面にて拡大して示されており、
図３には図２の部分IIIが拡大して示されており、
図４には図１の温度センサがカバー層を取り除いた状態で平面にて部分的に示されており、
図５には図４と同じだが、変形された温度センサが示されており、
図６には別の実施例の温度センサが測定抵抗を調整するための装置と接続されて分解図にて示されており、
図７には図６の温度センサにおける測定抵抗の平面が拡大して示されており、
図８には図１ないし図６の測定抵抗の調整の際のヒューズ区間における電流および電圧の時間経過が示されている。

図１に分解図の形で略示されている、一般的なガス測定検出器に対する実施例としての、内燃機関の排気ガス温度を測定するための温度センサまたは温度測定検出器は、例えば固体電解質ベース上のセラミックフィルム、例えば酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）から成っていてよい支持板１０と、同じく固体電解質ベース上のセラミックフィルムであってよいカバー層１１とを有している。支持板１０とカバー層１１との間に、ＰＣＴ抵抗材料から成る抵抗路１２の形の測定抵抗が配置されている。抵抗路は複数のミアンダカーブまたはミアンダターン１２１（図２）を持っているミアンダストラクチャを有しておりかつ排気ガスにさらされている、センサエレメントのいわゆる「ホット」な領域に存在している。抵抗路１２の両端部から、２つの平行な接続導体路１３，１４がセンサエレメントの、排気ガスにさらされていない「コールド」な領域まで延在している。そこで支持板１０の下面に２つの電気的なコンタクト面１５，１６がプリントされている。そのうちコンタクト面１５は支持板１０を通って接続導体路１３に接続されておりかつコンタクト面１６は支持板１０を通って接続導体路１４に接続されている。コンタクト面１５，１６は温度検出器の作動中、測定電流の供給のために用いられる。２つの接続導体路１３，１４を含めた抵抗路１２は、例えばＡｌ_２Ｏ_３から成る電気的な絶縁体に埋め込まれており、このために支持板１０の上面に下側の絶縁層１７およびカバー層１１の下面に、図１では見えていない絶縁層がプリントされている。接続導体路１３，１４を備えた抵抗路１２は下側の絶縁層１７に、例えばシルクスクリーン法においてプリントされる。支持板１０およびカバー層１１は上下に重なっておりかつ一緒にラミネート加工されている。

センサエレメントの製造時に抵抗路１２のジオメトリーは、測定される冷間時抵抗が電気抵抗の要求されるデフォルト値より小さいように構成されている。それから調整プロセスにおいて抵抗路１９の電気抵抗が、それが極めて狭い許容偏差範囲においてデフォルト値に相応するように増大される。

抵抗路１９は図２において平面にて拡大表示されている。これは、接続導体路１３，１４の間で縦続接続されている複数のミアンダターン１２１を有している。抵抗路１２の、図２で見て取れるレイアウトの左および右側のミアンダターン１２１の一部、実施例では全部で８つのミアンダターン１２１がそれぞれヒューズ区間１８によって、ヒューズ区間１８の全体のミアンダターン１２１が並列接続されているように橋絡されている。ヒューズ区間によってそれぞれ橋絡されている隣接配置されているミアンダターン１２１は抵抗値が例えばバイナリに段階付けられているので、選択されたヒューズ区間１８が破壊されると、抵抗路１２の抵抗は所定の抵抗値だけ、すなわち今や直列接続されているミアンダターン１２１だけ定義されて拡大される。

抵抗路１２を調整、トリム修正または構成するためのヒューズ区間の破壊は、選択されたヒューズ区間１８を通るように送出されるエネルギーコントロールされた電流パルスによって行われる。電流パルスはそのパルス持続時間が制御される定電流パルスである。電流パルスをヒューズ区間１８に導くことができるようにするために、センサエレメントの製造の際にミアンダターン１２１およびヒューズ区間の接続個所にセンサエレメントのコールド領域にまで達しかつそこでコンタクト形成することができる導体路１９が導かれる。図２において拡大図示されている、全部で８つのヒューズ区間１８を有している抵抗路１２において、全体で８つの導体路１９が必要である。これらは抵抗路１２に対する２つの接続導体路１３，１４間に延在している。２つの最も外側のヒューズ区間１８に電流パルスを供給するために、２つの接続導体路１３，１４も用いられる。導体路１９をコンタクト形成するために、センサエレメントの「コールド領域」においてカバー層１１およびその下にある上側の絶縁層における切り欠き２０が設けられており、これは調整プロセス後に必要に応じて封鎖される。図４に示されているように、切り欠き２０によって露出されることになった、導体路１９の領域に、コンタクト形成面２１が配置されており、これらのうちそれぞれ１つは導体路１９に接続されている。図３に最も分かり易く示されているように、抵抗路１２と同じ材料、例えば白金から形成されているヒューズ区間１８は抵抗路１２に比べて非常に小さな幅で以て実現されている。例えばミアンダターン１２１の幅は３０〜４０μｍでありかつヒューズ区間８の幅は１５〜２０μｍである。ミアンダターン１２１の著しく大きな長さによって、これはヒューズ区間１８より非常に著しく高抵抗である。更にヒューズ区間１８は真ん中が絞られているので、これらは真ん中が著しく薄くなっている。導体路１９はヒューズ区間１８より著しく幅広に、例えば約６０μｍで以て実現されている。

このように準備された、最終製造されかつ焼結されたセンサエレメントの抵抗路１２の電気的な抵抗は製造プロセスの後に続いている調整またはトリム修正プロセスにおいて次のようにより高いデフォルト値に調整される：
冷間時の抵抗路１２の抵抗値が測定されかつデフォルト値に対する抵抗差に基づいて、要求される抵抗値を実現するために切断されなければならないヒューズ区間１８が確定される。ミアンダ形状の抵抗路１２のレイアウトにおけるミアンダターン１２１の段階付けられた抵抗値は既知であるので、必要なヒューズ区間１８は問題なく確定することができる。確定されたヒューズ区間１８は順次、定電流パルスの印加によって破壊される。このために調整用電子装置２２が設けられている。これは、ここには詳しく図示されていないが、定電流源、スイッチングサイリスタおよび該スイッチングサイリスタをターンオンおよびターンオフするための制御電子装置を有している。選択されたヒューズ区間１８を破壊する定電流パルスを生成するために、選択されたヒューズ区間１８に通じている２つの導体路１９は切り欠き２０を通ってコンタクト形成されかつ調整用電子装置２２に接続される。スイッチングサイリスタの導通制御によって、定電流源はヒューズ区間１８に接続される。ヒューズ区間１８が溶融されるや否や、スイッチングサイリスタは定電流源を導体路１９から直ちに切り離すようにする。スイッチングサイリスタの閉成期間およびスイッチングサイリスタの再開放後に発生する、ヒューズ区間１８における電流および電圧経過は図８の波形図に示されており、その際実線は電流経過Ｉ（ｔ）をかつ鎖線は電圧経過Ｕ（ｔ）をそれぞれ時間ｔに関して示している。定電流パルスのパルス持続時間の制御は、ヒューズ区間１８において降下する電圧がスイッチングサイリスタのターンオン制御の開始によって監視されるように行われる。ヒューズ区間１８においてまず、電圧がリニヤに上昇しかつそれからヒューズ区間１８の破壊の際に負荷変化のために指数関数的に上昇し、このことはスイッチングサイリスタを遮断するために利用される。非常に高い遮断感度、例えば１．５Ｖ／１００ｓｅｃを有しているスイッチングサイリスタは定電流源を導体路１９から切り離し、その結果電流パルスは零に降下する。パルス持続時間のこの制御によって、電流パルスは細くなっているヒューズ区間１８を溶融するのに十分であるが、並列接続されているミアンダターン１２１を損傷はしないまたはその抵抗を変化することはないようなエネルギーしか有していない。ヒューズ区間１８から溶けだした材料はここでは見ることができない、カバー層１１もしくはカバー層にプリントされている絶縁層にある中空空間に収容される。中空空間はセンサエレメントの製造の際に炭素含有シルクスクリーンペーストを用いたヒューズ区間１８の加刷によって形成され、その後このペーストはセンサエレメントの焼結によって完全に酸化されかつ気相に移行する。

説明してきた調整過程は室温が既知である場合にも高温が既知である場合にもまたは液状媒体において実施される。それは抵抗路１２の全体の領域がハーメチックシールされているからである。比較的高い熱衝撃抵抗性並びに高抵抗のヒューズ区間１８における比較的僅かな電流密度を実現するために、抵抗路１２の調整を固有または外部加熱により比較的高い温度において行うと有利である。

センサエレメントの特性曲線に影響を及ぼす、コンタクト形成面２１における堆積物（例えば導電性の煤）を妨げるために絶縁性の、ガス透過材料によって封鎖される、導体路１９のコンタクト形成のためにカバー層１１に設けられている切り欠き２０を回避しようとするのであれば、図５に略示されているように、センサエレメントの製造の際に、導体路１９が接続導体路１３，１４の端部の後ろに存在している、支持板１０の領域にまでガイドされる。この領域はカバー層１１によって被覆されていない。この領域においてこの場合にもそれぞれの導体路１９はコンタクト形成面２１に接続されている。センサエレメントのトリム修正後、すなわち抵抗路１２の電気抵抗を要求されるデフォルト値に調整した後、カバー層１１によって被覆されていない、支持板１０の領域が導体路端部およびコンタクト形成面２１を含めて切り離される。

説明してきた調整方法の変形では、すべてのヒューズ区間１８に導体路１９を導く必要がなくなる。センサエレメントの製造の際に抵抗路１２に取り付けられる、相応のミアンダターン１２１を橋絡するヒューズ区間１８のうち、それぞれのミアンダターン１２１のミアンダの左側および右側に並列接続されている（図７）２つの第１のヒューズ区間１８が抵抗路１２の接続導体路１３，１４のそれぞれ１つに接続される。それから調整プロセスにおいて調整用電子装置２２が、図６に示されているように、接続導体路１３，１４の２つのコンタクト面１５，１６に接続される。製造完了したセンサエレメントの抵抗路１２の抵抗値の測定後、抵抗路１２のデフォルト値を実現するために切り離されなければならない相応のヒューズ区間１８が確定されると、調整用電子装置２２によって上で説明した定電流パルスが２つの接続導体路１３，１４に供給される。しかし電流パルスの供給の前に、切断されるべきヒューズ区間１８がレーザパルスを用いて局所的に加熱される。レーザパルスはレーザ２３によって波長λ＜２．５μｍを有する赤外線領域において生成される。レーザパルスは支持板１０および下側の絶縁層１７を通って、絶縁層１７との申し分ない結合が生じるように、選択されたヒューズ区間１８に指向される。カバー層１１を介するレーザパルスの供給は不都合である。というのはここではヒューズ区間１８の上方に形成された中空空間がカバー層１１およびその下に位置する絶縁層に存在しているからである。レーザ加熱に基づいてヒューズ区間１８の固有抵抗がその他のヒューズ区間１８に比して例えば係数２だけ高められる。それから抵抗路１２を通って送られる定電流パルスがそのエネルギーによって局所的な加熱を増強するので、照射されるヒューズ区間１８において電流パルスによって入力されるパワーはその他のヒューズ区間１８におけるよりも例えば２倍の大きさである。これにより、加熱されたヒューズ区間１８の溶融にまで発展する更なる加熱が行われることになる。ヒューズ区間１８は長さ、高さおよび幅について、ヒューズ区間１８に直列もしくは並列接続されているミアンダターン１２１におけるよりも約５０％だけ高いエネルギー変換が生じるように選定される。

抵抗路１２の抵抗が高い場合定電流パルスを維持するために非常に高い調整電圧を供給すべきであるので、図７に示されているように、１つまたは２つの付加的な導体路２４，２５がヒューズ区間１８に導かれる。抵抗路１２の左および右側における外側領域においてヒューズ区間１８を用いて橋絡されている全部で４つのミアンダターン１２１のうち、第１のヒューズ区間１８は依然として接続導体路１３もしくは１４に接続されている。縦続接続されているヒューズ区間１８の最後のものには付加的な導体路２４もしくは２５が導かれている。それから調整用電子装置２２が接続導体路１３もしくは１４および付加的な導体路２４もしくは２５に接続される。付加導体路２４，２５は、導体路１９に対して図４および図５に関連して説明したのと同じ手法でコンタクト形成される。選択されたヒューズ区間１８の局所的な加熱後、電流パルスは接続導体路１３もしくは１４を介して、抵抗路１２の部分を通ってかつ付加的な導体路２４もしくは２５を介して送られかつ加熱されたヒューズ区間１８が切り離される。実施例において４つの並列もしくは直列接続されているミアンダターン１２１の総抵抗は抵抗路１２の総抵抗より著しく小さいので、電流パルスの印加の際著しく僅かな調整電圧が必要である。

基本的に、すべてのヒューズ区間１８の最後のものが唯一の付加的な導体路２４に接続されているようにヒューズ区間１８が配置されるようにすれば、唯一の付加的な導体路２４で十分である。図７に図示の、抵抗路１２の対称的なレイアウトの場合には２つの付加的な導体路２４，２５が有利である。

説明してきた調整方法は温度測定検出器の測定抵抗の例として説明してきた調整に制限されていない。測定ガス中のガス成分の濃度、例えばミアンダ形状の抵抗路が低抵抗に実現されている、内燃機関の排気ガスにおける酸素または酸化窒素濃度を突き止めるためのセンサの電気的な抵抗加熱体を調整するためにも用いることができる。更に既述の方法は、マルチレイヤ・ハイブリッド回路においても使用することができる。というのはこの場合も層間に調節もしくは調整抵抗が配置されているからである。

測定抵抗の調整のための装置に接続されている、排気ガス温度を測定するための温度センサの分解図 図１の温度センサの測定抵抗の拡大平面図 図２の部分IIIの拡大図 図１の温度センサの、カバー層を取り除いた状態での部分平面 図４と同じだが、変形された温度センサの略図 別の実施例の温度センサの、測定抵抗を調整するための装置と接続されて分解図にて示されている図 図６の温度センサにおける測定抵抗の拡大平面図 図１ないし図６の測定抵抗の調整の際のヒューズ区間における電流および電圧の時間経過図

Claims (14)

1. ２つの層（１０，１１）の間に配置されている、ミアンダターン（１２１）において延在する抵抗路（１２）の電気抵抗をデフォルト値に調整するための方法であって、
   デフォルト値に関連してより小さい抵抗とミアンダターン（１２１）を橋絡しているヒューズ区間（１８）とを備えている抵抗路（１２）が製造されかつ調整は選択されたヒューズ区間（１８）の切り離しによって行われる形式の方法において、
   ヒューズ区間（１８）の切り離しのためにエネルギーコントロールされる電流パルスをヒューズ区間（１８）を通して送る
   ことを特徴とする方法。
2. ヒューズ区間（１８）を、少なくともミアンダターン（１２１）の一部においてそれぞれのミアンダターン（１２１）にヒューズ区間（１８）が並列接続されているように配置する
   請求項１記載の方法。
3. ヒューズ区間（１８）の１つを抵抗路（１２）の両端に導かれている２つの接続導体路（１３，１４）の１つに接続し、かつ
   選択されたヒューズ区間（１８）を切り離すために該選択されたヒューズ区間（１８）を加熱しかつ電流パルスを抵抗路（１２）の前記接続導体路（１３，１４）に供給する
   請求項２記載の方法。
4. 少なくとも１つの第１のヒューズ区間（１８）を抵抗路（１２）の両端部に導かれている２つの接続導体路（１３，１４）の１つに接続しかつ少なくとも１つの最後のヒューズ区間（１８）を１つの付加導体路（２４，２５）に接続しかつ
   選択されたヒューズ区間（１８）を切り離すために該ヒューズ区間（１８）を加熱しかつ電流パルスを前記接続導体路（１３，１４）と付加導体路（２４，２５）との間に供給する
   請求項２記載の方法。
5. ヒューズ区間（１８）の加熱をレーザパルスにより抵抗路（１２）を被覆する層（１０）の１つを通して行う
   請求項３または４記載の方法。
6. ヒューズ区間（１８）とミアンダターン（１２１）との接続個所に導体路（１９）を導きかつ
   ヒューズ区間（１８）を切り離すために電流パルスを、選択されたヒューズ区間（１８）に通じている２つの導体路（１９）に供給する
   請求項２記載の方法。
7. 電流パルスとして定電流パルスを使用しかつ
   該定電流パルスのパルス持続時間を制御する
   請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
8. 選択されたヒューズ区間（１８）にて降下する電圧を監視しかつ過比例の電圧上昇が検出されると電流パルスを遮断する
   請求項７記載の方法。
9. 電流パルスの供給を電子スイッチを用いて行い、該電子スイッチは定電流源をパルス持続時間の間導体路（１９；２４，２５）および／または接続導体路（１３，１４）に接続する
   請求項３から８までのいずれか１項記載の方法。
10. 導体路（１９）のコンタクト形成を、抵抗路（１２）を被覆する層（１１）の１つに加工されている切り欠き（２０）を通して行う
    請求項４から９までのいずれか１項記載の方法。
11. 導体路（１９）の路端部を接続導体路（１３，１４）の端部の後方にある領域まで導き、該領域において該路端部が片側だけ層（１０）によって被覆されているようにし、かつ
    該領域を抵抗路（１２）の調整後取り除く
    請求項４から９までのいずれか１項記載の方法。
12. ヒューズ区間（１８）を抵抗路（１２）のミアンダターン（１２１）および導体路（１９；１３，１４）よりも著しく狭く実現する
    請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。
13. ヒューズ区間（１８）を真ん中を絞った形で実現する
    請求項１から１２までのいずれか１項記載の方法。
14. 抵抗路（１２）を被覆する層（１１）の１つにおいてヒューズ区間（１８）の領域に中空空間を形成する
    請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法。

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