JP2001035702A - 膜型抵抗器の構造 - Google Patents
膜型抵抗器の構造Info
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- JP2001035702A JP2001035702A JP11207681A JP20768199A JP2001035702A JP 2001035702 A JP2001035702 A JP 2001035702A JP 11207681 A JP11207681 A JP 11207681A JP 20768199 A JP20768199 A JP 20768199A JP 2001035702 A JP2001035702 A JP 2001035702A
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- resistance
- portions
- resistance value
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐熱性絶縁体１の表面に、抵抗膜２と、その
両端に対する端子電極５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂとを形成
して成る膜型抵抗器において、その放熱性の向上と、抵
抗値調整の精度の向上とを図る。 【解決手段】 前記抵抗膜２を、前記両端子電極又はい
ずれか一方の端子電極に隣接する第１部分２ａと、これ
以外の第２部分２ｂとで構成し、前記第１部分を、これ
以外の第２部分よりも高い抵抗にする一方、前記第２部
分に、抵抗値調整用のトリミング溝８を刻設する。
両端に対する端子電極５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂとを形成
して成る膜型抵抗器において、その放熱性の向上と、抵
抗値調整の精度の向上とを図る。 【解決手段】 前記抵抗膜２を、前記両端子電極又はい
ずれか一方の端子電極に隣接する第１部分２ａと、これ
以外の第２部分２ｂとで構成し、前記第１部分を、これ
以外の第２部分よりも高い抵抗にする一方、前記第２部
分に、抵抗値調整用のトリミング溝８を刻設する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック等の耐
熱性絶縁体の表面に抵抗体を膜状にして形成した膜型の
抵抗器において、その構造に関するもである。
熱性絶縁体の表面に抵抗体を膜状にして形成した膜型の
抵抗器において、その構造に関するもである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の膜型抵抗器は、従来か
ら良く知られているように、セラミック等の耐熱性絶縁
体の表面に、抵抗膜と、その両端に対する端子電極と、
前記抵抗膜を覆うカバーコートとを形成し、前記抵抗膜
おける抵抗値が所定値になるように調整する一方、前記
両端子電極を、当該抵抗器を搭載するプリント基板等に
対して半田付けするという構成にしている。
ら良く知られているように、セラミック等の耐熱性絶縁
体の表面に、抵抗膜と、その両端に対する端子電極と、
前記抵抗膜を覆うカバーコートとを形成し、前記抵抗膜
おける抵抗値が所定値になるように調整する一方、前記
両端子電極を、当該抵抗器を搭載するプリント基板等に
対して半田付けするという構成にしている。
【０００３】一方、この種の抵抗器においては、前記抵
抗膜にトリミング溝を刻設することにより、その抵抗値
を所定値になるように調整するという構成にしている
が、従来は、図５に示すように、この抵抗値調整用のト
リミング溝１８を、抵抗膜１２のうち両端子電極１３の
略中間の部位に刻設するようにしているから、以下に述
べるような問題あった。
抗膜にトリミング溝を刻設することにより、その抵抗値
を所定値になるように調整するという構成にしている
が、従来は、図５に示すように、この抵抗値調整用のト
リミング溝１８を、抵抗膜１２のうち両端子電極１３の
略中間の部位に刻設するようにしているから、以下に述
べるような問題あった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】すなわち、この種の抵
抗器は、プリント基板等に対して、前記したように、両
端子電極の半田付けにて実装されることにより、この抵
抗器にとける抵抗膜に発生する熱のプリント基板側に放
熱は、専らその両端部において行われる。
抗器は、プリント基板等に対して、前記したように、両
端子電極の半田付けにて実装されることにより、この抵
抗器にとける抵抗膜に発生する熱のプリント基板側に放
熱は、専らその両端部において行われる。
【０００５】しかし、従来の抵抗器においては、前記し
たように、抵抗膜１２における抵抗値の調整を当該抵抗
膜１２のうち両端子電極１３の略中間の部位にトリミン
グ溝１８を刻設することによって行うように構成してい
ることにより、この抵抗膜の発熱は、前記トリミング溝
１８を刻設した部分において特に多くなるが、この部分
は、プリント基板への放熱部である両端から最も遠い略
中央部で、この中央部分における放熱性が低いから、中
央部分に発熱が集中するという問題がある。
たように、抵抗膜１２における抵抗値の調整を当該抵抗
膜１２のうち両端子電極１３の略中間の部位にトリミン
グ溝１８を刻設することによって行うように構成してい
ることにより、この抵抗膜の発熱は、前記トリミング溝
１８を刻設した部分において特に多くなるが、この部分
は、プリント基板への放熱部である両端から最も遠い略
中央部で、この中央部分における放熱性が低いから、中
央部分に発熱が集中するという問題がある。
【０００６】しかも、抵抗膜１２における抵抗値の調整
をトリミング溝１８によってのみ行うようにしているこ
とにより、このトリミング溝を刻設することによる抵抗
値の変化量が大きいから、抵抗値調整の精度が低いとい
う問題もあった。
をトリミング溝１８によってのみ行うようにしているこ
とにより、このトリミング溝を刻設することによる抵抗
値の変化量が大きいから、抵抗値調整の精度が低いとい
う問題もあった。
【０００７】本発明は、これら問題を解消した膜型抵抗
器の構造を提供することを技術的課題とするものであ
る。
器の構造を提供することを技術的課題とするものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、「耐熱性絶縁体の表面に、抵抗膜と、
その両端に対する端子電極とを形成して成る膜型抵抗器
において、前記抵抗膜を、前記両端子電極又はいずれか
一方の端子電極に隣接する第１部分と、これ以外の第２
部分とで構成し、前記第１部分を、これ以外の第２部分
よりも高い抵抗にする一方、前記第２部分に、抵抗値調
整用のトリミング溝を刻設する。」という構成にした。
るため本発明は、「耐熱性絶縁体の表面に、抵抗膜と、
その両端に対する端子電極とを形成して成る膜型抵抗器
において、前記抵抗膜を、前記両端子電極又はいずれか
一方の端子電極に隣接する第１部分と、これ以外の第２
部分とで構成し、前記第１部分を、これ以外の第２部分
よりも高い抵抗にする一方、前記第２部分に、抵抗値調
整用のトリミング溝を刻設する。」という構成にした。
【０００９】
【発明の作用・効果】このように構成することにより、
抵抗膜における抵抗値を所定値にすることを、抵抗値の
低い第２部分にトリミング溝を刻設することと、第１部
分を高い抵抗にしたこととに分散できる。
抵抗膜における抵抗値を所定値にすることを、抵抗値の
低い第２部分にトリミング溝を刻設することと、第１部
分を高い抵抗にしたこととに分散できる。
【００１０】これにより、抵抗膜のうちトリミング溝を
刻設した第２部分における発熱は低くなる一方、前記抵
抗膜のうちプリント基板に対する放熱性の良い両端又は
一端に隣接する第１部分における発熱は、前記第２部分
における発熱が低くなった分だけ多くなるというよう
に、発熱を第１部分と第２部分と両方に分散できるか
ら、発熱が部分的に集中することを確実に回避できるの
であり、しかも、第２部分に対してトリミング溝を刻設
することによる抵抗値の変化量は、第１部分を高い抵抗
にした分だけ小さくなるから、抵抗値調整の精度を向上
できるのである。
刻設した第２部分における発熱は低くなる一方、前記抵
抗膜のうちプリント基板に対する放熱性の良い両端又は
一端に隣接する第１部分における発熱は、前記第２部分
における発熱が低くなった分だけ多くなるというよう
に、発熱を第１部分と第２部分と両方に分散できるか
ら、発熱が部分的に集中することを確実に回避できるの
であり、しかも、第２部分に対してトリミング溝を刻設
することによる抵抗値の変化量は、第１部分を高い抵抗
にした分だけ小さくなるから、抵抗値調整の精度を向上
できるのである。
【００１１】また、請求項２に記載したように、前記第
２部分を、マトリックス状に構成し、このマトリックス
の一部を前記トリミング溝にて切断するという構成にす
ることにより、後述するように、抵抗値調整の精度を更
に向上できるのである。
２部分を、マトリックス状に構成し、このマトリックス
の一部を前記トリミング溝にて切断するという構成にす
ることにより、後述するように、抵抗値調整の精度を更
に向上できるのである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、薄
膜型のチップ抵抗器に適用した場合の図面について説明
する。
膜型のチップ抵抗器に適用した場合の図面について説明
する。
【００１３】図１及び図２は、第１の実施の形態を示
す。
す。
【００１４】この図において、符号１は、セラミックに
てチップ型にて構成した耐熱性絶縁体を示し、この絶縁
体１の表面（下面）には、タンタル又はニクロム合金等
による薄膜の抵抗膜２が、絶縁体１の一端から他端に向
かって延びるように形成されている。
てチップ型にて構成した耐熱性絶縁体を示し、この絶縁
体１の表面（下面）には、タンタル又はニクロム合金等
による薄膜の抵抗膜２が、絶縁体１の一端から他端に向
かって延びるように形成されている。
【００１５】なお、この抵抗膜２は、絶縁体１の表面全
体に、ニクロム合金等による薄膜をスパッタリング又は
真空蒸着等にて形成したのち、この薄膜をフォト・エッ
チングすることによって後述するような形状にして形成
される。
体に、ニクロム合金等による薄膜をスパッタリング又は
真空蒸着等にて形成したのち、この薄膜をフォト・エッ
チングすることによって後述するような形状にして形成
される。
【００１６】前記抵抗膜２の両端には、良導電性金属に
よる電極膜３，４が形成されている。
よる電極膜３，４が形成されている。
【００１７】なお、この両電極膜３，４は、良導電性の
金属の薄膜を、スパッタリング又は真空蒸着等にて形成
したのち、この薄膜をフォト・エッチングすることによ
って形成される。
金属の薄膜を、スパッタリング又は真空蒸着等にて形成
したのち、この薄膜をフォト・エッチングすることによ
って形成される。
【００１８】更に、この両電極膜３，４のうち一方の電
極膜３には、端子電極としての二つのバンプ５ａ，５ｂ
が、又は他方の電極膜４には、同じく端子電極として二
つのバンプ６ａ，６ｂが設けられている。この場合、各
バンプ５ａ，５ｂ及び６ａ，６ｂのうちバンプ５ａと６
ｂは、電圧又は電流を測定するときに、バンプ５ｂと６
ａとは、電流又は電圧を測定するときに各々使用され
る。
極膜３には、端子電極としての二つのバンプ５ａ，５ｂ
が、又は他方の電極膜４には、同じく端子電極として二
つのバンプ６ａ，６ｂが設けられている。この場合、各
バンプ５ａ，５ｂ及び６ａ，６ｂのうちバンプ５ａと６
ｂは、電圧又は電流を測定するときに、バンプ５ｂと６
ａとは、電流又は電圧を測定するときに各々使用され
る。
【００１９】また、前記絶縁体１の表面には、耐熱性合
成樹脂又はガラス等によるカバーコート７が、前記抵抗
膜２及び両電極膜３，４を覆うように形成され、前記各
バンプ５ａ，５ｂ及び６ａ，６ｂは、このカバーコート
７の表面により突出するように構成されて、プリント基
板Ａに対して半田付けされる。
成樹脂又はガラス等によるカバーコート７が、前記抵抗
膜２及び両電極膜３，４を覆うように形成され、前記各
バンプ５ａ，５ｂ及び６ａ，６ｂは、このカバーコート
７の表面により突出するように構成されて、プリント基
板Ａに対して半田付けされる。
【００２０】そして、前記抵抗膜２を、その両端に隣接
する長さＬ1 の第１部分２ａと、これ以外で略中央に位
置する長さＬ２の第２部分２ｂとによって構成し、前記
第１部分２ａを、細長にしてジグザグ状に形成すること
により、その抵抗を、前記第２部分２ｂよりも高くする
一方、前記第２部分２ｂに、その抵抗値を低下するトリ
ミング溝８を刻設することにより、前記抵抗膜２におけ
る抵抗値を所定の抵抗値になるように調整する。
する長さＬ1 の第１部分２ａと、これ以外で略中央に位
置する長さＬ２の第２部分２ｂとによって構成し、前記
第１部分２ａを、細長にしてジグザグ状に形成すること
により、その抵抗を、前記第２部分２ｂよりも高くする
一方、前記第２部分２ｂに、その抵抗値を低下するトリ
ミング溝８を刻設することにより、前記抵抗膜２におけ
る抵抗値を所定の抵抗値になるように調整する。
【００２１】このように、抵抗膜２を、前記両端に隣接
する二つの第１部分２ａと、これ以外で略中央に位置す
る第２部分２ｂとで構成し、前記第１部分２ａを、これ
以外の第２部分２ｂよりも高い抵抗にする一方、前記第
２部分２ｂに、抵抗値調整用のトリミング溝８を刻設し
たことにより、抵抗膜２における抵抗値を所定値にする
ことを、抵抗値の低い第２部分２ｂにトリミング溝８を
刻設することと、二つの第１部分２ａを高い抵抗にした
こととに分散できる。
する二つの第１部分２ａと、これ以外で略中央に位置す
る第２部分２ｂとで構成し、前記第１部分２ａを、これ
以外の第２部分２ｂよりも高い抵抗にする一方、前記第
２部分２ｂに、抵抗値調整用のトリミング溝８を刻設し
たことにより、抵抗膜２における抵抗値を所定値にする
ことを、抵抗値の低い第２部分２ｂにトリミング溝８を
刻設することと、二つの第１部分２ａを高い抵抗にした
こととに分散できる。
【００２２】その結果、抵抗膜２のうちトリミング溝８
を刻設した第２部分２ｂにおける発熱を少なくできる一
方、前記抵抗膜２のうちプリント基板に対する放熱性の
良い両端に隣接する二つの第１部分２ａにおける発熱
を、前記第２部分２ｂにおける発熱が低くなった分だけ
多くできるというように、発熱を両側の二つの第１部分
２ａと中央の第２部分２ｂと両方に分散できるのであ
り、しかも、第２部分２ｂに対してトリミング溝８を刻
設することによる抵抗値の変化量を、二つの第１部分２
ａを高い抵抗にした分だけ小さくことができるのであ
る。
を刻設した第２部分２ｂにおける発熱を少なくできる一
方、前記抵抗膜２のうちプリント基板に対する放熱性の
良い両端に隣接する二つの第１部分２ａにおける発熱
を、前記第２部分２ｂにおける発熱が低くなった分だけ
多くできるというように、発熱を両側の二つの第１部分
２ａと中央の第２部分２ｂと両方に分散できるのであ
り、しかも、第２部分２ｂに対してトリミング溝８を刻
設することによる抵抗値の変化量を、二つの第１部分２
ａを高い抵抗にした分だけ小さくことができるのであ
る。
【００２３】図３は、第２の実施の形態を示す。この第
２の実施の形態は、前記第１の実施の形態のようにバン
プ５ａ，５ｂ及び６ａ，６ｂを設けて，これを端子電極
とすることに代えて、前記絶縁体１の左右両端面に、側
面電極膜９，１０を、前記抵抗膜２の両端に電気的に導
通するように形成して、これを端子電極にして、プリン
ト基板Ａ等に対して半田付けするように構成したもので
あり、その他の構成は、前記第１の実施の形態と同じで
ある。
２の実施の形態は、前記第１の実施の形態のようにバン
プ５ａ，５ｂ及び６ａ，６ｂを設けて，これを端子電極
とすることに代えて、前記絶縁体１の左右両端面に、側
面電極膜９，１０を、前記抵抗膜２の両端に電気的に導
通するように形成して、これを端子電極にして、プリン
ト基板Ａ等に対して半田付けするように構成したもので
あり、その他の構成は、前記第１の実施の形態と同じで
ある。
【００２４】図４は、第３の実施の形態を示す。この第
３の実施の形態は、前記抵抗膜２のうち略中央に位置す
る第２部分２ｂを、マトリックス状に構成し、このマト
リックスの一部をトリミング溝８ａにて切断することに
よって、抵抗膜２における抵抗値を所定値になるように
調整したものであり、その他の構成は、前記と同様であ
る。
３の実施の形態は、前記抵抗膜２のうち略中央に位置す
る第２部分２ｂを、マトリックス状に構成し、このマト
リックスの一部をトリミング溝８ａにて切断することに
よって、抵抗膜２における抵抗値を所定値になるように
調整したものであり、その他の構成は、前記と同様であ
る。
【００２５】ところで、抵抗値調整用のトリミング溝
は、一般に、抵抗膜２における抵抗値を測定しながらレ
ーザ光線の照射によって焼失するようにして刻設するも
のであるから、このトリミング溝を、前記図２に示す第
１の実施の形態のように、第２部分２ｂの一部を残すよ
うにして刻設した場合には、第２部分２ｂのうち残され
た部分は、電流が流れるにもかかわらず、前記トリミン
グ溝を刻設するときの熱によるダメージを受けているか
ら、トリミング溝を刻設するときにおける熱のために抵
抗値が可成り変化する。
は、一般に、抵抗膜２における抵抗値を測定しながらレ
ーザ光線の照射によって焼失するようにして刻設するも
のであるから、このトリミング溝を、前記図２に示す第
１の実施の形態のように、第２部分２ｂの一部を残すよ
うにして刻設した場合には、第２部分２ｂのうち残され
た部分は、電流が流れるにもかかわらず、前記トリミン
グ溝を刻設するときの熱によるダメージを受けているか
ら、トリミング溝を刻設するときにおける熱のために抵
抗値が可成り変化する。
【００２６】これに対し、前記したように、第２部分２
ｂをマトリックス状に構成し、このマトリックスの一部
をトリミング溝８ａにて切断することによって抵抗値を
調整するように構成した場合には、電流は、マトリック
スのうち前記トリミング溝８ａにて切断されていない残
りの部分を流れ、前記トリミング溝８ａにて切断された
部分、つまり、レーザ光線の照射にて熱的影響を受けた
部分を流れることはないから、抵抗値が熱によるダメー
ジにて変化することを確実に回避することができ、抵抗
値調整の精度を、前記第１の実施の形態の場合よりも向
上できるのである。
ｂをマトリックス状に構成し、このマトリックスの一部
をトリミング溝８ａにて切断することによって抵抗値を
調整するように構成した場合には、電流は、マトリック
スのうち前記トリミング溝８ａにて切断されていない残
りの部分を流れ、前記トリミング溝８ａにて切断された
部分、つまり、レーザ光線の照射にて熱的影響を受けた
部分を流れることはないから、抵抗値が熱によるダメー
ジにて変化することを確実に回避することができ、抵抗
値調整の精度を、前記第１の実施の形態の場合よりも向
上できるのである。
【００２７】また、前記各実施の形態は、抵抗膜のうち
その左右両端に隣接する部分の各々を高抵抗の第１部分
に、その間の略中央の部分を低抵抗の第２部分に構成し
た場合であったが、本発明は、これに限らず、抵抗膜の
うちその一端に隣接する部分のみを高抵抗の第１部分
に、これ以外の部分を低抵抗の第２部分に構成しても良
く、このように構成することによっても、本発明の課題
を達成することができることは言うまでもない。
その左右両端に隣接する部分の各々を高抵抗の第１部分
に、その間の略中央の部分を低抵抗の第２部分に構成し
た場合であったが、本発明は、これに限らず、抵抗膜の
うちその一端に隣接する部分のみを高抵抗の第１部分
に、これ以外の部分を低抵抗の第２部分に構成しても良
く、このように構成することによっても、本発明の課題
を達成することができることは言うまでもない。
【００２８】更にまた、本発明は、前記各実施の形態の
薄膜型チップ抵抗器に限らず、抵抗膜を、スクリーン印
刷等にて厚膜状に形成した厚膜型抵抗器に対しても同様
に適用できることは勿論である。
薄膜型チップ抵抗器に限らず、抵抗膜を、スクリーン印
刷等にて厚膜状に形成した厚膜型抵抗器に対しても同様
に適用できることは勿論である。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す縦断正面図で
ある。
ある。
【図２】図１の一部切欠底面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態を示す縦断正面図で
ある。
ある。
【図４】本発明の第２の実施の形態を示す底面図であ
る。
る。
【図５】従来の例を示す平面図である。
１ 絶縁体 ２ 抵抗膜 ２ａ 第１部分 ２ｂ 第２部分 ３，４ 電極膜 ５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂ 端子電極としてのバンプ ７ カバーコート ８ トリミング溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E032 BA11 BA12 BB01 CA01 CA02 TA17 TA18 TB02 5E033 AA02 BB02 BC01 BD02 BE01 BF01 BF02 BG02 BG03 BH01 BH02
Claims (2)
- 【請求項１】耐熱性絶縁体の表面に、抵抗膜と、その両
端に対する端子電極とを形成して成る膜型抵抗器におい
て、 前記抵抗膜を、前記両端子電極又はいずれか一方の端子
電極に隣接する第１部分と、これ以外の第２部分とで構
成し、前記第１部分を、これ以外の第２部分よりも高い
抵抗にする一方、前記第２部分に、抵抗値調整用のトリ
ミング溝を刻設したことを特徴とする膜型抵抗器の構
造。 - 【請求項２】前記請求項１において、前記第２部分を、
マトリックス状に構成し、このマトリックスの一部を前
記トリミング溝にて切断したことを特徴とする膜型抵抗
器の構造。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11207681A JP2001035702A (ja) | 1999-07-22 | 1999-07-22 | 膜型抵抗器の構造 |
| US09/621,621 US6292091B1 (en) | 1999-07-22 | 2000-07-21 | Resistor and method of adjusting resistance of the same |
| TW089114671A TW466508B (en) | 1999-07-22 | 2000-07-21 | Resistor and method of adjusting resistance of the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11207681A JP2001035702A (ja) | 1999-07-22 | 1999-07-22 | 膜型抵抗器の構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001035702A true JP2001035702A (ja) | 2001-02-09 |
Family
ID=16543823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11207681A Pending JP2001035702A (ja) | 1999-07-22 | 1999-07-22 | 膜型抵抗器の構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001035702A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7326624B2 (en) | 2004-02-09 | 2008-02-05 | Rohm Co., Ltd. | Method of making thin-film chip resistor |
| US7345477B1 (en) | 2006-09-11 | 2008-03-18 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic detection device including resistance adjusting unit |
| JP2009111308A (ja) * | 2007-11-01 | 2009-05-21 | Kamaya Denki Kk | 金属板低抵抗チップ抵抗器及びその製造方法 |
| JP2011243940A (ja) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 抵抗器及び抵抗器の形成方法 |
| JP2013153130A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-08-08 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器 |
| JP2016086074A (ja) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | Koa株式会社 | 抵抗器およびその製造方法 |
| JP2018082141A (ja) * | 2016-11-15 | 2018-05-24 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 抵抗体を含む電子部品 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54111660A (en) * | 1978-02-21 | 1979-09-01 | Nippon Electric Co | Filmmlike resistor and adjusting method of same |
| JPS61146901U (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-10 | ||
| JPH07211504A (ja) * | 1994-10-19 | 1995-08-11 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 表面実装型電子部品の端子電極とその製造方法 |
| JPH10163013A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 抵抗体のトリミング方法 |
-
1999
- 1999-07-22 JP JP11207681A patent/JP2001035702A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54111660A (en) * | 1978-02-21 | 1979-09-01 | Nippon Electric Co | Filmmlike resistor and adjusting method of same |
| JPS61146901U (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-10 | ||
| JPH07211504A (ja) * | 1994-10-19 | 1995-08-11 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 表面実装型電子部品の端子電極とその製造方法 |
| JPH10163013A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 抵抗体のトリミング方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7326624B2 (en) | 2004-02-09 | 2008-02-05 | Rohm Co., Ltd. | Method of making thin-film chip resistor |
| US7345477B1 (en) | 2006-09-11 | 2008-03-18 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic detection device including resistance adjusting unit |
| JP2009111308A (ja) * | 2007-11-01 | 2009-05-21 | Kamaya Denki Kk | 金属板低抵抗チップ抵抗器及びその製造方法 |
| JP2011243940A (ja) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 抵抗器及び抵抗器の形成方法 |
| JP2013153130A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-08-08 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器 |
| US10410772B2 (en) | 2011-12-28 | 2019-09-10 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor |
| JP2016086074A (ja) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | Koa株式会社 | 抵抗器およびその製造方法 |
| JP2018082141A (ja) * | 2016-11-15 | 2018-05-24 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 抵抗体を含む電子部品 |
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