JPH10135016A

JPH10135016A - 膜抵抗体

Info

Publication number: JPH10135016A
Application number: JP8285002A
Authority: JP
Inventors: Koji Matsubara; 浩二松原; Shigeru Nakao; 滋中尾; 宏明 ▲高▼木; Hiroaki Takagi
Original assignee: Fujitsu VLSI Ltd; Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu VLSI Ltd; Fujitsu Ltd
Priority date: 1996-10-28
Filing date: 1996-10-28
Publication date: 1998-05-22

Abstract

(57)【要約】【目的】抵抗膜に耐サージ性に優れたトリミング法を施
した膜抵抗体の提供。【構成】抵抗膜に流れる電流に特定の方向から電磁気力
が作用するように磁界を印加し、その電磁気力の方向と
反対の向きの抵抗膜の側に偏ってトリミングを施すこと
で、耐サージ特性の優れた膜抵抗体とする。この磁界
は、抵抗膜を折り返した構成し、トリミングされた抵抗
膜に隣接する抵抗膜の電流がつくる磁界を使用しても良
いし、また別の手段で発生させた磁界でも良い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は抵抗膜の抵抗値調整
に関するものであって、特に耐サージ性に優れ、抵抗値
精度も高い膜抵抗体に適応したものである。

【０００２】

【従来の技術】耐高電圧で高精度な抵抗体は、電話交換
機やその他電子機器の過電圧保護回路等に広く利用され
ている。図７に電話交換機の一例を示した。落雷等によ
り電話線１から高電圧が誘導されるとアレスタ２が短絡
現象を起こして、電話交換機３への過電圧浸入を阻止す
る。このアレスタ２が動作するのは、電圧が数１００Ｖ
〜１０００Ｖ程度で、応答時間は数μｓである。電話交
換機３の保護回路４はアレスタ２の動作開始までの間は
前記電圧、電力に耐えることが必要で、保護回路４の抵
抗体５、６も同様の耐電圧、耐電力が要求される（以下
では、サージ電圧、耐サージ等と記述する）。一方、通
常の通話時では、抵抗体５、６、ヒューズ７を経て主要
な回路８へ通話電流が流れる。電流は少ないが、適切な
通話電流を確保するために、抵抗体５、６はバランスの
とれた高精度な抵抗値調整（トリミング等）が要求され
る。

【０００３】前記抵抗体は、主としてコスト等の点か
ら、厚膜をセラミック基板に形成した膜抵抗体が使用さ
れ、抵抗膜の形状も矩形が基本になっている。従来の代
表的な例を図８Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、に示した（例えば、特
開昭６０─１０９２０２、特開平３─４４９０１、特開
平５─５５０１５、特開平６─８４６２０）。当初は、
図Ａに示す抵抗膜９と電極１０で膜抵抗体を構成し、ト
リミング１１はＬ字状になされていた。サージ電圧が印
加されると、点線で図示した電流１２のように、特にト
リミングの先端Ｐ１やトリミング外角Ｐ２の近傍の電流
密度が高くなり、発熱し高温になるため、例えばＰ１近
辺では抵抗膜にクラックが発生し、抵抗値も経時変化す
る問題があった。図Ｂ、Ｃ、Ｄでは、この問題を解決す
る方法を示した（電流の図示は省略した）。図Ｂは円弧
状のトリミング１１で、トリミング位置近傍の電流密度
の増大を抑制している。図Ｃは電極１０の間隔外に凸状
のトリミング部を設け、主電流と平行に凸部を切断する
トリミング１１で電流密度の高まりを回避している。図
Ｄは電極１０も同時にトリミング１１し、電流密度を均
一化している。又、図示してないが、基板の両面に膜抵
抗体を設け、電流を分散する方法もあるが、スルーホー
ルの形成等の工数が必要となる。

【０００４】前記公知例の抵抗膜は酸化ルテニウム系、
酸化ロジウム系等の多量のガラス成分等が充填された厚
膜材料であり、微視的にはガラス粒の間隙の導体性部分
を電流が流れる。この間隙は人為的に制御できず、サー
ジ電流が局部の導体性部分に集中して抵抗膜が損傷する
事を回避するために、マージンを見込んだ幅広の抵抗膜
を形成している。所定の抵抗値を得るために、それに対
応する抵抗膜の長さが必要で、抵抗膜面積が大きくな
る。

【０００５】これに対して、ガラス等の不導体成分の少
ない又は含まない面積抵抗の低い抵抗膜を使用する方法
がある。サージ電流に合わせて抵抗膜の幅を狭くし、所
定の抵抗値となる長さの抵抗膜を折り返しパターン状に
形成することで膜抵抗体を小型化する方法である。図９
にはその一例を示し、抵抗膜９と電極１０の組合せで、
折り返し形態の膜抵抗体が形成されている。抵抗値の粗
調整は、膜抵抗体が所望の抵抗値に近くなるまで、折り
返し抵抗膜の途中に設けた導体膜１３の切断１４を、多
数回繰り返すことで行う。抵抗値の微調整は、図の上段
のような幅広の抵抗膜９のトリミング１１により行う。
粗調整と微調整を別々に行うので、図８の矩形状の膜抵
抗体の場合より、抵抗値の調整の範囲は広く、精度も高
い。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来の抵抗膜を折り返
しパターン状に形成した膜抵抗体の課題は、抵抗値を微
調整するトリミング１１の近傍で電流密度が高くなり
（詳細は後述）、サージ電圧が印加された際のクラック
発生が回避されていないことである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】課題を解決する手段の原
理は、トリミングを抵抗膜の適切な位置に行うことで、
折り返しの隣の抵抗膜に流れる電流がつくる磁界又は他
の手段により発生させた磁界の作用によりトリミング位
置近辺の電流密度を低下させ、耐サージ性を高めるもの
である。

【０００８】図１では本発明の原理を示し、図Ａのトリ
ミングは本発明の図Ｂと比較として説明するために図示
したものである。図のＡ、Ｂは、基板８０上に一回折り
返しの抵抗膜を形成した抵抗体の例で、は平面図、
はａ−ａ線断面図である。電極５１へ正の、電極５２へ
負の電圧を印加すると、電流７１は電極５１から抵抗膜
６１を電極５３（折り返し端も電極にした）へ流れ、折
り返し電流７２は電極５３から抵抗膜６２を電極５２へ
流れる。抵抗膜６１のトリミング１１の位置は、抵抗膜
６１の幅方向に関して、図Ａでは抵抗膜６２が配置され
てない側（図９と同様）であり、図Ｂでは抵抗膜６２が
配置されている側である。電流７１、７２の方向は反対
で、その大きさをＩとする（抵抗膜の幅方向で電流分布
があるが、近似的に膜幅の中央に電流Ｉが流れるとす
る）。電流７２により、抵抗膜６２の中央から距離Ｒだ
け離れた抵抗膜６１のある部分には、式（１）で表され
る磁束密度Ｈの磁界が照射される（ｋを定数とする）。

【０００９】Ｈ＝ｋＩ／Ｒ（１）前記のある部分に流れる電流をｉとすると、ｉには式
（２）で表される電磁気力Ｆの力が作用する。Ｆ＝ｉ×Ｈ（２）又、抵抗膜６２を流れる電流７２にも、抵抗膜６１を流
れる電流７１がつくる磁界が前述と同様に作用する。

【００１０】図１Ａのトリミング２１の近傍へはｈ２の
磁界が、図１Ｂのトリミング２１の近傍へはＨ２の磁界
が、式（１）により、印加される。これらの磁界は、式
（２）により、そのトリミング近傍に流れる電流に対し
て、それぞれｆ１、Ｆ１の電磁気力を作用させる（力の
方向を示したもので、以下同様）。抵抗膜６２へ印加さ
れる磁界や、作用する電磁気力の図示は省略した。図１
Ａのトリミング２１近傍では、トリミング２１により電
流が集中しており、ｆ１の電磁気力の作用も加わって、
更に電流密度が高くなり、トリミング２１近傍の発熱が
激しくなる。このような現象が起因して、サージ電圧が
印加されると、その近傍の抵抗膜６１にクラックが発生
する。

【００１１】一方、図１Ｂのトリミング２１近傍では、
その近傍に流れる電流に対して、トリミング２１から離
れる方向へＦ１の電磁気力が作用するので、トリミング
２１による電流集中が緩和され、電流密度は低減され
る。即ち、電磁気力（Ｆ１）の方向と反対向きの側（抵
抗膜６１の）に偏ってトリミング２１をすればよい。こ
の結果、サージ電圧の印加によるクラック発生が抑制さ
れる。前記と逆方向に電圧が印加されると、電流は逆方
向へ流れるが、電磁気力は同様に作用する。

【００１２】図２Ａ、Ｂは二回折り返しの例（折り返し
端も電極で形成）の原理図で、は平面図、はａ−ａ
線断面図である。図２Ａでは、抵抗膜６１の、図２Ｂは
抵抗膜６２の各幅は他の抵抗膜部分より広く、同所にト
リミング２２を実施した例を示した。電極５１に正の、
電極５２に負の電圧を印加した場合を例として説明する
が、電圧を逆に印加しても、電磁気力の作用は同様にな
る。

【００１３】先ず、図２Ａのトリミング２２への影響を
述べる。抵抗膜６１のＰ１、Ｐ２へは抵抗膜６２を流れ
る電流７２からの磁界ｈ１、Ｈ１及び抵抗膜６３を流れ
る電流７３からの磁界ｈ２、Ｈ２が印加される。Ｐ１、
Ｐ２から抵抗膜６２までの距離は、抵抗膜６３までの距
離より短いので、ｈ１、Ｈ１はそれぞれｈ２、Ｈ２より
大きい。Ｐ１、Ｐ２に照射される実効的な磁界は（ｈ１
−ｈ２）、（Ｈ１−Ｈ２）で、作用する電磁気力はこの
磁界に比例するｆ１、Ｆ１である。抵抗膜６１のトリミ
ング２２近傍（Ｐ１）の電流にはｆ１の電磁気力が働
き、その近傍の電流密度を高め、サージ電圧が印加され
るとクラック発生が加速される。一方、抵抗膜６１のト
リミング２２と反対側（Ｐ２）では、電流へ働く電磁気
力（Ｆ１）の方向は膜幅の中央方向であり、この位置に
トリミング（図示せず）すれば耐サージ性は良好にな
る。

【００１４】次に、図２Ｂのトリミング２２への影響を
説明する。抵抗膜６２のＰ３、Ｐ４へは抵抗膜６１を流
れる電流７１からの磁界ｈ３、Ｈ３及び抵抗膜６３の電
流７３からの磁界ｈ４、Ｈ４が印加される。図では、Ｐ
３から抵抗膜６１までの距離とＰ４から抵抗膜６１まで
の距離が等しい例を示した。この場合、抵抗膜６２のＰ
３とＰ４に印加される実効的な磁界は（Ｈ３−ｈ４）と
（Ｈ４−ｈ３）で、磁界の強さは等しく、方向が反対
で、そこに流れる電流に作用する電磁気力はこの磁界に
比例するｆ２とＦ２である。抵抗膜６２のトリミング２
２近傍（Ｐ３）の電流に働く電磁気力ｆ２は、トリミン
グ２２から電流を遠ざける方向に働くので、その近傍の
電流密度を下げ、サージ電圧の印加での電流集中を抑制
し、耐サージ性が改善される。即ち、電磁気力（ｆ２）
が作用している領域では、電磁気力（ｆ２）の作用する
方向と反対向きの抵抗膜６２の側に偏ってトリミング２
２を施せばよい。Ｆ２（位置Ｐ４）も抵抗膜６２の側面
からその中央方向に働き、Ｐ４の側にトリミング（図示
せず）しても、耐サージ性は良好である。

【００１５】次に、Ｐ４について、抵抗膜６１の位置は
固定しておき、抵抗膜６３がＰ４から離れた場合につい
て述べる。抵抗膜６３からＰ４までの距離が大きくなる
と、式（１）によりＨ４が小さくなり、Ｐ４への実効的
な磁界（Ｈ４−ｈ３）も小さくなる。前記距離がＰ４と
抵抗膜６１の距離より大きくなると（Ｈ４−ｈ３）は
（即ち、抵抗膜６１の磁界が支配的になり、実効的磁界
の方向が反転）となり、Ｐ４を流れる電流には、抵抗膜
６２の幅の中央とは反対方向への電磁気力が作用する。
この場合には、Ｐ４の側のトリミング（図示せず）で
は、Ｐ４近傍の電流密度が高まり、耐サージに不都合と
なる。

【００１６】多数回繰り返しの例で、ｎ列目の抵抗膜の
ある位置に照射される磁界Ｈ（ｎ）は、その抵抗膜の左
右に多数列配置された抵抗膜の電流による磁界Ｈ（ｎ−
ｘ）、Ｈ（ｎ＋ｘ）により式（３）で表される（ｘはｎ
列目からの左右に並んだ抵抗膜の列の番号に対応するも
ので、１〜ｍ）。Ｈ（ｎ）＝〔Ｈ（ｎ＋１）−Ｈ（ｎ−１）〕＋〔−Ｈ（ｎ＋２）＋Ｈ（ｎ− ２）〕＋・・・＋〔Ｈ（ｎ＋ｍ）−Ｈ（ｎ−ｍ）〕（３）ｘが大きい程、式（１）のＲが大きいので、Ｈ（ｎ−
ｘ）、Ｈ（ｎ＋ｘ）は小さくなり、しかも磁界の向きは
ｘと共に順に変わる。この結果、ｎ列目の抵抗膜に照射
される磁界は、その隣の（ｎ＋１）、（ｎ−１）列目の
抵抗膜に流れる電流による磁界が大きく影響する。（ｎ
＋１）、（ｎ−１）列目の抵抗膜の電流は等しいので、
ｎ列目の抵抗膜の各点に印加される磁界は、各点と（ｎ
＋１）、（ｎ−１）列目の抵抗膜までの距離により決ま
り、（ｎ＋１）列に近い点では（ｎ＋１）列の抵抗膜を
流れる電流の磁界が、（ｎ−１）列に近い点では（ｎ−
１）列の抵抗膜の電流の磁界が支配的になる。ｎ列目の
抵抗膜内で、この支配的な磁界をつくる隣の抵抗膜に近
い側では、その点に流れる電流に対して、ｎ列目の抵抗
膜幅の中央方向へ電磁気力が作用する。このような力が
作用される位置でトリミングすれば、電流密度の高まり
が抑制され、耐サージ性を良好にすることができる。

【００１７】以上の説明では、トリミング部分に印加さ
れる磁界は、一部にトリミングが施された膜抵抗体にな
がれる電流のつくる磁界を利用した例を示したが、別の
膜抵抗体や導体に流れる電流のつくる磁界でもよく、更
には磁石等が発生する磁界を利用して、電磁気力を作用
させても本発明が実現されることは、前記の原理説明か
ら容易に理解できる。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明の電極及びトリミング部分
の構成の基本形態について、二回折り返しの膜抵抗体の
例を図３Ａ、Ｂ、Ｃに示した（基板、磁界、電流等の表
記は省略）。図Ａは抵抗膜６１を折り返して、その両端
に電極５１、５２を設けた場合で、折り返し端の内側を
半円形にすることで、電流の偏りを緩和した。本発明の
原理説明の通り、Ｌ型のトリミング２１は折り返し抵抗
膜が隣り合う側に設けた。図Ｂは折り返し端も電極５
３、５４で構成し、折り返し端での電流の偏りを回避し
た例でトリミング２１はＡと同様である。図ＣはＢと同
様に折り返し端を電極５３、５４で構成した。更に図示
のようにトリミング２２を施す抵抗膜６１の幅を拡張
し、同拡張部分の一端は電極５３と直線的に接続し、同
部分の他端は斜めにカットされ電極５１に接続した。前
記拡張部分を電極５１の側からトリミング２２を直線型
（Ｌ型でない）に行うことができる。トリミング２２が
なされる部分の抵抗膜６１の幅が広いので、調整できる
抵抗値範囲は図Ａ、Ｂより広い。

【００１９】なお、本実施例では前記のＬ型と直線型の
トリミングの形状を図示したが、Ｕ型にトリミングして
も、又図示した線状のものでなく、面状（トリミングに
より電流が流れない膜部分の全体を除去）にトリミング
しても構わず、本発明ではトリミング形状が特に限定さ
れることはない。又、膜抵抗体を構成する材料等につい
ては記述していないが、後述の図６のAgPd系等の抵抗、
AgPt系等の電極の厚膜やTa系等の抵抗、Au、Al等の電極
の薄膜が適用できるが、特にこれらに限られるものでは
ない（後述の図４も同様）。

【００２０】図４は二回折り返し膜抵抗体での、トリミ
ングによる調整の範囲を更に拡げる例と作用を示し、
は平面図、はａ−ａ線断面図である。電極５３、５４
に接続された抵抗膜６２の両側にはトリミング２２−
１、２２−２を施すための幅拡張の部分を設けた。片側
だけでは調整しきれない時の予備として他側を使用す
る。図では、先ずトリミング２２−１を実施し、抵抗値
の不足分を調整するトリミング２２−２では、図のＷ１
よりＷ２を狭くした。Ｗ２が狭いので、トリミング２２
−２の単位長さ当りの抵抗値変化率は小さく、調整精度
は高い。

【００２１】以下に、抵抗膜６２から抵抗膜６１、６３
までの距離を等しくした例を説明する。電極５１へ正
の、電極５２へ負の電圧を印加すると、電流は、図４の
の抵抗膜６１、６３では左から右へ、抵抗膜６２では
右から左へ、流れる。図２Ｂの原理説明のように、抵抗
膜６２の両側の幅拡張の部分には、抵抗膜６１、６３の
それぞれの電流からの、互いに反対向きで、距離に反比
例する大きさの磁界が印加されるので、その差分が実効
的な磁界となる。抵抗膜６２の両側の幅拡張の部分へ印
加される実効的な磁界Ｈ１、Ｈ２は各側に隣接した抵抗
膜を流れる電流がつくる磁界が支配的になる。前記の各
側には互いに反対向きの実効的な磁界が印加され、抵抗
膜６２の前記の各側を流れる電流には、図示した電磁気
力Ｆ１、Ｆ２の抵抗膜の幅の中央方向に向く力が働き、
トリミング２２−１、２２−２近傍の電流密度の高まり
を緩和する。即ち、電磁気力の方向と反対の向きの側に
偏ってトリミングすれば良い。両側のトリミング２２
で、耐サージ性を保持しながら抵抗値調整の範囲が広
く、同時に高精度の調整が可能となる。多くは、抵抗膜
６２から抵抗膜６１、６３までの距離を等分に設計する
が、等分でない場合は、原理説明で既述の通り、支配的
な磁界を印加する抵抗膜が配置された側（抵抗膜６２の
幅方向内で）をトリミングすれば良い。

【００２２】図５Ａ、Ｂは基板８０に第１の膜抵抗体３
０を粗調整するための膜抵抗体３１〜３４を形成した実
施例を示す。第１の膜抵抗体３０は配線５６と電極５１
を経由して端子５５に接続されている。後述するような
電極５１の切断前は、端子５５間の抵抗値（第１の膜抵
抗体３０の抵抗値にほぼ等しい）が所望する抵抗値より
小さくなるように作った。図Ａは、折り返し抵抗膜６１
の折り返し端も電極５１とした場合で、膜抵抗体３１の
抵抗膜６１の長さを単位として、膜抵抗体３２、３３、
３４の抵抗膜６１の長さはそれぞれ２倍、４倍、８倍に
した例である。端子５５間の抵抗値と所望の抵抗値の差
分が、膜抵抗体３１の抵抗膜６１の抵抗値（以下では膜
抵抗体の抵抗値と略記する）より大きく、膜抵抗体３２
の抵抗値より小さい場合は、膜抵抗体３１の電極５１を
４１で示される部分で切断する（以下では切断４１のよ
うに略記する）。この結果、端子５５間の抵抗値は膜抵
抗体３１の抵抗値だけ増加し、所望の抵抗値に近くな
る。前記の差分が、膜抵抗体３１の抵抗値の６倍より大
きく、７倍より小さい場合は、膜抵抗体３２と膜抵抗体
３３の電極５１の切断４２と切断４３を行えば、前記と
同様に所望の抵抗値に近づく。

【００２３】本実施例では、膜抵抗体３１〜３４を選択
して、各膜抵抗体に対応する１か所から４か所の電極５
１を切断することで、膜抵抗体３１の抵抗値を単位とし
て、その１倍から１５倍までを１単位毎に抵抗値を調整
できる。更に、微調整が必要な場合は、例えば図３のよ
うなトリミングを行えばよい。図５Ｂでは、膜抵抗体３
１〜３３のそれぞれの折り返しの抵抗膜６１の途中で、
図示の単位ｕの抵抗値になる位置に抵抗膜６１を短絡す
る導体膜５７を設けた。所望の抵抗値と端子５５間の抵
抗値の差分を測定し、不足の抵抗値を以下のように追加
した。図５Ｂでは膜抵抗体３２の電極５１の切断４１と
導体膜５７の切断４２及び膜抵抗体３１の電極５１の切
断４３を行った。これらの切断により、膜抵抗体３２の
抵抗値と単位ｕの抵抗値が追加された。本実施例では、
膜抵抗体３１〜３３の電極５１に近い側に導体膜５７を
設け、単位ｕの抵抗値調整を可能にしたが、膜抵抗体３
１〜３３の折り返し端に近い側に導体膜５７を設け、単
位ｕの抵抗値調整を可能にしてもよい。図５Ａ、Ｂを設
計、製造する際は、第１の膜抵抗体３０の抵抗値を所望
の抵抗値より小さめにする必要があることは明らかであ
る。

【００２４】図５Ａ、Ｂの実施例の電極または導体膜の
切断による抵抗値調整は、電流集中を伴わないので、耐
サージ性に優れていると同時に、一般の抵抗体の調整法
としも簡便性の効果が発揮できる。又、この抵抗体を構
成する材料等は、例えば抵抗膜には後述の図６のAgPd系
の厚膜が使用できるのは勿論のこと、通常に用いられる
材料で良く、抵抗体の用途に応じた選択が可能である。

【００２５】図６Ａ、Ｂは１枚のセラミック基板８０に
２個の膜抵抗体９０、９１を対称に設け、それぞれの抵
抗値を粗調整と微調整ができる構成例を示した（以下で
は膜抵抗体９０について主に記述する）。図Ａでは、面
積抵抗が１２０ミリオーム／□のAgPd系の厚膜の抵抗膜
６１、６２と３ミリオーム／□のAgPt系の厚膜の電極５
１（配線を含む）、端子５５及び導体膜５７を使用し
た。抵抗膜６１の幅は６００μｍ、抵抗膜６２の幅は１
０００μｍに、また抵抗膜の間隙は２００μｍとした。
抵抗値の調整は、端子５５の抵抗値と所望の抵抗値の差
分に応じて、導体膜５７（一部は電極５１）の切断４１
〜４４の選択とトリミング２２の組合せにより行った。
即ち、粗調整は、切断４１の選択で増加する抵抗値を１
単位とすれば、切断４２では２単位、切断４３（電極５
１の切断）では４単位、切断４３と切断４４では８単位
の調整が可能である。これら切断の組合せによる調整法
は図５Ａと同様である。微調整は、トリミング２２の長
さで調整する。膜抵抗体９１も前記と同様に調整し、膜
抵抗体９０、９１の抵抗値のバランスをとった。

【００２６】本実施例での耐サージ電圧は１３００Ｖ
で、図９に示したトリミング１１の方法を適用した場合
の耐サージ電圧８００Ｖより向上した（この理由は、図
２Ａ、Ｂ等で説明した原理による）。図７のアレスタ２
の作動は数百Ｖ〜１０００Ｖであり、耐サージ電圧１３
００Ｖの実用上の意義は大きい。粗調整についても、図
９の多数回の切断１４に比べ、特に広範の抵抗値調整を
必要とする場合には、本実施例の適用で調整が容易にな
ることは理解される。

【００２７】図６Ｂは、３５０ミリオーム／□のAgPd系
の抵抗膜６１、６２、６３、６４と１０ミリオーム／□
のAgPt系の電極５１（配線を含む）、端子５５を使用し
た例である。抵抗膜６１は６００μｍ幅にした。抵抗膜
６２は１２００μｍ幅で、その両側のトリミング２１で
微調整が可能である。抵抗膜６３、６４は４００、２０
０μｍ幅で、抵抗膜６１と並列に配置し、抵抗膜６３、
６４の切断４１、４２の選択による粗調整が可能である
（この粗調整の方法は、並列の抵抗値の調整のため、通
常、調整可能な抵抗値範囲が図６Ａの方法より狭い）。
この粗調整と微調整により、端子５５間の抵抗値を所望
の抵抗値にし、膜抵抗体９０、９１の抵抗値のバランス
を取った。本実施例の図Ｂも図Ａと同等の耐サージ電圧
を保持していた。

【００２８】以上の通り、厚膜で構成した膜抵抗体の例
を示したが、NiCr系やTa系、Ｗ系のスパッター等による
薄膜で形成した抵抗膜を適用してもよい。抵抗膜のトリ
ミングや導体膜、電極の切断の方法については、特には
言及していないが、レーザ、サンドブラケット等の通常
に用いられている方法が適用できる。

【００２９】

【発明の効果】請求項１、２、３、６では、耐サージに
優れた小型で、抵抗値精度の高い膜抵抗体を実現でき
る。請求項４は請求項１、２、３の効果に加え、トリミ
ングを容易にさせるものである。

【００３０】請求項５は請求項１、２、３、４の効果に
加え、耐サージや電流容量を更に向上させるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】Ａ、Ｂは本発明の原理を示す一例で、は平面
図、はａ−ａ線断面図である。

【図２】Ａ、Ｂは本発明の原理を示す他の例で、その平
面図とａ−ａ線断面図である。

【図３】Ａ〜Ｃは本発明の抵抗体の基本形態の例を示す
図である。

【図４】本発明の一例と作用を示し、は平面図、は
ａ−ａ線断面図である。

【図５】Ａ、Ｂは本発明の他の例を示す図である。

【図６】Ａ、Ｂは、本発明による２つの膜抵抗体を１つ
の基板に形成した例である。

【図７】本発明の係わる抵抗体を使用する装置例のブロ
ック図である。

【図８】Ａ〜Ｄは従来の膜抵抗体の例を示す図である。

【図９】従来の膜抵抗体の例を示す図である。

【符号の説明】

１，電話線、２，アレスタ、３，交換機、４，保護回
路、５〜６，抵抗体、７，フューズ、８，交換機の主要
な回路、９，抵抗膜、１０，電極、１１，トリミング、
１２，電流、１３，導体膜、１４切断、２１〜２２，ト
リミング、３０，第１の膜抵抗体、３１〜３４，第２の
膜抵抗体、４１〜４４，切断、５１〜５４，電極、５
５，端子、５６，配線、５７，導体膜、６１〜６４，抵
抗膜、７１〜７３，電流、８０，基板、

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者中尾滋愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２富士通ヴィエルエスアイ株式会社内 (72)発明者 ▲高▼木宏明愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２富士通ヴィエルエスアイ株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】抵抗膜に流れる電流に前記抵抗膜面内で特
定の方向から電磁気力がかかる前記抵抗膜の領域に対
し、トリミング部分が、前記領域のうちの前記特定の方向と
反対向きの側に偏って設けられてなることを特徴とする
膜抵抗体。
【請求項２】前記膜抵抗体は、並列に配置された複数の
抵抗膜が折り返した構成を有しており、前記電磁気力は
隣接する抵抗膜を流れる電流の作用によるものであるこ
とを特徴とする請求項１記載の膜抵抗体。
【請求項３】前記トリミング部分は、抵抗膜の中心線よ
りも隣接する前記電磁気力を作用させる抵抗膜に近い側
に設けられてなることを特徴とする請求項２記載の膜抵
抗体。
【請求項４】前記複数の抵抗膜は、トリミング部分が設
けられる抵抗膜とトリミング部分が設けられない抵抗膜
とを含んでおり、トリミング部分が設けられる抵抗膜の
幅は、トリミング部分が設けられない抵抗膜の幅よりも
大きいことを特徴とする請求項２又は請求項３記載の膜
抵抗体。
【請求項５】前記複数の抵抗膜を接続している折り返し
端にあたる部分の面積抵抗は、それ以外の抵抗膜の面積
抵抗よりも低いことを特徴とする請求項２乃至請求項４
記載の膜抵抗体。
【請求項６】第１抵抗膜と、前記第１抵抗膜を挟んで隣接して配置され、前記第１抵
抗膜とは逆の方向に実質的に第１抵抗膜と同じ値の電流
が流れる第２、第３抵抗膜とを備え、トリミング部分が、前記第１乃至第３抵抗膜のうち、前
記第１抵抗膜のみに設けられることを特徴とする膜抵抗
体。