JPH0552043B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、薄膜又は厚膜集積回路のトリミング
抵抗体に関するもので、特に定電圧電源装置やア
ナログ・デジタル変換器等の出力特性調整装置に
用いられるトリミング抵抗回路網として使用され
る。

（従来の技術） 近年半導体集積回路及び混成集積回路において
は、高精度の出力特性を得るための手段として、
フアンクシヨナルトリミング（Functional
Trimming）が脚光を浴びている。

レーザ光によるトリミングは光を使用するた
め、被トリミング材と電気的に非接触で行うこと
できる。したがつて回路の出力特性を決定する主
要な因子が例えば抵抗の場合には、その抵抗値を
適切な初期値に設定しておき、回路の動作状態に
して、その出力特性を測定しながら、レーザ光に
より抵抗体を切断あるいは加工して、目標とする
特性が得られるまで抵抗値を調整することが可能
で、高精度の出力特性を得ることができる。この
ような方法はフアンクシヨナルトリミングと呼ば
れる。

これに伴い抵抗値を変えるための様々なトリミ
ング方法が提案されているが、基本的には次の２
種類の方法が主流である。その１つは第７図ａの
電気回路図で例示するように、直列結線された拡
散又は薄膜抵抗素子１と並列に短絡バー２を設け
ておき、この短絡バーを順次切断（×印で示す）
して２端子Ａ，Ｂの抵抗値を変化される方式であ
る。又他の１つは第７図ｂに示す方式である。同
図は膜抵抗体４の平面図で、符号３は金属電極で
ある。抵抗膜に溝５を形成し、膜中の電気力線の
方向を変えることで抵抗値を変化させる方式であ
る。

以下に半導体集積回路におけるフアンクシヨナ
ルトリミングを例に取り従来技術の問題点を説明
する。

第７図ａにおいて、短絡バー２は主にAl等の
電極配線用金属材が用いられる。これら金属は熱
伝道率が高く、光の反射係数が大きいため、レー
ザ光を短絡バーに照射し、これを発熱、溶融、切
断するには多大なレーザ光パワーが必要となる。
そのためこの短絡バーを半導体集積回路の一領域
に設け、レーザトリミングを行うと、切断と同時
に短絡バーの下地層にもレーザ光が照射され、下
地酸化膜をはじめ半導体基板をも破壊するに至る
ことがある。又短絡バー形成工程における該金属
表面状態の僅かな違いで反射率が変わり、切断に
要するレーザ光のパワー条件が変化するで、下地
層を破壊せず、安定したトリミングを常に実現す
るのは極めて困難である。

一方第７図ｂの溝加工方式では、膜抵抗体４を
金属よりも熱伝道率の低い材料、例えばポリシリ
コン等を用いることで、下地層を破壊することな
く加工することは可能なものの、加工した破断部
には微小な亀裂（以下マイクロクラツクという）
６が併発する。該マイクロクラツクは熱又は機械
的ストレスにより成長し、あるいは吸湿すること
により抵抗値の経時変化を起こしやすい。フアク
シヨナルトリミングによる高精度出力調整を行う
回路においては、抵抗値の経時変化は致命的な問
題となる。上記経時変化の発生を防止するために
は、破断部に電子力線が走らないように並列接続
された薄膜抵抗回路網を設けておき、該膜抵抗体
を順次切断して、抵抗値を変化させる方法があ
る。この場合例えば同一抵抗値のトリミング膜抵
抗体を並列接続すると、切断毎に抵抗値の変化量
は一定しない。例えば第８図のように10Ωの膜抵
抗体を10本並列接続したときのＡ、Ｂ端子間の初
期抵抗値は、１Ωで、次に１本切断すると0.1Ω
増加するが、最後に残つた２本のうち１本を切断
するとＡ、Ｂ端子間の抵抗値は５Ωから10Ωに変
わり、変化量は５Ωとなる。この方式では必要に
応じて所要の抵抗値変化をさせることは困難であ
る。

一方上記並列回路でも、切断毎の抵抗値変化量
を一定にすることは可能である。第９図は１Ωか
ら10Ωまで１Ωきざみで抵抗値変化を可能にする
回路網の一例である。Ａ及びＢ端子間の合成抵抗
の初期値は１Ωであり、同図面上で左から右方に
向かつて順次切断することにより、前記合成抵抗
値１Ωきざみで10Ωまで変化することができる。
しかしこの方法では、マイクロクラツクによる経
時変化はないが、２Ωから90Ωまでの所定の抵抗
値を有する膜抵抗体の形成には多大の面積を要
し、半導体集積回路素子チツプの寸法の増大から
価格増加を招き実使用上不備があつた。

（発明が解決しようとする課題） トリミング抵抗体の抵抗値を変化させる前述の
従来の方法には不備な点がある。即ち第７図ａに
示す良熱伝導体の短絡バー切断方式では下地層を
破壊するおそれがあり、第７図ｂの抵抗膜溝加工
方式では、マイクロクラツクによる抵抗値の経時
変化を引起こすという欠点がある。又第８図に示
す膜抵抗体を並列接続しこれを順次切断して行う
方式ではマイクロクラツクの欠点は改善される
が、切断毎の抵抗値変化量が一定せず、かつ集積
回路の出力特性調整に必要な変化量を著しく越え
て変化する場合もあり、問題は残る。第９図の方
式では前記特性調整に必要な一定変化量が得られ
るが、回路網を構成する膜抵抗体の所要抵抗値の
差が大きく、膜抵抗体の形成に多大の面積を必要
とし、実用上不適当である。

本発明の目的は、トリミング抵抗体を下層部を
破壊することなくトリミング可能で、マイクロク
ラツクによる抵抗値の経時変化を引起こすという
欠点を除去し、トリミングにより常に一定きざみ
の抵抗値変化が可能で、かつ少ない領有面積で設
計可能なトリミング抵抗回路網を提供するもので
ある。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 第１の請求項に係る発明は、第１及び第２の外
部接続用端子と、両端を第１及び第２の接続端と
する第１抵抗体と、第１外部接続用端子と第１接
続端とを直列抵抗体を介して接続する第１連結体
と、第２外部接続用端子と第２接続端とを直結又
は直列抵抗体を介して接続する第２抵抗体と、両
端がそれぞれ第１連結体及び第２連結体に接続さ
れる並列トリミング抵抗体とを具備し、 各並列トリミング抵抗体若しくは各並列トリミ
ング抵抗体群が有する第１連結体との接続点及び
第２連結体との接続点から第１抵抗体側をみた合
成抵抗値が、いずれも第１抵抗体の抵抗値に等し
く構成されているとともに、並列トリミング抵抗
体を１つ切断するごとに、第１及び第２外部接続
用端子間の合成抵抗値が実質的に一定値ずつ増加
することを特徴とするトリミング抵抗回路網であ
る。なお、実際に本トリミング抵抗回路網を作つ
た場合、製造上の無作為のバラツキにより抵抗の
増加値は厳密には一定値にはならない。前記「実
質的に一定値」とは、製品特性仕様の許容誤差の
範囲内の値を意味する。

又第２の請求項に係る発明は、並列トリミング
抵抗体が不純物をドープしたポリシリコン膜、ニ
クロム系合金膜、タンタル系金属膜、ポリイミド
系有機膜、アクリルニトリル系有機膜、又はルテ
ニウム系酸化膜のうちいずれかの抵抗膜から成る
上記トリミング抵抗回路網である。

（作用） 本発明のトリミング抵抗回路網の作用について
具体例に基づき以下説明する。第１図ａはこの回
路網を電気回路図で表したものである。

本トリミング抵抗回路網は、第１外部接続用端
子T₁及び第２外部接続用端子T₂とを有する２端
子回路網であつて、第１抵抗体１１（以下抵抗
R₁と呼びその抵抗値をr₁とする）はこの回路網の
終段に接続される。端子T₁及びT₂とを抵抗R₁と
は第１及び第２連結体により連結される。同図ｂ
に示すように第１直列抵抗体１２（抵抗R₂、抵
抗値r₂）の一端と、並列トリミング抵抗体１５
（抵抗R₃、抵抗値r₃）の一端とを接続して成る逆
Ｌ字形抵抗体１７（波線で囲まれた部分）を単位
段とし、この抵抗体１７の複数段（この図面では
６段）が縦続接続される。抵抗R₂の他の一端を
第３接続端１７ａ、抵抗R₃の他の一端を第４接
続端１７ｂ、抵抗R₂，R₃の互いに接続される前
記一端を第５接続端１７ｃとする。

逆Ｌ字形抵抗体１７の第３接続端１７ａは、終
段に配設された場合には抵抗R₁接続端１１ａと、
又終段以外に配設された場合には次の第５接続端
１７ｃに接続される。第４接続端１７ｂは第２連
結体１４を介し端子T₂及び抵抗R₁の第２接続端
１１ｂと一体に接続される。端子T₂と初段の抵
抗体１７の第５接続端１７ｃとの間に第２直列抵
抗体１８（抵抗R₄、抵抗値r₄）が導入される。各
段の第５接続端と第４接続端との間から抵抗R₁
側を見た合成抵抗値ｒは、常にr₁に等しくなるよ
う設計される。即ち、r₁、r₂、r₃は ｒ＝（r₁＋r₂）r₃／（r₁＋r₂）＋r₃＝r₁…
…(1) を満足するように形成される。

なお第１図の×印はトリミング抵抗体を表し、
トリミング加工により切断されることを示す。

上記構成の本トリミング抵抗回路網における端
子T₁及びT₂間の合成抵抗値は、初期値（r₄＋r₁）
から最終値（r₄＋r₁＋6r₂）まで、並列トリミング
抵抗体を端子T₁，T₂に近い側から第１抵抗体側
に向かつて順次１つ切断する毎に実質的に一定値
r₂ずつ増加する。ここで抵抗R₂は端子T₁，T₂間
の合成抵抗の変化量のきざみ幅r₂を決定し、逆Ｌ
字形抵抗体の段数は変化量の全範囲を決定する。
又抵抗R₄は前記合成抵抗の初期値を決定するが、
本回路網の機能を抵抗値修正機能のみとする場合
には省略できる。抵抗R₁及びR₃の抵抗値は上記
(1)式を満足する必要があり、r₂が予め決められた
場合にはr₁、r₃いずれか１つ又はこれらの比r₁／
r₃は自由に決めることができるので、設計上件、
制像条件等を考慮し、例えば本回路網の占有面積
を最小にするようなr₁、r₃の値が選択できる。

第２図に示すトリミング抵抗回路網は、第１図
に示す回路網において第１直列抵抗体１２の抵抗
R₂の一部を第２連結体側に分配したもので、第
２連結体１４が第２外部接続用端子T₂から直列
抵抗体を介して第１抵抗体１１の第２接続端１１
ｂに接続する場合を示す。r_2a＝pr₂、r_2b＝（１−
ｐ）r₂であつてｐは分配の割合を決める１より小
さい数値であり、設計条件、製造条件等から所望
値を選択できる。第１図と同一符号は同一部分若
しくは対応部分を表し作用もほぼ等しいので説明
を省略する。

第３図ａは本発明のトリミング抵抗回路網の他
の具体例を電気回路図で表したものである。本回
路網は第１外部接続用端子T₃及び第２外部接続
用端子T₄を有する２端子回路網で、第１抵抗体
５１（抵抗R₅₁、抵抗値r₅₁）はこの回路網の終段
に接続される。端子T₃と抵抗R₅₁の第１接続端５
１ａとを、第１直列抵抗体５２（抵抗R_2q、抵抗
値r_2q）、第２直列抵抗体５３（抵抗R_2o、抵抗値
r_2o）、第３直列抵抗体５４（抵抗R_2n、抵抗値
r_2n）及び第４直列抵抗体５５（抵抗R₂₁、抵抗値
r₂₁）を介して接続する第１連結体５６、並びに
端子Ｔと抵抗５１の第２接続端５１ｂとを直結す
る第２連結体５７が設けられる。両端がそれぞれ
第１連結体５６及び第２連結体５７に接続される
並列トリミング抵抗体群５８ｍ、５８ｎ、及び５
８ｑが配設される。

並列トリミング抵抗体群５８ｍは第３図ｂに示
すように並列トリミング抵抗R₃₁，R₃₂……R_3nの
ｍ本のトリミング抵抗を並列に接続したもので、
この記載順序に１本ずつ切断すると、端子T₅，
T₆間の合成抵抗値が一定値r₀ずつ増加するよう
になつている。ただし抵抗R₃，R₃₂，R₃₃……R_3n
の抵抗値r₃₁、r₃₂、r₃₃……r_3nはそれぞれ（１×
２）r₀、（２×３）r₀、（３×４）r₀……ｍ（ｍ＋
１）r₀である。又抵抗R_2n抵抗値はr_2n＝mr₀とす
る。この場合においても、T₅，T₆端子から右側
にみる合成抵抗値を計算すれば、第１図の場合に
説明したと同じく、第一抵抗体の抵抗値r₀に等し
くなる。

並列トリミング抵抗体群５８ｎと抵抗R_2o並び
に並列トリミング抵抗体群５８ｑと抵抗R_2qとの
それぞれの抵抗体の抵抗値についても同様で、数
値ｍに換えてｎ又はｑとすればよい。抵抗R₅₁の
抵抗値r₅₁は、抵抗変化のきざみ幅r₀とする。な
お実際には抵抗R_2qと抵抗R₅₁とは、抵抗値（r_2q
＋r₀）を持つ１つの抵抗体５１として形成される
ことが多い。

上記構成のトリミング抵抗回路網においては、
端子T₃，T₄間の合成抵抗値、初期値（r₂₁＋r₀）
から最終値｛r₂₁＋r₀＋（ｍ＋ｎ＋ｑ）r₀｝まで、
並列トリミング抵抗体を端子T₃，T₄に近い側か
ら第１抵抗体５１側に向かつて順次１つ切断する
毎に一定値r₀ずつ増加する。ここで抵抗R_2nの抵
抗値は、前段並列トリミング抵抗体群５８ｍを切
断したときの合成抵抗の全増加量mr₀に等しく、
切断後は、抵抗R_2nの抵抗値は抵抗R₂₁に付加さ
れ、後段に接続される抵抗体群５８ｎの設計条件
を初段の抵抗体群５８ｍのそれとほぼ等しくする
ことができる。抵抗R_2o及びR_2qについても同様
である。通常、ｍ、ｎ、ｑは、１本ないし３本程
度とするので本回路網における個々の並列トリミ
ング抵抗体の抵抗値は2r₀、6r₀、12r₀程度で、
個々の抵抗値間の差は抑えられ、トリミング抵抗
回路網を形成するチツプ領域の増大を避けること
ができる。第１抵抗体５１は抵抗変化のきざみ幅
r₀によつて決定され、又抵抗R₂₁は本回路網の合
成抵抗の初期値を決定するが、所望により省略す
ることができる。又第２図の具体例のように、第
１連結体５６に含まれる抵抗R₂₁，R_2nないしR_2q
の一部を第２連結体５７のそれぞれの対応部に分
配挿入することも差支えない。又抵抗体群の数は
この具体例では５８ｍ，５８ｎ，５８ｑの３段と
したが、所望により任意の段数とすることが可能
である。

なお本回路網における並列トリミング抵抗体
は、抵抗膜として不純物をドープしたがポリシリ
コン膜又はニクロム系合金膜等の熱伝導率が従来
の短絡バーの金属に比し小さい材料を使用するの
で、照射するレーザ光パワーも低く、切断加工時
の下地層破壊を著しく減少することが可能であ
る。

（実施例） 第４図ａは、前記第１図ａに示すトリミング抵
抗回路網の実施例を、電気等価回路図で示したも
のである。以下第１図で使用した符号は同一部分
又は同一事項を示すので説明を省略する。本回路
網は、抵抗値を１Ωから10Ωまで１Ωきざみで修
正する回路網で、通常修正を必要とする抵抗体
（図示なし）に直列に接続され、この抵抗値を適
切値に修正するのに使用される。したがつて初期
値を決定する抵抗R₄は設けない。抵抗の変化幅
が１Ωきざみであるからr₂＝１Ωとする。終段の
逆Ｌ字形抵抗体の接続端１７ｃと１７ｂとから抵
抗R₁を見た合成抵抗値をｒに等しくするため、r₁
及びr₃は前記(1)を満たす必要がある。同式のr₂に
１を代入しr₁とr₃の関係を求めると次式となる。

r₃＝r₁（r₁＋１） ……(2) この式より、設計、製造等の条件を考慮しr₁＝
１Ω、r₃＝２Ωとする。変化範囲を１Ωから10Ω
までとするため逆Ｌ字形抵抗体を９段縦続接続す
る。

最終段の逆Ｌ字形抵抗体の端子１７ｃと１７ｂ
より抵抗R₁側（図面では右側）を見た合成抵抗
は１Ωとなり、換言すれば最終段の逆Ｌ字形抵抗
体に１Ω（抵抗R₁）を接続した回路は、１Ωの
抵抗体と等価となる。したがつて８段めの逆Ｌ字
形抵抗体は、この１Ωの等価抵抗が接続されるの
で、第４図ａの回路網と同図ｂに示す回路網とは
端子T₁，T₂の合成抵抗値については等価である。
この思考操作は初段に向かつて繰返し可能である
ので、その結果逆Ｌ字形抵抗体のすべての段の接
続端１７ｃ，１７ｂより右側を見た抵抗値は１Ω
となる。したがつて、端子T₁，T₂間の合成抵抗
値は１Ωである。ここで初段の並列トリミング抵
抗体R₃を切断すると端子T₁，T₂間の合成抵抗値
は、初段の抵抗R₂の１Ωと次段の接続端１７ｃ，
１７ｂから右側を見た抵抗値１Ωとの和即ち２Ω
となる。最終段に向かつて順次並列トリミング抵
抗体を切断する毎に前段の抵抗R₂の１Ωが付加
され、端子T₁，T₂間の抵抗値は１Ωから10Ωま
で１Ωきざみで変化する。

次に第３図ａに示す本発明のトリミング抵抗回
路網の実施例を第５図ａに示す。以下第３図で使
用した符号は同一部分又は同一事項を示すので説
明を省略する。この回路網は端子T₃，T₄間の合
成抵抗を２Ωから６Ωまで、１Ωきざみで変化さ
せる回路網である。したがつて並列トリミング抵
抗体の全本数（ｍ＋ｎ＋ｑ）は４本で、きざみ抵
抗値r₀は１Ωとなる。設計、製造等の諸条件を考
慮しｍ＝３、ｎ＝１、ｑ＝０とする。次に初段の
並列トリミング抵抗体群５８ｍは、ｍ＝３である
からr₃₁＝2r₀＝２Ω、r₃₂＝（２×３）r₀＝６Ω、
r₃₃＝（３×４）r₀＝12Ωの３本の並列トリミング
抵抗体より構成する。又並列トリミング抵抗体群
は５８ｍを切断したときの合成抵抗の全増加量は
mr₀＝3r₀＝３Ωであるからr_2n＝３Ωとする。次
段の並列トリミング抵抗体群５８ｎはｎ＝１であ
るからr₃₁＝2r₀＝２Ωの１本の並列トリミング抵
抗体より構成しr_2o＝１Ωとする。第１抵抗体５
１のr₅₁はきざみ抵抗値r₀に等しく１Ωとする。
又初期抵抗値（r₂₁＋r₀）が２Ωであるから、r₂₁
は１Ωとなる。抵抗R_2oと抵抗R₅₂とは、抵抗値
（r_2o＋R₅₁）＝２Ωを持つ１つの抵抗体として、同
図ｂに示すように形成されることが多い。

以上述べた構成の第５図ａの回路網の端子T₃，
T₄間の初期の合成抵抗は２Ωである。次に図面
上端子T₃，T₄に近い側の並列トリミング抵抗体
から右側の抵抗体に向かつて順次１本ずつ切断す
ると、端子T₃，T₄間の合成抵抗値は一定値１Ω
ずつ変化をし、最終値６Ωとなる。この回路網の
並列トリミング抵抗群の段数及び該抵抗群を構成
する並列トリミング抵抗体の本数は設計、製造の
諸条件を考慮して選択可能で、自由度は大きい。

本発明における抵抗体は薄膜又は膜厚抵抗体
で、膜抵抗の抵抗値は、第６図ａに示すように膜
部材４の比抵抗ρ（Ω−cm）、膜厚ｔ、膜の長さｌ
及び膜の幅ｗによつて決定される。同一チツプ上
に形成される抵抗膜では、ρ，ｔを一定とし、
ｌ，ｗを変化させて所望の抵抗値を得るのが普通
である。この場合高抵抗膜は同図ｂに示すように
ｌを大きくｗを小さくするが、ｗには微細化技術
による最小限界があり、さらに高い高抵抗膜形成
のためにｌを増加する必要があるが、これは抵抗
膜形成の占有領域が増加する。又低抵抗膜形成の
ためには同図ｃに示すようにｌを小さくｗを大き
くするが、ｌは前記同様微細化技術により最小限
界値があり、さらに低い抵抗膜形成のためにはｗ
を大きくする必要があるが、これは抵抗膜形成の
占有領域を増加する。したがつて膜抵抗体の形
状、寸法は設計、製造等の各種条件を勘案し、そ
の最適値が決定される。

本発明のトリミング抵抗回路網は上記実施例か
らも明らかなように、所望の抵抗値変化を得るた
めの構成抵抗体の抵抗値選択の自由度が大きく、
該回路網を形成するのに必要な面積を小さくする
ことができる。

上記実施例における並列トリミング抵抗体は純
物をドープしたポリシリコン膜を使用し、レーザ
光照射により切断加工を行う。従つて従来のAl
等の高熱伝導率の金属切断に比し、レーザ光切断
時の下地層の損傷は著しく減少した。同様の効果
は、Al等の金属に比し低熱伝導率のニクロム系
合金膜、タンタル系金属膜、ポリイミド系有機
膜、アクリルニトリル系有機膜又はルテニウム系
酸化膜等のうちいずれかの部材を使用しても得ら
れる。

［発明の効果］ これまで述べたように、本発明のトリミング抵
抗回路網においては、トリミング抵抗体は、不純
物をドープしたポリシリコン膜又はニクロム系合
金膜等、Al等の金属に比し低熱伝導率の抵抗膜
を使用するので、トリミング抵抗体切断時にその
下層部を破壊することなく、レーザトリミングが
可能となる。

又その破断部にたとえマイクロクラツクが発生
しても切断後は該破断部には電流は流れないの
で、マイクロクラツクにより抵抗値が経時変化を
引起こすという欠点も除去される。

又本発明の回路網を使用することにより、トリ
ミングに際し所望の一定きざみの抵抗変化量を維
持できるので、集積回路の出力特性を調整するに
当り、容易に必要な精度を実現できる。

又本発明の回路網は、所望の効果を得るための
構成抵抗体の抵抗値選択の自由度が大きいので、
該回路網形成に必要な領有面積を低減化すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図ａは本発明のトリミング抵抗回路網の具
体例の１つを示す電気回路図、同図ｂは該回路網
の作用を説明するための部分回路図、第２図は第
１図ａの回路網を一部変形した電気回路図、第３
図ａは本発明のトリミング抵抗回路網の具体例の
他の一つを示す電気回路図、同図ｂは該回路網の
作用を説明するための部分回路図、第４図は第１
図ａの本発明のトリミング抵抗回路網の実施例を
示す電気回路図、第５図は第３図ａの本発明のト
リミング抵抗回路網の実施例を示す電気回路図、
第６図は膜抵抗体の抵抗値を決める要因を説明す
るための平面図、第７図ａは従来の抵抗値を変え
るためのトリミング方法を説明する電気回路図、
同図ｂは従来のトリミング膜抵抗体に溝加工をし
た平面図、第８図及び第９図は従来のトリミング
抵抗回路網の問題点を説明するための電気回路図
である。 １１，５１……第１抵抗体（R₁，R₅₁）、１１
ａ，５１ａ……第１接続端、１１ｂ，５１ｂ……
第２接続端、１２，５２……第１直列抵抗体
（R₂，R_2q）、１３，５６……第１連結体、１４，
５７……第２連結体、１５……並列トリミング抵
抗体（R₃）、１７……逆Ｌ字形抵抗体、１８，５
３……第２直列抵抗体（R₄，R_2o）、５４……第
３直列抵抗体（R_2n）、５５……第４直列抵抗体
（R₂₁）、５８ｍ，５８ｎ，５８ｑ……並列トリミ
ング抵抗体群、T₁，T₃……第１外部接続用端子、
T₂，T₄……第２外部接続用端子。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 第１及び第２の外部接続用端子と、両端を第
   １及び第２の接続端とする第１抵抗体と、第１外
   部接続用端子と第１接続端とを直列抵抗体を介し
   て接続する第１連結体と、第２外部接続用端子と
   第２接続端とを直結又は直列抵抗体を介して接続
   する第２連結体と、両端がそれぞれ第１連結体及
   び第２連結体に接続される並列トリミング抵抗体
   とを具備し、 各並列トリミング抵抗体若しくは各並列トリミ
   ング抵抗体群が有する第１連結体との接続点及び
   第２連結体との接続点から第１抵抗体側をみた合
   成抵抗値が、いずれも第１抵抗体の抵抗値に等し
   く構成されているとともに、並列トリミング抵抗
   体を１つ切断するごとに、第１及び第２外部接続
   用端子間の合成抵抗値が実質的に一定値ずつ増加
   することを特徴とするトリミング抵抗回路網。 ２ 並列トリミング抵抗体が不純物をドープした
   ポリシリコン膜、ニクロム系合金膜、タンタル系
   金属膜、ポリイミド系有機膜、アクリルニトリル
   系有機膜、又はルテニウム系酸化膜のうちいずれ
   かの抵抗膜から成る特許請求の範囲第１項記載の
   トリミング抵抗回路網。