JP3294401B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- JP3294401B2 JP3294401B2 JP26335993A JP26335993A JP3294401B2 JP 3294401 B2 JP3294401 B2 JP 3294401B2 JP 26335993 A JP26335993 A JP 26335993A JP 26335993 A JP26335993 A JP 26335993A JP 3294401 B2 JP3294401 B2 JP 3294401B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
関し、特に、ヒューズを小さくした場合においても、信
頼性を向上する必要のある半導体集積回路装置に関す
る。
関し、特に、ヒューズを小さくした場合においても、信
頼性を向上する必要のある半導体集積回路装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】例えば、移動体通信端末機器に搭載され
ている半導体集積回路装置は、前記符号化処理を行うＤ
ＳＰ（Ｄigital Ｓignal Ｐrocessor）等の大規模ディ
ジタル回路と、アナログ信号をディジタル信号に変換す
るＡ／Ｄ変換回路、ディジタル信号をアナログ信号に変
換するＤ／Ａ変換回路、及び一定の基準電圧を供給する
基準電圧発生回路等のアナログ回路とから構成されてい
る。
ている半導体集積回路装置は、前記符号化処理を行うＤ
ＳＰ（Ｄigital Ｓignal Ｐrocessor）等の大規模ディ
ジタル回路と、アナログ信号をディジタル信号に変換す
るＡ／Ｄ変換回路、ディジタル信号をアナログ信号に変
換するＤ／Ａ変換回路、及び一定の基準電圧を供給する
基準電圧発生回路等のアナログ回路とから構成されてい
る。
【０００３】前記基準電圧発生回路は製造工程における
プロセスのバラツキにより、発生させる基準電圧に誤差
を含んでいる。このため、基準電圧を増幅した動作電圧
の誤差電圧分は、トリミング回路により補正している。
プロセスのバラツキにより、発生させる基準電圧に誤差
を含んでいる。このため、基準電圧を増幅した動作電圧
の誤差電圧分は、トリミング回路により補正している。
【０００４】トリミング回路は、増幅回路と、複数の抵
抗と、複数のヒューズと、複数のアナログスイッチ等で
構成される。
抗と、複数のヒューズと、複数のアナログスイッチ等で
構成される。
【０００５】動作電圧の補正は、製造工程後の動作試験
時に、基準電圧の誤差を測定し、その電圧の誤差に応じ
て、トリミング回路内の所定のヒューズを外部からの電
圧印加により切断することにより、複数の抵抗の中から
電圧降下に使用する抵抗を選択し、その選択した抵抗で
電圧降下させることにより動作電圧の誤差を補正してい
る。
時に、基準電圧の誤差を測定し、その電圧の誤差に応じ
て、トリミング回路内の所定のヒューズを外部からの電
圧印加により切断することにより、複数の抵抗の中から
電圧降下に使用する抵抗を選択し、その選択した抵抗で
電圧降下させることにより動作電圧の誤差を補正してい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者は、前記従来技術を検討した結果、以下のような問題
点を見いだした。
者は、前記従来技術を検討した結果、以下のような問題
点を見いだした。
【０００７】図３は、従来のヒューズの形状を説明する
ためのポリシリコン層の平面図である。
ためのポリシリコン層の平面図である。
【０００８】図３に示すように、１は図示しないＡｌ配
線と接続するためのコンタクト部、１ａは前記アルミ配
線と接続されるコンタクト領域、２は直線部、３はコン
タクト部１と直線部２とをつなぐテーパ部である。
線と接続するためのコンタクト部、１ａは前記アルミ配
線と接続されるコンタクト領域、２は直線部、３はコン
タクト部１と直線部２とをつなぐテーパ部である。
【０００９】ｗ1は直線部２の幅（以下、直線部幅）、
ｈ1は直線部の長さ（以下、直線部長）、ｗ2はコンタク
ト領域１ａの幅（以下、コンタクト領域幅）、ｈ2はコ
ンタクト領域１ａの端から、直線部２の端までの長さ
（以下、テーパ長）、θはテーパ部３の傾斜と直線部２
とがなす角度（以下、テーパ角）である。
ｈ1は直線部の長さ（以下、直線部長）、ｗ2はコンタク
ト領域１ａの幅（以下、コンタクト領域幅）、ｈ2はコ
ンタクト領域１ａの端から、直線部２の端までの長さ
（以下、テーパ長）、θはテーパ部３の傾斜と直線部２
とがなす角度（以下、テーパ角）である。
【００１０】ヒューズのシート抵抗をＲ□とすると、直
線部２の抵抗Ｒｆ、テーパ部３の抵抗Ｒｔ及びヒューズ
のトータル抵抗Ｒは、次のようになる。
線部２の抵抗Ｒｆ、テーパ部３の抵抗Ｒｔ及びヒューズ
のトータル抵抗Ｒは、次のようになる。
【００１１】
【数１】 Ｒf＝（ｈ1／ｗ1）×Ｒ□ …（１）
【００１２】
【数２】 Ｒt＝（ｈ2／（ｗ2−ｗ1））×ｌｎ（ｗ2／
ｗ1）×Ｒ□ …（２）
ｗ1）×Ｒ□ …（２）
【００１３】
【数３】 Ｒ＝Ｒf＋２Ｒt …（３） また、ヒューズは、電流によるジュール熱によって温度
が上昇し、その温度がポリシリコンの融点に達すると切
断される。
が上昇し、その温度がポリシリコンの融点に達すると切
断される。
【００１４】図４は前記ヒューズの直線部での温度上昇
を説明するための模式図である。
を説明するための模式図である。
【００１５】図４に示すように、ｗ1は直線部幅、ｈ1は
直線部長、ｔhは直線部の厚さ（以下、直線部厚）であ
る。
直線部長、ｔhは直線部の厚さ（以下、直線部厚）であ
る。
【００１６】直線部の断面積をＳ、抵抗率をρとする
と、Δｘの部分の抵抗ΔＲは、
と、Δｘの部分の抵抗ΔＲは、
【００１７】
【数４】 ΔＲ＝ρ（Δｘ／Ｓ） …（４） である。
【００１８】ヒューズに流れる電流をＩo、電流Ｉoが流
れた時間をτとすると、Δｘの部分で発生するジュール
熱ΔＱは、
れた時間をτとすると、Δｘの部分で発生するジュール
熱ΔＱは、
【００１９】
【数５】 ΔＱ＝ΔＲ・Ｉo2・τ …（５） である。
【００２０】Δｘの部分の質量をｍ、比熱をｃ、密度を
ｄ、温度上昇をΔＴとすると、
ｄ、温度上昇をΔＴとすると、
【００２１】
【数６】 ΔＱ＝ｍｃ・ΔＴ …（６）
【００２２】
【数７】 ｍ＝Ｓ・Δｘ・ｄ …（７） であり、式（４）、（５）、（６）、（７）より、
【００２３】
【数８】 ΔＴ＝（ρτ／ｃｄ）（Ｉo2／Ｓ2） …
（８）である。
（８）である。
【００２４】また、ヒューズに印加する電圧をＶoとす
ると、ヒューズのトータル抵抗はＲであるから、ヒュー
ズに流れる電流Ｉoは、
ると、ヒューズのトータル抵抗はＲであるから、ヒュー
ズに流れる電流Ｉoは、
【００２５】
【数９】 Ｉo＝Ｖo／Ｒ …（９） である。
【００２６】断面積Ｓは、Ｓ＝ｗ1・ｔhであるから、式
（８）、（９）より、温度上昇ΔＴは、
（８）、（９）より、温度上昇ΔＴは、
【００２７】
【数１０】 ΔＴ＝（ρτ／ｄｃｔh 2）（Ｖo／ｗ1Ｒ）
2 …（１０） となる。
2 …（１０） となる。
【００２８】半導体集積回路装置の微細化により、ヒュ
ーズも小さくする必要がある。ヒューズを確実に切断す
るためには、低い印加電圧Ｖoで、高い温度上昇を得れ
ば良い。
ーズも小さくする必要がある。ヒューズを確実に切断す
るためには、低い印加電圧Ｖoで、高い温度上昇を得れ
ば良い。
【００２９】そのためには、式（１０）より、直線部幅
ｗ1を、又はトータル抵抗Ｒを小さくすれば良いことが
わかる。
ｗ1を、又はトータル抵抗Ｒを小さくすれば良いことが
わかる。
【００３０】しかし、直線部幅ｗ1は、ヒューズ形成時
のパターニングに用いるリソグラフィ技術により制約さ
れ、小さくするには限界がある。
のパターニングに用いるリソグラフィ技術により制約さ
れ、小さくするには限界がある。
【００３１】また、トータル抵抗Ｒを小さくするには、
式（１）、（２）、（３）より、直線部の抵抗Ｒｆ、又
はテーパ部の抵抗Ｒｔを小さくすれば良いことがわか
る。
式（１）、（２）、（３）より、直線部の抵抗Ｒｆ、又
はテーパ部の抵抗Ｒｔを小さくすれば良いことがわか
る。
【００３２】しかし、直線部の抵抗Ｒｆを小さくするた
めに、直線部長ｈ1を小さくすると、直線部２の端から
テーパ部３に熱伝導で熱が逃げていくため、直線部２の
温度上昇が押さえられ、確実なヒューズの切断ができな
くなる。このため、直線部長ｈ1を小さくするには限界
がある。
めに、直線部長ｈ1を小さくすると、直線部２の端から
テーパ部３に熱伝導で熱が逃げていくため、直線部２の
温度上昇が押さえられ、確実なヒューズの切断ができな
くなる。このため、直線部長ｈ1を小さくするには限界
がある。
【００３３】また、テーパ部３の抵抗Ｒｔを小さくする
ために、コンタクト領域幅ｗ2を大きく、テーパ長ｈ2を
小さくすると、テーパ部３の傾斜と直線部２がなす角度
θが直角に近くなり、ヒューズ切断時に、テーパ部３と
直線部２の間で電界集中が起こり、切断してしまう。こ
のため、確実にヒューズを切断できなくなる。
ために、コンタクト領域幅ｗ2を大きく、テーパ長ｈ2を
小さくすると、テーパ部３の傾斜と直線部２がなす角度
θが直角に近くなり、ヒューズ切断時に、テーパ部３と
直線部２の間で電界集中が起こり、切断してしまう。こ
のため、確実にヒューズを切断できなくなる。
【００３４】これらのため、半導体集積回路装置の微細
化に伴い、ヒューズの寸法も小さくしたくても、従来の
ヒューズの形状では、ヒューズの寸法を小さくするには
限界があり、更に小さくしようとするとヒューズが確実
に切断できなくなるという問題があった。
化に伴い、ヒューズの寸法も小さくしたくても、従来の
ヒューズの形状では、ヒューズの寸法を小さくするには
限界があり、更に小さくしようとするとヒューズが確実
に切断できなくなるという問題があった。
【００３５】また、前記ヒューズが確実に切断できない
ので、半導体集積回路装置の信頼性が低下するという問
題があった。
ので、半導体集積回路装置の信頼性が低下するという問
題があった。
【００３６】本発明の目的は、半導体集積回路装置のヒ
ューズを小さくすることが可能な技術を提供することに
ある。
ューズを小さくすることが可能な技術を提供することに
ある。
【００３７】また、本発明の他の目的は、半導体集積回
路装置の信頼性を向上させることが可能な技術を提供す
ることにある。
路装置の信頼性を向上させることが可能な技術を提供す
ることにある。
【００３８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【００３９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００４０】半導体基板主面上に、一対で矩形のコンタ
クト部と、前記コンタクト部の一辺より幅の狭い直線部
と、前記コンタクト部と前記直線部とをつなぐ、テーパ
形状であるテーパ部とからなるポリシリコン層を設け、
該ポリシリコン層上に絶縁層を設け、該絶縁層の接続孔
を通じて接続されたアルミ配線を設けた半導体集積回路
装置において、前記テーパ部の前記コンタクト部と接続
する辺を、前記コンタクト部の前記テーパ部と接続する
辺より短くする。
クト部と、前記コンタクト部の一辺より幅の狭い直線部
と、前記コンタクト部と前記直線部とをつなぐ、テーパ
形状であるテーパ部とからなるポリシリコン層を設け、
該ポリシリコン層上に絶縁層を設け、該絶縁層の接続孔
を通じて接続されたアルミ配線を設けた半導体集積回路
装置において、前記テーパ部の前記コンタクト部と接続
する辺を、前記コンタクト部の前記テーパ部と接続する
辺より短くする。
【００４１】
【作用】上述した手段によれば、本発明の半導体集積回
路装置は、前記テーパ部の前記コンタクト部と接続する
辺の端部が、前記コンタクト部の前記テーパ部と接続す
る辺の端部より内側にある。これにより、テーパ部の傾
斜と直線部がなす角度θを電界集中が起こらない角度の
まま、テーパ長ｈ2を短くできる。この結果、従来より
もヒューズを更に小さくしても、ヒューズを確実に切断
することができる。この結果、ヒューズを小さくして
も、確実に切断できるので、半導体集積回路装置の信頼
性を向上することができる。
路装置は、前記テーパ部の前記コンタクト部と接続する
辺の端部が、前記コンタクト部の前記テーパ部と接続す
る辺の端部より内側にある。これにより、テーパ部の傾
斜と直線部がなす角度θを電界集中が起こらない角度の
まま、テーパ長ｈ2を短くできる。この結果、従来より
もヒューズを更に小さくしても、ヒューズを確実に切断
することができる。この結果、ヒューズを小さくして
も、確実に切断できるので、半導体集積回路装置の信頼
性を向上することができる。
【００４２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。
説明する。
【００４３】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【００４４】図１は、本発明の一実施例である半導体集
積回路装置のヒューズの形状を示すポリシリコン層の平
面図である。
積回路装置のヒューズの形状を示すポリシリコン層の平
面図である。
【００４５】図２は、図１のＡ−Ａ線で切ったヒューズ
の概略構成を示す断面図である。
の概略構成を示す断面図である。
【００４６】図１に示すように、１は図示しないアルミ
配線にヒューズを接続するためのコンタクト部、１ａは
前記アルミ配線と接続されるコンタクト領域、２はヒュ
ーズ切断時に切断される直線部である。
配線にヒューズを接続するためのコンタクト部、１ａは
前記アルミ配線と接続されるコンタクト領域、２はヒュ
ーズ切断時に切断される直線部である。
【００４７】３はコンタクト部１と直線部２とをつなぐ
テーパ部であり、テーパ部３のコンタクト部１と接続さ
れる辺の端部は、コンタクト部１のテーパ部３と接続す
る辺の端部より内側になっている。なお、コンタクト部
１、直線部２及び、テーパ部３は、ポリシリコンを主体
としている。
テーパ部であり、テーパ部３のコンタクト部１と接続さ
れる辺の端部は、コンタクト部１のテーパ部３と接続す
る辺の端部より内側になっている。なお、コンタクト部
１、直線部２及び、テーパ部３は、ポリシリコンを主体
としている。
【００４８】ｗ1は直線部２の幅（以下、直線部長）、
ｈ1は直線部２の長さ（以下、直線部長）、ｗ2はコンタ
クト領域１ａの幅（以下、コンタクト領域幅）、ｈ2は
コンタクト領域１ａの端から、直線部２の端までの長さ
（以下、テーパ長）、θはテーパ部３の傾斜と直線部２
とがなす角度（以下、テーパ角）である。
ｈ1は直線部２の長さ（以下、直線部長）、ｗ2はコンタ
クト領域１ａの幅（以下、コンタクト領域幅）、ｈ2は
コンタクト領域１ａの端から、直線部２の端までの長さ
（以下、テーパ長）、θはテーパ部３の傾斜と直線部２
とがなす角度（以下、テーパ角）である。
【００４９】また、図２に示すように、４はポリシリコ
ンを主体とし、コンタクト部１、直線部２及びテーパ部
３からなるヒューズ層、５は絶縁層、６はアルミを主体
とするアルミ配線、７は酸化絶縁層、８は半導体基板で
ある。
ンを主体とし、コンタクト部１、直線部２及びテーパ部
３からなるヒューズ層、５は絶縁層、６はアルミを主体
とするアルミ配線、７は酸化絶縁層、８は半導体基板で
ある。
【００５０】本実施例の半導体集積回路装置用ヒューズ
の製造方法は、まず、半導体基板８主面に図示しない任
意の導電型半導体領域をイオン打込み法で形成し、次
に、半導体基板８主面に選択酸化法により酸化絶縁層７
を形成する。
の製造方法は、まず、半導体基板８主面に図示しない任
意の導電型半導体領域をイオン打込み法で形成し、次
に、半導体基板８主面に選択酸化法により酸化絶縁層７
を形成する。
【００５１】次に、図示しない素子形成領域に、ＭＯＳ
ＦＥＴ等の素子を形成する。
ＦＥＴ等の素子を形成する。
【００５２】次に、酸化絶縁層７上に、ポリシリコン層
をＣＶＤ法で積層し、ホトリソグラフィ、及びエッチン
グにより所定のヒューズ形状にパターニングしてヒュー
ズ部４を形成する。
をＣＶＤ法で積層し、ホトリソグラフィ、及びエッチン
グにより所定のヒューズ形状にパターニングしてヒュー
ズ部４を形成する。
【００５３】次に、酸化絶縁層７及びヒューズ部４の上
に、ＣＶＤ法、又はスパッタ法により酸化珪素膜を積層
し、ホトリソグラフィ、及びエッチングにより前記コン
タクト部のアルミ配線とのコンタクト領域の部分を開口
し、絶縁層５を形成する。
に、ＣＶＤ法、又はスパッタ法により酸化珪素膜を積層
し、ホトリソグラフィ、及びエッチングにより前記コン
タクト部のアルミ配線とのコンタクト領域の部分を開口
し、絶縁層５を形成する。
【００５４】次に、前記絶縁層５の上にスパッタ法によ
りアルミを積層し、ホトリソグラフィ、及びエッチング
により所定の形状にパターニングしてアルミ配線６を形
成する。
りアルミを積層し、ホトリソグラフィ、及びエッチング
により所定の形状にパターニングしてアルミ配線６を形
成する。
【００５５】次に、アルミ配線６の上に保護膜９を形成
し、本実施例の半導体集積回路装置が完成する。
し、本実施例の半導体集積回路装置が完成する。
【００５６】以上の説明からわかるように、本実施例に
よれば、本発明の半導体集積回路装置は、テーパ部３の
コンタクト部１と接続する辺が、コンタクト部１の前記
辺を含む方向の幅より短い。これにより、テーパ長ｈ2
を短くでき、確実なヒューズの切断ができる長さの直線
部２を残し、テーパ角θを電界集中が起こらない鈍角の
まま、ヒューズを小さくすることができる。この結果、
従来よりもヒューズを更に小さくしても、ヒューズを確
実に切断することができる。
よれば、本発明の半導体集積回路装置は、テーパ部３の
コンタクト部１と接続する辺が、コンタクト部１の前記
辺を含む方向の幅より短い。これにより、テーパ長ｈ2
を短くでき、確実なヒューズの切断ができる長さの直線
部２を残し、テーパ角θを電界集中が起こらない鈍角の
まま、ヒューズを小さくすることができる。この結果、
従来よりもヒューズを更に小さくしても、ヒューズを確
実に切断することができる。
【００５７】また、ヒューズを小さくした場合において
も、半導体集積回路装置の信頼性を向上することができ
る。
も、半導体集積回路装置の信頼性を向上することができ
る。
【００５８】以上、本発明者によってなされた発明を前
記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記
実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲において種々変更可能であることは勿論である。
記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記
実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【００５９】例えば、テーパ部３の傾斜部は、直線に限
らず、曲線でも良く、複数の直線部からなる傾斜でも良
い。
らず、曲線でも良く、複数の直線部からなる傾斜でも良
い。
【００６０】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００６１】１．半導体集積回路装置のヒューズを小さ
くしても、ヒューズを確実に切断することができる。
くしても、ヒューズを確実に切断することができる。
【００６２】２．半導体集積回路装置のヒューズを小さ
くした場合においても、信頼性を向上することができ
る。
くした場合においても、信頼性を向上することができ
る。
【図１】は、本発明の一実施例である半導体集積回路装
置のヒューズの形状を示すポリシリコン層の平面図、
置のヒューズの形状を示すポリシリコン層の平面図、
【図２】 図１のＡ−Ａ線で切ったヒューズの概略構成
を示す断面図、
を示す断面図、
【図３】 従来のヒューズの形状を示すポリシリコン層
の平面図、
の平面図、
【図４】 ヒューズの直線部での温度上昇を説明するた
めの模式図。
めの模式図。
１…コンタクト部、１ａ…コンタクト領域、２…直線
部、３…テーパ部、４…ヒューズ層、５…絶縁層、６…
アルミ配線、７…酸化絶縁層、８…半導体基板、９…保
護膜、ｗ1…直線部幅、ｈ1…直線部長、ｗ2…コンタク
ト領域幅、ｈ2…テーパ長。
部、３…テーパ部、４…ヒューズ層、５…絶縁層、６…
アルミ配線、７…酸化絶縁層、８…半導体基板、９…保
護膜、ｗ1…直線部幅、ｈ1…直線部長、ｗ2…コンタク
ト領域幅、ｈ2…テーパ長。
Claims (10)
- 【請求項１】半導体基板主面に、一対の矩形状のコンタ
クト部の間をテーパ部を介して直線部で連結したヒュー
ズ層を設け、該ヒューズ層の上に絶縁層を設け、該絶縁
層の上に接続孔を介して前記ヒューズ層と接続された電
源配線を設けた半導体集積回路装置であって、前記テー
パ部の前記コンタクト部と接触する辺の長さが、前記コ
ンタクト部の前記辺を含む方向の幅より短いことを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項２】配線と接続されるコンタクト領域と、印加
電圧により切断されるヒューズ領域とを含む層と、半導体基板と、 絶縁層とを有し、 上記絶縁層と上記半導体基板により上記層の上記ヒュー
ズ領域は挟まれ、 上記層は、上記コンタクト領域が形成されている第１領
域では第１幅を、上記印加電圧により切断されるヒュー
ズ領域が形成されている第２領域では上記第１幅より小
さい第２幅をとり、上記第１領域から上記第２領域にか
けて上記層の幅が不連続に変化する領域を有することを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】上記第１幅よりも小さく、上記第２幅より
も大きい第３幅を有する箇所から上記第２領域までは上
記層の幅が連続的に減少することを特徴とする請求項２
記載の半導体装置。 - 【請求項４】半導体基板と、 第１配線と接続される第１コンタクト領域と、第２配線
と接続される第２コンタクト領域と、上記第１配線と上
記第２配線間に印加される電圧により切断される領域と
を含む層と、 絶縁層とを有し、 上記半導体基板と上記絶縁層により上記層の上記切断さ
れる領域は挟まれ、 上記層は、上記第１コンタクト領域が形成されている領
域では第１幅をとり、上記印加電圧により切断される領
域では上記第１幅より小さい第２幅をとり、上記第１コンタクト領域と上記第２コンタクト領域とを
結ぶ方向を第１方向としたとき、上記第２幅から第３幅
までは上記第１方向に対し第１角方向に沿って幅が広が
り、上記第３幅から上記第１幅までは上記第１方向に対
し第２角方向に沿って幅が広がり、０度＜第１角＜第２
角の関係を有し、第１角は鋭角であることを特徴とする
半導体装置 。 - 【請求項５】 上記第２角は９０度であることを特徴とす
る請求項４記載の半導体装置。 - 【請求項６】 半導体基板と、 第１配線と接続される第１コンタクト領域と、第２配線
と接続される第２コンタクト領域と、上記第１配線と上
記第２配線間に印加される電圧により切断される領域と
を含む層と、 絶縁層とを有し、 上記半導体基板と上記絶縁層により上記層の上記切断さ
れる領域は挟まれ、 上記層は、上記第１コンタクト領域が形成されている領
域では第１幅をとり、上記印加電圧により切断される領
域では上記第１幅より小さい第２幅をとり、 第１段階で上記第２幅から第３幅まで変化し、第２段階
で上記第３幅から上記第１幅まで変化し、 幅方向の長さ方向に対する変化率は上記第１段階での変
化に対し上記第２段階での変化の方が大きいことを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項７】 半導体基板と、 第１配線と接続される第１コンタクト領域と、第２配線
と接続される第２コンタクト領域と、上記第１配線と上
記第２配線間に印加される電圧により切断される領域と
を含む層と、 上記層の上記切断される領域を上記半導体基板とにより
挟む絶縁層とを有し、 上記第１配線と上記第２配線間の方向を第１方向とし、
上記第１方向と交わる方向を第２方向としたとき、 上記層は、上記第１コンタクト領域が形成されている領
域では上記第２方向の長さは第１値をとり、上記印加電
圧により切断される領域では上記第２方向の長さは上記
第１値より小さい第２値をとり、 上記層の上記第２方向における上記第２値から上記第１
値までの変化は、少なくとも２段階で変化し、 第１段階で上記第２値から第３値までの変化し、第２段
階で上記第３値から上記第１値まで変化し、 上記第１方向に対する上記第２方向の変化率は第１段階
での変化の方が第２段階の変化より小さいことを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項８】 上記第１方向と上記第２方向は直交するこ
とを特徴とする請求項７記載の半導体装置。 - 【請求項９】 上記層はポリシリコンで形成されることを
特徴とする請求項２乃至請求項８のいずれかに記載の半
導体装置。 - 【請求項１０】 上記層はトリミング回路に用いられ、上
記トリミング回路は動作電圧を補正するために用いられ
ることを特徴とする請求項２乃至請求項９のいずれかに
記載の半導体装置。
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|---|---|---|---|
| JP26335993A JP3294401B2 (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26335993A JP3294401B2 (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122646A JPH07122646A (ja) | 1995-05-12 |
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ID=17388395
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP26335993A Expired - Fee Related JP3294401B2 (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | 半導体装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3294401B2 (ja) |
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