JPH1032110A - 厚膜抵抗体のレーザトリミング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 厚膜抵抗体のレーザトリミング方法に関し、
抵抗値の高精度な調整を図る。 【解決手段】 厚膜抵抗体７を対向する電極導体２を完
全に含んだ形で形成し、電極導体２間を接続する。この
とき、電極導体２間以外にあるレーザトリミング領域８
の第二の電流の流れ１０の密度は、電極導体２間の領域
の第一の電流の流れ９の密度よりも小さくなる。従っ
て、このレーザトリミング領域８は抵抗値に関与する割
合の小さな領域となり、この領域をトリミングすること
により、所定の抵抗値を高精度に調整することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は絶縁基板上に形成さ
れた厚膜抵抗体を所定の抵抗値にするために、レーザ光
を用いて厚膜抵抗体をトリミングする厚膜抵抗体のレー
ザトリミング方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、厚膜抵抗体のレーザトリミング方
法は、電子機器の高性能化に伴う抵抗器の高精度な調整
方法として行われている。

【０００３】従来の厚膜抵抗体のレーザトリミング方法
としては、特公平７−４８４１２号公報に示されたもの
がある。

【０００４】以下、図面を参照しながら上記従来の厚膜
抵抗体のレーザトリミング方法を説明する。

【０００５】図１２（ａ）は、従来の厚膜抵抗体のレー
ザトリミング方法における要部構成とトリミングの様子
の平面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ａ線断
面図である。図１２（ａ）及び（ｂ）において、絶縁基
板１上に対向する電極導体２が形成され、厚膜抵抗体３
が対向する電極導体２間の内側を接続する。ここで、最
初に粗調段階として厚膜抵抗体３にレーザ光を第１の設
定抵抗値となるまで連続的に出射して、厚膜抵抗体３を
完全にカットする粗調トリミングのカット跡４を形成す
る。この後、微調段階として粗調トリミングのカット跡
４の端部に、レーザ光を第２の設定（所定の）抵抗値と
なるまで微小ピッチで一定量ずつ断続的に出射すること
で、微調トリミングのカット跡５を形成する。Ｌ１、Ｌ
２はそれぞれ粗調トリミング、微調トリミングのカット
長さである。図１２中の点線矢印は、トリミング前の厚
膜抵抗体３に流れる電流の方向６を示している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の厚膜抵抗体のレーザトリミング方法においては、厚
膜抵抗体３が電極導体２の内側にあるため、流れる電流
の方向６は平行で、その電流密度分布は一様な状態であ
る。この状態において厚膜抵抗体３をレーザ光により流
れる電流の方向６と直交する方向にトリミングすると、
抵抗値の変化が大きすぎて所定の抵抗値への調整精度が
悪くなる欠点が有り、微小ピッチでレーザ光を出射した
としても、厚膜抵抗体３の厚み分を完全にカットするた
め、抵抗値調整精度は±０．１％程度が限界であるとい
う欠点を有していた。

【０００７】本発明は従来の課題を解決するもので、抵
抗値を高精度に調整できる厚膜抵抗体のレーザトリミン
グ方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、電極導体間を接続する厚膜抵抗体は電極導
体よりも大きな幅で形成し、電極導体間以外の領域をレ
ーザトリミングする様にしたものである。

【０００９】これにより、抵抗値を高精度に調整するこ
とができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、絶縁基板上に形成した対向する電極導体間を接続す
る厚膜抵抗体において、前記厚膜抵抗体は前記電極導体
を完全に含んで形成し、前記電極導体間以外の領域の前
記厚膜抵抗体をレーザトリミングして所定の抵抗値にす
ることにしたものであり、厚膜抵抗体に流れる電流の密
度の小さい、すなわち抵抗値に関与する割合の小さな領
域をレーザトリミングするという作用を有する。

【００１１】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、電極導体間以外の領域の厚膜抵抗体の
レーザトリミングを、前記厚膜抵抗体に流れる電流の方
向と直交する方向にカットする第一のトリミングと、前
記厚膜抵抗体に流れる電流の方向と平行する方向にカッ
トする第二のトリミングにより行うこととしたものであ
り、第一のトリミングでは電流の流れを大きく妨げ、第
二のトリミングでは電流の流れを妨げる割合を粗調トリ
ミングよりも小さくするという作用を有する。

【００１２】請求項３に記載の発明は、請求項２に記載
の発明において、第一のトリミングは前記厚膜抵抗体を
完全にカットし、第二のトリミングは前記厚膜抵抗体の
表面を削ることで行うこととしたものであり、第一のト
リミングでは電流の流れを完全に遮断し、第二のトリミ
ングでは厚膜抵抗体の表面に流れる電流のみ遮断すると
いう作用を有する。

【００１３】請求項４に記載の発明は、請求項１に記載
の発明いおいて、電極導体間以外の領域の厚膜抵抗体の
レーザトリミングを、平行した複数本のカットにより行
うこととしたものであり、同じ長さのカットであっても
１回目よりも２回目、２回目よりも３回目と順に、流れ
る電流を妨げる割合を小さくするという作用を有する。

【００１４】請求項５に記載の発明は、絶縁基板上に形
成した対向する電極導体間を接続する厚膜抵抗体におい
て、前記厚膜抵抗体の表面を削ることでレーザトリミン
グして所定の抵抗値にすることにしたものであり、厚膜
抵抗体の表面に流れる電流のみ遮断するという作用を有
する。

【００１５】請求項６に記載の発明は、請求項５に記載
の発明において、厚膜抵抗体の表面を削ることを同一箇
所で複数回行うこととしたものであり、同一箇所で厚膜
抵抗体の厚みが変わり、遮断する電流量を変えるという
作用を有する。

【００１６】以下、本発明による厚膜抵抗体のレーザト
リミング方法の実施の形態について、図面を参照しなが
ら説明する。なお、従来と同一構成については、同一符
号を付して詳細な説明を省略する。

【００１７】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１による厚膜抵抗体のレーザトリミング方法におけ
る要部構成の平面図である。図２は、同実施の形態の厚
膜抵抗体のレーザトリミング方法における厚膜抵抗体の
領域分解の平面図である。

【００１８】図１及び図２において、１は絶縁基板で、
セラミック基板あるいはステンレス鋼の上下面をガラス
層で覆ったメタルコア基板である。メタルコア基板のガ
ラス層は電気絶縁性・耐熱性の観点から無アルカリ結晶
化ガラスで構成され、ステンレス鋼はガラス層との膨脹
率を整合させる必要があることから、膨脹率１００〜１
４０×１０^-7／℃のものが好ましい。２は絶縁基板１上
に形成される対向する電極導体で、銀ー白金・銀ーパラ
ジウム等の導体ペーストを印刷し、乾燥・焼成を経て形
成される。

【００１９】７は厚膜抵抗体で、対向する電極導体２を
接続し、電極導体２の幅よりも大きな幅で完全に電極導
体２を含んで形成する。厚膜抵抗体としてはＣｕーＮｉ
合金・ＮｉーＣｒ合金・酸化ルテニウム等の抵抗ペース
トを使用し、描画法・メタルマクス法・ドクタープレー
ド法・オフセット法等により印刷し、乾燥・焼成を経て
形成され、その厚さは１０μｍ程度である。

【００２０】８はレーザトリミング領域で、電極導体２
間以外の厚膜抵抗体７の領域部分（図２中のＢ部及びＣ
部）である。９は厚膜抵抗体７の電極導体２間の領域
（図２中のＡ部）を流れる第一の電流の流れ、１０は厚
膜抵抗体７のレーザトリミング領域８を流れる第二の電
流の流れである。

【００２１】以上の要に構成された厚膜抵抗体のレーザ
トリミング方法について、以下その方法を説明する。

【００２２】図２に示す厚膜抵抗体７のＡ部、Ｂ部及び
Ｃ部の平面積をそれぞれＳ_A、Ｓ_B及びＳ_Cとする。Ａ部
を流れる第一の電流の流れ９の密度α、Ｂ部及びＣ部を
流れる第二の電流の流れ１０の密度をそれぞれβ及びγ
とすると、厚膜抵抗体７の厚みは均一であるので、全抵
抗値Ｒは（数１）で表される。

【００２３】

【数１】

【００２４】ここで電極導体２間の距離はＡ部、Ｂ部、
Ｃ部の順で長くなり、距離の短い方が電流の密度が大き
くなるので、同じ平面積であれば、α＞β＞γの関係が
成立する。したがって、全抵抗値Ｒに関与する領域は、
Ａ部＞Ｂ部＞Ｃ部の割合となる。

【００２５】以上の様に本実施の形態の厚膜抵抗体のレ
ーザトリミング方法は、厚膜抵抗体７で対向する電極導
体２間を完全に含んで形成し、電極導体２間以外のレー
ザトリミング領域８（図２のＢ部及びＣ部）をレーザト
リミングすることにしたので、従来のトリミング領域
（図２のＡ部）よりも抵抗値に関与する割合が少なくな
り、従来と同じ長さのカットを行ったとしてもその抵抗
値変化は少さくなり、所定の抵抗値への調整が高精度で
行える。

【００２６】なお、本実施の形態において、Ｂ部を１回
目に行う粗調トリミングの領域、Ｃ部を２回目に行う微
調トリミングの領域とすれば、更に高精度の調整を行う
ことができる。

【００２７】（実施の形態２）図３は、本発明の実施の
形態２による厚膜抵抗体のレーザトリミング方法におけ
る要部構成とトリミングの様子の平面図である。図４
は、同実施の形態の厚膜抵抗体のレーザトリミング方法
におけるトリミング長と抵抗値変化率との関係を示す特
性図である。

【００２８】なお、実施の形態１と同一構成について
は、同一符号を付して詳細な説明を省略する。

【００２９】図３において、１１−ａはレーザトリミン
グ領域８のＢ部を流れる電流の方向と直交する方向にカ
ットする第一のトリミング（ａ）のカット跡、１１−ｂ
はレーザトリミング領域８のＣ部の第一のトリミング
（ａ）１１−ａと同方向にカットする第一のトリミング
（ｂ）である。１２はレーザトリミング領域８のＣ部を
流れる電流の方向と平行する方向にカットする第二のト
リミングのカット跡である。

【００３０】以上の様に構成された厚膜抵抗体のレーザ
トリミング方法について、以下図４の特性図を用いてそ
の方法を説明する。

【００３１】図４に示す様に従来のＡ部のレーザトリミ
ングでは、トリミング長の増大に伴い、抵抗値変化率が
急峻に変化する。これに対して、第一のトリミング
（ａ）１１−ａ、第一のトリミング（ｂ）１１−ｂ、第
二のトリミング１２の順で、トリミング長の増大に伴う
抵抗値変化率は緩やかになる。これは、領域においては
Ａ部＞Ｂ部＞Ｃ部、カットする方向においては電流の方
向に対し、直交＞平行の割合で抵抗値に関与するからで
ある。

【００３２】以上の様に本実施の形態の厚膜抵抗体のレ
ーザトリミング方法は、電極導体２間以外のレーザトリ
ミング領域８において、流れる電流の方向と直交する方
向にカットする第一のトリミング１１−ａ（Ｂ部）、１
１−ｂ（Ｃ部）及び流れる電流の方向と平行する方向に
カットする第二のトリミング１２で、レーザトリミング
することにしたので、抵抗値変化率が緩やかに変化し、
抵抗値を高精度に調整することができる。

【００３３】例えば、第一のトリミング（ａ）１１−ａ
の場合はトリミング長０．５ｍｍで、抵抗値変化率は７
％であるので、レーザ光の一般的な走査ピッチ０．０１
ｍｍで考えると、抵抗値の調整精度は±０．１４％とな
る。同様に見ると、第一のトリミング（ｂ）１１−ｂは
±０．０４％、第二のトリミング１２は±０．０２％の
抵抗値調整精度を得ることができる。

【００３４】（実施の形態３）図５（ａ）は、本発明の
実施の形態３による厚膜抵抗体のレーザトリミング方法
における要部構成とトリミングの様子の平面図、図５
（ｂ）は、図５（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。図６は、
同実施の形態の厚膜抵抗体のレーザトリミング方法にお
けるトリミング長と抵抗値変化率との関係を示す特性図
である。

【００３５】なお、実施の形態１と同一構成について
は、同一符号を付して詳細な説明を省略する。

【００３６】図５（ａ）及び（ｂ）において、１３はレ
ーザトリミング領域８のＢ部の厚膜抵抗体７を完全にカ
ットする第一のトリミングのカット跡、１４はレーザト
リミング領域８のＢ部の厚膜抵抗体７の表面を削る第二
のトリミングのカット跡である。

【００３７】以上の様に構成された厚膜抵抗体のレーザ
トリミング方法について、以下図６の特性図を用いてそ
の方法を説明する。

【００３８】図６に示す様に、第一のトリミング１３は
実施の形態２の第一のトリミング（ａ）１１−ａと同程
度の抵抗値変化率の変化であるが、第二のトリミング１
４ではトリミング長の増大に伴う抵抗値変化率は更に緩
やかとなる。これは、第二のトリミング１４において
は、厚膜抵抗体７の表面を削るカットであるため、表面
を流れる電流のみ遮断し、削られていない部分には電流
が流れているからである。

【００３９】以上の様に本実施の形態の厚膜抵抗体のレ
ーザトリミング方法は、電極導体２間以外のレーザトリ
ミング領域８において、厚膜抵抗体７を完全にカットす
る第一のトリミング１３、厚膜抵抗体７の表面を削る第
二のトリミング１４でレーザトリミングすることにした
ので、抵抗値変化率が緩やかに変化し、抵抗値を高精度
に調整することができる。

【００４０】例えば、第二のトリミング１４において、
トリミング長０．５ｍｍで抵抗値変化率は０．５％であ
るので、レーザ光の一般的な走査ピッチ０．０１ｍｍで
考えると、抵抗値の調整精度は±０．０１％となる。

【００４１】なお、本実施の形態において、第二のトリ
ミング１４はレーザトリミング領域８のＢ部を流れる電
流の方向と直交する方向としたが、Ｃ部において、流れ
る電流の方向と平行する方向のトリミングにすれば、±
１ｐｐｍの抵抗値調整精度を得ることも可能である。

【００４２】（実施の形態４）図７は、本発明の実施の
形態４による厚膜抵抗体のレーザトリミング方法におけ
る要部構成とトリミングの様子の平面図である。図８
は、同実施の形態の厚膜抵抗体のレーザトリミング方法
におけるトリミング回数と抵抗値変化率との関係を示す
特性図である。

【００４３】なお、実施の形態１と同一構成について
は、同一符号を付して詳細な説明を省略する。

【００４４】図７において、１５−ａはレーザトリミン
グ領域８のＢ部を流れる電流の方向と直交する方向に１
回目にカットする第一のトリミングのカット跡、１５−
ｂは第一のトリミング１５−ａのカット跡と距離Ｌ₃離
れた位置を同方向に２回目にカットする第二のトリミン
グのカット跡、１５−ｃは第二のトリミング１５−ｂの
カット跡と距離Ｌ₃離れた位置を同方向に３回目にカッ
トする第三のトリミングのカット跡である。すなわち、
第一〜第三のトリミング１５−ａ〜ｃで、ピッチＬ₃の
３本の平行したトリミングを構成する。

【００４５】以上の様に構成された厚膜抵抗体のレーザ
トリミング方法について、以下図８の特性図を用いてそ
の方法を説明する。

【００４６】図８はトリミング長０．５ｍｍ、ピッチＬ
₃が０．２ｍｍの場合を示したものである。図８に示す
様に、１回目の抵抗値変化率は７％、２回目は６％、３
回目は５％と順に小さくなる。これは、１回目にカット
する第一のトリミング１５ーａにより、この付近に流れ
る電流が少なくなるため、２回目、３回目と順に、流れ
る電流を妨げる割合が小さくなるからである。

【００４７】今、Ｎ回目に行うトリミングの抵抗値変化
率をΔＲ_Nとすると、ΔＲ_Nは（数２）で表される。

【００４８】

【数２】

【００４９】ここで、ΔＲ₁は１回目のトリミングによ
る抵抗値変化率、Ｋ₁はピッチＬ₃で決まる定数である。

【００５０】以上の様に本実施の形態の厚膜抵抗体のレ
ーザトリミング方法は、電極導体２間以外のレーザトリ
ミング領域８において、平行する複数本のカット（本実
施の形態では、第一〜第三のトリミング１５−ａ〜ｃ）
によりレーザトリミングすることにしたので、同じ長さ
のカットであっても回数が増える毎にその抵抗値変化率
は小さくなり、抵抗値を高精度に調整することができ
る。

【００５１】本実施の形態では、ピッチＬ₃を０．２ｍ
ｍとしたが、このピッチＬ₃を大きくすれば同じ回数の
平行するカットでも、抵抗値調整精度を上げることがで
きる。

【００５２】なお、本実施の形態において平行する複数
本のカットは、レーザトリミング領域８のＢ部を流れる
電流の方向と直交する方向としたが、Ｃ部を流れる電流
の方向と平行する方向のトリミングにすれば、更に高精
度の調整を行うことができる。

【００５３】（実施の形態５）図９（ａ）は、本発明の
実施の形態５による厚膜抵抗体のレーザトリミング方法
における要部構成とトリミングの様子の平面図、図９
（ｂ）は、図９（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。

【００５４】図９（ａ）及び（ｂ）において、１６は電
極導体２間を流れる電流の方向と直交する方向に、厚膜
抵抗体３の表面を削るトリミングのカット跡である。

【００５５】以上の様に構成された厚膜抵抗体のレーザ
トリミング方法について、以下その方法を説明する。

【００５６】図９（ａ）及び（ｂ）に示す様に、トリミ
ング１６は厚膜抵抗体３の表面を削るカットであるた
め、表面を流れる電流のみ遮断し、削られていない部分
には電流が流れることになる。

【００５７】以上の様に本実施の形態の厚膜抵抗体のレ
ーザトリミング方法は、厚膜抵抗体３の表面を削ること
でレーザトリミングすることにしたので、従来の厚膜抵
抗体３を完全にカットする方法よりも抵抗値に関与する
割合が少なくなり、従来と同じ長さのカットを行ったと
しても、その抵抗値変化は小さくなり、所定の抵抗値へ
の調整が高精度で行える。

【００５８】例えば、トリミング０．５ｍｍで従来の場
合は±１０％、本実施の形態の場合は±１％の抵抗値調
整精度となる。

【００５９】なお、本実施の形態において、トリミング
１６は電極導体２間を流れる電流の方向と直交する方向
としたが、平行する方向とすれば、更に高精度の調整を
行うことができる。

【００６０】（実施の形態６）図１０（ａ）は、本発明
の実施の形態６による厚膜抵抗体のレーザトリミング方
法における要部構成とトリミングの様子の平面図、図１
０（ｂ）は、図１０（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。図１
１は、同実施の形態の厚膜抵抗体のレーザトリミング方
法におけるトリミング回数と抵抗値変化率との関係を示
す特性図である。

【００６１】図１０（ａ）及び（ｂ）において、１７−
ａは電極導体２間を流れる電流の方向と直交する方向
に、厚膜抵抗体３の表面を１回目に削る第一のトリミン
グのカット跡で、その深さはＤ₁である。１７−ｂは第
一のトリミング１７−ａのカット跡と同一箇所を更に深
さＤ₁だけ２回目に削る第二のトリミングのカット跡、
１７−ｃは第二のトリミング１７−ｂのカット跡と同一
箇所を、更に深さＤ₁だけ３回目に削る第三のトリミン
グのカット跡である。

【００６２】以上の様に構成された厚膜抵抗体のレーザ
トリミング方法について、以下図１１の特性図を用いて
その方法を説明する。

【００６３】図１１はトリミング長０．５ｍｍ、深さＤ
₁が２μｍの場合を示したものである。図１１に示す様
に、１回目の抵抗値変化率は１％、２回目は０．７５
％、３回目は０．５％と順に小さくなる。これは、１回
目に削る第一のトリミング１７ーａにより、削られてい
ない部分に流れる電流が初期よりも少なくなるため、２
回目、３回目と順に、流れる電流を妨げる場合が小さく
なるからである。

【００６４】今、Ｎ回目に行うトリミングの抵抗値変化
率をΔＲ_Nとすると、ΔＲ_Nは（数３）で表される。

【００６５】

【数３】

【００６６】ここで、ΔＲ₁は１回目のトリミングによ
る抵抗値変化率、Ｋ₂は深さＤ₁で決まる定数である。

【００６７】以上の様に本実施の形態の厚膜抵抗体のレ
ーザトリミング方法は、厚膜抵抗体３の表面を削ること
を同一箇所で複数回（本実施の形態では、第一〜第三の
トリミング１７−ａ〜ｃ）レーザトリミングすることに
したので、同じ深さのカットであっても回数が増える毎
にその抵抗値変化率は小さくなり、抵抗値を高精度に調
整することができるばかりでなく、同一箇所でトリミン
グを行うので位置ずれ等による精度ダウンを防止するこ
とができる。

【００６８】本実施の形態では、深さＤ₁を２μｍとし
たが、この深さＤ₁を小さくすれば、抵抗値調整精度を
上げることができる。

【００６９】なお、本実施の形態において、第一〜第三
のトリミング１７−ａ〜ｃは導体電極２間を流れる電流
の方向と直交する方向としたが、平行する方向とすれ
ば、更に高精度の調整を行うことができる。

【００７０】

【発明の効果】以上説明した様に本発明は、絶縁基板上
に形成した対向する電極導体間を接続する厚膜抵抗体に
おいて、前記厚膜抵抗体は前記電極導体を完全に含んで
形成し、前記電極導体間以外の領域の前記厚膜抵抗体を
レーザトリミングして所定の抵抗値にすることとしたの
で、抵抗値に関与する割合の少ない厚膜抵抗体の領域で
抵抗値調整が行え、所定の抵抗値への調整を高精度で行
うことができる。

【００７１】また、電極導体間以外の領域の厚膜抵抗体
のレーザトリミングを、前記厚膜抵抗体に流れる電流の
方向と直交する方向にカットする第一のトリミングと、
前記厚膜抵抗体に流れる電流の方向と平行する方向にカ
ットする第二のトリミングにより行うこととしたので、
抵抗値の調整精度は第一のトリミングで±０．１４％、
第二のトリミングで±０．０２％を得ることができ、抵
抗値を高精度に調整することができる。

【００７２】また、第一のトリミングは前記厚膜抵抗体
を完全にカットし、第二のトリミングは前記厚膜抵抗体
の表面を削ることで行うこととしたので、抵抗値の調整
精度は第二のトリミングで±０．０１％を得ることがで
き、更にトリミング箇所を電極導体付近とすれば、±１
ｐｐｍの抵抗値調整精度を得ることが可能になる。

【００７３】また、電極導体間以外の領域の厚膜抵抗体
のレーザトリミングを、平行した複数本のカットにより
行うこととしたので、平行する複数本のカットを構成す
るトリミング長、カット本数、カット間ピッチを変更す
ることにより、抵抗値を高精度に調整することができ
る。

【００７４】また、絶縁基板上に形成した対向する電極
導体間を接続する厚膜抵抗体において、前記厚膜抵抗体
の表面を削ることでレーザトリミングして所定の抵抗値
にすることとしたので、従来と同じ構成サイズの厚膜抵
抗体であっても、同じ長さのカットで抵抗値変化率は約
１／１０にすることができ、所定の抵抗値への調整を高
精度で行うことができる。

【００７５】また、厚膜抵抗体の表面を削ることを同一
箇所で複数回行うこととしたので、同一箇所で行うトリ
ミングの回数、カット深さを変更することにより抵抗値
変化率を変えることができ、位置ずれ等による精度ダウ
ンも防止できるので、抵抗値を高精度に調整することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による厚膜抵抗体のレーザトリミング方
法の実施の形態１の要部構成の平面図

【図２】同実施の形態の厚膜抵抗体のレーザトリミング
方法の厚膜抵抗体の領域分解の平面図

【図３】本発明による厚膜抵抗体のレーザトリミング方
法の実施の形態２の要部構成とトリミングの様子の平面
図

【図４】同実施の形態の厚膜抵抗体のレーザトリミング
方法のトリミング長と抵抗値変化率との関係を示す特性
図

【図５】（ａ）本発明による厚膜抵抗体のレーザトリミ
ング方法の実施の形態３の要部構成とトリミングの様子
の平面図 （ｂ）同実施の形態の図５（ａ）のＢ−Ｂ断面図

【図６】同実施の形態の厚膜抵抗体のレーザトリミング
方法のトリミング長と抵抗値変化率との関係を示す特性
図

【図７】本発明による厚膜抵抗体のレーザトリミング方
法の実施の形態４の要部構成とトリミングの様子の平面
図

【図８】同実施の形態の厚膜抵抗体のレーザトリミング
方法のトリミング回数と抵抗値変化率との関係を示す特
性図

【図９】（ａ）本発明による厚膜抵抗体のレーザトリミ
ング方法の実施の形態５の要部構成とトリミングの様子
の平面図 （ｂ）同実施の形態の図９（ａ）のＣ−Ｃ断面図

【図１０】（ａ）本発明による厚膜抵抗体のレーザトリ
ミング方法の実施の形態６の要部構成とトリミングの様
子の平面図 （ｂ）同実施の形態の図１０（ａ）のＤ−Ｄ断面図

【図１１】同実施の形態の厚膜抵抗体のレーザトリミン
グ方法のトリミング回数と抵抗値変化率との関係を示す
特性図

【図１２】（ａ）従来の厚膜抵抗体のレーザトリミング
方法の要部構成とトリミングの様子の平面図 （ｂ）同従来の図１２（ａ）のＡ−Ａ断面図

【符号の説明】

１ 絶縁基板 ２ 電極導体 ７ 厚膜抵抗体 ８ レーザトリミング領域 ９ 第一の電流の流れ １０ 第二の電流の流れ １１−ａ 第一のトリミング（ａ）のカット跡 １１−ｂ 第一のトリミング（ｂ）のカット跡 １２ 第二のトリミングのカット跡 １３ 第一のトリミングのカット跡 １４ 第二のトリミングのカット跡 １５−ａ 第一のトリミングのカット跡 １５−ｂ 第二のトリミングのカット跡 １５−ｃ 第三のトリミングのカット跡 １６ トリミングのカット跡 １７−ａ 第一のトリミングのカット跡 １７−ｂ 第二のトリミングのカット跡 １７−ｃ 第三のトリミングのカット跡

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板上に形成した対向する電極導体
   間を接続する厚膜抵抗体において、前記厚膜抵抗体は前
   記電極導体を完全に含んで形成し、前記電極導体間以外
   の領域の前記厚膜抵抗体をレーザトリミングして所定の
   抵抗値にすることを特徴とする厚膜抵抗体のレーザトリ
   ミング方法。
2. 【請求項２】 電極導体間以外の領域の厚膜抵抗体のレ
   ーザトリミングを、前記厚膜抵抗体に流れる電流の方向
   と直交する方向にカットする第一のトリミングと、前記
   厚膜抵抗体に流れる電流の方向と平行する方向にカット
   する第二のトリミングにより行うことを特徴とする請求
   項１に記載の厚膜抵抗体のレーザトリミング方法。
3. 【請求項３】 第一のトリミングは前記厚膜抵抗体を完
   全にカットし、第二のトリミングは前記厚膜抵抗体の表
   面を削ることで行うことを特徴とする請求項２に記載の
   厚膜抵抗体のレーザトリミング方法。
4. 【請求項４】 電極導体間以外の領域の厚膜抵抗体のレ
   ーザトリミングを、平行した複数本のカットにより行う
   ことを特徴とする請求項１に記載の厚膜抵抗体のレーザ
   トリミング方法。
5. 【請求項５】 絶縁基板上に形成した対向する電極導体
   間を接続する厚膜抵抗体において、前記厚膜抵抗体の表
   面を削ることでレーザトリミングして所定の抵抗値にす
   ることを特徴とする厚膜抵抗体のレーザトリミング方
   法。
6. 【請求項６】 厚膜抵抗体の表面を削ることを同一箇所
   で複数回行うことを特徴とする請求項５に記載の厚膜抵
   抗体のレーザトリミング方法。