JPH08102403A - 抵抗器およびその製造方法 - Google Patents
抵抗器およびその製造方法Info
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- JPH08102403A JPH08102403A JP6236886A JP23688694A JPH08102403A JP H08102403 A JPH08102403 A JP H08102403A JP 6236886 A JP6236886 A JP 6236886A JP 23688694 A JP23688694 A JP 23688694A JP H08102403 A JPH08102403 A JP H08102403A
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- resistor
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- resistance
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザートリミング等を行わずとも、目的と
する抵抗値の抵抗器を安価に提供することを目的とす
る。 【構成】 基板１の上に第１の電極３ｃと第２の電極３
ｄを形成し、第１の電極３ｃと第２の電極３ｄの間に抵
抗体２を形成した後、抵抗体２の抵抗値が目的とする抵
抗値になる位置に第３の電極としてのアジャスト電極４
を形成する。
する抵抗値の抵抗器を安価に提供することを目的とす
る。 【構成】 基板１の上に第１の電極３ｃと第２の電極３
ｄを形成し、第１の電極３ｃと第２の電極３ｄの間に抵
抗体２を形成した後、抵抗体２の抵抗値が目的とする抵
抗値になる位置に第３の電極としてのアジャスト電極４
を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は角形チップ抵抗器、抵抗
ネットワークやコンデンサやコイル等と複合化された抵
抗器やハイブリッドＩＣの抵抗に利用される抵抗器およ
びその製造方法に関するものである。
ネットワークやコンデンサやコイル等と複合化された抵
抗器やハイブリッドＩＣの抵抗に利用される抵抗器およ
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハイブリッドＩＣ、チップ抵抗等
の抵抗器に対して高性能・低コスト要求が成されてい
る。
の抵抗器に対して高性能・低コスト要求が成されてい
る。
【０００３】以下に従来の角形チップ抵抗器を例にとり
説明する。図８、図９は従来のチップ抵抗器を示すもの
であり、分かりやすくするため抵抗体の保護層や実装用
の端面電極は省略している。図８、図９において１はセ
ラミック基板、２は抵抗体、３ａ，３ｂは電極である。
図８において、抵抗体２の両端は電極３ａの上部に形成
されている。図９において、抵抗体２の両端は電極３ｂ
の下部に形成されている。また抵抗体２はレーザー等を
用いたトリミング工程を経て、所定の抵抗値に調整され
る。
説明する。図８、図９は従来のチップ抵抗器を示すもの
であり、分かりやすくするため抵抗体の保護層や実装用
の端面電極は省略している。図８、図９において１はセ
ラミック基板、２は抵抗体、３ａ，３ｂは電極である。
図８において、抵抗体２の両端は電極３ａの上部に形成
されている。図９において、抵抗体２の両端は電極３ｂ
の下部に形成されている。また抵抗体２はレーザー等を
用いたトリミング工程を経て、所定の抵抗値に調整され
る。
【０００４】従来、抵抗値を目的とする値に調整する方
法としていくつかの取り組みがなされていた。特開昭６
３−１４１３５８号公報では、完成された抵抗体上に樹
脂中に超微粒子を分散させて作成した絶縁性膜を形成
し、レーザー焼成等で前記樹脂を分解し導体パターンを
形成するものである。しかしこの技術は、抵抗体別に抵
抗値を測定しながらレーザー照射するため、従来のレー
ザートリミングと同じかそれ以上の工数がかかり、製造
コストを引き上げるものであった。
法としていくつかの取り組みがなされていた。特開昭６
３−１４１３５８号公報では、完成された抵抗体上に樹
脂中に超微粒子を分散させて作成した絶縁性膜を形成
し、レーザー焼成等で前記樹脂を分解し導体パターンを
形成するものである。しかしこの技術は、抵抗体別に抵
抗値を測定しながらレーザー照射するため、従来のレー
ザートリミングと同じかそれ以上の工数がかかり、製造
コストを引き上げるものであった。
【０００５】また、特開平１−９３１９３号公報では、
基板の導体間を接続するように設けられた抵抗体に対
し、個別に抵抗値を測定し抵抗値が目的値より高い場合
は、前記抵抗体上に導体ペーストを塗布、焼成、抵抗値
を測定し、抵抗値がまだ高すぎる場合は、再度同じ工程
を繰り返すことにより抵抗値を調整することが開示され
ている。しかしこの場合は抵抗体上に個別に導体ペース
トを直接ノズルで塗布するため、１枚の基板に数千個の
抵抗器を作成する場合、非常に時間がかかり実用的でな
い。
基板の導体間を接続するように設けられた抵抗体に対
し、個別に抵抗値を測定し抵抗値が目的値より高い場合
は、前記抵抗体上に導体ペーストを塗布、焼成、抵抗値
を測定し、抵抗値がまだ高すぎる場合は、再度同じ工程
を繰り返すことにより抵抗値を調整することが開示され
ている。しかしこの場合は抵抗体上に個別に導体ペース
トを直接ノズルで塗布するため、１枚の基板に数千個の
抵抗器を作成する場合、非常に時間がかかり実用的でな
い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来の構成で
は、抵抗値を低めに設定しておきレーザートリミングす
ることにより、目的とする抵抗値に調整していた。この
ためレーザートリミングコストが発生すると同時に、抵
抗体にマイクロクラックが発生しノイズ特性が劣化して
いた。また抵抗値も高い方向にしか調整できないため、
必然的にトリミング量が大きくなっていた。
は、抵抗値を低めに設定しておきレーザートリミングす
ることにより、目的とする抵抗値に調整していた。この
ためレーザートリミングコストが発生すると同時に、抵
抗体にマイクロクラックが発生しノイズ特性が劣化して
いた。また抵抗値も高い方向にしか調整できないため、
必然的にトリミング量が大きくなっていた。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、抵抗値の調整を抵抗体の製造工程内でフィードバッ
クしながら行ってしまうものであり、レーザートリミン
グ量を低減したりレーザートリミングを省略することに
より、より安価なノイズ特性の優れた抵抗器を提供する
ことを目的とする。
で、抵抗値の調整を抵抗体の製造工程内でフィードバッ
クしながら行ってしまうものであり、レーザートリミン
グ量を低減したりレーザートリミングを省略することに
より、より安価なノイズ特性の優れた抵抗器を提供する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の抵抗器は、基板上に設けた第１の電極と第２
の電極と第３の電極と、この第１の電極と第２の電極と
第３の電極に接続される抵抗体と、前記抵抗体を覆う保
護層からなり、前記抵抗体の一端部は第１の電極の上、
他端部は第２の電極の上でかつ第３の電極としてのアジ
ャスト電極の下に形成され、第１の電極と第２の電極の
間隔よりも第１の電極と第３の電極の間隔を短く構成し
たものである。
に本発明の抵抗器は、基板上に設けた第１の電極と第２
の電極と第３の電極と、この第１の電極と第２の電極と
第３の電極に接続される抵抗体と、前記抵抗体を覆う保
護層からなり、前記抵抗体の一端部は第１の電極の上、
他端部は第２の電極の上でかつ第３の電極としてのアジ
ャスト電極の下に形成され、第１の電極と第２の電極の
間隔よりも第１の電極と第３の電極の間隔を短く構成し
たものである。
【０００９】
【作用】この構成によって、第３の電極としてのアジャ
スト電極の形成位置の調整だけで抵抗値を目的とする値
に調整でき、レーザートリミング量を低減したりレーザ
ートリミング工程自体を省略することができる。
スト電極の形成位置の調整だけで抵抗値を目的とする値
に調整でき、レーザートリミング量を低減したりレーザ
ートリミング工程自体を省略することができる。
【００１０】
（実施例１）以下、本発明の一実施例について図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【００１１】図１、図２は本発明の第１の実施例におけ
る抵抗器を示すものであり、図１は斜視図、図２はその
断面図である。図１について説明する。セラミックから
なる基板１の上に抵抗体２の両端は、第１の電極３ｃと
第２の電極３ｄの上部に形成されている。４はアジャス
ト電極であり第３の電極に相当し、抵抗体２の一端に抵
抗体２を覆って形成される。このアジャスト電極４の一
端は抵抗体２の上部に形成されるとともにアジャスト電
極４の他端は第２の電極３ｄの上に形成される。また図
１におけるＬは実質抵抗長であり、第１の電極３ｃと、
アジャスト電極４に挟まれた抵抗体２の長さに相当す
る。
る抵抗器を示すものであり、図１は斜視図、図２はその
断面図である。図１について説明する。セラミックから
なる基板１の上に抵抗体２の両端は、第１の電極３ｃと
第２の電極３ｄの上部に形成されている。４はアジャス
ト電極であり第３の電極に相当し、抵抗体２の一端に抵
抗体２を覆って形成される。このアジャスト電極４の一
端は抵抗体２の上部に形成されるとともにアジャスト電
極４の他端は第２の電極３ｄの上に形成される。また図
１におけるＬは実質抵抗長であり、第１の電極３ｃと、
アジャスト電極４に挟まれた抵抗体２の長さに相当す
る。
【００１２】次に図２について説明する。図２におい
て、５は端面電極であり、第１の電極３ｃと第２の電極
３ｄに接続され、半田等で回路基板上に実装される。６
は保護層であり抵抗体２やアジャスト電極４の上に形成
され、信頼性を向上させ実装時他の部品との電気的短絡
を防止する。なお、図２に図示した端面電極５や保護層
６は、図１において省略している。
て、５は端面電極であり、第１の電極３ｃと第２の電極
３ｄに接続され、半田等で回路基板上に実装される。６
は保護層であり抵抗体２やアジャスト電極４の上に形成
され、信頼性を向上させ実装時他の部品との電気的短絡
を防止する。なお、図２に図示した端面電極５や保護層
６は、図１において省略している。
【００１３】本実施例においては、アジャスト電極４の
形成位置を変化させて、実質抵抗長Ｌを増減し、抵抗値
を目的とする値に調整することになる。図１に示すよう
に、抵抗体２は第１の電極３ｃと第２の電極３ｄの間に
形成されているが、第１の電極３ｃとアジャスト電極４
の間隔（実質抵抗長Ｌ）の方が短いため、この抵抗器の
抵抗値は実質抵抗長Ｌで決まってしまうことになる。
形成位置を変化させて、実質抵抗長Ｌを増減し、抵抗値
を目的とする値に調整することになる。図１に示すよう
に、抵抗体２は第１の電極３ｃと第２の電極３ｄの間に
形成されているが、第１の電極３ｃとアジャスト電極４
の間隔（実質抵抗長Ｌ）の方が短いため、この抵抗器の
抵抗値は実質抵抗長Ｌで決まってしまうことになる。
【００１４】（実施例２）次に本発明の第２の実施例に
おける抵抗器の製造方法の一例について、図３および図
４を用いて説明する。図３は本発明の抵抗器の製造方法
の一例を説明するもの、図４は抵抗値の合わせ方につい
て説明するものである。
おける抵抗器の製造方法の一例について、図３および図
４を用いて説明する。図３は本発明の抵抗器の製造方法
の一例を説明するもの、図４は抵抗値の合わせ方につい
て説明するものである。
【００１５】図３、図４において７はブレークラインで
あり、セラミックなどの基板１を所定形状に個分割する
際に用いる。８は上面電極であり、ブレークライン７で
分割され、第１の電極３ｃおよび第２の電極３ｄとな
る。図３（ａ）は、基板１の上に上面電極８を形成した
様子を示す。次に図３（ｂ）に示すように複数の上面電
極８を接続するよう抵抗体２を形成する。そして目的と
する抵抗値が得られる位置に、アジャスト電極４を抵抗
体２の一端を覆うように形成する。この後、図３（ｄ）
に示すように前記抵抗体２およびアジャスト電極４を覆
うように保護層６を形成する。この後、ブレークライン
７に沿って、基板１を所定形状に分割し、端面電極を形
成して抵抗器として完成する。
あり、セラミックなどの基板１を所定形状に個分割する
際に用いる。８は上面電極であり、ブレークライン７で
分割され、第１の電極３ｃおよび第２の電極３ｄとな
る。図３（ａ）は、基板１の上に上面電極８を形成した
様子を示す。次に図３（ｂ）に示すように複数の上面電
極８を接続するよう抵抗体２を形成する。そして目的と
する抵抗値が得られる位置に、アジャスト電極４を抵抗
体２の一端を覆うように形成する。この後、図３（ｄ）
に示すように前記抵抗体２およびアジャスト電極４を覆
うように保護層６を形成する。この後、ブレークライン
７に沿って、基板１を所定形状に分割し、端面電極を形
成して抵抗器として完成する。
【００１６】次に図４を用いて、抵抗値の調整方法につ
いて説明する。図４（ａ）〜図４（ｃ）において、実質
抵抗長Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３は互いに異なっており、Ｌ１＜
Ｌ２＜Ｌ３の関係にあり、アジャスト電極４の一端は抵
抗体２上に他端は上面電極８に接続されている。ここで
抵抗体２のシート抵抗やその形状を同じとした場合、で
き上がった抵抗器の抵抗値は、Ｌ１＜Ｌ２＜Ｌ３の順に
なる。こうして、同じサンプルを用いても、アジャスト
電極４の形成位置を変化させることで、抵抗値を目的と
する値に調整しながら抵抗器を製造することができる。
いて説明する。図４（ａ）〜図４（ｃ）において、実質
抵抗長Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３は互いに異なっており、Ｌ１＜
Ｌ２＜Ｌ３の関係にあり、アジャスト電極４の一端は抵
抗体２上に他端は上面電極８に接続されている。ここで
抵抗体２のシート抵抗やその形状を同じとした場合、で
き上がった抵抗器の抵抗値は、Ｌ１＜Ｌ２＜Ｌ３の順に
なる。こうして、同じサンプルを用いても、アジャスト
電極４の形成位置を変化させることで、抵抗値を目的と
する値に調整しながら抵抗器を製造することができる。
【００１７】更に詳しく説明する。まずセラミックなど
の基板としては、１．５５ｍｍ×０．７５ｍｍの抵抗器
が得られるようにブレークラインを形成した１００ｍｍ
角のアルミナ基板を用い、ここに図３（ａ）に示すよう
に上面電極８を形成した。なお上面電極８はブレークラ
イン７を挟むように形成した。ここで電極形成材料に
は、銀パラジウム電極インキを用い、これを印刷した後
８５０℃で焼成し上面電極８とした。
の基板としては、１．５５ｍｍ×０．７５ｍｍの抵抗器
が得られるようにブレークラインを形成した１００ｍｍ
角のアルミナ基板を用い、ここに図３（ａ）に示すよう
に上面電極８を形成した。なお上面電極８はブレークラ
イン７を挟むように形成した。ここで電極形成材料に
は、銀パラジウム電極インキを用い、これを印刷した後
８５０℃で焼成し上面電極８とした。
【００１８】次にこの上に市販の厚膜抵抗体材料を同様
に印刷し、８５０℃で焼成し抵抗体２を形成した。ここ
で抵抗体２の両端に形成された上面電極８に、４端子法
でプローブを当てその抵抗値を測定した。複数個の抵抗
値を測定した平均抵抗値は７．１９ＫΩであった。ここ
で目的とする抵抗値は６．００ＫΩと設定した。計算に
より実質抵抗長Ｌを求め、この位置に図３（ｃ）で示す
ようにアジャスト電極４を形成した。最後に図３（ｄ）
で示すように、保護層６を樹脂を主体とした材料で形成
した。そして基板１をブレークライン７で個片に分割し
た後、端面電極を形成した。
に印刷し、８５０℃で焼成し抵抗体２を形成した。ここ
で抵抗体２の両端に形成された上面電極８に、４端子法
でプローブを当てその抵抗値を測定した。複数個の抵抗
値を測定した平均抵抗値は７．１９ＫΩであった。ここ
で目的とする抵抗値は６．００ＫΩと設定した。計算に
より実質抵抗長Ｌを求め、この位置に図３（ｃ）で示す
ようにアジャスト電極４を形成した。最後に図３（ｄ）
で示すように、保護層６を樹脂を主体とした材料で形成
した。そして基板１をブレークライン７で個片に分割し
た後、端面電極を形成した。
【００１９】こうして完成した抵抗器に対して複数個の
抵抗値を測定したところ、平均抵抗値は６．０１ＫΩで
あり、目的とする抵抗値の抵抗器を製造できた。
抵抗値を測定したところ、平均抵抗値は６．０１ＫΩで
あり、目的とする抵抗値の抵抗器を製造できた。
【００２０】また図４に示すように実質抵抗長Ｌを変化
させたところ、でき上がった抵抗器の抵抗値も同様に変
化することが確かめられた。一般的に厚膜で形成される
抵抗体材料は、その材料のロットや焼成時の炉内の温度
や雰囲気の影響を微妙に受け、その抵抗値を数％程度変
化させてしまうことが知られている。本実施例において
は上面電極に挟まれた抵抗体の抵抗値を実測した後、所
定抵抗値に形成できるため、このような抵抗値変動の影
響を吸収し安定した製造条件で目的とする抵抗値の抵抗
器を製造することができる。
させたところ、でき上がった抵抗器の抵抗値も同様に変
化することが確かめられた。一般的に厚膜で形成される
抵抗体材料は、その材料のロットや焼成時の炉内の温度
や雰囲気の影響を微妙に受け、その抵抗値を数％程度変
化させてしまうことが知られている。本実施例において
は上面電極に挟まれた抵抗体の抵抗値を実測した後、所
定抵抗値に形成できるため、このような抵抗値変動の影
響を吸収し安定した製造条件で目的とする抵抗値の抵抗
器を製造することができる。
【００２１】（実施例３）次に本発明の第３の実施例と
して、抵抗値の高精度調整の一例について、図５および
図６を用いて説明する。図５は抵抗値をより高精度に調
整できる抵抗器を示すものである。図５において、抵抗
体２は第１の電極３ｃに接する側より、アジャスト電極
４に接する側で幅広に形成している。このように抵抗体
２のパターンを変化させることで、アジャスト電極４の
形成位置による抵抗値の調整を高精度にできる。
して、抵抗値の高精度調整の一例について、図５および
図６を用いて説明する。図５は抵抗値をより高精度に調
整できる抵抗器を示すものである。図５において、抵抗
体２は第１の電極３ｃに接する側より、アジャスト電極
４に接する側で幅広に形成している。このように抵抗体
２のパターンを変化させることで、アジャスト電極４の
形成位置による抵抗値の調整を高精度にできる。
【００２２】図６は、実質抵抗長Ｌ（ｍｍ）と、その時
の抵抗値Ｒ（ＫΩ）の関係を示すものである。図６にお
いて、直線（１）は抵抗体２の幅を一定にした場合、直
線（２）は抵抗体２の幅を図５に示したように変化させ
た場合のものである。このように抵抗体２を部分的に幅
広に形成することにより、実質抵抗長Ｌに対して２倍の
高精度で、抵抗値を目的とする値に調整することができ
る。
の抵抗値Ｒ（ＫΩ）の関係を示すものである。図６にお
いて、直線（１）は抵抗体２の幅を一定にした場合、直
線（２）は抵抗体２の幅を図５に示したように変化させ
た場合のものである。このように抵抗体２を部分的に幅
広に形成することにより、実質抵抗長Ｌに対して２倍の
高精度で、抵抗値を目的とする値に調整することができ
る。
【００２３】また必要に応じて、レーザートリミングし
てもよい。この場合、幅広の部分を選択してトリミング
すれば、より高精度なトリミングが可能になる。
てもよい。この場合、幅広の部分を選択してトリミング
すれば、より高精度なトリミングが可能になる。
【００２４】（実施例４）次に本発明の第４の実施例と
して、抵抗値の高精度調整の他の一例について図７を用
いて説明する。図７において、抵抗体２は第１の電極３
ｃに接する側よりアジャスト電極４に接する側で厚み
（断面積）を大きく形成している。このように抵抗体２
の厚みを変化させることで、アジャスト電極４の形成位
置による抵抗値の調整をより微細に行うことができる。
して、抵抗値の高精度調整の他の一例について図７を用
いて説明する。図７において、抵抗体２は第１の電極３
ｃに接する側よりアジャスト電極４に接する側で厚み
（断面積）を大きく形成している。このように抵抗体２
の厚みを変化させることで、アジャスト電極４の形成位
置による抵抗値の調整をより微細に行うことができる。
【００２５】この結果、図７に示したのと同様に、抵抗
値をより高精度に調整できる。また必要に応じてレーザ
ートリミングすることもできる。この場合、抵抗体２の
厚みの薄い部分を選択すれば、より高速なレーザートリ
ミングが可能になり、トリミングコストを下げられる。
値をより高精度に調整できる。また必要に応じてレーザ
ートリミングすることもできる。この場合、抵抗体２の
厚みの薄い部分を選択すれば、より高速なレーザートリ
ミングが可能になり、トリミングコストを下げられる。
【００２６】なおここで基板１としては、アルミナ基板
以外に窒化アルミや誘電体セラミック、フェライトセラ
ミック等を用いてもよい。また金属板をセラミックや樹
脂等で覆ったメタルコア基板を、基板として用いた場合
は、割れにくい抵抗器を製造することができる。
以外に窒化アルミや誘電体セラミック、フェライトセラ
ミック等を用いてもよい。また金属板をセラミックや樹
脂等で覆ったメタルコア基板を、基板として用いた場合
は、割れにくい抵抗器を製造することができる。
【００２７】またこの抵抗器は、単独の抵抗器や抵抗ア
レイ以外に、ハイブリッドＩＣ以外に複合部品にも応用
することもできる。例えば積層セラミックコンデンサ
や、チップコイル、チップインダクタ、チップセラミッ
クモジュール等と組み合わせることで複合化することも
容易である。特に通常のコンデンサやインダクタ等と組
み合わせた場合、構造的にトリミングが難しくトリミン
グすることでノイズ特性が悪くなる。こうした目的に本
発明で説明する抵抗器を用いることで、ノイズ等特性を
劣化させず高精度な複合部品を製造することができる。
レイ以外に、ハイブリッドＩＣ以外に複合部品にも応用
することもできる。例えば積層セラミックコンデンサ
や、チップコイル、チップインダクタ、チップセラミッ
クモジュール等と組み合わせることで複合化することも
容易である。特に通常のコンデンサやインダクタ等と組
み合わせた場合、構造的にトリミングが難しくトリミン
グすることでノイズ特性が悪くなる。こうした目的に本
発明で説明する抵抗器を用いることで、ノイズ等特性を
劣化させず高精度な複合部品を製造することができる。
【００２８】また抵抗体の形成部材としては、酸化ルテ
ニウム等の厚膜抵抗体材料以外にニクロム等の薄膜抵抗
体材料を用いて薄膜法で抵抗体を形成してもよい。また
無電解メッキやマトリックスメッキ等を用いて抵抗体を
形成した場合、抵抗体を直接基板に張り付けた場合、溶
射した場合でも本発明では抵抗値を高精度に調整でき
る。
ニウム等の厚膜抵抗体材料以外にニクロム等の薄膜抵抗
体材料を用いて薄膜法で抵抗体を形成してもよい。また
無電解メッキやマトリックスメッキ等を用いて抵抗体を
形成した場合、抵抗体を直接基板に張り付けた場合、溶
射した場合でも本発明では抵抗値を高精度に調整でき
る。
【００２９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、基板上に
設けた第１の電極および第２の電極の間に形成した抵抗
体自体の正確な抵抗値を知り、この抵抗値を基にしてア
ジャスト電極となる第３の電極を抵抗体上の所定位置に
形成することにより、抵抗値を目的とする値に正確に形
成できる。従って抵抗体材料のばらつきや基板の影響を
受けることなく、レーザートリミングを行わなくとも目
的とする抵抗値を高歩留で得られる抵抗器を製造できる
ものである。
設けた第１の電極および第２の電極の間に形成した抵抗
体自体の正確な抵抗値を知り、この抵抗値を基にしてア
ジャスト電極となる第３の電極を抵抗体上の所定位置に
形成することにより、抵抗値を目的とする値に正確に形
成できる。従って抵抗体材料のばらつきや基板の影響を
受けることなく、レーザートリミングを行わなくとも目
的とする抵抗値を高歩留で得られる抵抗器を製造できる
ものである。
【図１】本発明の第１の実施例における抵抗器を示す斜
視図
視図
【図２】同断面図
【図３】本発明の第２の実施例を示す抵抗器の製造方法
の一例を説明する断面図
の一例を説明する断面図
【図４】本発明の第２の実施例を示す抵抗値の合わせ方
について説明する断面図
について説明する断面図
【図５】本発明の第３の実施例を示す抵抗値をより高精
度に調整できる抵抗器を示す斜視図
度に調整できる抵抗器を示す斜視図
【図６】本発明の第３の実施例における実質抵抗長Ｌ
（ｍｍ）とその時の抵抗値Ｒ（ＫΩ）の関係を示す特性
図
（ｍｍ）とその時の抵抗値Ｒ（ＫΩ）の関係を示す特性
図
【図７】本発明の第４の実施例における抵抗値の高精度
調整の他の一例について説明する斜視図
調整の他の一例について説明する斜視図
【図８】従来のチップ抵抗器を示す斜視図
【図９】同他の従来の抵抗器を示す斜視図
１ 基板 ２ 抵抗体 ３ｃ 第１の電極 ３ｄ 第２の電極 ４ アジャスト電極 ５ 端面電極 ６ 保護層 ７ ブレークライン ８ 上面電極
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に設けた第１の電極と第２の電極
と第３の電極と、この第１の電極と第２の電極と第３の
電極に接続される抵抗体と、前記抵抗体を覆う保護層か
らなり、前記抵抗体の一端部は第１の電極の上に、他端
部は第２の電極の上でかつ第３の電極としてのアジャス
ト電極の下に形成され、第１の電極と第２の電極の間隔
よりも第１の電極と第３の電極の間隔が短くなるように
構成した抵抗器。 - 【請求項２】 基板上に設けた第１の電極と第２の電極
と第３の電極と、この第１の電極と第２の電極と第３の
電極に接続される抵抗体と、前記抵抗体を覆う保護層か
らなり、前記抵抗体の一端部は第１の電極の上に、他端
部は第２の電極の上でかつ第３の電極としてのアジャス
ト電極の下に形成され、第１の電極と第２の電極の間隔
よりも第１の電極と第３の電極の間隔が短く、かつ前記
抵抗体の第１の電極に接する部分より前記第３の電極に
接する部分を幅広く構成した抵抗器。 - 【請求項３】 基板上に設けた第１の電極と第２の電極
と第３の電極と、この第１の電極と第２の電極と第３の
電極に接続される抵抗体と、前記抵抗体を覆う保護層か
らなり、前記抵抗体の一端部は第１の電極の上に、他端
部は第２の電極の上でかつ第３の電極としてのアジャス
ト電極の下に形成され、第１の電極と第２の電極の間隔
よりも第１の電極と第３の電極の間隔が短く、かつ前記
抵抗体の第１の電極に接する部分より前記第３の電極に
接する部分の膜厚を厚く構成した抵抗器。 - 【請求項４】 基板上に形成した第１の電極と第２電極
の上に前記第１の電極と前記第２の電極を接続するよう
に抵抗体を作成した後、第１の電極と第２の電極の間の
抵抗体の抵抗値を測定し、目的となる抵抗値になる位置
の前記抵抗体の上に第３の電極としてのアジャスト電極
を形成する請求項１、請求項２または請求項３記載の抵
抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6236886A JPH08102403A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 抵抗器およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6236886A JPH08102403A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 抵抗器およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08102403A true JPH08102403A (ja) | 1996-04-16 |
Family
ID=17007241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6236886A Pending JPH08102403A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 抵抗器およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08102403A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10125513A (ja) * | 1996-10-15 | 1998-05-15 | Micron Denki Kk | 電流検出用抵抗器の製造装置 |
| US7097287B2 (en) | 2001-05-09 | 2006-08-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ink jet device, ink jet ink, and method of manufacturing electronic component using the device and the ink |
| JP2016066743A (ja) * | 2014-09-25 | 2016-04-28 | Koa株式会社 | チップ抵抗器 |
| JP2016072298A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-05-09 | Koa株式会社 | チップ抵抗器の製造方法 |
| CN106340363A (zh) * | 2015-07-10 | 2017-01-18 | 株式会社村田制作所 | 复合电子部件以及电阻元件 |
| CN106340364A (zh) * | 2015-07-10 | 2017-01-18 | 株式会社村田制作所 | 复合电子部件以及电阻元件 |
| US10109398B2 (en) | 2014-09-25 | 2018-10-23 | Koa Corporation | Chip resistor and method for producing same |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP6236886A patent/JPH08102403A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
| JPH10125513A (ja) * | 1996-10-15 | 1998-05-15 | Micron Denki Kk | 電流検出用抵抗器の製造装置 |
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| JP2016072298A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-05-09 | Koa株式会社 | チップ抵抗器の製造方法 |
| CN106340363A (zh) * | 2015-07-10 | 2017-01-18 | 株式会社村田制作所 | 复合电子部件以及电阻元件 |
| CN106340364A (zh) * | 2015-07-10 | 2017-01-18 | 株式会社村田制作所 | 复合电子部件以及电阻元件 |
| US10186381B2 (en) | 2015-07-10 | 2019-01-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite electronic component and resistance element |
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