JPH07211507A

JPH07211507A - 抵抗部品及びその製造方法

Info

Publication number: JPH07211507A
Application number: JP6003476A
Authority: JP
Inventors: Keiichi Nakao; 恵一中尾; Ryo Kimura; 涼木村; Fumio Tanaka; 文雄田中
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1994-01-18
Filing date: 1994-01-18
Publication date: 1995-08-11

Abstract

(57)【要約】【目的】レーザートリミング等の抵抗体自体を加工せ
ず所定の抵抗値を得ることにより、抵抗値の変動がなく
より高精度な抵抗値を有する抵抗部品を安価に提供する
ことを目的とする。【構成】セラミック基板１の上に電極３ｃを形成し、
電極３ｃ上に一端が重なるように抵抗体２を形成し、抵
抗体２の抵抗値を測定して計算しながら抵抗体２上の補
正電極４の形成位置を決定し、補正電極４を抵抗体２の
他端上に重なるように形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、角形チップ抵抗部品、
抵抗ネットワーク、コンデンサ、コイルと複合化された
抵抗部品及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハイブリッドＩＣ、チップ抵抗等
の抵抗部品に対して、円高等の影響により以前に増して
コストダウンの要求がなされている。

【０００３】以下に従来の角形チップ抵抗部品を例にと
り説明する。図１３は従来のチップ抵抗部品を示すもの
であり、分かりやすくするため抵抗体の保護層や実装用
の外部電極は省略している。

【０００４】図１３において１はセラミック基板、２は
抵抗体、３ａ，３ｂは電極である。図１３（ａ）におい
て、抵抗体２の両端は電極３ａの上部に形成されてい
る。図１３（ｂ）において、抵抗体２の両端は電極３ｂ
の下に形成されている。従来の抵抗体は、厚膜抵抗（あ
るいはグレーズ抵抗）であっても、薄膜抵抗（あるいは
蒸着やメッキ抵抗）であっても、二つの電極３ａ，３ｂ
の間に形成された後、目的とする抵抗値までトリミング
されることになる。

【０００５】ここで言うトリミングとは、抵抗体自体を
加工することで抵抗値を変化させるものであり、主にレ
ーザートリミング方法や希にはブラストトリミング方法
が実用化されている。しかしこのトリミング方法は、抵
抗値を高い方向にしか調整できない。このため、実際は
抵抗体のバラツキを考慮して、初期抵抗値は大幅に低い
ものに設定した後、大きくトリミングすることが行われ
ている。

【０００６】このようなトリミングは、製品がほぼ完成
された状態で、製造工程から独立した工程で行われるた
め、チップ抵抗部品の命中率（目的の抵抗値に抵抗値を
当てられる確率）向上へのフィードバックは行われにく
い。

【０００７】従来、工程内での命中率向上策としては、
特開昭６３−１４１３５８号公報では、完成された抵抗
体上に樹脂中に超微粒子を分散させて作成した絶縁性膜
を形成し、レーザー照射等で前記樹脂を分解し導体パタ
ーンを形成するものである。しかしこの方法は、抵抗体
別に抵抗値を測定しながらレーザー照射するため、従来
のレーザートリミングと同じかそれ以上の工数がかか
り、製造コストを増加させる。

【０００８】また特開平１−９３１９３号公報では、基
板の導体間を接続するように設けられた印刷抵抗体に対
し、個別に抵抗値を測定し、抵抗値が所定値より高い場
合は、前記抵抗体上に導体ペーストを塗布、焼成後、抵
抗値を測定し、抵抗値がまだ高すぎる場合は、再度同じ
工程を繰り返すことが開示されている。しかしこの場合
の実施例は抵抗体上に個別に導体ペーストを直接ノズル
で塗布するため、１枚の基板に数千個の抵抗部品を作成
する場合、非常に長い時間がかかる。また導体ペースト
の塗布量が異なる抵抗体が同一基板にある場合、抵抗体
の焼成も個別にしなければならず、どうしても手間が多
くなる。導体ペーストの塗布時間とレーザートリミング
の時間を比較すると、後者の方が比較にならないほど短
時間に加工できるため、レーザートリミングで抵抗値を
調整するほうがコスト的には有利となる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上記の従来の構成で
は、抵抗値を低めに設定しておき、レーザートリミング
することにより、目的とする抵抗値に調整していた。こ
のためレーザートリミングコストが発生すると同時に、
レーザートリミング時に抵抗体にマイクロクラックが発
生し、ノイズ特性が劣化したり、信頼性が低くなったり
していた。また抵抗値を高い方向にしか調整できないた
め、必然的にトリミング量が大きくなりレーザートリミ
ングコストがかかっていた。

【００１０】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、抵抗値の調整を抵抗体の製造工程内でフィードバッ
クしながら行ってしまうものであり、レーザートリミン
グによる調整範囲を低減でき、抵抗体のダメージや経時
変化を少なくできるものである。更には、抵抗体自体の
シート抵抗のばらつきを低減することで、レーザートリ
ミングを行わなくても所定の抵抗値が得られる抵抗部品
を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の抵抗部品は、基板上に設けた第１の電極およ
び第２の電極と、この第１と第２の電極を接続する抵抗
体とからなり、前記抵抗体の一端部は第１の電極の上
に、他端部は第２の電極の下に形成したものである。

【００１２】

【作用】この構成によって、製造途中で得られた抵抗値
をレーザートリミング工程以前に所定値に調整すること
ができるので、レーザートリミング量を少なくできトリ
ミングによる抵抗値の経時変化を防止でき、ひいてはレ
ーザートリミング自体も省略化することもできる。

【００１３】

【実施例】

（実施例１）以下本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。

【００１４】図１は本発明の第１の実施例における抵抗
部品を示すものであり、セラミック基板１の上の抵抗体
２の両端のうち、一方は第１の電極３ｃの上部に、他方
は第２の電極である補正電極４の下部に形成されてい
る。本実施例においては、電極３ｃと補正電極４の間隔
Ｌが、抵抗体２の抵抗値を決める。本実施例では、基板
上に形成された抵抗体２の面積抵抗に応じて、補正電極
４の形成する位置を移動させてＬを変化させることによ
って、所定の抵抗値を得るものである。

【００１５】図２は本発明の第１の実施例における他の
抵抗部品の断面を示すものである。図２において、５は
保護層であり、必要に応じて設けられる。保護層５は、
ガラスや樹脂を主成分とし、抵抗体２の表面に水分等が
付着して抵抗値が変化することも防止する。６は外部電
極であり、電極３ｃや補正電極４に接続されている。図
２に示すように、抵抗体２の一端は電極３ｃの上に、他
端は補正電極４の下に形成されている。また図２では電
極３ｃと外部電極６、補正電極４と外部電極６とは各々
区別して図示しているが、図１に示すように一体化した
ものでもよい。

【００１６】実施例１においては、図２の電極３ｃと補
正電極４の間に挟まれた抵抗体２の長さによって、抵抗
値が決まる。

【００１７】ここで電極３ｃの材料としては、銀、パラ
ジウム、金、白金等の厚膜導体や、それ以外に、薄膜導
体としてこれら金属を蒸着やスパッタで２μｍ未満の薄
膜で形成することもできる。また、金、ニッケル、パラ
ジウム等の有機金属インキを印刷した後、焼成して薄膜
導体材料とすることもできる。

【００１８】また、金属薄膜を直接基板に張り付けた
り、溶射したり、あるいはメッキ等で形成することもで
きる。これらの電極材料のパターニングは、基板上に所
定形状にフォトリソ技術を用いることで、高精度に形成
できる。

【００１９】補正電極４の材料としては、電極３ｃと同
様に各種材料を用いることができるが、形成方法及び材
料組成を電極３ｃと同じにする必要はない。本実施例の
ような抵抗部品であれば、１００mm角以上のセラミック
基板の上に、１．０mm×０．５mm以下の小さな抵抗部品
を一度に１万個以上作成することができる。ここでは基
板内の抵抗体のシート抵抗を一定にしておくことで、１
枚の基板内の全抵抗部品を、求める抵抗値に対して一括
処理で形成できる。これを利用して、複数枚の基板を流
した場合に、基板１枚１枚の補正電極の形成位置を変化
させ、基板間の抵抗体のシート抵抗値の変動を補正し、
所定抵抗値のものを多量に作成できる。あるいは基板ご
とに抵抗値を異ならせても良い。

【００２０】（実施例２）次に、本発明の第２の実施例
における抵抗部品の製造方法の一例について、図３及び
図４を用いて説明する。図３は本発明の抵抗部品の製造
方法の一例について説明するもの、図４は抵抗値の合わ
せ方について説明するものである。

【００２１】図３（ａ）〜図３（ｄ）の各断面図におい
て、３ｃ，３ｄは電極、７はブレークラインであり、セ
ラミック基板１の表面に所定形状で形成されている。図
３（ａ）はセラミック基板１及びその表面にブレークラ
イン７が形成された様子を示す。図３（ｂ）はセラミッ
ク基板１に電極３ｃ、電極３ｄを形成したものである。
図３（ｂ）において、電極３ｃと電極３ｄは、ブレーク
ライン７の上には形成していない。このため、電極材料
が焼成時にブレークライン内部に流れ込み、セラミック
基板のブレーク性を落とすことを防止できる。

【００２２】次に図３（ｃ）に示すように、抵抗体２を
その一端が電極３ｃに重なるように形成する。最後に図
３（ｄ）に示すように、補正電極４を、抵抗体２の他端
の上に重なるように形成する。この後、保護層を形成
し、セラミック基板１を所定形状にブレークし、外部電
極を形成することで抵抗部品を製造することができる。

【００２３】次に図４の各断面図を用いて、抵抗値の合
わせ方について説明する。図４（ａ）〜図４（ｃ）の違
いは、電極３ｃと補正電極４の間の距離Ｌが異なってい
る点である。図４において、Ｌの長さはＬ１＜Ｌ２＜Ｌ
３であり、この結果、抵抗値は図４（ａ）＜図４（ｂ）
＜図４（ｃ）の順になる。このように同じ抵抗体に対し
ても、補正電極４の形成する位置（抵抗体との重なり長
さ）を変化させることで、抵抗値を調整することができ
る。

【００２４】次に本実施例の抵抗部品の製造方法につい
て、抵抗値１．５ＫΩのチップ抵抗部品の試作例を用い
て詳しく説明する。

【００２５】まず電極３としては市販のセラミックコン
デンサ用電極材料をもとに、高温焼成用銀パラジウムイ
ンキを試作した。これをブレークライン付きのアルミナ
基板上に印刷した。乾燥後、９５０℃で焼成した。焼成
後の電極厚みは５μｍであった。次にこの上に抵抗体イ
ンキを印刷した。抵抗体インキは市販の８５０℃焼成タ
イプの厚膜抵抗体インキを、１．００ＫΩ／□になるよ
うにブレンドし、これを印刷乾燥後、８５０℃で焼成
し、抵抗体２を形成した。ここで抵抗体のシート抵抗を
測定したところ、１．１３ＫΩ／□であった。

【００２６】そこで計算によって抵抗体の長さを求めた
結果、Ｌ＝０．８３mmに設定した場合に１．５ＫΩが得
られることがわかったので、この仕様で補正電極４を形
成した。ここで計算には、予め実験的に電極３と抵抗体
２の重なり部分や補正電極４のニジミ等の影響を求め、
計算式に補正係数として加味したものを用いた。また補
正電極４には抵抗体２の再焼成による抵抗値変動を防止
するために４００℃焼成の有機金属インキを用いた。

【００２７】その後、抵抗体の上に樹脂を主体とした保
護層及び外部電極を３００℃以下で形成した。こうして
出来上がったチップ状の抵抗部品の抵抗値を測定した結
果、計算どおりの１．５ＫΩが得られ、レーザートリミ
ングを行う必要がなかった。

【００２８】次に、求める抵抗値を１００Ωから１ＭΩ
まで変化させて、同様にチップ抵抗部品を試作した。こ
の試作結果でも、計算で求めた抵抗体の長さに応じて所
定の抵抗値のチップ抵抗部品が得られることが確かめら
れた。

【００２９】更に抵抗体インキのブレンドの違いやロッ
ト、更に焼成炉や印刷機、アルミナ基板、チップサイズ
等の変動要因についても調べたが、本実施例の場合で
は、抵抗体が形成された後で、抵抗値を命中させるた
め、これらの変動要因は抵抗値に影響を与えなかった。
また使用するアルミナ基板は、９９．９％アルミナ以外
に９９％，９６％アルミナを用いても問題はなかった。

【００３０】次に比較のため、図１３（ａ）、図１３
（ｂ）に示す従来の構造のものを、基板、電極材料、抵
抗体材料を実施例２と同じものを用いて試作した。また
抵抗体インキに関しては、そのブレンドを変えてみた。
そしてできあがったものの抵抗値を測定すると、抵抗値
は０．７ＫΩ〜１．９ＫΩであり、目的とする１．５Ｋ
Ωから離れたものが多数得られた。そこで１．５ＫΩよ
り抵抗値の低いものは、レーザートリミングによって
１．５ＫΩに調整した。

【００３１】しかし、目的とする１．５ＫΩより高いも
のに関しては、レーザートリミング加工ができず、不良
となりコストを高めた。またレーザートリミングを行っ
たものは、経時変化が生じノイズ特性が悪かった。また
この抵抗値の変動原因を解析したところ、焼成炉の違い
や印刷機等のその要因であることがわかり、抵抗体の寸
法や厚みを高精度に形成しても、この抵抗値の変動を抑
えられないことがわかった。

【００３２】（実施例３）次に本発明の第３の実施例と
して、抵抗値の高精度調整の一例について説明する。図
５は抵抗値をより高精度に調整できる抵抗部品を示すも
のである。図５において、抵抗体２は電極３ｄに接する
側より補正電極４に接する側で幅広に形成している。こ
のように抵抗体２のパターンを変化させることで、補正
電極４の形成位置による抵抗値の調整を高精度にでき
る。

【００３３】図６は、抵抗体の長さＬと、そのときの抵
抗値の関係を示すものである。図６において、直線
（１）は抵抗体の幅を一定にした場合、直線（２）は抵
抗体の幅を図５のように変化させた場合の測定値を示
す。図６の直線（１）は１ＫΩ／１００μｍの抵抗変化
率であるが、直線（２）では０．５ＫΩ／１００μｍの
抵抗変化率が得られる。こうしてチップ抵抗部品の構造
を図５で示したものにすることで、２倍の高精度でプロ
セス途中で抵抗値を調整できる。例えば、目的とする抵
抗値を７．０ＫΩとした場合、印刷ズレを３０μｍ以下
に抑えた場合、抵抗値の中心値を７．０ＫΩ±２．４％
（６．８３ＫΩ以上７．１７ＫΩ以下）の抵抗値範囲に
抑えられる。

【００３４】また必要に応じて、抵抗体２の幅広部品を
レーザートリミングしてもよい。このように、幅広部分
を選択してトリミングすれば、より高精度なトリミング
が可能になる。

【００３５】（実施例４）次に本発明の第４の実施例と
して、抵抗値の高精度調整の他の一例について図７を用
いて説明する。図７において、抵抗体２ａは電極３ｅに
接する側より補正電極４に接する側で厚みを大きく形成
し電極３ｅと補正電極４間に流れる電流に垂直な抵抗体
２ａの断面積を大きくしている。このように抵抗体２ａ
の厚みを変化させることで、補正電極４の形成位置によ
る抵抗値を微細に高精度に調整できる。

【００３６】この結果、図６に示したのと同様に、抵抗
値をより高精度に調整できる。また必要に応じて、抵抗
体２ａの薄い部分をレーザートリミングしてもよい。こ
のように薄い部分を選択すればより高速なレーザートリ
ミングが可能になりトリミングコストを下げられる。

【００３７】更に詳しく説明する。まず、実施例２と同
様にアルミナ基板上に電極３ｅを形成した。この上に、
抵抗体２ａを形成した。抵抗体２ａの形成をスクリーン
印刷により行う場合は、印刷をマスクパターンを変えて
複数回行うことで厚みの差を設けられる。またスクリー
ン版の乳剤厚みを局所的に変えてもよい。こうして実施
例３と同様に抵抗値を高精度に合わせることができた。

【００３８】（実施例５）次に本発明の第５の実施例と
して、複数の抵抗部品の抵抗値を一括で調整する一手法
について説明する。図８は、一枚の基板から複数個の抵
抗部品を一括で作成する様子を説明するものである。図
８において、１はセラミック基板であり、その表面には
ブレークライン７が所定形状で形成されている。また８
はセラミック基板１の外周部である。９はセラミック基
板１の部品形成部分であり、この部分に抵抗部品が形成
される。なお図８においてブレークライン７はセラミッ
ク基板１の外周部まで形成してもよい。

【００３９】このようなセラミック基板１に抵抗測定用
パターンを、図３（ｂ）の電極３ｃを形成する工程で同
時に形成する。そして図３（ｃ）の工程で、前記抵抗測
定用パターンの上にも、同時に抵抗体２を形成し、測定
及び計算を行うことで、図３（ｄ）の工程で、所定位置
に補正電極４を形成できる。補正電極４の形成位置を正
確にするためには、所定位置に自動認識用のパターンを
形成しておき、これを基にして印刷等の工程を進めるこ
とが望ましい。そして自動認識でセラミック基板１の座
標位置をアライメントした後、縦もしくは横方向だけに
基板を平行移動させることで、一度に多数の抵抗体２の
長さを、同じ長さだけ調整することができる。こうして
セラミック基板１内での抵抗値を均一にできる。

【００４０】ここでセラミック基板１のブレークライン
７を自動認識用のパターンとすることもできる。例えば
ブレークライン７に着色することで、前記パターンとす
ることができる。例えば、筆記具用の油性もしくは水性
の黒インキ等の着色剤をブレークライン７に付着させる
と、毛管現象的に広がる。また、セラミック基板１の所
定部分のブレークライン７を選択的に碁盤目状に着色
し、この碁盤目状パターンを自動認識することで、セラ
ミック基板の寸法誤差を吸収しながら高精度の印刷がで
きる。

【００４１】一方、従来はセラミック基板１の外形でア
ライメントしていたため、セラミック基板１の寸法誤差
が大きな問題になっていた。しかし本実施例で示すよう
に着色したブレークラインを自動認識し、セラミック基
板の寸法誤差を左右に振り分けるセンターアライメント
方式を用いることで、セラミック基板の焼成後の寸法別
でのランク分けを少なくできる効果もある。また着色剤
に染料系を用いることで、電極や抵抗体を焼成する際
に、同時に飛散、除去できる。

【００４２】（実施例６）次に本発明の第６の実施例と
して、実施例５に記載した抵抗測定用パターンの一例に
ついて、図９〜図１２を用いて説明する。このような抵
抗測定用パターンは、セラミック基板１の外周部８に形
成すれば、製品にこのパターンが混入することがない。

【００４３】図９は抵抗体長さと抵抗値の関係を測定す
るための電極パターンの一例を示すもので、３ｆは電極
であり、抵抗体形成用電極１０と、測定プローブコンタ
クト用電極１１を有する。この電極パターンは電極３ｃ
を形成する時に同時に形成する。複数の抵抗体形成部電
極１０の間隔は、Ｌ４＞Ｌ５＞Ｌ６＞Ｌ７の関係にあ
る。

【００４４】図１０は、抵抗体長さと抵抗値の関係を測
定するための電極パターン上に抵抗体２ｂを形成した一
例を示すものである。この抵抗体２ｂは抵抗体２を形成
する時に同時に形成する。図１０に示すように、一定幅
の抵抗体２ｂを抵抗体形成用電極１０の上に形成するこ
とで、図６相当のデータ測定ができるパターンが得られ
る。こうして、得られた抵抗体の抵抗値を実測でき、こ
の結果を基に補正電極の形成を行うことで、抵抗体の抵
抗値の変動を吸収できる。

【００４５】またここで、測定プローブコンタクト用電
極３ｆのピッチを製品や抵抗値に対しても一定値にして
おくことで、スキャナーを用いたマルチプローブを用い
て高速処理ができる。

【００４６】図１１は抵抗体幅と抵抗値の関係を測定す
るための電極パターンの一例を示すもので、３ｇは電極
であり、抵抗体形成用電極１０と測定プローブコンタク
ト用電極１１とを有する。複数の抵抗体形成用電極１０
の間隔は、Ｌ８＝Ｌ９＝Ｌ１０＝Ｌ１１の関係にある。

【００４７】また図１２は、前記の抵抗体幅と抵抗値の
関係を測定するための電極パターン上に抵抗体を形成し
た一例を示すものである。図１２に示すように、幅を変
化させた抵抗体２ｃを抵抗体形成用電極１０の上に形成
することで、一度に抵抗体幅と抵抗値の関係を測定でき
るパターンが得られる。このパターンを測定することに
より高精度な抵抗値を有する抵抗部品を製造することが
できる。

【００４８】（実施例７）次に、本発明の第７の実施例
として、本発明の抵抗部品のハイブリッドＩＣへの応用
例について説明する。

【００４９】ハイブリッドＩＣにおける抵抗体の形成
は、上記実施例１〜６の応用でもできるが、実際のハイ
ブリッドＩＣでは、異なる抵抗値が複数個同一基板上に
形成されることが多い。そこで実施例７では、異なるシ
ート抵抗の抵抗体を一括で高精度に形成する例について
説明する。

【００５０】まずセラミック基板上に図９〜図１２相当
の抵抗値測定用パターンを含む電極配線を形成した。こ
の上に１０Ω／□〜１００ＫΩ／□の範囲で、異なるシ
ート抵抗の厚膜抵抗体を複数個形成した。この形成は、
厚膜抵抗体毎に印刷または描画することで容易に形成で
きる。

【００５１】次にこの抵抗体を一括で焼成したあと、抵
抗体の抵抗値を測定し、計算することで補正電極４の形
成位置を求めた。そして、この計算結果を基に、補正電
極を前記抵抗体上に形成した。なお、この補正電極の形
成は、実施例５で説明した方法以外に、個々の抵抗体毎
に所定抵抗値になる位置に前記補正電極を描画により形
成してもよい。この描画の場合は、抵抗体一つ一つにつ
いて補正電極の形成位置を微調整することができ、小量
多品種生産に適している。

【００５２】なおここでセラミック基板としては、アル
ミナ以外に窒化アルミニウムや誘電体セラミック、フェ
ライトセラミック等を用いることもできる。また金属板
をセラミック材料を含む絶縁体で被覆したメタルコア基
板を用いることで割れにくく放熱性を向上させた抵抗部
品を製造できる。

【００５３】またこの抵抗部品の構成を積層セラミック
コンデンサや、チップコイル、チップインダクタ、チッ
プセラミックモジュール等と組み合わせて複合化するこ
とも容易である。特に通常のコンデンサやインダクタの
場合、構造的にトリミングが難しいので、抵抗部分でこ
うした調整を行うことで、より高精度化が容易になる。

【００５４】また抵抗体の材料としては、酸化ルテニウ
ム等の厚膜抵抗体材料以外に、ニクロム等の薄膜抵抗体
を蒸着やスパッタ等の薄膜法で形成することもできる。
また無電解メッキやマトリックスメッキ等を用いること
で抵抗体材料を形成できる。更に抵抗体材料を直接基板
に張り付けたり、溶射したりすることでも形成できる。

【００５５】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、一つの電
極の上に抵抗体の一端部を形成し、抵抗体自体の正確な
抵抗値を知り、この抵抗値を基にして抵抗体の他端上に
形成する補正電極の形成位置を正確に指定できる。

【００５６】従って、抵抗体材料のロット間ばらつきや
基板の影響等による複雑な抵抗値の変動を除去し、か
つ、レーザートリミングを行わなくとも目的とする抵抗
値を高歩留りで得られる抵抗部品を実現できるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例における抵抗部品の斜視
図

【図２】本発明の第１の実施例における抵抗部品の断面
図

【図３】本発明の第２の実施例における抵抗部品の製造
方法についての説明図

【図４】同実施例における抵抗値の合わせ方についての
説明図

【図５】本発明の第３の実施例における抵抗部品の斜視
図

【図６】同実施例における抵抗体の長さと抵抗値の関係
図

【図７】本発明の第４の実施例における抵抗部品の斜視
図

【図８】本発明の第５の実施例における抵抗部品の製造
方法についての説明図

【図９】本発明の第６の実施例における抵抗体長さと抵
抗値の関係を測定するための電極パターンの上面図

【図１０】同実施例における抵抗体長さと抵抗値の関係
を測定するための電極パターンおよび抵抗体の上面図

【図１１】同実施例における抵抗体幅と抵抗値の関係を
測定するための電極パターンの上面図

【図１２】同実施例における抵抗体幅と抵抗値の関係を
測定するための電極パターン上および抵抗体の上面図

【図１３】従来の抵抗部品の斜視図

【符号の説明】

１セラミック基板２抵抗体３ａ〜３ｆ電極４補正電極５保護層６外部電極８外周部９部品形成部分１０抵抗体形成用電極１１測定プローブコンタクト用電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に設けた第１の電極および第２の
電極と、この第１と第２の電極を接続する抵抗体とから
なり、前記抵抗体の一端部は第１の電極の上に、他端部
は第２の電極の下に形成した抵抗部品。
【請求項２】抵抗体の第１の電極に接する部分より前
記第２の電極に接する部分を幅広に形成した請求項１記
載の抵抗部品。
【請求項３】抵抗体の第１の電極に接する部分より前
記第２の電極に接する部分の膜厚を厚く形成した請求項
１記載の抵抗部品。
【請求項４】少なくとも抵抗体が、ガラスもしくは樹
脂を主成分とする保護層で覆われている請求項１または
２または３記載の抵抗部品。
【請求項５】第１の電極上に薄膜法で抵抗体を形成
し、抵抗値を測定し計算した後、所定抵抗値になる位置
の前記抵抗体上に第２の電極を形成することを特徴とす
る請求項１または２または３または４記載の抵抗部品の
製造方法。
【請求項６】抵抗ペーストを第１の電極の上に形成し
焼成して抵抗体を形成し、抵抗値を測定し計算した後、
所定抵抗値になる位置の前記抵抗体上に第２の電極を形
成することを特徴とする請求項１または２または３また
は４記載の抵抗部品の製造方法。
【請求項７】１枚の基板上に複数個の抵抗部品を一括
形成する抵抗部品の製造方法において、前記基板上に第
１の電極の形成と同時に抵抗体測定用パターンを形成
し、前記第１の電極と抵抗体測定用パターンとの上に抵
抗体を形成し、前記抵抗体測定用パターンを用いて抵抗
値を測定し計算した後、所定抵抗値になる前記抵抗体上
の位置に第２の電極を形成する抵抗部品の製造方法。
【請求項８】基板の２つの電極を接続する抵抗体と、
実装用の外部電極からなり、前記抵抗体の一端部は第１
の電極の上に、他端部は第２の電極の下に形成された抵
抗部品で、抵抗値測定用パターンは、基板の外周部に少
なくとも１箇所以上形成することを特徴とする請求項７
記載の抵抗部品の製造方法。