JPH07302704A - 抵抗器 - Google Patents
抵抗器Info
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- JPH07302704A JPH07302704A JP6096198A JP9619894A JPH07302704A JP H07302704 A JPH07302704 A JP H07302704A JP 6096198 A JP6096198 A JP 6096198A JP 9619894 A JP9619894 A JP 9619894A JP H07302704 A JPH07302704 A JP H07302704A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 広範囲な抵抗値を生成させることができ、汎
用性，生産性に優れ同時に微少な抵抗値の調整が容易
で、正確な抵抗値を得ることができ信頼性に優れるとと
もに、生産時の歩留りを向上させることができる生産性
に優れた抵抗器を提供することを目的とする。 【構成】 レーザ光線等を用いて形成される切り欠き部
によって抵抗値を調整する抵抗器であって、抵抗値の異
なる２以上の抵抗素子を一体化して形成された抵抗体６
と、抵抗体６に接続される２以上の電極１ａ，１ｂと、
を備えた構成を有している。
用性，生産性に優れ同時に微少な抵抗値の調整が容易
で、正確な抵抗値を得ることができ信頼性に優れるとと
もに、生産時の歩留りを向上させることができる生産性
に優れた抵抗器を提供することを目的とする。 【構成】 レーザ光線等を用いて形成される切り欠き部
によって抵抗値を調整する抵抗器であって、抵抗値の異
なる２以上の抵抗素子を一体化して形成された抵抗体６
と、抵抗体６に接続される２以上の電極１ａ，１ｂと、
を備えた構成を有している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子機器等の回路部品と
して使用される抵抗器に関するものである。
して使用される抵抗器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、各種電気製品には回路部品として
抵抗器が多数使用され、レーザトリミングによる抵抗器
が種々開発されている。
抵抗器が多数使用され、レーザトリミングによる抵抗器
が種々開発されている。
【０００３】以下に従来の抵抗器について、図面を参照
しながら説明する。図８は従来の抵抗器の側面図であ
る。１ａ，１ｂは電子機器等の回路に接続される電極、
２はセラミック基板（図示せず）上に形成されて電極１
ａ，１ｂ間に接続される抵抗体、３ａ，３ｂ，３ｃは抵
抗器の抵抗値を調整するためのレーザトリミングを施す
位置を示すレーザトリミング位置である。
しながら説明する。図８は従来の抵抗器の側面図であ
る。１ａ，１ｂは電子機器等の回路に接続される電極、
２はセラミック基板（図示せず）上に形成されて電極１
ａ，１ｂ間に接続される抵抗体、３ａ，３ｂ，３ｃは抵
抗器の抵抗値を調整するためのレーザトリミングを施す
位置を示すレーザトリミング位置である。
【０００４】以上のように構成された従来の抵抗器につ
いて、以下その製造方法を説明する。まず、電極１ａと
電極１ｂの間に接続する抵抗体２の抵抗値は希望抵抗値
よりも低目のものを選択し、レーザトリミングによって
抵抗体２の一部分を焼くことにより抵抗体２の断面積を
減少させ抵抗値を希望の値に上昇させる。
いて、以下その製造方法を説明する。まず、電極１ａと
電極１ｂの間に接続する抵抗体２の抵抗値は希望抵抗値
よりも低目のものを選択し、レーザトリミングによって
抵抗体２の一部分を焼くことにより抵抗体２の断面積を
減少させ抵抗値を希望の値に上昇させる。
【０００５】ここで、レーザトリミングとしてはレーザ
のトリミング送り量を調整し抵抗体２を焼く幅を調節す
ることにより、抵抗値を粗く合わせる切り欠き部，少し
細かく合わせる切り欠き部，微調整する切り欠き部等の
ように分担させて希望する抵抗値を得る。
のトリミング送り量を調整し抵抗体２を焼く幅を調節す
ることにより、抵抗値を粗く合わせる切り欠き部，少し
細かく合わせる切り欠き部，微調整する切り欠き部等の
ように分担させて希望する抵抗値を得る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、抵抗体が単一の抵抗素子からなるために、
レーザトリミングのみによって数オーム台，数十オーム
台，数百オーム台，数キロオーム台，数十キロオーム
台，数百キロオーム台，数メガオーム台及びこれ以上の
高範囲な抵抗値を生成することができず汎用性に欠ける
という問題点を有していた。また、レーザトリミングの
際に、レーザの一定トリミング送り量に対する抵抗器の
抵抗値の変化量が同じであるために、微少な値の調整が
困難となり、正確な抵抗値を得ることができず信頼性に
欠けるとともに、生産時の歩留りが低下して生産性に欠
けるという問題点を有していた。
の構成では、抵抗体が単一の抵抗素子からなるために、
レーザトリミングのみによって数オーム台，数十オーム
台，数百オーム台，数キロオーム台，数十キロオーム
台，数百キロオーム台，数メガオーム台及びこれ以上の
高範囲な抵抗値を生成することができず汎用性に欠ける
という問題点を有していた。また、レーザトリミングの
際に、レーザの一定トリミング送り量に対する抵抗器の
抵抗値の変化量が同じであるために、微少な値の調整が
困難となり、正確な抵抗値を得ることができず信頼性に
欠けるとともに、生産時の歩留りが低下して生産性に欠
けるという問題点を有していた。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、広範囲な抵抗値を生成させることができ、汎用性，
生産性に優れ同時に微少な抵抗値の調整が容易で、正確
な抵抗値を得ることができ信頼性に優れるとともに、生
産時の歩留りを向上させることができる生産性に優れた
抵抗器を提供することを目的とする。
で、広範囲な抵抗値を生成させることができ、汎用性，
生産性に優れ同時に微少な抵抗値の調整が容易で、正確
な抵抗値を得ることができ信頼性に優れるとともに、生
産時の歩留りを向上させることができる生産性に優れた
抵抗器を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の請求項１に記載の抵抗器は、レーザ光線等を
用いて形成される切り欠き部によって抵抗値を調整する
抵抗器であって、抵抗値の異なる２以上の抵抗素子を一
体化して形成された抵抗体と、抵抗体に接続される２以
上の電極と、を備えた構成を有しており、請求項２に記
載の抵抗器は、請求項１において、抵抗素子間の接合部
の形状が略くさび型に形成された抵抗体を備えた構成を
有しており、請求項３に記載の抵抗器は、請求項１にお
いて、抵抗素子間が長手方向の所定部で略直交状，略斜
交状の段差部を介して接合された抵抗体を備えた構成を
有している。
に本発明の請求項１に記載の抵抗器は、レーザ光線等を
用いて形成される切り欠き部によって抵抗値を調整する
抵抗器であって、抵抗値の異なる２以上の抵抗素子を一
体化して形成された抵抗体と、抵抗体に接続される２以
上の電極と、を備えた構成を有しており、請求項２に記
載の抵抗器は、請求項１において、抵抗素子間の接合部
の形状が略くさび型に形成された抵抗体を備えた構成を
有しており、請求項３に記載の抵抗器は、請求項１にお
いて、抵抗素子間が長手方向の所定部で略直交状，略斜
交状の段差部を介して接合された抵抗体を備えた構成を
有している。
【０００９】ここで、本発明の請求項２に記載の抵抗器
において、くさび型とは、電極に接続された水平方向の
断面積を一方は広くし、他方は狭く形成し、断面形状が
Ｖ字型及び台形等のものをいう。
において、くさび型とは、電極に接続された水平方向の
断面積を一方は広くし、他方は狭く形成し、断面形状が
Ｖ字型及び台形等のものをいう。
【００１０】
【作用】この構成によって、抵抗値の異なる２以上の抵
抗素子を一体化して形成された抵抗体を用いることで希
望する抵抗値に応じて、レーザトリミング等によりいず
れか一方の抵抗素子を完全に切断することで、２種類以
上の抵抗値を使用することができ、両者を切断しなけれ
ばその合成抵抗を使用することができるために、広範囲
の抵抗値を得ることができる。また、抵抗素子間の接合
部の形状がくさび型の抵抗素子を一体化して形成された
抵抗体を用いることで、レーザトリミングを行う位置に
よりレーザの一定トリミング送り量に対する抵抗値の変
化量が異なるために、まず抵抗値の変化量が多い位置で
レーザトリミングを行ってほぼ希望する抵抗値を得て、
次に抵抗値の変化量が少ない位置でレーザトリミングを
行うことにより抵抗値の微調整ができ、抵抗値の範囲が
広まるとともに高精度の抵抗値を容易に得ることができ
る。更に、抵抗素子間の接合部に段差部を有する抵抗素
子を一体化して形成された抵抗体を用いることで、レー
ザの一定トリミング送り量に対する抵抗値の変化量が緩
やかな抵抗素子の断面積の広い部分でレーザトリミング
を行うことができ、抵抗値の範囲が広く高精度の抵抗値
を容易に得ることができる。加えて、電極の数を２以上
にすることで、種々の抵抗器を容易に製造することがで
きる。
抗素子を一体化して形成された抵抗体を用いることで希
望する抵抗値に応じて、レーザトリミング等によりいず
れか一方の抵抗素子を完全に切断することで、２種類以
上の抵抗値を使用することができ、両者を切断しなけれ
ばその合成抵抗を使用することができるために、広範囲
の抵抗値を得ることができる。また、抵抗素子間の接合
部の形状がくさび型の抵抗素子を一体化して形成された
抵抗体を用いることで、レーザトリミングを行う位置に
よりレーザの一定トリミング送り量に対する抵抗値の変
化量が異なるために、まず抵抗値の変化量が多い位置で
レーザトリミングを行ってほぼ希望する抵抗値を得て、
次に抵抗値の変化量が少ない位置でレーザトリミングを
行うことにより抵抗値の微調整ができ、抵抗値の範囲が
広まるとともに高精度の抵抗値を容易に得ることができ
る。更に、抵抗素子間の接合部に段差部を有する抵抗素
子を一体化して形成された抵抗体を用いることで、レー
ザの一定トリミング送り量に対する抵抗値の変化量が緩
やかな抵抗素子の断面積の広い部分でレーザトリミング
を行うことができ、抵抗値の範囲が広く高精度の抵抗値
を容易に得ることができる。加えて、電極の数を２以上
にすることで、種々の抵抗器を容易に製造することがで
きる。
【００１１】
【実施例】 （実施例１）以下本発明の第１の実施例における抵抗器
について、図面を参照しながら説明する。図１は本発明
の第１の実施例における抵抗器の側面図であり、図２
（ａ）乃至図２（ｃ）は本発明の第１の実施例における
抵抗器のレーザトリミング位置の一例を示す側面図であ
る。１ａ，１ｂは電極であり、これらは従来例と同様な
ものなので同一の符号を付して説明を省略する。４は第
１の抵抗素子、５は第１の抵抗素子４と異なる抵抗値を
もつ第２の抵抗素子、６は第１の抵抗素子４と第２の抵
抗素子５を一体化してセラミック基板（図示せず）上に
形成された電極１ａ，１ｂ間に接続される抵抗体、７
ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅ，７ｆ，７ｇ，７ｈ，７ｉ
はレーザトリミング位置である。
について、図面を参照しながら説明する。図１は本発明
の第１の実施例における抵抗器の側面図であり、図２
（ａ）乃至図２（ｃ）は本発明の第１の実施例における
抵抗器のレーザトリミング位置の一例を示す側面図であ
る。１ａ，１ｂは電極であり、これらは従来例と同様な
ものなので同一の符号を付して説明を省略する。４は第
１の抵抗素子、５は第１の抵抗素子４と異なる抵抗値を
もつ第２の抵抗素子、６は第１の抵抗素子４と第２の抵
抗素子５を一体化してセラミック基板（図示せず）上に
形成された電極１ａ，１ｂ間に接続される抵抗体、７
ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅ，７ｆ，７ｇ，７ｈ，７ｉ
はレーザトリミング位置である。
【００１２】以上のように構成された本発明の第１の実
施例における抵抗器について、以下その製造方法を説明
する。レーザトリミング位置７ｂで第２の抵抗素子５を
完全に切断し、レーザトリミングを第１の抵抗素子４の
レーザトリミング位置７ａ及び７ｃで行い、第１の抵抗
素子４のみを用いて希望する抵抗値を得る。
施例における抵抗器について、以下その製造方法を説明
する。レーザトリミング位置７ｂで第２の抵抗素子５を
完全に切断し、レーザトリミングを第１の抵抗素子４の
レーザトリミング位置７ａ及び７ｃで行い、第１の抵抗
素子４のみを用いて希望する抵抗値を得る。
【００１３】ここで、トリミングを行う位置について
は、図２（ａ）に示すように、第１の抵抗素子４と第２
の抵抗素子５の合成抵抗値を用いて、その精度を高める
ためにレーザトリミング位置７ｄ，７ｅでレーザトリミ
ングを行う方法や、図２（ｂ）に示すように、第２の抵
抗素子５をレーザトリミング位置７ｇで完全に切断し、
第１の抵抗素子４で生じる抵抗値のみを用い、その精度
を高めるためにレーザトリミング位置７ｆでレーザトリ
ミングを行う方法や、図２（ｃ）に示すように、第１の
抵抗素子４をレーザトリミング位置７ｈで完全に切断
し、第２の抵抗素子５で生じる抵抗値のみを用い、その
精度を高めるために、レーザトリミング位置７ｉでレー
ザトリミングを行う方法等が挙げられる。
は、図２（ａ）に示すように、第１の抵抗素子４と第２
の抵抗素子５の合成抵抗値を用いて、その精度を高める
ためにレーザトリミング位置７ｄ，７ｅでレーザトリミ
ングを行う方法や、図２（ｂ）に示すように、第２の抵
抗素子５をレーザトリミング位置７ｇで完全に切断し、
第１の抵抗素子４で生じる抵抗値のみを用い、その精度
を高めるためにレーザトリミング位置７ｆでレーザトリ
ミングを行う方法や、図２（ｃ）に示すように、第１の
抵抗素子４をレーザトリミング位置７ｈで完全に切断
し、第２の抵抗素子５で生じる抵抗値のみを用い、その
精度を高めるために、レーザトリミング位置７ｉでレー
ザトリミングを行う方法等が挙げられる。
【００１４】以上のように本発明の第１の実施例によれ
ば、セラミック基板（図示せず）上に一体化して形成さ
れた抵抗値の異なる第１の抵抗素子４と第２の抵抗素子
５の、いずれか一方をレーザトリミングで完全に切断し
て他方の抵抗値を用いるか、これらの合成抵抗を用いる
ことで、抵抗器の抵抗値の取り得る範囲を広くすること
ができる。
ば、セラミック基板（図示せず）上に一体化して形成さ
れた抵抗値の異なる第１の抵抗素子４と第２の抵抗素子
５の、いずれか一方をレーザトリミングで完全に切断し
て他方の抵抗値を用いるか、これらの合成抵抗を用いる
ことで、抵抗器の抵抗値の取り得る範囲を広くすること
ができる。
【００１５】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
における抵抗器について、図面を参照しながら説明す
る。図３は本発明の第２の実施例における抵抗器の側面
図であり、図４（ａ）及び図４（ｂ）は本発明の第２の
実施例における抵抗器のレーザトリミング位置の一例を
示す側面図である。１ａ，１ｂは電極であり、これらは
従来例と同様なものなので同一の符号を付して説明を省
略する。８は略くさび型の第１の抵抗素子、９は第１の
抵抗素子８と異なる抵抗値をもつ略くさび型の第２の抵
抗素子、１０は第１の抵抗素子８と第２の抵抗素子９を
一体化してセラミック基板（図示せず）上に形成された
電極１ａ，１ｂ間に接続される抵抗体、１１ａ，１１
ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ，１１ｇ，１１
ｈ，１１ｉはレーザトリミング位置である。
における抵抗器について、図面を参照しながら説明す
る。図３は本発明の第２の実施例における抵抗器の側面
図であり、図４（ａ）及び図４（ｂ）は本発明の第２の
実施例における抵抗器のレーザトリミング位置の一例を
示す側面図である。１ａ，１ｂは電極であり、これらは
従来例と同様なものなので同一の符号を付して説明を省
略する。８は略くさび型の第１の抵抗素子、９は第１の
抵抗素子８と異なる抵抗値をもつ略くさび型の第２の抵
抗素子、１０は第１の抵抗素子８と第２の抵抗素子９を
一体化してセラミック基板（図示せず）上に形成された
電極１ａ，１ｂ間に接続される抵抗体、１１ａ，１１
ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ，１１ｇ，１１
ｈ，１１ｉはレーザトリミング位置である。
【００１６】以上のように構成された本発明の第２の実
施例における抵抗器について、以下その製造方法を説明
する。電極１ａ及び１ｂに接続された第２の抵抗素子９
に対し、レーザトリミング位置１１ｂでレーザトリミン
グを行って第２の抵抗素子９を切断する。次に、第１の
抵抗素子８で生じる抵抗値の精度を高めるために、レー
ザトリミング位置１１ａ及び１１ｃでレーザトリミング
を行う。
施例における抵抗器について、以下その製造方法を説明
する。電極１ａ及び１ｂに接続された第２の抵抗素子９
に対し、レーザトリミング位置１１ｂでレーザトリミン
グを行って第２の抵抗素子９を切断する。次に、第１の
抵抗素子８で生じる抵抗値の精度を高めるために、レー
ザトリミング位置１１ａ及び１１ｃでレーザトリミング
を行う。
【００１７】ここで、レーザトリミングを行う位置が、
電極１ｂに近づく程、レーザの一定トリミング送り量に
対する抵抗値の変化量が大きくなるために、まず、レー
ザトリミングをレーザトリミング位置１１ａで行うこと
により希望する抵抗値に略近い値を得て、次に、レーザ
トリミング位置１１ｃで行うことにより高精度の抵抗値
を得ることができる。また、トリミング位置について
は、図４（ａ）に示すように、第１の抵抗素子８と第２
の抵抗素子９の両方を用い、その合成抵抗値の精度を高
めるために、レーザトリミング位置１１ｄ，１１ｅ，１
１ｆでレーザトリミングを行い、その際に、一定トリミ
ング送り量に対する抵抗値の変化は第２の抵抗素子９の
断面積が広いほど緩やかなので、レーザトリミング位置
１１ｆ，１１ｅ，１１ｄの順にレーザトリミングを行い
精度を高める方法と、図４（ｂ）に示すように、第１の
抵抗素子８をレーザトリミング位置１１ｈで切断し、第
２の抵抗素子９で生じる抵抗値のみを用い、レーザトリ
ミング位置１１ｇ，１１ｉの順にレーザトリミングを行
って、その精度を高める方法等が挙げられる。ここで、
くさび型としては、電極に接続される水平方向の断面積
を一方は広く、一方は狭く形成し、断面形状がＶ字型，
台形等のものが用いられる。
電極１ｂに近づく程、レーザの一定トリミング送り量に
対する抵抗値の変化量が大きくなるために、まず、レー
ザトリミングをレーザトリミング位置１１ａで行うこと
により希望する抵抗値に略近い値を得て、次に、レーザ
トリミング位置１１ｃで行うことにより高精度の抵抗値
を得ることができる。また、トリミング位置について
は、図４（ａ）に示すように、第１の抵抗素子８と第２
の抵抗素子９の両方を用い、その合成抵抗値の精度を高
めるために、レーザトリミング位置１１ｄ，１１ｅ，１
１ｆでレーザトリミングを行い、その際に、一定トリミ
ング送り量に対する抵抗値の変化は第２の抵抗素子９の
断面積が広いほど緩やかなので、レーザトリミング位置
１１ｆ，１１ｅ，１１ｄの順にレーザトリミングを行い
精度を高める方法と、図４（ｂ）に示すように、第１の
抵抗素子８をレーザトリミング位置１１ｈで切断し、第
２の抵抗素子９で生じる抵抗値のみを用い、レーザトリ
ミング位置１１ｇ，１１ｉの順にレーザトリミングを行
って、その精度を高める方法等が挙げられる。ここで、
くさび型としては、電極に接続される水平方向の断面積
を一方は広く、一方は狭く形成し、断面形状がＶ字型，
台形等のものが用いられる。
【００１８】以上のように本発明の第２の実施例によれ
ば、抵抗素子間の接合部の形状を略くさび型とすること
によって、レーザトリミングを行う位置に応じて、一定
トリミング送り量に対する抵抗値の変化量を自由に変更
することができ、抵抗器の抵抗値の精度を容易に向上さ
せることができる。
ば、抵抗素子間の接合部の形状を略くさび型とすること
によって、レーザトリミングを行う位置に応じて、一定
トリミング送り量に対する抵抗値の変化量を自由に変更
することができ、抵抗器の抵抗値の精度を容易に向上さ
せることができる。
【００１９】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
における抵抗器について、図面を参照しながら説明す
る。図５は本発明の第３の実施例における抵抗器の側面
図である。１ａ，１ｂは電極であり、従来例と同様なも
のなので同一の符号を付して説明を省略する。１２は直
交状，斜交状の段差部を有する第１の抵抗素子、１３は
略直交状，略斜交状の段差部を有する第１の抵抗素子１
２と異なる抵抗値をもつ第２の抵抗素子、１４は第１の
抵抗素子１２と第２の抵抗素子１３を一体化してセラミ
ック基板（図示せず）上に形成された電極１ａ，１ｂ間
に接続させる抵抗体、１５ａ，１５ｂ，１５ｃはレーザ
トリミング位置である。
における抵抗器について、図面を参照しながら説明す
る。図５は本発明の第３の実施例における抵抗器の側面
図である。１ａ，１ｂは電極であり、従来例と同様なも
のなので同一の符号を付して説明を省略する。１２は直
交状，斜交状の段差部を有する第１の抵抗素子、１３は
略直交状，略斜交状の段差部を有する第１の抵抗素子１
２と異なる抵抗値をもつ第２の抵抗素子、１４は第１の
抵抗素子１２と第２の抵抗素子１３を一体化してセラミ
ック基板（図示せず）上に形成された電極１ａ，１ｂ間
に接続させる抵抗体、１５ａ，１５ｂ，１５ｃはレーザ
トリミング位置である。
【００２０】以上のように構成された本発明の第３の実
施例における抵抗器について、以下にその製造方法を説
明する。まず、電極１ａ及び１ｂに接続された第２の抵
抗素子１３に対し、レーザトリミング位置１５ｃでレー
ザトリミングを行い、第２の抵抗素子１３を切断する。
次に、第１の抵抗素子１２で生じる抵抗値のみを用い、
その精度を高めるために、レーザトリミング位置１５ａ
及び１５ｂでレーザトリミングを行う。ここで、レーザ
の一定トリミング送り量に対する抵抗値の変化量が小さ
な第１の抵抗素子１２の断面積が広い部分でレーザトリ
ミングを行うことで、更に高精度の抵抗値を得ることが
できる。
施例における抵抗器について、以下にその製造方法を説
明する。まず、電極１ａ及び１ｂに接続された第２の抵
抗素子１３に対し、レーザトリミング位置１５ｃでレー
ザトリミングを行い、第２の抵抗素子１３を切断する。
次に、第１の抵抗素子１２で生じる抵抗値のみを用い、
その精度を高めるために、レーザトリミング位置１５ａ
及び１５ｂでレーザトリミングを行う。ここで、レーザ
の一定トリミング送り量に対する抵抗値の変化量が小さ
な第１の抵抗素子１２の断面積が広い部分でレーザトリ
ミングを行うことで、更に高精度の抵抗値を得ることが
できる。
【００２１】以上のように本発明の第３の実施例によれ
ば、抵抗素子間の接合部に略直交状，略斜交状の段差部
を形成し、レーザトリミングを、レーザの一定トリミン
グ送り量に対する抵抗値の変化量が小さな抵抗素子の断
面積の広い部分で行うことで、抵抗器の抵抗値の精度を
更に向上させることができる。
ば、抵抗素子間の接合部に略直交状，略斜交状の段差部
を形成し、レーザトリミングを、レーザの一定トリミン
グ送り量に対する抵抗値の変化量が小さな抵抗素子の断
面積の広い部分で行うことで、抵抗器の抵抗値の精度を
更に向上させることができる。
【００２２】（実施例４）以下、本発明の第４の実施例
における抵抗器について、図面を参照しながら説明す
る。図６は本発明の第４の実施例における抵抗器の側面
図であり、図７は本発明の第４の実施例における抵抗器
の等価回路図である。１ａ，１ｂは電極であり、従来例
と同様なものなので、同一の符号を付して説明を省略す
る。１５は第１の抵抗素子、１６は第１の抵抗素子１５
と異なる抵抗値をもつ第２の抵抗素子、１７は第１の抵
抗素子１５及び第２の抵抗素子１６と異なる抵抗値をも
つ第３の抵抗素子、１８は第１の抵抗素子１５，第２の
抵抗素子１６及び第３の抵抗素子１７を一体化してセラ
ミック基板（図示せず）上に形成された抵抗体、１９は
第１の抵抗素子１５の側部に形成されて第２の抵抗素子
１６と導通している側部電極、２０は側部電極１９と第
２の抵抗素子１６を接続するための導線である。図７に
おいて、Ｒ1 は電極１ａと側部電極１９間の抵抗、Ｒ2
は電極１ｂと側部電極１９間の抵抗である。
における抵抗器について、図面を参照しながら説明す
る。図６は本発明の第４の実施例における抵抗器の側面
図であり、図７は本発明の第４の実施例における抵抗器
の等価回路図である。１ａ，１ｂは電極であり、従来例
と同様なものなので、同一の符号を付して説明を省略す
る。１５は第１の抵抗素子、１６は第１の抵抗素子１５
と異なる抵抗値をもつ第２の抵抗素子、１７は第１の抵
抗素子１５及び第２の抵抗素子１６と異なる抵抗値をも
つ第３の抵抗素子、１８は第１の抵抗素子１５，第２の
抵抗素子１６及び第３の抵抗素子１７を一体化してセラ
ミック基板（図示せず）上に形成された抵抗体、１９は
第１の抵抗素子１５の側部に形成されて第２の抵抗素子
１６と導通している側部電極、２０は側部電極１９と第
２の抵抗素子１６を接続するための導線である。図７に
おいて、Ｒ1 は電極１ａと側部電極１９間の抵抗、Ｒ2
は電極１ｂと側部電極１９間の抵抗である。
【００２３】以上のように構成された本発明の第４の実
施例における抵抗器について、以下その製造方法を説明
する。まず、第１の抵抗素子１５，第２の抵抗素子１６
及び第３の抵抗素子１７を一体化してセラミック基板
（図示せず）上に抵抗体１８を形成する。次に、電極１
ａ，１ｂ及び側部電極１９とを、一体化して形成された
抵抗体１８に各々接続する。次に、側部電極１９と第２
の抵抗素子１６を導線２０で接続することによって、図
７に示すような等価回路を有する抵抗器を得ることがで
きる。更に、実施例１乃至３と同様にしてレーザトリミ
ングを施すことにより希望する抵抗値を得ることができ
る。
施例における抵抗器について、以下その製造方法を説明
する。まず、第１の抵抗素子１５，第２の抵抗素子１６
及び第３の抵抗素子１７を一体化してセラミック基板
（図示せず）上に抵抗体１８を形成する。次に、電極１
ａ，１ｂ及び側部電極１９とを、一体化して形成された
抵抗体１８に各々接続する。次に、側部電極１９と第２
の抵抗素子１６を導線２０で接続することによって、図
７に示すような等価回路を有する抵抗器を得ることがで
きる。更に、実施例１乃至３と同様にしてレーザトリミ
ングを施すことにより希望する抵抗値を得ることができ
る。
【００２４】以上のように本発明の第４の実施例によれ
ば、２以上の抵抗素子又は２以上の電極を備えた高汎用
性の抵抗器を、実施例１乃至３と同様な工程を施すこと
により得ることができる。
ば、２以上の抵抗素子又は２以上の電極を備えた高汎用
性の抵抗器を、実施例１乃至３と同様な工程を施すこと
により得ることができる。
【００２５】尚、本発明の第４の実施例においては、側
部電極１９と第２の抵抗素子１６を接続したが、希望す
る抵抗値によって他の抵抗素子と接続してもよい。ま
た、電極１ａ，１ｂと側部電極１９との総数を３とした
が、これらは２以上であればいくつであってもよい。
部電極１９と第２の抵抗素子１６を接続したが、希望す
る抵抗値によって他の抵抗素子と接続してもよい。ま
た、電極１ａ，１ｂと側部電極１９との総数を３とした
が、これらは２以上であればいくつであってもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上のように本発明は、抵抗値の異なる
２以上の抵抗素子を一体化して形成された抵抗体を用い
ることで希望する抵抗値に応じて、レーザトリミング等
によりいずれか一方の抵抗素子を完全に切断すること
で、２種類以上の抵抗値を使用することができ、両者を
切断しなければその合成抵抗を使用することができるた
めに、広範囲の抵抗値を得ることができ汎用性，生産性
に優れている。また、抵抗素子間の接合部の形状がくさ
び型の抵抗素子を一体化して形成された抵抗体を用いる
ことで、レーザトリミングを行う位置によりレーザの一
定トリミング送り量に対する抵抗値の変化量が異なるた
めに、まず抵抗値の変化量が多い位置でレーザトリミン
グを行ってほぼ希望する抵抗値を得て、次に抵抗値の変
化量が少ない位置でレーザトリミングを行うことにより
抵抗値の微調整ができ、抵抗値の範囲が広まるとともに
高精度の抵抗値を容易に得ることができ信頼性に優れる
とともに、歩留りが高く生産性に優れている。更に、抵
抗素子間の接合部に段差部を有する抵抗素子を一体化し
て形成された抵抗体を用いることで、レーザの一定トリ
ミング送り量に対する抵抗値の変化量が緩やかな抵抗素
子の断面積の広い部分でレーザトリミングを行うことが
でき、抵抗値の範囲が広く高精度の抵抗値を容易に得る
ことができる信頼性に著しく優れるとともに、生産時の
歩留りが高く生産性に優れている。加えて、電極の数を
２以上とすることで、種々の抵抗器を容易に製造するこ
とのできる汎用性，生産性に優れた抵抗器を実現できる
ものである。
２以上の抵抗素子を一体化して形成された抵抗体を用い
ることで希望する抵抗値に応じて、レーザトリミング等
によりいずれか一方の抵抗素子を完全に切断すること
で、２種類以上の抵抗値を使用することができ、両者を
切断しなければその合成抵抗を使用することができるた
めに、広範囲の抵抗値を得ることができ汎用性，生産性
に優れている。また、抵抗素子間の接合部の形状がくさ
び型の抵抗素子を一体化して形成された抵抗体を用いる
ことで、レーザトリミングを行う位置によりレーザの一
定トリミング送り量に対する抵抗値の変化量が異なるた
めに、まず抵抗値の変化量が多い位置でレーザトリミン
グを行ってほぼ希望する抵抗値を得て、次に抵抗値の変
化量が少ない位置でレーザトリミングを行うことにより
抵抗値の微調整ができ、抵抗値の範囲が広まるとともに
高精度の抵抗値を容易に得ることができ信頼性に優れる
とともに、歩留りが高く生産性に優れている。更に、抵
抗素子間の接合部に段差部を有する抵抗素子を一体化し
て形成された抵抗体を用いることで、レーザの一定トリ
ミング送り量に対する抵抗値の変化量が緩やかな抵抗素
子の断面積の広い部分でレーザトリミングを行うことが
でき、抵抗値の範囲が広く高精度の抵抗値を容易に得る
ことができる信頼性に著しく優れるとともに、生産時の
歩留りが高く生産性に優れている。加えて、電極の数を
２以上とすることで、種々の抵抗器を容易に製造するこ
とのできる汎用性，生産性に優れた抵抗器を実現できる
ものである。
【図１】本発明の第１の実施例における抵抗器の側面図
【図２】（ａ）本発明の第１の実施例における抵抗器の
レーザトリミング位置の一例を示す側面図 （ｂ）本発明の第１の実施例における抵抗器のレーザト
リミング位置の一例を示す側面図 （ｃ）本発明の第１の実施例における抵抗器のレーザト
リミング位置の一例を示す側面図
レーザトリミング位置の一例を示す側面図 （ｂ）本発明の第１の実施例における抵抗器のレーザト
リミング位置の一例を示す側面図 （ｃ）本発明の第１の実施例における抵抗器のレーザト
リミング位置の一例を示す側面図
【図３】本発明の第２の実施例における抵抗器の側面図
【図４】（ａ）本発明の第２の実施例における抵抗器の
レーザトリミング位置の一例を示す側面図 （ｂ）本発明の第２の実施例における抵抗器のレーザト
リミング位置の一例を示す側面図
レーザトリミング位置の一例を示す側面図 （ｂ）本発明の第２の実施例における抵抗器のレーザト
リミング位置の一例を示す側面図
【図５】本発明の第３の実施例における抵抗器の側面図
【図６】本発明の第４の実施例における抵抗器の側面図
【図７】本発明の第４の実施例における抵抗器の等価回
路図
路図
【図８】従来の抵抗器の側面図
１ａ，１ｂ 電極 ２，６，１０，１４ 抵抗体 ３ａ，３ｂ，３ｃ，７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ，７ｅ，７
ｆ，７ｇ，７ｈ，７ｉ，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１
ｄ，１１ｅ，１１ｆ，１１ｇ，１１ｈ，１１ｉ，１５
ａ，１５ｂ，１５ｃ レーザトリミング位置 ４，８，１２，１５ 第１の抵抗素子 ５，９，１３，１６ 第２の抵抗素子 １７ 第３の抵抗素子 １８ 抵抗体 １９ 側部電極 ２０ 導線
ｆ，７ｇ，７ｈ，７ｉ，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１
ｄ，１１ｅ，１１ｆ，１１ｇ，１１ｈ，１１ｉ，１５
ａ，１５ｂ，１５ｃ レーザトリミング位置 ４，８，１２，１５ 第１の抵抗素子 ５，９，１３，１６ 第２の抵抗素子 １７ 第３の抵抗素子 １８ 抵抗体 １９ 側部電極 ２０ 導線
Claims (3)
- 【請求項１】レーザ光線等を用いて形成される切り欠き
部によって抵抗値を調整する抵抗器であって、抵抗値の
異なる２以上の抵抗素子を一体化して形成された抵抗体
と、前記抵抗体に接続される２以上の電極と、を備えた
ことを特徴とする抵抗器。 - 【請求項２】前記抵抗素子間の接合部の形状が略くさび
型に形成された抵抗体を備えたことを特徴とする請求項
１に記載の抵抗器。 - 【請求項３】前記抵抗素子間が長手方向の所定部で略直
交状，略斜交状の段差部を介して接合された抵抗体を備
えたことを特徴とする請求項２に記載の抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6096198A JPH07302704A (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | 抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6096198A JPH07302704A (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | 抵抗器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07302704A true JPH07302704A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14158597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6096198A Pending JPH07302704A (ja) | 1994-05-10 | 1994-05-10 | 抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07302704A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005027150A1 (ja) * | 2003-09-17 | 2005-03-24 | Rohm Co.,Ltd. | チップ抵抗器とその製造方法 |
| JP2011044551A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Taiyosha Electric Co Ltd | チップ抵抗器 |
| CN106898448A (zh) * | 2015-12-18 | 2017-06-27 | 三星电机株式会社 | 片式电阻器及其制造方法 |
| WO2020001982A1 (de) * | 2018-06-25 | 2020-01-02 | Vishay Electronic Gmbh | Verfahren zur herstellung einer vielzahl von widerstandsbaueinheiten über ein keramiksubstrat |
| JP2022029980A (ja) * | 2020-08-06 | 2022-02-18 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板 |
-
1994
- 1994-05-10 JP JP6096198A patent/JPH07302704A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005027150A1 (ja) * | 2003-09-17 | 2005-03-24 | Rohm Co.,Ltd. | チップ抵抗器とその製造方法 |
| US7286039B2 (en) | 2003-09-17 | 2007-10-23 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and method of manufacturing the same |
| JP2011044551A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Taiyosha Electric Co Ltd | チップ抵抗器 |
| CN106898448A (zh) * | 2015-12-18 | 2017-06-27 | 三星电机株式会社 | 片式电阻器及其制造方法 |
| US9691838B1 (en) | 2015-12-18 | 2017-06-27 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Chip resistor |
| WO2020001982A1 (de) * | 2018-06-25 | 2020-01-02 | Vishay Electronic Gmbh | Verfahren zur herstellung einer vielzahl von widerstandsbaueinheiten über ein keramiksubstrat |
| US11302462B2 (en) | 2018-06-25 | 2022-04-12 | Vishay Electronic Gmbh | Method for producing a plurality of resistance modular units over a ceramic substrate |
| JP2022029980A (ja) * | 2020-08-06 | 2022-02-18 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板 |
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