JPH097887A - コンデンサ - Google Patents
コンデンサInfo
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- JPH097887A JPH097887A JP15068295A JP15068295A JPH097887A JP H097887 A JPH097887 A JP H097887A JP 15068295 A JP15068295 A JP 15068295A JP 15068295 A JP15068295 A JP 15068295A JP H097887 A JPH097887 A JP H097887A
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- dielectric film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 セッティングドリフトの問題がなく、静電容
量の高精度な調整が可能なコンデンサを提供することで
ある。 【構成】 基板と、この基板上に設けられた下部電極
と、この下部電極上に設けられた誘電体膜と、この誘電
体膜上に設けられた上部電極とを具備し、前記下部電極
及び／又は上部電極が異なる電極長さを有する櫛型に構
成されてなるコンデンサ。
量の高精度な調整が可能なコンデンサを提供することで
ある。 【構成】 基板と、この基板上に設けられた下部電極
と、この下部電極上に設けられた誘電体膜と、この誘電
体膜上に設けられた上部電極とを具備し、前記下部電極
及び／又は上部電極が異なる電極長さを有する櫛型に構
成されてなるコンデンサ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば携帯電話、コー
ドレス電話、その他の通信機器に使用されるトリマコン
デンサに関する。
ドレス電話、その他の通信機器に使用されるトリマコン
デンサに関する。
【０００２】
【発明の背景】移動体通信機器の発振周波数の調整方法
として、回転子を回転させることにより静電容量を調整
するタイプのトリマコンデンサが使用されている。しか
し、このタイプのトリマコンデンサは、静電容量の調整
に回転子の回転を要することから、調整後にセッティン
グドリフトと称される容量変化が起き、調整に職人芸を
要する。又、回転機構を必要とする為、構造が複雑で、
高価なものになる。又、回転子の回転をスムーズにする
為、シリコーンオイル等を用いている。ところで、シリ
コーンオイルが経時変化によって変質し、これに伴い誘
電率にも変化が起き、静電容量に変動が起きる等の問題
がある。
として、回転子を回転させることにより静電容量を調整
するタイプのトリマコンデンサが使用されている。しか
し、このタイプのトリマコンデンサは、静電容量の調整
に回転子の回転を要することから、調整後にセッティン
グドリフトと称される容量変化が起き、調整に職人芸を
要する。又、回転機構を必要とする為、構造が複雑で、
高価なものになる。又、回転子の回転をスムーズにする
為、シリコーンオイル等を用いている。ところで、シリ
コーンオイルが経時変化によって変質し、これに伴い誘
電率にも変化が起き、静電容量に変動が起きる等の問題
がある。
【０００３】そこで、これらの問題点を解決するものと
して、図３に示す如く、基板の上に平面状の下部電極２
１を、その上に誘電体膜２２を、その上に電極長さが同
じ櫛型の上部電極２３を設けたタイプのチップ型コンデ
ンサが提案（実開昭６１−５７５１３号公報）されてい
る。しかし、図３に示すタイプのチップ型コンデンサに
おいて、静電容量を調整する為に上部電極の一部をレー
ザートリミングにより切断しようとすると、その下には
下部電極２１や誘電体膜２２が有る為、これらの部分を
損傷する恐れの有ることに気付いた。
して、図３に示す如く、基板の上に平面状の下部電極２
１を、その上に誘電体膜２２を、その上に電極長さが同
じ櫛型の上部電極２３を設けたタイプのチップ型コンデ
ンサが提案（実開昭６１−５７５１３号公報）されてい
る。しかし、図３に示すタイプのチップ型コンデンサに
おいて、静電容量を調整する為に上部電極の一部をレー
ザートリミングにより切断しようとすると、その下には
下部電極２１や誘電体膜２２が有る為、これらの部分を
損傷する恐れの有ることに気付いた。
【０００４】更には、上部電極２３の櫛型電極長さを同
じにしている為、レーザートリミングにより櫛型電極の
付け根から切断して静電容量を調整しようとしても、そ
の調整（静電容量の変動）幅が大きく、微調整が困難な
ことも判って来た。
じにしている為、レーザートリミングにより櫛型電極の
付け根から切断して静電容量を調整しようとしても、そ
の調整（静電容量の変動）幅が大きく、微調整が困難な
ことも判って来た。
【０００５】
【発明の開示】本発明の第１の目的は、セッティングド
リフトの問題がないコンデンサを提供することである。
本発明の第２の目的は、静電容量の高精度な調整が可能
なコンデンサを提供することである。
リフトの問題がないコンデンサを提供することである。
本発明の第２の目的は、静電容量の高精度な調整が可能
なコンデンサを提供することである。
【０００６】本発明の第３の目的は、経時変化が少ない
コンデンサを提供することである。本発明の第４の目的
は、小型で低廉なコンデンサを提供することである。上
記本発明の目的は、基板と、この基板上に設けられた下
部電極と、この下部電極上に設けられた誘電体膜と、こ
の誘電体膜上に設けられた上部電極とを具備してなり、
前記下部電極及び／又は上部電極が異なる電極長さを有
する櫛型に構成されてなることを特徴とするコンデンサ
によって達成される。
コンデンサを提供することである。本発明の第４の目的
は、小型で低廉なコンデンサを提供することである。上
記本発明の目的は、基板と、この基板上に設けられた下
部電極と、この下部電極上に設けられた誘電体膜と、こ
の誘電体膜上に設けられた上部電極とを具備してなり、
前記下部電極及び／又は上部電極が異なる電極長さを有
する櫛型に構成されてなることを特徴とするコンデンサ
によって達成される。
【０００７】特に、基板と、この基板上に設けられた下
部電極と、この下部電極を覆う如く設けられた誘電体膜
と、この誘電体膜上に設けられた上部電極と、この上部
電極上に設けられた保護膜とを具備してなり、前記上部
電極は、その基部側が前記誘電体膜が存在しない領域に
存在し、かつ、異なる電極長さを有する櫛型に構成され
てなることを特徴とするコンデンサによって達成され
る。
部電極と、この下部電極を覆う如く設けられた誘電体膜
と、この誘電体膜上に設けられた上部電極と、この上部
電極上に設けられた保護膜とを具備してなり、前記上部
電極は、その基部側が前記誘電体膜が存在しない領域に
存在し、かつ、異なる電極長さを有する櫛型に構成され
てなることを特徴とするコンデンサによって達成され
る。
【０００８】あるいは、基板と、この基板上に設けられ
た下部電極と、この下部電極を覆う如く設けられた誘電
体膜と、この誘電体膜上に設けられた上部電極と、該電
極上に設けられた保護膜とを具備してなり、前記下部電
極は、その基部側が前記誘電体膜及び上部電極で覆われ
ず、かつ、異なる電極長さを有する櫛型に構成されてな
ることを特徴とするコンデンサによって達成される。
た下部電極と、この下部電極を覆う如く設けられた誘電
体膜と、この誘電体膜上に設けられた上部電極と、該電
極上に設けられた保護膜とを具備してなり、前記下部電
極は、その基部側が前記誘電体膜及び上部電極で覆われ
ず、かつ、異なる電極長さを有する櫛型に構成されてな
ることを特徴とするコンデンサによって達成される。
【０００９】上記第２番目と第３番目との相違は、上部
電極を櫛型にするか、下部電極を櫛型にするかの相違に
基づくものである。又、基板上に下部電極を設ける下部
電極形成工程と、前記下部電極を覆う如く誘電体膜を設
ける誘電体膜形成工程と、その基部側が前記誘電体膜が
存在しない領域に存在し、かつ、異なる電極長さを有す
る櫛型の上部電極を前記誘電体膜上に設ける上部電極形
成工程と、前記上部電極上に保護膜を設ける保護膜形成
工程と、前記下部電極及び上部電極で形成される静電容
量が所望のものとなるよう前記誘電体膜が存在しない領
域において前記上部電極の一部を切断する切断工程とを
具備することを特徴とするコンデンサの製造方法によっ
て達成される。
電極を櫛型にするか、下部電極を櫛型にするかの相違に
基づくものである。又、基板上に下部電極を設ける下部
電極形成工程と、前記下部電極を覆う如く誘電体膜を設
ける誘電体膜形成工程と、その基部側が前記誘電体膜が
存在しない領域に存在し、かつ、異なる電極長さを有す
る櫛型の上部電極を前記誘電体膜上に設ける上部電極形
成工程と、前記上部電極上に保護膜を設ける保護膜形成
工程と、前記下部電極及び上部電極で形成される静電容
量が所望のものとなるよう前記誘電体膜が存在しない領
域において前記上部電極の一部を切断する切断工程とを
具備することを特徴とするコンデンサの製造方法によっ
て達成される。
【００１０】あるいは、基板上に異なる電極長さを有す
る櫛型の下部電極を設ける下部電極形成工程と、前記下
部電極の基部側を除いて該下部電極の櫛部を覆う如く誘
電体膜を設ける誘電体膜形成工程と、前記誘電体膜上に
上部電極を設ける上部電極形成工程と、該電極上に保護
膜を設ける保護膜形成工程と、前記下部電極及び上部電
極で形成される静電容量が所望のものとなるよう前記誘
電体膜が存在しない領域において前記下部電極の一部を
切断する切断工程とを具備することを特徴とするコンデ
ンサの製造方法によって達成される。
る櫛型の下部電極を設ける下部電極形成工程と、前記下
部電極の基部側を除いて該下部電極の櫛部を覆う如く誘
電体膜を設ける誘電体膜形成工程と、前記誘電体膜上に
上部電極を設ける上部電極形成工程と、該電極上に保護
膜を設ける保護膜形成工程と、前記下部電極及び上部電
極で形成される静電容量が所望のものとなるよう前記誘
電体膜が存在しない領域において前記下部電極の一部を
切断する切断工程とを具備することを特徴とするコンデ
ンサの製造方法によって達成される。
【００１１】上記二つの製造方法の相違は、上部電極を
櫛型にするか、下部電極を櫛型にするかの相違に基づく
ものである。特に、基板上に下部電極を設ける下部電極
形成工程と、前記下部電極を覆う如く（勿論、全部を覆
っても良いが、一部を覆わなくても良い）印刷手段で誘
電体膜を設ける誘電体膜形成工程と、その基部側が前記
誘電体膜が存在しない領域に存在し、かつ、異なる電極
長さを有する櫛型の上部電極を印刷手段で前記誘電体膜
上に設ける上部電極形成工程と、前記上部電極上に保護
膜を印刷手段で設ける保護膜形成工程と、前記下部電極
及び上部電極で形成される静電容量が所望のものとなる
よう前記誘電体膜が存在しない領域において前記上部電
極の一部を切断（例えば、レーザートリミング）する切
断工程とを具備することを特徴とするコンデンサの製造
方法によって達成される。
櫛型にするか、下部電極を櫛型にするかの相違に基づく
ものである。特に、基板上に下部電極を設ける下部電極
形成工程と、前記下部電極を覆う如く（勿論、全部を覆
っても良いが、一部を覆わなくても良い）印刷手段で誘
電体膜を設ける誘電体膜形成工程と、その基部側が前記
誘電体膜が存在しない領域に存在し、かつ、異なる電極
長さを有する櫛型の上部電極を印刷手段で前記誘電体膜
上に設ける上部電極形成工程と、前記上部電極上に保護
膜を印刷手段で設ける保護膜形成工程と、前記下部電極
及び上部電極で形成される静電容量が所望のものとなる
よう前記誘電体膜が存在しない領域において前記上部電
極の一部を切断（例えば、レーザートリミング）する切
断工程とを具備することを特徴とするコンデンサの製造
方法によって達成される。
【００１２】あるいは、基板上に異なる電極長さを有す
る櫛型の下部電極を印刷手段で設ける下部電極形成工程
と、前記下部電極の基部側を除いて該下部電極の櫛部を
覆う如く誘電体膜を印刷手段で設ける誘電体膜形成工程
と、前記誘電体膜上（従って、下部電極の基部側の上に
はない）に上部電極を印刷手段で設ける上部電極形成工
程と、該電極上に保護膜を印刷手段で設ける保護膜形成
工程と、前記下部電極及び上部電極で形成される静電容
量が所望のものとなるよう前記誘電体膜が存在しない領
域において前記下部電極の一部を切断（例えば、レーザ
ートリミング）する切断工程とを具備することを特徴と
するコンデンサの製造方法によって達成される。
る櫛型の下部電極を印刷手段で設ける下部電極形成工程
と、前記下部電極の基部側を除いて該下部電極の櫛部を
覆う如く誘電体膜を印刷手段で設ける誘電体膜形成工程
と、前記誘電体膜上（従って、下部電極の基部側の上に
はない）に上部電極を印刷手段で設ける上部電極形成工
程と、該電極上に保護膜を印刷手段で設ける保護膜形成
工程と、前記下部電極及び上部電極で形成される静電容
量が所望のものとなるよう前記誘電体膜が存在しない領
域において前記下部電極の一部を切断（例えば、レーザ
ートリミング）する切断工程とを具備することを特徴と
するコンデンサの製造方法によって達成される。
【００１３】尚、上記本発明のコンデンサ（特に、トリ
マコンデンサ）において、基板にはスルーホールが構成
され、下部電極及び上部電極は前記スルーホールに設け
られた導体を介して基板下面に設けられた端子に接続さ
れてなるタイプのものとしておくことが好ましい。これ
によって、実装が極めて簡単なものになる。又、下部電
極及び上部電極につながる端子が基板の上面に露出して
存在するよう下部電極及び上部電極が構成されているこ
とが好ましい。これによって、プローブを用いて静電容
量を調べる作業が容易になる。引いては、上部電極（あ
るいは下部電極）のトリミングが容易になる。
マコンデンサ）において、基板にはスルーホールが構成
され、下部電極及び上部電極は前記スルーホールに設け
られた導体を介して基板下面に設けられた端子に接続さ
れてなるタイプのものとしておくことが好ましい。これ
によって、実装が極めて簡単なものになる。又、下部電
極及び上部電極につながる端子が基板の上面に露出して
存在するよう下部電極及び上部電極が構成されているこ
とが好ましい。これによって、プローブを用いて静電容
量を調べる作業が容易になる。引いては、上部電極（あ
るいは下部電極）のトリミングが容易になる。
【００１４】そして、本発明では、静電容量の決定に際
して、上部電極（あるいは下部電極）をトリミングして
所望のものにする訳であるが、このトリミングは誘電体
膜が存在しない領域において行われるから、誘電体膜や
下部電極（あるいは上部電極）を損傷することがない。
又、例えば上部電極（あるいは下部電極）を異なる電極
長さを有する櫛型に構成させたから、同じ長さの場合に
比べて静電容量のステップを多段階のものに出来る。従
って、静電容量の調整を正確なものにできる。例えば、
櫛の数が３本の場合を考えると、櫛の長さが同じであれ
ば、静電容量は３段階しかないものの、櫛の長さを変え
ておけば、少なくとも４段階以上のものになり、よって
静電容量の調整がより高精度なものになる。
して、上部電極（あるいは下部電極）をトリミングして
所望のものにする訳であるが、このトリミングは誘電体
膜が存在しない領域において行われるから、誘電体膜や
下部電極（あるいは上部電極）を損傷することがない。
又、例えば上部電極（あるいは下部電極）を異なる電極
長さを有する櫛型に構成させたから、同じ長さの場合に
比べて静電容量のステップを多段階のものに出来る。従
って、静電容量の調整を正確なものにできる。例えば、
櫛の数が３本の場合を考えると、櫛の長さが同じであれ
ば、静電容量は３段階しかないものの、櫛の長さを変え
ておけば、少なくとも４段階以上のものになり、よって
静電容量の調整がより高精度なものになる。
【００１５】尚、上部電極（あるいは下部電極）は、基
部側が誘電体膜が存在しない領域に存在し、かつ、異な
る電極長さを有する櫛型の部分を持っておれば良く、平
面状の部分が有っても良い。すなわち、静電容量の基本
値に相当する部分を平面状のものとして構成していても
良いのである。本発明のコンデンサにおける基板は、例
えばアルミナ、ムライト、ステアタイト等を用いて構成
される。下部電極や上部電極は、例えば銀ペースト、銀
−パラジウムペースト、銀−白金ペースト、金ペース
ト、金−パラジウムペースト、金−白金ペースト等の導
電性ペーストを用いて構成できる。このような材料を用
いて構成される下部電極（あるいは上部電極）は、例え
ば平面状に塗布して焼き付けることによって構成される
訳であるが、その厚さは電極として可能な厚さであれば
如何なる厚さでも良い。これに対して、櫛型に構成され
る上部電極（あるいは下部電極）は、塗布・焼き付け後
に、例えばレーザートリミングにより切断されることか
ら、厚すぎるものは好ましくない。例えば、１００μｍ
以下であって、電極として可能な厚さであれば良い。誘
電体膜は、例えばチタン酸バリウム、チタン酸カルシウ
ム、チタン酸鉛、ＰＭＮ、ＰＺＴ等の誘電体粉末（必要
に応じてガラス粉末を添加）を用いて構成される。その
厚さは、５〜５０μｍ程度である。保護膜は、ホウケイ
酸ガラスやホウケイ酸鉛ガラス等の低融点ガラスを用い
て構成される。その厚さは、５〜２０μｍ程度である。
部側が誘電体膜が存在しない領域に存在し、かつ、異な
る電極長さを有する櫛型の部分を持っておれば良く、平
面状の部分が有っても良い。すなわち、静電容量の基本
値に相当する部分を平面状のものとして構成していても
良いのである。本発明のコンデンサにおける基板は、例
えばアルミナ、ムライト、ステアタイト等を用いて構成
される。下部電極や上部電極は、例えば銀ペースト、銀
−パラジウムペースト、銀−白金ペースト、金ペース
ト、金−パラジウムペースト、金−白金ペースト等の導
電性ペーストを用いて構成できる。このような材料を用
いて構成される下部電極（あるいは上部電極）は、例え
ば平面状に塗布して焼き付けることによって構成される
訳であるが、その厚さは電極として可能な厚さであれば
如何なる厚さでも良い。これに対して、櫛型に構成され
る上部電極（あるいは下部電極）は、塗布・焼き付け後
に、例えばレーザートリミングにより切断されることか
ら、厚すぎるものは好ましくない。例えば、１００μｍ
以下であって、電極として可能な厚さであれば良い。誘
電体膜は、例えばチタン酸バリウム、チタン酸カルシウ
ム、チタン酸鉛、ＰＭＮ、ＰＺＴ等の誘電体粉末（必要
に応じてガラス粉末を添加）を用いて構成される。その
厚さは、５〜５０μｍ程度である。保護膜は、ホウケイ
酸ガラスやホウケイ酸鉛ガラス等の低融点ガラスを用い
て構成される。その厚さは、５〜２０μｍ程度である。
【００１６】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を説
明する。
明する。
【００１７】
【実施例】図１〜図２は本発明に係るコンデンサ（トリ
マコンデンサ）の一実施例を示すものであり、図１は基
板上に下部電極及び誘電体膜が設けられた段階での概略
平面図、図２（ａ）は保護膜が設けられた後で、上部電
極がトリミングされる前段階の概略平面図、図２（ｂ）
は保護膜が設けられた後で、上部電極がトリミングされ
る前段階の概略断面図である。
マコンデンサ）の一実施例を示すものであり、図１は基
板上に下部電極及び誘電体膜が設けられた段階での概略
平面図、図２（ａ）は保護膜が設けられた後で、上部電
極がトリミングされる前段階の概略平面図、図２（ｂ）
は保護膜が設けられた後で、上部電極がトリミングされ
る前段階の概略断面図である。
【００１８】先ず、アルミナ基板１の裏面上に、導電性
ペーストを所定のパターンに印刷・乾燥し、下部電極用
の端子２ａ及び上部電極用の端子２ｂ（図示せず）を構
成する。この後、アルミナ基板１の表面上に、スクリー
ン印刷により導電性ペーストを所定のパターン（図１
中、基板１の下辺に沿った部分、及びこの中央部から逆
凸状に形成された部分）で塗布し、厚さ５μｍの下部電
極３を構成する。
ペーストを所定のパターンに印刷・乾燥し、下部電極用
の端子２ａ及び上部電極用の端子２ｂ（図示せず）を構
成する。この後、アルミナ基板１の表面上に、スクリー
ン印刷により導電性ペーストを所定のパターン（図１
中、基板１の下辺に沿った部分、及びこの中央部から逆
凸状に形成された部分）で塗布し、厚さ５μｍの下部電
極３を構成する。
【００１９】続いて、図１に示す如く、下部電極３の大
半を覆うように厚膜形成手段によりチタン酸バリウムに
ガラス粉末と有機バインダを混練して作成した誘電体ペ
ーストを塗布し、厚さ１５μｍの誘電体膜４を構成す
る。この後、誘電体膜４上に、導電性ペーストをスクリ
ーン印刷により図２（ａ）に示すパターンで塗布し、厚
さ５μｍの上部電極５ａ，５ｂを構成する。
半を覆うように厚膜形成手段によりチタン酸バリウムに
ガラス粉末と有機バインダを混練して作成した誘電体ペ
ーストを塗布し、厚さ１５μｍの誘電体膜４を構成す
る。この後、誘電体膜４上に、導電性ペーストをスクリ
ーン印刷により図２（ａ）に示すパターンで塗布し、厚
さ５μｍの上部電極５ａ，５ｂを構成する。
【００２０】尚、この上部電極５ａ，５ｂは、その基部
６ａ，６ｂ側が誘電体膜４が存在しない領域に存在し、
かつ、異なる電極長さｌ1 ，ｌ2 ，ｌ3 ，……を有する
櫛型に構成されている。特に、上部電極５ａと上部電極
５ｂとが対向している如く、すなわち上部電極５ａの一
番長い電極長さｌn に対して上部電極５ｂの一番短い電
極長さｌ1 が対向しているように、その他の部分につい
ても同様な関係が有るようにセッティングされている。
６ａ，６ｂ側が誘電体膜４が存在しない領域に存在し、
かつ、異なる電極長さｌ1 ，ｌ2 ，ｌ3 ，……を有する
櫛型に構成されている。特に、上部電極５ａと上部電極
５ｂとが対向している如く、すなわち上部電極５ａの一
番長い電極長さｌn に対して上部電極５ｂの一番短い電
極長さｌ1 が対向しているように、その他の部分につい
ても同様な関係が有るようにセッティングされている。
【００２１】尚、下部電極３及び上部電極５ａ，５ｂの
形成に際して、アルミナ基板１の所定位置に形成されて
いるスルーホール７，８に各々導電性ペーストが充填さ
れ、下部電極３と下部電極用の端子２ａとが、又、上部
電極５ａ，５ｂと上部電極用の端子２ａとが電気的に接
続される。上部電極５ａ，５ｂの印刷・焼き付け後、低
融点ガラスのペーストを上部電極５ａ，５ｂ上に印刷
し、電気炉にて焼き付け、保護膜９が構成される。
形成に際して、アルミナ基板１の所定位置に形成されて
いるスルーホール７，８に各々導電性ペーストが充填さ
れ、下部電極３と下部電極用の端子２ａとが、又、上部
電極５ａ，５ｂと上部電極用の端子２ａとが電気的に接
続される。上部電極５ａ，５ｂの印刷・焼き付け後、低
融点ガラスのペーストを上部電極５ａ，５ｂ上に印刷
し、電気炉にて焼き付け、保護膜９が構成される。
【００２２】上記のように構成された後、あるいは上記
のように構成されたトリマコンデンサを実装後、アルミ
ナ基板１の表面上に露出している下部電極３の露出部分
１０、及び上部電極５ａ，５ｂの露出部分１１にプロー
ブをあて、静電容量を測定しながら、上部電極５ａ，５
ｂのどの部分を切断するかを決める。この上部電極５
ａ，５ｂの切断に際して、切断位置を下部電極３並びに
誘電体膜４が存在しない領域（図２中、一点鎖線で示す
位置）にすることが出来るから、下部電極３並びに誘電
体膜４を損傷することがない。
のように構成されたトリマコンデンサを実装後、アルミ
ナ基板１の表面上に露出している下部電極３の露出部分
１０、及び上部電極５ａ，５ｂの露出部分１１にプロー
ブをあて、静電容量を測定しながら、上部電極５ａ，５
ｂのどの部分を切断するかを決める。この上部電極５
ａ，５ｂの切断に際して、切断位置を下部電極３並びに
誘電体膜４が存在しない領域（図２中、一点鎖線で示す
位置）にすることが出来るから、下部電極３並びに誘電
体膜４を損傷することがない。
【００２３】しかも、上部電極５ａ，５ｂは異なる電極
長さを有する櫛型に構成したから、静電容量のステップ
を多段階のものに出来る。従って、静電容量の調整を正
確なものにできる。例えば櫛歯の数を片側８本、かつ、
幅は変わらないものの、その長さが１／８ずつ変わって
いる場合には、静電容量を７２ステップにわたって調整
できる。同様に櫛歯の数が片側１０本の場合には、１１
０ステップにわたって調整できる。勿論、このステップ
数は長さを同じずつ変化させたと言う限定をつけたから
であって、長さの変化割合を同じにしなかったならば、
組み合わせで考慮されるステップにわたって調整でき
る。つまり、櫛歯の数が片側８本の場合には、静電容量
を７２ステップより大きなステップにわたって調整でき
る。これに対して、長さが同じであれば、櫛歯の数が片
側８本の場合には、７ステップしか調整出来ない。この
ように、本発明の如くに構成させれば、多段階の調整が
可能となり、静電容量の高精度な調整が可能となる。
長さを有する櫛型に構成したから、静電容量のステップ
を多段階のものに出来る。従って、静電容量の調整を正
確なものにできる。例えば櫛歯の数を片側８本、かつ、
幅は変わらないものの、その長さが１／８ずつ変わって
いる場合には、静電容量を７２ステップにわたって調整
できる。同様に櫛歯の数が片側１０本の場合には、１１
０ステップにわたって調整できる。勿論、このステップ
数は長さを同じずつ変化させたと言う限定をつけたから
であって、長さの変化割合を同じにしなかったならば、
組み合わせで考慮されるステップにわたって調整でき
る。つまり、櫛歯の数が片側８本の場合には、静電容量
を７２ステップより大きなステップにわたって調整でき
る。これに対して、長さが同じであれば、櫛歯の数が片
側８本の場合には、７ステップしか調整出来ない。この
ように、本発明の如くに構成させれば、多段階の調整が
可能となり、静電容量の高精度な調整が可能となる。
【００２４】そして、レーザートリミングに際して、上
部電極５ａ，５ｂの上には保護膜９が有るから、切断部
に保護膜９を構成するガラスが溶融し、そして覆うか
ら、上部電極５ａ，５ｂに対する保護効果は高い。尚、
上記実施例においては、上部電極５ａ，５ｂを異なる電
極長さを有する櫛型に構成した場合であるが、下部電極
を異なる電極長さを有する櫛型に構成しても同様に実施
できるから、すなわち上記実施例における保護膜９を基
板と考え、アルミナ基板１を保護膜と考えれば、電極用
の端子やスルーホールを除いた基板−下部電極−誘電体
膜−上部電極−保護膜の関係は同様なものとなるから、
詳細な説明は省略する。
部電極５ａ，５ｂの上には保護膜９が有るから、切断部
に保護膜９を構成するガラスが溶融し、そして覆うか
ら、上部電極５ａ，５ｂに対する保護効果は高い。尚、
上記実施例においては、上部電極５ａ，５ｂを異なる電
極長さを有する櫛型に構成した場合であるが、下部電極
を異なる電極長さを有する櫛型に構成しても同様に実施
できるから、すなわち上記実施例における保護膜９を基
板と考え、アルミナ基板１を保護膜と考えれば、電極用
の端子やスルーホールを除いた基板−下部電極−誘電体
膜−上部電極−保護膜の関係は同様なものとなるから、
詳細な説明は省略する。
【００２５】
【効果】本発明によれば、セッティングドリフトの問題
がなく、かつ、経時変化が少なく、更には静電容量の高
精度な調整が可能な小型で低廉なトリマコンデンサを得
ることが出来る。
がなく、かつ、経時変化が少なく、更には静電容量の高
精度な調整が可能な小型で低廉なトリマコンデンサを得
ることが出来る。
【図１】誘電体膜が設けられた段階でのトリマコンデン
サの概略平面図
サの概略平面図
【図２】（ａ），（ｂ）は上部電極がトリミングされる
前段階でのトリマコンデンサの概略平面図、概略断面図
前段階でのトリマコンデンサの概略平面図、概略断面図
【図３】従来のトリマコンデンサの概略平面図
１ アルミナ基板 ３ 下部電極 ４ 誘電体膜 ５ａ，５ｂ 上部電極 ６ａ，６ｂ 基部 ７，８ スルーホール ９ 保護膜
Claims (5)
- 【請求項１】 基板と、この基板上に設けられた下部電
極と、この下部電極上に設けられた誘電体膜と、この誘
電体膜上に設けられた上部電極とを具備してなり、 前記下部電極及び／又は上部電極が異なる電極長さを有
する櫛型に構成されてなることを特徴とするコンデン
サ。 - 【請求項２】 基板と、この基板上に設けられた下部電
極と、この下部電極を覆う如く設けられた誘電体膜と、
この誘電体膜上に設けられた上部電極と、この上部電極
上に設けられた保護膜とを具備してなり、 前記上部電極は、その基部側が前記誘電体膜が存在しな
い領域に存在し、かつ、異なる電極長さを有する櫛型に
構成されてなることを特徴とするコンデンサ。 - 【請求項３】 基板と、この基板上に設けられた下部電
極と、この下部電極を覆う如く設けられた誘電体膜と、
この誘電体膜上に設けられた上部電極と、該電極上に設
けられた保護膜とを具備してなり、 前記下部電極は、その基部側が前記誘電体膜及び上部電
極で覆われず、かつ、異なる電極長さを有する櫛型に構
成されてなることを特徴とするコンデンサ。 - 【請求項４】 基板にはスルーホールが構成され、下部
電極及び上部電極は前記スルーホールに設けられた導体
を介して基板下面に設けられた端子に接続されてなるこ
とを特徴とする請求項１〜請求項３いずれかのコンデン
サ。 - 【請求項５】 櫛型に構成された電極に対向する電極が
平板状に構成されてなることを特徴とする請求項１〜請
求項４いずれかのコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15068295A JPH097887A (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15068295A JPH097887A (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH097887A true JPH097887A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15502173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15068295A Pending JPH097887A (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH097887A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1121049C (zh) * | 1997-12-26 | 2003-09-10 | 太阳诱电株式会社 | 带导线电子零件 |
| EP1587145A2 (de) * | 2002-07-08 | 2005-10-19 | Infineon Technologies AG | Satz integrierter Kondensatoranordnungen, insbesondere integrierter Gitterkondensatoren |
-
1995
- 1995-06-16 JP JP15068295A patent/JPH097887A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1121049C (zh) * | 1997-12-26 | 2003-09-10 | 太阳诱电株式会社 | 带导线电子零件 |
| EP1587145A2 (de) * | 2002-07-08 | 2005-10-19 | Infineon Technologies AG | Satz integrierter Kondensatoranordnungen, insbesondere integrierter Gitterkondensatoren |
| EP1587145A3 (de) * | 2002-07-08 | 2007-05-16 | Infineon Technologies AG | Satz integrierter Kondensatoranordnungen, insbesondere integrierter Gitterkondensatoren |
| USRE41684E1 (en) | 2002-07-08 | 2010-09-14 | Infineon Technologies Ag | Set of integrated capacitor arrangements, especially integrated grid capacitors |
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