JPS6312105A

JPS6312105A - 膜抵抗基板

Info

Publication number: JPS6312105A
Application number: JP61154993A
Authority: JP
Inventors: 克也佐藤
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1986-07-03
Filing date: 1986-07-03
Publication date: 1988-01-19

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は、膜抵抗体を有する膜抵抗基板に関する。

（従来の技術）近年、電子機器の小型軽量化に伴なってハイブリッドＩ
Ｃが多用されている。このハイブリッドＩＣの代表的な
ものは、アルミナ等のセラミック基板に電極を形成し、
この電極間に厚膜抵抗体を形成することによって得られ
る厚膜抵抗基板である。

一般に、上記厚膜抵抗基板としては、第３図に示すよう
なものが用いられている。これは、アルミナ等のセラミ
ック材料で形成された絶縁基板間に一対の配線導体層３
１ａ、　３１ｂを形成し、この一対の配線導体層３１ａ
、　３１ｂ間に抵抗体３２を形成する（第３図ａ）。上
記配線導体層３１ａ、　３１ｂは銀−パラジウム（Ａｊ
ｌ／Ｐｄ）粉末を含む導体ペーストを、また抵抗体部は
酸化ルテニウム（Ｒｕｂ、）粒子及びガラスフリットを
含む抵抗ペーストを夫々印刷、焼成して形成する。

上記抵抗体３２の抵抗値は最終的な所望の抵抗値以下に
なるように、その幅（Ｗ）及び長さくＬ）が予め設計さ
れて形成されている。そして、その後第３図すに示すよ
うに、抵抗体部の成分であるガラスフリットと酸化ルテ
ニウム粒子を飛散させ得る出力のレーザ光を、パルス状
に抵抗体３２の側端部から内方に照射するトリミング工
程を施し切削溝おを形成する。これによって、抵抗体部
の幅（Ｗ）が減少して抵抗値が増加するので、所望の抵
抗値を得ることができる。

上記従来の厚膜抵抗基板において、抵抗体３２の長さく
Ｌ）を１．７ｍ、幅（Ｗ）を２．５１１１にとし、トリ
ミングによる切削量をＸ１ｌｉｌ＋とした場合の切削ｉ
　（Ｘ）と抵抗値（Ｒ）の関係を、第２図に比較例１と
して破線で示す。同図によれば、特性の直線性が悪く１
例えばｌ０ＫＯ近傍での単位切削量に対する抵抗値変動
量が大きくなるので、１０にΩ近傍の抵抗値を迅速に得
ることが困難であった。また、限られた基板表面で低い
抵抗値を得ることが不可能であった。

そこで、上記問題点を解決するために、特開昭６０−２
６３４０４号公報に記載の厚膜抵抗基板が開発された。

これは、第４図ａに示すように、絶縁基板４０上に配線
導体４１を帯状部分を有するように形成し、その後上記
配線導体４１に重なるように厚膜抵抗体４２を形成する
。そして、第４図すの如く上記導体４１の帯状部分を分
割して厚膜抵抗体４２の電極４１ａ、　４１ｂを形成す
るとともに、抵抗体心を溝状に除去して切削溝４３を形
成することによって所望抵抗値を得るものである。

上記厚膜抵抗基板によれば、抵抗体こを２．ＯＸ　２．
５１１ｍとし、トリミングによる切削量をＸｕとした場
合の特性を第２図に比較例として一点鎖線で示すように
、低抵抗値を得ること及び全般的に直線性のよい特性を
得ることができる。ところが、抵抗体社のみならず導体
４１の帯状部分をも同時に除去しているので１通常の膜
抵抗のみのトリミングに比べてレーザ等の出力を大きく
しなければならず、抵抗体心の特性に悪影響を与えてし
まったり、導体４１が切削できず抵抗体として機能しな
い場合があった。また、導体４１部分の分割が終了した
直後の単位切削量に対する抵抗値変動率が大きくなる。

従って、比較的低い抵抗値を迅速に得ることが困難であ
った。

（発明が解決しようとする問題点）以上のように従来の厚膜抵抗基板では、限られた基板表
面で低い抵抗値を得たり、所望の抵抗値を迅速に得るこ
とが困難であった。また、所望の抵抗値を迅速に得るこ
とが可能な場合でも、トリミングには高出力のレーザ等
が必要になるので。

抵抗体の特性に悪影響を与えていた。

本発明は上述の問題点を除去するもので、広範囲の抵抗
値を迅速に、かつ抵抗体に悪影響を与えることなく得る
ことのできる膜抵抗基板を提供することを目的とする。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段）本発明は、絶縁基板上に形成された膜抵抗体と、この膜
抵抗体の一端部上に対向して形成された一対の電極と、
この一対の電極間に介在する上記膜抵抗体を上記一端部
から他端部へ切削して形成され、１！極間の抵抗値を規
定する切削溝とから構成される。

（作用）上記構成によれば、電極は近接した間隔で形成し得るの
で膜抵抗体の切削前には極めて低い抵抗値が得られ、ま
た切削後の切削溝形成時には切削量に応じて抵抗値が増
大し、直線性の良好な特性を得ることができる。さらに
、膜抵抗体のみの切削でよいため高出力のレーザ等は必
要とせず。

膜抵抗体に悪影響を与えることがない。

（実施例）以下１本発明の膜抵抗基板に係る実施例について１図面
を参照して説明する。

本発明の一実施例を示す第１図ａにおいて、アルミナ等
のセラミック材料で形成されたｆ８　Ｂ基板１０に、抵
抗ペーストを印刷、焼成して厚膜抵抗体１１を形成する
。次に、第１図すに示すようにこの厚膜抵抗体１１の一
端部上に一対の電極１２ａ、　１２ｂを極く近接した間
隔で形成する。上記電極１２ａ、　１２ｂは、銅（Ｃｕ
）系の導体ペーストをスクリーン印刷法で印刷し、銅の
酸化を防止するため窒素ガス（Ｎ２）等の不活性ガス中
で焼成することによって形成される。このとき、上記厚
膜抵抗体１１は一対の電極１２ａ、　１２ｂ間に配置さ
れるのみならず、電極１２ａ、１２ｂから垂直方向に突
出する部分を有している。

次に、電ｆｆｌ　１２ａ、　１２ｂ間及び突出した部分
の厚膜抵抗体１１を所望の抵抗値にするため、レーザ等
を用いてトリミングする。このトリミングは第１図Ｃに
示す如く、厚膜抵抗体１１の一端部から他端部に向かっ
て厚膜抵抗体１１の一部を除去して、切削溝１３を形成
することによって行なう。そして、この厚膜抵抗体１１
の抵抗値の調整は、切削溝１３の長さ、つまり切削量を
変えることによって行なわれる。

上記実施例によれば、厚膜抵抗体１１を０．８　Ｘ　１
．５ｎとし、トリミングによる切削量をｘｍとした場合
の特性を第２図に実線で示すように、先の比較例１．２
に比べて直線性が大幅に改善されている。

特に、抵抗値１０にΩ近傍における傾きが小さくなって
いるため、１０にΩ近傍の所望抵抗値を得る場合にも、
速いトリミングスピードで目標値に到達することができ
る。また、低抵抗領域での抵抗値変動率も小さいため、
比較的低い抵抗値も迅速に得ることが可能となる。以上
のように、この実施例によれば広範囲に亘る抵抗値１例
えばシート抵抗１０にΩ／口の抵抗ペーストを用いて厚
膜抵抗体１１を形成した場合には３ＫＯから１００ＫΩ
までの抵抗値を、迅速に得ることができる。

さらに、トリミング時には、厚膜抵抗体１１のみを切削
すればよいので高出力のレーザ等を必要とせず、厚膜抵
抗体１１の特性に悪影響を及ぼすことがない。

なお、上記実施例では電極１２ａ、　１２ｂを含む導体
を銅系の導体ペーストから形成しているため、空気中焼
成を行なう厚膜抵抗体を先に形成しておく・必要がある
。これに対し、銀−パラジウム系の導体ペーストを用い
る場合は、いずれを先に形成してもよい。ところが、導
体を先に形成し、この導体上に厚膜抵抗体を形成した場
合には、次のような不具合点がある。

第５図３に示すように絶縁基板間上に電極５１　ａ。

５１ｂを形成し、その上に厚膜抵抗体５２を形成する。

そして、第５図すに示すように、電極５１ａ、　５１ｂ
間にレーザ等で切削溝昭を形成する。この場合、トリミ
ング時の位置決めを確実にするために、厚膜抵抗体５２
は電極５１ａ、　５１ｂ間が露出ように形成する必要が
ある。従って、トリミング前における厚膜抵抗体５２の
幅（Ｌ）が小さくなるため、第２図に比較例３として点
線で示すように、初期抵抗値が高くなってしまう。

一方、初期抵抗値を下げるために、電極５１ａ、　５１
ｂを覆うように厚膜抵抗体５２を形成した場合、電極５
１ａ、　５１ｂ間の位置が不明であるので、第６図のよ
うに電極５１上をトリミングしてしまう。また、電極５
１ａ、　５１ｂ間を厚膜抵抗体５２の中央に形成するよ
う設計し、トリミングも中央で行なうこととしても、パ
ターン精度から数１０μｍの誤差は避けられないため、
第７図のように電極５１上をトリミングしてしまう。以
上の場合、トリミングによって厚膜抵抗体５２は切削可
能であるが、電極５１は出力不足のため切削されない。

従って、切削量が増加しても抵抗値は常に一定となり、
トリミングは正常に行なわれない。

以上説明したように、上記実施例では電極１２ａ。

１２ｂを厚膜抵抗体１１上に形成しているため、トリミ
ングの位置決めが容易となる。また、トリミング前の厚
膜抵抗体１１の＠（Ｌ）が大きく設定できるため、初期
抵抗値を極めて低くすることが可能となる。

なお１本発明は厚膜抵抗基板に限定されるものではなく
、薄膜抵抗基板にも適用できる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、広範囲に亘って膜抵抗体の切削量に対
する抵抗値変化の特性が良好となるので、所望の抵抗値
を迅速に得ることが可能となる。

また、切削時に高出力のレーザ等を必要としないため、
膜抵抗体に悪影響を及ぼすこともない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の膜抵抗基板に係る一実施例を、示す平
面図、葛２図は第１図に示す実施例の特性を示す特性図
、第３図及び第４図は従来の膜抵抗基板を示す平面図、
第５図乃至第７図は実施例の効果を説明する平面図であ
る。１０・・・絶縁基板　　　　　１１・・・厚膜抵抗体１
２・・・電極　　　　　１３・・・切削溝第１図第２図第　３　図　　　　　　　　　−＠　４　間第６図第７図第５ｖＡ

Claims

【特許請求の範囲】　絶縁基板と、この絶縁基板上に形成された膜抵抗体と、この膜抵抗体の一端部上に所定間隔で対向して形成され
る一対の電極と、この一対の電極間に介在する前記膜抵抗体を該膜抵抗体
の一端部から他端部へ切削することによって形成され、
切削量に応じて該電極間の抵抗値を規定する切削溝とを
具備したことを特徴とする膜抵抗基板。