JPS62179703A - プリント抵抗体の形成方法 - Google Patents

プリント抵抗体の形成方法

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JPS62179703A
JPS62179703A JP61021425A JP2142586A JPS62179703A JP S62179703 A JPS62179703 A JP S62179703A JP 61021425 A JP61021425 A JP 61021425A JP 2142586 A JP2142586 A JP 2142586A JP S62179703 A JPS62179703 A JP S62179703A
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JP
Japan
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printed
heat treatment
resistor
resisrance
formation
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Pending
Application number
JP61021425A
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English (en)
Inventor
網島 瑛一
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電子機器の回路に用いられる印刷型の抵抗要素
、いわゆるプリント抵抗体の形成方法に関する。
従来の技術 プリント抵抗体は、通常、プラスチックスあるいはセラ
ミックスのような絶縁体面に抵抗体材料を印刷形成し、
適宜、焼付処理を施したのち、トリミング工程により、
必要な抵抗値に仕上げられる。第2図a、bはこのよう
にして形成された抵抗体の各典型例の断面図であり、a
は絶縁板1の面に、予め、導体端子部2を形成したもの
に、抵2ベー。
抗体材料3を印刷形成したもの、同すは抵抗体材料3を
先に設け、これに導体端子部2を付設したものである。
発明が解決しようとする問題点 ところが、従来のプリント抵抗体は、同一基板上に他の
電子部品と共に組み込まれる際のはんだ付けなどの高温
処理工程をくり返す間に、予め、トリミング工程で設定
されていた抵抗値が変化し、電子機器の安定化、高精度
化にとって不都合を生じる。
本発明は、後工程での熱処理に耐え得るプリント抵抗体
を形成する方法を提供するものである。
問題点を解決するだめの手段 本発明は、基板面に抵抗用被膜を形成したのち、トリミ
ング工程の前段で200’C以上の熱処理を施す工程を
そなえたプリント抵抗体の形成方法である。
作用 本発明によると、プリント抵抗体が200°C以上の熱
処理を経て形成されているから、すず−鉛3ヘーノ 系の共晶はんだを用いる電子部品のアセンブリ工程で、
その抵抗値の変化することを抑制することができる。
実施例 基板に紙・フェノール系絶縁板(厚さ1.6MM。
面積寸法50MM×5011M)を用い、この基板面に
カーボン/樹脂を抵抗体材料として印刷法によって抵抗
用被膜を形成したのち、熱処理の条件と抵抗変化率との
関係をみると、熱処理温度20o′C〜260°C1処
理時間30〜180秒の条件で、第1図aのように、抵
抗変化率の安定な範囲が見出された。すなわち、第1図
aの曲線Iの下方斜線領域では抵抗変化率2.0%以内
が達成可能であった。また、第1図すは、基板にアルミ
ナ磁器(厚さ0.635MM、面積寸法50MM×50
MM)を用い、この基板面に二酸化ルセニウム/ガラス
を抵抗体材料とした抵抗用被膜を形成したのち、熱処理
温度200′C〜250℃9処理時間30〜180秒の
条件で処理を施した場合の特性図であり、曲線■の下方
斜線領域では抵抗変化率0,2%以内が達成された。さ
らに、第1図Cは、アルミナ磁器基板上にカーボン/樹
脂の抵抗用被膜のものの場合の特性で、この場合、特性
曲線■の下方領域で抵抗変化率0.6%以内が達成され
た。
経験によると、プリント抵抗体が受ける熱処理の条件は
、すず−鉛系共晶はんだを用いるアセンブリ工程で、デ
ィップソルダリング法の場合、250°C〜280′C
(標準的には260℃が用いられる)、数秒〜士数秒で
あり、リフロウソルダリング法の場合、200℃〜22
0°C(標準的には215°Cが用いられる)、数十秒
〜数分である。
これらの諸条件を考慮して、抵抗用被膜のトリミング工
程前段での熱処理条件は200°C以上であればよいこ
とがわかった。熱処理条件の上限は基板材料自身の耐熱
性で左右される。なお、抵抗体の抵抗値調整は、この熱
処理後に、たとえば、切削法、レーザ法などによる削り
取りの手法あるいは銀電極増塗り手法によるトリミング
工程で行なわれる。
発明の効果 6ページ 本発明によれば、抵抗用被膜に対して、200°C以上
の熱処理後にトリミング工程で所望抵抗値を設定するの
で、他の電子部品をはんだ付けするアセンブリ工程でも
、その抵抗値の変動は最小限に抑制可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図a、b、cは本発明の実施例を示す各特性図、第
2図a、bは通常のプリント抵抗体の断面図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・導体端子部、3・
・・・・・プリント抵抗体。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  基体面に抵抗用被膜を形成したのち、トリミング工程
    の前段で200℃以上の熱処理を施す工程をそなえたプ
    リント抵抗体の形成方法。
JP61021425A 1986-02-03 1986-02-03 プリント抵抗体の形成方法 Pending JPS62179703A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0266990A (ja) * 1988-08-31 1990-03-07 Murata Mfg Co Ltd ハイブリッド集積回路の抵抗体形成方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60219758A (ja) * 1984-04-16 1985-11-02 Toshiba Corp 多層厚膜基板の製造方法
JPS60246602A (ja) * 1984-05-21 1985-12-06 ロ−ム株式会社 抵抗部品およびその製造方法

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