JPH0266990A - ハイブリッド集積回路の抵抗体形成方法 - Google Patents
ハイブリッド集積回路の抵抗体形成方法Info
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- JPH0266990A JPH0266990A JP21799788A JP21799788A JPH0266990A JP H0266990 A JPH0266990 A JP H0266990A JP 21799788 A JP21799788 A JP 21799788A JP 21799788 A JP21799788 A JP 21799788A JP H0266990 A JPH0266990 A JP H0266990A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ハイブリッド集積回路の抵抗体形成方法に係
り、具体的には厚膜抵抗体の抵抗値の高温放置特性を改
善するための技術に関する。
り、具体的には厚膜抵抗体の抵抗値の高温放置特性を改
善するための技術に関する。
従来にあっては、Ag電極間において樹脂基板の上にカ
ーボン抵抗ペースト等の抵抗ペーストを印刷し、乾燥さ
せる工程を繰り返した後、各抵抗ペーストを硬化させて
厚膜抵抗体を形成していた。そして、配線基板の製造後
、この配線基板の上に部品を実装し、半田デイツプ等の
方法にょうて半田付けを行い、部品を配線基板に搭載し
てハイブリッド集積回路を製造していた。
ーボン抵抗ペースト等の抵抗ペーストを印刷し、乾燥さ
せる工程を繰り返した後、各抵抗ペーストを硬化させて
厚膜抵抗体を形成していた。そして、配線基板の製造後
、この配線基板の上に部品を実装し、半田デイツプ等の
方法にょうて半田付けを行い、部品を配線基板に搭載し
てハイブリッド集積回路を製造していた。
上記のように部品は半田デイツプ等によって配線基板に
搭載されているが、この部品搭載時の半田デイツプ等に
よる急激な熱ストレスのため、厚膜抵抗体の硬化後特性
として厚膜抵抗体中に内部応力及び内部歪みが発生する
。そのため、高温放置における厚膜抵抗体の抵抗変化率
は、半田デイツプを行わない場合と比較してかなり劣化
する。
搭載されているが、この部品搭載時の半田デイツプ等に
よる急激な熱ストレスのため、厚膜抵抗体の硬化後特性
として厚膜抵抗体中に内部応力及び内部歪みが発生する
。そのため、高温放置における厚膜抵抗体の抵抗変化率
は、半田デイツプを行わない場合と比較してかなり劣化
する。
この対策としては、半田デイツプを行った後、熱エージ
ングによって厚膜抵抗体の内部応力を緩和するという方
法がある。しかし、この方法によると、150℃、3時
間というようなかなりの高温かつ長時間の処理を必要と
し、■樹脂基板の耐熱性を考えると、一般の樹脂基板で
はこの処理によって劣化を生じる恐れがあり、また、■
部品搭載後に行われる処理であるため、耐熱温度の低い
部品(例えば、電解コンデンサの耐熱温度は、通常で8
5℃である。)が搭載されている場合、この方法を用い
ることができないという欠点があった。
ングによって厚膜抵抗体の内部応力を緩和するという方
法がある。しかし、この方法によると、150℃、3時
間というようなかなりの高温かつ長時間の処理を必要と
し、■樹脂基板の耐熱性を考えると、一般の樹脂基板で
はこの処理によって劣化を生じる恐れがあり、また、■
部品搭載後に行われる処理であるため、耐熱温度の低い
部品(例えば、電解コンデンサの耐熱温度は、通常で8
5℃である。)が搭載されている場合、この方法を用い
ることができないという欠点があった。
しかして、本発明は、上記のような欠点のない厚膜抵抗
体の高温放置特性の改善方法を提供することを目的とし
てなされたものである。
体の高温放置特性の改善方法を提供することを目的とし
てなされたものである。
本発明のハイブリッド集積回路の抵抗体形成方法は、基
板に抵抗ペーストを印刷して乾燥させた後、この抵抗ペ
ーストの硬化直前に短時間熱処理を施すことを特徴とし
ている。
板に抵抗ペーストを印刷して乾燥させた後、この抵抗ペ
ーストの硬化直前に短時間熱処理を施すことを特徴とし
ている。
基板に抵抗ペーストを印刷し、乾燥させた後、従来にあ
っては直ちに抵抗ペーストを硬化させて厚膜抵抗体を形
成していたのに対し、本発明にあっては、抵抗ペースト
の硬化直前に短時間の熱処理を加えることにより厚膜抵
抗体の抵抗値の高温放置特性を改善することができな、
すなわち、抵抗ペーストの硬化過程の直前に熱処理を加
えることにより抵抗ペーストの初期状態を揃えることが
でき、これにより均一で安定した特性の厚膜抵抗体を形
成し、その抵抗値の経時的な変化を小さくすることがで
きるのである。
っては直ちに抵抗ペーストを硬化させて厚膜抵抗体を形
成していたのに対し、本発明にあっては、抵抗ペースト
の硬化直前に短時間の熱処理を加えることにより厚膜抵
抗体の抵抗値の高温放置特性を改善することができな、
すなわち、抵抗ペーストの硬化過程の直前に熱処理を加
えることにより抵抗ペーストの初期状態を揃えることが
でき、これにより均一で安定した特性の厚膜抵抗体を形
成し、その抵抗値の経時的な変化を小さくすることがで
きるのである。
また、この方法における熱処理は、厚膜抵抗体の硬化前
の処理、すなわち部品搭載前の処理であるので、搭載部
品に影響を与えることが無く、使用部品の種類に制限さ
れることな〈実施することができる。さらに、この方法
における熱処理は短時間(数分〜数10分)で済むので
、ハイブリッド集積回路の総工程時間に大きな影響を与
えず、製造効率をほとんど低下させない。
の処理、すなわち部品搭載前の処理であるので、搭載部
品に影響を与えることが無く、使用部品の種類に制限さ
れることな〈実施することができる。さらに、この方法
における熱処理は短時間(数分〜数10分)で済むので
、ハイブリッド集積回路の総工程時間に大きな影響を与
えず、製造効率をほとんど低下させない。
また、この方法における熱処理は、乾燥温度に近い温度
(低い温度のほうが効果が高い。)で短時間に行うこと
ができるので、基板が樹脂基板の場合にも熱で基板を劣
化させる恐れがない。
(低い温度のほうが効果が高い。)で短時間に行うこと
ができるので、基板が樹脂基板の場合にも熱で基板を劣
化させる恐れがない。
以下、本発明の実施例を添付図に基づいて詳述する。
基板の表面に厚膜抵抗体を有する第2図のようなハイブ
リッド集積回路の製造工程を第1図に示しであるので、
以下第1図の流れに沿って説明する。
リッド集積回路の製造工程を第1図に示しであるので、
以下第1図の流れに沿って説明する。
基板1は、実施例においては、エポキシ樹脂系基板やフ
ェノール系樹脂基板等の樹脂基板を示しである。この基
板1の表面には所定の配線パターンのAg電極3が形成
され、この後基板1の上にスクリーン印刷等の手法でカ
ーボン抵抗ペースト等の抵抗ペースト2a、2b、・・
・が印刷され、乾燥させられる。抵抗ペースト2a、2
b、・・・は、シート抵抗値の異なる毎に繰り返して基
板1の上の所定箇所に印刷され、乾燥させられる。こう
してシート抵抗値の異なる数種の抵抗ペースト2a。
ェノール系樹脂基板等の樹脂基板を示しである。この基
板1の表面には所定の配線パターンのAg電極3が形成
され、この後基板1の上にスクリーン印刷等の手法でカ
ーボン抵抗ペースト等の抵抗ペースト2a、2b、・・
・が印刷され、乾燥させられる。抵抗ペースト2a、2
b、・・・は、シート抵抗値の異なる毎に繰り返して基
板1の上の所定箇所に印刷され、乾燥させられる。こう
してシート抵抗値の異なる数種の抵抗ペースト2a。
2b、・・・の印刷及び乾燥が終了した後、基板1は熱
処理工程へ送られ、抵抗ペースト2a、2b。
処理工程へ送られ、抵抗ペースト2a、2b。
・・・に短時間の熱処理が施される。ここで、熱処理の
条件としては、乾燥温度より高い温度(〉60℃)で行
われるが、温度は小さいほうが高温放置特性の改善に効
果がある。また、熱処理時間は、数分〜数10分である
が、10〜20分くらいが適当である。熱処理が完了す
ると、直ちに抵抗ペースト2a、2b、・・・は硬化さ
せられ、基板1表面にカーボン抵抗等の厚膜抵抗体4が
形成される。さらに、基板1には所要の加工が施されて
配線基板が製造される。こうして、製造された配線基板
には搭載部品が実装され、半田デイツプ等の方法で半田
付けされる。
条件としては、乾燥温度より高い温度(〉60℃)で行
われるが、温度は小さいほうが高温放置特性の改善に効
果がある。また、熱処理時間は、数分〜数10分である
が、10〜20分くらいが適当である。熱処理が完了す
ると、直ちに抵抗ペースト2a、2b、・・・は硬化さ
せられ、基板1表面にカーボン抵抗等の厚膜抵抗体4が
形成される。さらに、基板1には所要の加工が施されて
配線基板が製造される。こうして、製造された配線基板
には搭載部品が実装され、半田デイツプ等の方法で半田
付けされる。
上記の熱処理は、厚膜抵抗体の硬化の過程の直前に熱処
理を施すことにより、硬化後に厚膜抵抗体同志の間に特
性差が生じないよう初期状態を揃えるために行われるも
のであり、特に抵抗ペーストの乾燥回数によって特性差
が生じないように初期状態を揃えられる。したがって、
硬化の過程において、均一で安定した特性の厚膜抵抗体
が形成されると共に、半田デイツプの工程においても、
内部応力や内部歪みの発生を抑えることができるのであ
る。このため、厚膜抵抗体を高温で放置した場合の抵抗
値の経時的変化も小さくなり、高温放置特性が改善され
るのである。
理を施すことにより、硬化後に厚膜抵抗体同志の間に特
性差が生じないよう初期状態を揃えるために行われるも
のであり、特に抵抗ペーストの乾燥回数によって特性差
が生じないように初期状態を揃えられる。したがって、
硬化の過程において、均一で安定した特性の厚膜抵抗体
が形成されると共に、半田デイツプの工程においても、
内部応力や内部歪みの発生を抑えることができるのであ
る。このため、厚膜抵抗体を高温で放置した場合の抵抗
値の経時的変化も小さくなり、高温放置特性が改善され
るのである。
(測定結果)
第3図に示すものは、70℃、100℃及び170°C
の各温度で20分間の熱処理を施された厚膜抵抗体につ
いて、85℃の環境温度で72時間放置された後の抵抗
値の変化率を測定した結果であり、縦軸に変化率(%ン
を示しである(横軸には特に意味はない。)。このグラ
フより、熱処理温度が低いほど高温放置特性の改善度合
いの高いことが読み取られるので、抵抗ペーストの乾燥
が可能な最低温度付近で熱処理を行うことにより高温放
置特性を良好に改善できることが明らかである。
の各温度で20分間の熱処理を施された厚膜抵抗体につ
いて、85℃の環境温度で72時間放置された後の抵抗
値の変化率を測定した結果であり、縦軸に変化率(%ン
を示しである(横軸には特に意味はない。)。このグラ
フより、熱処理温度が低いほど高温放置特性の改善度合
いの高いことが読み取られるので、抵抗ペーストの乾燥
が可能な最低温度付近で熱処理を行うことにより高温放
置特性を良好に改善できることが明らかである。
本発明によれば、硬化前の短時間の熱処理で厚膜抵抗体
の高温放置特性を改善することができ、高温における厚
膜抵抗体の抵抗値の経時的変化の小さい、安定した厚膜
抵抗体を得ることができる。しかも、部品搭載前に熱処
理を施しているので、耐熱温度の低い搭載部品に劣化を
もたらすことがなく、搭載部品の種類に制限されること
なく広い範囲にわたって実施することができる。さらに
、短時間の熱処理で足りるので、ハイブリッド集積回路
の総工程時間にも大きな影響を与えない。また、比較的
低い温度で短時間の熱処理で足りるので、樹脂基板の場
合にも基板の劣化を招くこともない。
の高温放置特性を改善することができ、高温における厚
膜抵抗体の抵抗値の経時的変化の小さい、安定した厚膜
抵抗体を得ることができる。しかも、部品搭載前に熱処
理を施しているので、耐熱温度の低い搭載部品に劣化を
もたらすことがなく、搭載部品の種類に制限されること
なく広い範囲にわたって実施することができる。さらに
、短時間の熱処理で足りるので、ハイブリッド集積回路
の総工程時間にも大きな影響を与えない。また、比較的
低い温度で短時間の熱処理で足りるので、樹脂基板の場
合にも基板の劣化を招くこともない。
第1図は本発明の一実施例を示す工程図、第2図は同上
の基板の一ヒに形成された厚膜抵抗体を示す平面図、第
3図は厚膜抵抗体の抵抗値の変化率の高温放置特性を示
すグラフである。 1・・・基板 2a、2b・・・抵抗ペースト 出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 中 野 雅 房
の基板の一ヒに形成された厚膜抵抗体を示す平面図、第
3図は厚膜抵抗体の抵抗値の変化率の高温放置特性を示
すグラフである。 1・・・基板 2a、2b・・・抵抗ペースト 出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 中 野 雅 房
Claims (1)
- (1)基板に抵抗ペーストを印刷して乾燥させた後、こ
の抵抗ペーストの硬化直前に短時間熱処理を施すことを
特徴とするハイブリッド集積回路の抵抗体形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63217997A JPH0787262B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | ハイブリッド集積回路の抵抗体形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63217997A JPH0787262B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | ハイブリッド集積回路の抵抗体形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0266990A true JPH0266990A (ja) | 1990-03-07 |
JPH0787262B2 JPH0787262B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=16713008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63217997A Expired - Fee Related JPH0787262B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | ハイブリッド集積回路の抵抗体形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0787262B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10343808B2 (en) | 2014-05-15 | 2019-07-09 | P.E. Labellers S.P.A. | Labeling machine |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5796589A (en) * | 1980-12-08 | 1982-06-15 | Sony Corp | Method of producing thick film resistance circuit board |
JPS62162312A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-18 | 東京コスモス電機株式会社 | 印刷抵抗回路板の製造方法 |
JPS62179703A (ja) * | 1986-02-03 | 1987-08-06 | 松下電器産業株式会社 | プリント抵抗体の形成方法 |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP63217997A patent/JPH0787262B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5796589A (en) * | 1980-12-08 | 1982-06-15 | Sony Corp | Method of producing thick film resistance circuit board |
JPS62162312A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-18 | 東京コスモス電機株式会社 | 印刷抵抗回路板の製造方法 |
JPS62179703A (ja) * | 1986-02-03 | 1987-08-06 | 松下電器産業株式会社 | プリント抵抗体の形成方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10343808B2 (en) | 2014-05-15 | 2019-07-09 | P.E. Labellers S.P.A. | Labeling machine |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0787262B2 (ja) | 1995-09-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |