JP3304130B2 - 角形薄膜チップ抵抗器の製造方法 - Google Patents
角形薄膜チップ抵抗器の製造方法Info
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- JP3304130B2 JP3304130B2 JP19937692A JP19937692A JP3304130B2 JP 3304130 B2 JP3304130 B2 JP 3304130B2 JP 19937692 A JP19937692 A JP 19937692A JP 19937692 A JP19937692 A JP 19937692A JP 3304130 B2 JP3304130 B2 JP 3304130B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は一般的に電子回路に用い
られる角形薄膜チップ抵抗器の製造方法に関するもので
ある。
られる角形薄膜チップ抵抗器の製造方法に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に伴い、回路基
板に使用される電子部品に対しても実装密度を高めるた
め、小形への要求が高まっている。角形チップ抵抗器に
対しても小形化が進められるとともに、より高精度で低
雑音な特性を満足させるため薄膜チップ抵抗器への要求
が高まっている。
板に使用される電子部品に対しても実装密度を高めるた
め、小形への要求が高まっている。角形チップ抵抗器に
対しても小形化が進められるとともに、より高精度で低
雑音な特性を満足させるため薄膜チップ抵抗器への要求
が高まっている。
【0003】従来の角形薄膜チップ抵抗器の製造方法の
一例を図3に示す。
一例を図3に示す。
【0004】まず、従来の製造工程は高純度のアルミナ
基板などからなる耐熱性の絶縁基板(分割溝なし)21
を受け入れる工程Aをスタートし、次に前記絶縁基板2
1上にNi−Cr等の薄膜抵抗体を形成するスパッタ工
程Bを経て、前記薄膜抵抗体を抵抗パターン22に整形
するエッチング工程Cを行い、次に前記抵抗パターン2
2上にNi等の薄膜電極を形成するスパッタ工程Dを経
て、前記薄膜電極を電極パターン23に整形するエッチ
ング工程Eを行い、抵抗および電極パターンを安定な膜
にするために、窒素中などで350〜400℃の温度の
熱処理工程Fを行う。その後、抵抗パターンの抵抗値を
所定の値に修正するためにレーザートリミング等によ
り、抵抗値修正工程Gを行う。次に、抵抗値修正済み抵
抗パターン24を保護するために、熱硬化性の樹脂によ
る保護コート25の形成工程Hを行う。次に、絶縁基板
21を分割し、端面電極層27を形成するための準備工
程として、絶縁基板21に分割のための溝26を形成す
るスクライブ工程Iと、絶縁基板21を短冊状基板21
aに分割する一次基板分割工程Jを行い、その短冊状基
板21aの端面にスパッタ等を用い、端面電極層27を
形成する端面電極形成工程Kを行う。そして露出してい
る電極面にめっきを施すための準備工程として、短冊状
基板21aを個片状基板21bに分割する二次基板分割
工程Lを行い、最後にはんだ付け時の信頼性の確保のた
め電極めっき28を形成する電極めっき工程Mを行い、
角形薄膜チップ抵抗器を形成していた。
基板などからなる耐熱性の絶縁基板(分割溝なし)21
を受け入れる工程Aをスタートし、次に前記絶縁基板2
1上にNi−Cr等の薄膜抵抗体を形成するスパッタ工
程Bを経て、前記薄膜抵抗体を抵抗パターン22に整形
するエッチング工程Cを行い、次に前記抵抗パターン2
2上にNi等の薄膜電極を形成するスパッタ工程Dを経
て、前記薄膜電極を電極パターン23に整形するエッチ
ング工程Eを行い、抵抗および電極パターンを安定な膜
にするために、窒素中などで350〜400℃の温度の
熱処理工程Fを行う。その後、抵抗パターンの抵抗値を
所定の値に修正するためにレーザートリミング等によ
り、抵抗値修正工程Gを行う。次に、抵抗値修正済み抵
抗パターン24を保護するために、熱硬化性の樹脂によ
る保護コート25の形成工程Hを行う。次に、絶縁基板
21を分割し、端面電極層27を形成するための準備工
程として、絶縁基板21に分割のための溝26を形成す
るスクライブ工程Iと、絶縁基板21を短冊状基板21
aに分割する一次基板分割工程Jを行い、その短冊状基
板21aの端面にスパッタ等を用い、端面電極層27を
形成する端面電極形成工程Kを行う。そして露出してい
る電極面にめっきを施すための準備工程として、短冊状
基板21aを個片状基板21bに分割する二次基板分割
工程Lを行い、最後にはんだ付け時の信頼性の確保のた
め電極めっき28を形成する電極めっき工程Mを行い、
角形薄膜チップ抵抗器を形成していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
薄膜チップ抵抗器は次に示すような課題を有していた。
薄膜チップ抵抗器は次に示すような課題を有していた。
【0006】(1)スパッタにより薄膜抵抗体及び薄膜
電極を形成しているため、連続処理が難しく、量産する
ためには多くのスパッタ装置が必要となり、コスト高に
なる。
電極を形成しているため、連続処理が難しく、量産する
ためには多くのスパッタ装置が必要となり、コスト高に
なる。
【0007】(2)分割溝なしの絶縁基板にパターン形
成後、レーザースクライブによって分割のための溝を形
成しているため、美観を損なうばかりでなく、レーザー
の熱的衝撃による絶縁基板のマイクロクラックが生じや
すく、絶縁劣化の原因になりかねないといった課題があ
る。
成後、レーザースクライブによって分割のための溝を形
成しているため、美観を損なうばかりでなく、レーザー
の熱的衝撃による絶縁基板のマイクロクラックが生じや
すく、絶縁劣化の原因になりかねないといった課題があ
る。
【0008】本発明は上記課題を解決するために、安価
で、絶縁基板の絶縁性に優れている角形薄膜チップ抵抗
器の製造方法を提供することを目的とする。
で、絶縁基板の絶縁性に優れている角形薄膜チップ抵抗
器の製造方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の角形薄膜チップ抵抗器の製造方法は、表裏面
に互いに相対するように設けた縦方向及び横方向の分割
溝を有する絶縁基板の両主面上にAuを主成分とする金
属有機物からなる電極材料を印刷し焼成して一対の薄膜
上面電極層と一対の薄膜裏面電極層を形成する工程と、
前記一対の薄膜上面電極層を覆うように薄膜抵抗体をス
パッタにより形成するとともに、前記薄膜上面電極層を
露出させることなくエッチングにより薄膜抵抗体を抵抗
パターンに整形する工程と、前記抵抗パターンの抵抗値
を修正する工程と、前記抵抗値修正済み抵抗パターンの
うち、抵抗体として用いる部分を完全に覆うように保護
膜を形成する工程と、薄膜端面電極層を形成するための
準備工程として絶縁基板を一次分割する工程と、前記一
対の上面電極層と一対の裏面電極層とを電気的に接続す
るように一対の薄膜端面電極層を形成する工程と、電極
めっきのための準備工程として絶縁基板を個片に分割す
る工程と、露出している前記薄膜裏面電極層と薄膜端面
電極層および薄膜抵抗体に電極めっきをする工程とを備
えたことを特徴とするものである。
に本発明の角形薄膜チップ抵抗器の製造方法は、表裏面
に互いに相対するように設けた縦方向及び横方向の分割
溝を有する絶縁基板の両主面上にAuを主成分とする金
属有機物からなる電極材料を印刷し焼成して一対の薄膜
上面電極層と一対の薄膜裏面電極層を形成する工程と、
前記一対の薄膜上面電極層を覆うように薄膜抵抗体をス
パッタにより形成するとともに、前記薄膜上面電極層を
露出させることなくエッチングにより薄膜抵抗体を抵抗
パターンに整形する工程と、前記抵抗パターンの抵抗値
を修正する工程と、前記抵抗値修正済み抵抗パターンの
うち、抵抗体として用いる部分を完全に覆うように保護
膜を形成する工程と、薄膜端面電極層を形成するための
準備工程として絶縁基板を一次分割する工程と、前記一
対の上面電極層と一対の裏面電極層とを電気的に接続す
るように一対の薄膜端面電極層を形成する工程と、電極
めっきのための準備工程として絶縁基板を個片に分割す
る工程と、露出している前記薄膜裏面電極層と薄膜端面
電極層および薄膜抵抗体に電極めっきをする工程とを備
えたことを特徴とするものである。
【0010】
【作用】本発明によれば、スパッタ装置を用いず、印刷
機とベルト式連続焼成炉によって連続的に薄膜上面電極
層及び薄膜裏面電極層を形成でき、製造工程を簡略化で
きるため、製造コストが下がり、安価な角形薄膜チップ
抵抗器を提供できる。
機とベルト式連続焼成炉によって連続的に薄膜上面電極
層及び薄膜裏面電極層を形成でき、製造工程を簡略化で
きるため、製造コストが下がり、安価な角形薄膜チップ
抵抗器を提供できる。
【0011】また、あらかじめ分割溝形成済みの絶縁基
板を使用するため、従来のようにレーザースクライブに
よって分割のための溝を形成する必要がないため、絶縁
基板の絶縁性が向上する。
板を使用するため、従来のようにレーザースクライブに
よって分割のための溝を形成する必要がないため、絶縁
基板の絶縁性が向上する。
【0012】
【実施例】以下、本発明の一実施例の角形薄膜チップ抵
抗器の製造方法について、図面を用いて説明する。
抗器の製造方法について、図面を用いて説明する。
【0013】図1は本発明の一実施例の角形薄膜チップ
抵抗器の製造方法を示す工程図で、図2は図1の工程に
よって製造した製品の断面図である。
抵抗器の製造方法を示す工程図で、図2は図1の工程に
よって製造した製品の断面図である。
【0014】まず、耐熱性及び絶縁性に優れた96アル
ミナ基板1を受け入れる工程Aを行う。この96アルミ
ナ基板1の表裏面には、短冊状及び個片状に分割するた
めに、互いに相対するように設けた縦方向及び横方向の
分割のための分割溝2(グリーンシート時に金型成型)
が形成されている。
ミナ基板1を受け入れる工程Aを行う。この96アルミ
ナ基板1の表裏面には、短冊状及び個片状に分割するた
めに、互いに相対するように設けた縦方向及び横方向の
分割のための分割溝2(グリーンシート時に金型成型)
が形成されている。
【0015】次に、前記96アルミナ基板1の表面にA
uを主成分とする金属有機物からなる電極ペーストをス
クリーン印刷・乾燥し、更に前記96アルミナ基板1の
裏面に前記金属有機物電極ぺーストの有機成分だけを飛
ばし、金属成分だけをアルミナ基板1上に焼き付けるた
めに、ベルト式連続焼成炉によって850℃の温度で、
ピーク時間6分、IN−OUT時間45分のプロファイ
ルによって焼成し、薄膜上面電極層3及び薄膜裏面電極
層4を同時に形成する工程Bを行う。
uを主成分とする金属有機物からなる電極ペーストをス
クリーン印刷・乾燥し、更に前記96アルミナ基板1の
裏面に前記金属有機物電極ぺーストの有機成分だけを飛
ばし、金属成分だけをアルミナ基板1上に焼き付けるた
めに、ベルト式連続焼成炉によって850℃の温度で、
ピーク時間6分、IN−OUT時間45分のプロファイ
ルによって焼成し、薄膜上面電極層3及び薄膜裏面電極
層4を同時に形成する工程Bを行う。
【0016】次に前記96アルミナ基板1上にNi−C
rの薄膜抵抗体5を形成するスパッタ工程Cを経て、前
記薄膜抵抗体5を抵抗パターン6に整形するエッチング
工程Dを行い、抵抗パターンを安定な膜にするために、
窒素中で350〜400℃の温度の熱処理工程Eを行
う。
rの薄膜抵抗体5を形成するスパッタ工程Cを経て、前
記薄膜抵抗体5を抵抗パターン6に整形するエッチング
工程Dを行い、抵抗パターンを安定な膜にするために、
窒素中で350〜400℃の温度の熱処理工程Eを行
う。
【0017】その後、抵抗パターン6の抵抗値を所定の
値に修正するためにレーザートリミングにより、抵抗値
修正工程Fを行う。
値に修正するためにレーザートリミングにより、抵抗値
修正工程Fを行う。
【0018】次に、抵抗値修正済み抵抗パターン6のう
ち、抵抗体として用いる部分を保護するために、樹脂ペ
ーストをスクリーン印刷し、熱硬化して保護コート7を
形成する工程Gを行う。
ち、抵抗体として用いる部分を保護するために、樹脂ペ
ーストをスクリーン印刷し、熱硬化して保護コート7を
形成する工程Gを行う。
【0019】次に、96アルミナ基板1を分割し、薄膜
端面電極層8を形成するための準備工程として、96ア
ルミナ基板1を短冊状基板1aに分割する一次基板分割
工程Hを行い、その短冊状基板1aの端面にスパッタに
よりNiの薄膜端面電極層8を形成する端面電極形成工
程Iを行う。
端面電極層8を形成するための準備工程として、96ア
ルミナ基板1を短冊状基板1aに分割する一次基板分割
工程Hを行い、その短冊状基板1aの端面にスパッタに
よりNiの薄膜端面電極層8を形成する端面電極形成工
程Iを行う。
【0020】そして露出している部分にめっきを施すた
めの準備工程として、短冊状基板1aを個片状基板1b
に分割する二次基板分割工程Jを行い、最後に露出して
いる薄膜裏面電極層4と薄膜端面電極層8および薄膜抵
抗体5のはんだ付け時の電極食われの防止及びはんだ付
け時の信頼性の確保のため、電解めっきによってNi
−,Sn−Pbのめっき層9を形成する電極めっき工程
Kを行う。
めの準備工程として、短冊状基板1aを個片状基板1b
に分割する二次基板分割工程Jを行い、最後に露出して
いる薄膜裏面電極層4と薄膜端面電極層8および薄膜抵
抗体5のはんだ付け時の電極食われの防止及びはんだ付
け時の信頼性の確保のため、電解めっきによってNi
−,Sn−Pbのめっき層9を形成する電極めっき工程
Kを行う。
【0021】以上の工程により、本発明の一実施例によ
る角形薄膜チップ抵抗器を試作した。
る角形薄膜チップ抵抗器を試作した。
【0022】この本発明の角形薄膜チップ抵抗器と、従
来の角形薄膜チップ抵抗器との抵抗値ばらつき、抵抗温
度特性、電流雑音特性を比較したところ、同等であるこ
とがわかった。
来の角形薄膜チップ抵抗器との抵抗値ばらつき、抵抗温
度特性、電流雑音特性を比較したところ、同等であるこ
とがわかった。
【0023】なお、本実施例では金属有機物電極ペース
トの焼成温度を850℃としたが、これは焼成温度を限
定するものではない。
トの焼成温度を850℃としたが、これは焼成温度を限
定するものではない。
【0024】また、絶縁基板として両面に分割溝を設け
たが、どちらか一方にのみ設けても良い。
たが、どちらか一方にのみ設けても良い。
【0025】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、スパッタ
装置を用いず、印刷機とベルト式連続焼成炉によって連
続的に薄膜電極層を形成でき、製造工程を簡略化できる
ため、製造コストが下がり、安価な角形薄膜チップ抵抗
器を提供できるばかりでなく、あらかじめ分割溝形成済
みの絶縁基板を使用するため、従来のようにレーザース
クライブによって分割のための溝を形成する必要がない
ため、絶縁基板の絶縁性が向上する。
装置を用いず、印刷機とベルト式連続焼成炉によって連
続的に薄膜電極層を形成でき、製造工程を簡略化できる
ため、製造コストが下がり、安価な角形薄膜チップ抵抗
器を提供できるばかりでなく、あらかじめ分割溝形成済
みの絶縁基板を使用するため、従来のようにレーザース
クライブによって分割のための溝を形成する必要がない
ため、絶縁基板の絶縁性が向上する。
【図1】本発明の一実施例の角形薄膜チップ抵抗器の製
造方法を示す工程図
造方法を示す工程図
【図2】本発明の一実施例の製造方法により製造した角
形薄膜チップ抵抗器の断面図
形薄膜チップ抵抗器の断面図
【図3】従来の角形薄膜チップ抵抗器の製造方法を示す
工程図
工程図
1 96アルミナ基板 2 分割溝 3 薄膜上面電極層 4 薄膜裏面電極層 5 薄膜抵抗体 7 保護コート 8 薄膜端面電極層 9 めっき層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福岡 章夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 津田 清二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平3−72602(JP,A) 特開 平1−109702(JP,A) 特開 昭61−268001(JP,A) 特開 昭59−22301(JP,A) 特開 昭64−12502(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】 表裏面の少なくとも一方に互いに相対す
るように設けた縦方向及び横方向の分割溝を有する絶縁
基板の両主面上にAuを主成分とする金属有機物からな
る電極材料を印刷し焼成して一対の薄膜上面電極層と一
対の薄膜裏面電極層を形成する工程と、前記一対の薄膜
上面電極層を覆うように薄膜抵抗体をスパッタにより形
成するとともに、前記薄膜上面電極層を露出させること
なくエッチングにより薄膜抵抗体を抵抗パターンに整形
する工程と、前記抵抗パターンの抵抗値を修正する工程
と、前記抵抗値修正済み抵抗パターンのうち、抵抗体と
して用いる部分を完全に覆うように保護膜を形成する工
程と、薄膜端面電極層を形成するための準備工程として
絶縁基板を一次分割する工程と、前記一対の薄膜上面電
極層と一対の薄膜裏面電極層とを電気的に接続するよう
に一対の薄膜端面電極層を形成する工程と、電極めっき
のための準備工程として絶縁基板を個片に分割する工程
と、露出している前記薄膜裏面電極層と薄膜端面電極層
および薄膜抵抗体に電極めっきを形成する工程とを備え
たことを特徴とする角形薄膜チップ抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19937692A JP3304130B2 (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 角形薄膜チップ抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19937692A JP3304130B2 (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 角形薄膜チップ抵抗器の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0645118A JPH0645118A (ja) | 1994-02-18 |
JP3304130B2 true JP3304130B2 (ja) | 2002-07-22 |
Family
ID=16406735
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19937692A Expired - Fee Related JP3304130B2 (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 角形薄膜チップ抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3304130B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6365483B1 (en) * | 2000-04-11 | 2002-04-02 | Viking Technology Corporation | Method for forming a thin film resistor |
JP4722318B2 (ja) * | 2000-06-05 | 2011-07-13 | ローム株式会社 | チップ抵抗器 |
WO2002060633A1 (en) * | 2001-02-01 | 2002-08-08 | Electro Scientific Industries, Inc. | Resistor trimming with small uniform spot from solid-state uv laser |
JP3869273B2 (ja) | 2002-01-17 | 2007-01-17 | ローム株式会社 | チップ抵抗器の製造方法 |
-
1992
- 1992-07-27 JP JP19937692A patent/JP3304130B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0645118A (ja) | 1994-02-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090510 Year of fee payment: 7 |
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FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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