JPH03263301A - 角板型チップ抵抗器およびその製造方法 - Google Patents

角板型チップ抵抗器およびその製造方法

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JPH03263301A
JPH03263301A JP2121590A JP12159090A JPH03263301A JP H03263301 A JPH03263301 A JP H03263301A JP 2121590 A JP2121590 A JP 2121590A JP 12159090 A JP12159090 A JP 12159090A JP H03263301 A JPH03263301 A JP H03263301A
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JP
Japan
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layer
glass
resistance
glass layer
thick film
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JP2121590A
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English (en)
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Masato Hashimoto
正人 橋本
Akio Fukuoka
章夫 福岡
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、主に自動実装機により高密度配線回路に用い
られる角板型チップ抵抗器に関するものである。
従来の技術 近年、電子機器の軽薄短小化に対する要求がますます増
大していく中、回路基板の配線密度を高めるため、抵抗
素子には非常に小型な角板型チップ抵抗器が多く用いら
れるようになってきた。
また、この角板型チップ抵抗器は高速度でプリント基板
に実装するために、自動実装機により実装されることが
ほとんどである。このため、角板型チップ抵抗器の実装
品質を高める要望が強くなってきている。
従来の角板型チップ抵抗器の構造を、第3図に示す。従
来の角板型チップ抵抗器は、96アルミナ基板31と、
銀系厚膜電極による上面電極層32および端面電極層3
3と、ルテニウム系厚膜抵抗による抵抗層34と、この
抵抗層34を覆う第1ガラス層35と捺印ガラス層36
と第2ガラス層37とから構成されている。なお、露出
電極面には半田付は性を向」ニさせるために、N1メツ
キ層38と5n−Pbメツキ層39を電解メツキにより
形成している。
発明が解決しようとする課題 従来の角板型チップ抵抗器の抵抗体の保護層は信頼性を
確保するため3層のガラス構造をとっており、この場合
ガラス表面には、捺印ガラス層の盛り上がり部分が残り
、約20〜30μの凹凸が発生してしまう。
この表面に凹凸がある角板型チップ抵抗器を自動実装機
でプリント基板等に実装しようとする場合、自動実装機
の吸着ピンで角板型チップ抵抗器を吸い上げたときに、
ガラス表面の凹凸のために吸着ピンと角板型チップ抵抗
器が点接触しているような形となり、角板型チップ抵抗
器が回転してしまうことが多く、第4図に示すように斜
めに実装され、正確にプリント基板に実装できないとい
った課題があった。なお、第4図において、40はプリ
ント基板、4ゴは導体、42はチップ抵抗器である。
この課題を解決するための対策として従来、ガラスを高
温で焼威し、保護ガラスを十分に溶融させ、表面の凹凸
を小さくする等の検討が考えられた。しかし、焼成温度
を上げると抵抗値のばらつきが大きくなり、更にガラス
の耐酸性も劣化する。このため、露出電極面に電気メツ
キを施すときにガラス表面が酸に侵食され、ガラス表面
にクラックが発生するといった課題かあった。
本発明は、このような課題を一挙に解決するもので、抵
抗値ばらつきを大きくすることなく、ガラスの耐酸性も
劣化させず、更にガラスの表面の凹凸を根本的に無くし
高実装精度を実現した角板型チップ抵抗器を提供するも
のである。
課題を解決するための手段 本発明の角板型チップ抵抗器は、絶縁性のセラミック基
板と、前記セラミック基板上の銀系厚膜の上面電極層と
、前記上面電極層の一部に重なるルテニウム系厚膜の抵
抗層と、前記抵抗層を完全に覆う第1ガラス層と、前記
第1ガラス層上に形成され抵抗特性を表す変色部を有す
る第2ガラス層と、前記上面電極層の一部に重なる銀系
厚膜の端面電極層とより構成したものである。
また、本発明においては、絶縁性のセラミック基板と、
前記セラミック基板上の銀系厚膜の一対の上面電極層と
、前記上面電極層の一部に重なるルテニウム系厚膜の抵
抗層と、前記抵抗層を完全に覆いかつ抵抗特性を表す変
色部を有する第1−ガラス層と、前記第1ガラス層」二
の第2ガラス層と、前記上面電極層の一部に重なる銀系
厚膜の端面電極層とより構成したものである。
作用 本発明では凹凸の原因となっていた捺印ガラス層を用い
て表示するのでなく、第1ガラス層または第2ガラス層
の変色部分にて抵抗特性表示を行うためガラス表面は根
本的に平滑になり、更に、ガラスの焼成温度を低く抑え
られるため、抵抗値ばらつきを大きくすることなく、ガ
ラスの耐酸性も劣化させずに、高精度実装を可能にした
角板型チップ抵抗器を提供することができる。
実施例 以下、本発明の一実施例について、図面を用いて説明す
る。
(実施例1) 第1図は本発明の一実施例を示す断面図である。
第1図において、本発明の角板型チップ抵抗器は、96
アルミナ基板11と、銀系厚膜電極による上面電極層1
2および端面電極層13と、ルテニウム系厚膜抵抗によ
る抵抗層14と、この抵抗層14を覆う第二ガラス層1
5と第2ガラス層16とから構成されている。なお、第
2ガラス層16には抵抗特性を表示するための変色部1
7が形成されている。また、露出電極面には半田付は性
を向上させるために、Niメツキ層18と5n−Pbメ
ツキ層19を電解メツキにより形成している。
それでは、実施例について詳細に説明する。まず、耐熱
性および絶縁性に優れた96アルミナ基板11を受は入
れる。このアルミナ基板11には短冊状、および個片状
に分割するために、分割のための溝(グリーンシート時
に金型成形)が形成されている。次に、前記96アルミ
ナ基板11上に厚膜銀ペーストをスクリーン印刷し、ベ
ルト式連続焼成炉によっ:C850℃の温度で、ピーク
時間6分、lN−0UT45分のプロファイルによって
焼成し上面電極層12を形成する。次に、上面電極層1
2の一部に重なるように、Ru 02を主成分とする厚
膜抵抗ペーストをスクリーン印刷し、ベルト式連続焼成
炉により850℃の温度でピーク時間6分、Il’1−
OUT時間45分のプロファイルによって焼威し、抵抗
層14を形成する。次に、前記上面電極層12の間の前
記抵抗層14の抵抗値を揃えるために、レーザー光によ
って、前記抵抗体層14の一部を破壊し抵抗値修正を行
う。更に、前記抵抗体層14を完全に覆うように、第1
ガラスペーストをスクリーン印刷し、近赤外線乾燥炉に
よって150℃で10分乾燥する。さらに、乾燥済みの
第1ガラスペーストの上に、第2ガラスペーストをスク
リーン印刷し、近赤外線乾燥炉によって150℃で10
分乾燥する。
その後、ベルト式連続焼成炉によって590℃の温度で
ピーク時間6分、lN−0UT50分焼成プロファイル
によって焼威し、第1ガラス層15と第2ガラス層16
を同時に形成する。更に、第2ガラス層16の一部を変
色させ、抵抗特性を表示するために、第2ガラス層にレ
ーザー光を照射し第2ガラス層を変色させ、変色部17
を形成する。次に、端面電極を形成するための準備工程
として、端面電極を露出させるために、アルミナ基板1
1を短冊状に分割し、短冊状アルミナ基板をえる一次基
板分割を行う。前記短冊状アルミナ基板の側面に、前記
上面電極層12の一部に重なるように厚膜銀ペーストを
ローラーによって塗布し、ベルト式連続焼成炉によって
600℃の温度で、ピーク時間6分、lN−0UT45
分の焼成プロファイルによって焼成し端面電極層13を
形成するために端面導体ペースト印刷・焼成を行う。次
に、電極メツキの準備工程として、前記端面電極層13
を形成済みの短冊上アルミナ基板を個片状に分割する二
次基板分割を行い、個片状アルミナ基板を得る。そして
最後に、露出している上面電極層12と端面電極層13
の半田付は時の電極喰われの防止および半田付けの信頼
性の確保のため、電解メツキによってNiメツキ層18
Sn−Pbメツキ層19を形成する電解メツキを行う。
以上の工程により、本発明の一実施例による角板型チッ
プ抵抗器を試作した。
(実施例2) 次に本発明の第2の実施例について、第2図を用いて説
明する。
第2図は本実施例を示す断面図である。
第2図において、本発明の角板型チップ抵抗器は、96
アルミナ基板21と、銀系厚膜電極による上面電極層2
と端面電極層23、ルテニウム系厚膜抵抗による抵抗層
24と、抵抗層24を覆う第1ガラス層25と第2ガラ
ス層26からなっている。なお、第2ガラス層には抵抗
特性を表示するための変色部27が形成されている。ま
た、露出電極面には半田付は性を向上させるために、N
iメツキ層28と5n−Pbメツキ層29を電解メツキ
により施している。
それでは、実施例2について詳細を説明する。
まず、耐熱性および絶縁性に優れた96アルミナ基板2
1を受は入れる。このアルミナ基板21には短冊状、お
よび個片状に分割するために、分割のための溝(グリー
ンシート時に金型成形)が形成されている。次に、前記
96アルミナ基板21上に厚膜銀ペーストをスクリーン
印刷し、ベルト式連続焼成炉によって850℃の温度で
、ピーク時間6分、lN−0UT45分のプロファイル
によって焼成し上面電極層22を形成する。次に、0 上面電極層22の一部に重なるように、RuO2を主成
分とする厚膜抵抗ペーストをスクリーン印刷し、ベルト
式連続焼成炉により850℃の温度でピーク時間6分、
lN−0UT時間45分のプロファイルによって焼成し
、抵抗層24を形成する。次に、前記上面電極層22間
の前記抵抗層24の抵抗値を揃えるために、レーザー光
によって、前記抵抗体層4の一部を破壊し抵抗値修正を
行う。更に前記抵抗層4を完全に覆うように、第1−ガ
ラスペーストをスクリーン印刷し、ヘルド式連続焼成炉
によって590℃の温度で、ピーク時間6分、lN−0
UT50分の焼成プロファイルによって焼成し、第1ガ
ラス層25を形成する。更に、第1ガラス層25一部を
変色させ、抵抗特性を表示するために、第1ガラス層2
5にレーザー光を照射し第1ガラス層25を変色させ、
変色部27を形成する。さらに、焼成済みの第1ガラス
層25の上に、第2ガラスペーストをスクリーン印刷し
、近赤外線乾燥炉によって150℃で10分乾燥する。
その後、ベルト式連続焼成炉によって590℃の温度で
ピーク時間6分、I N−0UT50分の焼成プロファ
イルによって焼成し、第2ガラス層26を形成する。
次に、端面電極を形成するための準備工程として、端面
電極を露出させるために、アルミナ基板21を短冊状に
分割し、短冊状アルミナ基板を得る一次基板分割を行う
。前記短佃状アルミナ基板の側面に、前記上面電極層2
2の一部に重なるように厚膜銀ペーストをローラーによ
って塗布し、ベルト式連続焼成炉によって600℃の温
度で、ために端面導体ペースト印刷・焼成を行う。次に
、電極メツキの準備工程として、前記端面電極層23を
形成済みの短冊上アルミナ基板を個片状に分割する二次
基板分割を行い、個片状アルミナ基板を得る。そして最
後に、露出している上面電極層22と端面電極層23の
はんだ付は時の電極喰われの防止およびはんだ付けの信
頼性の確保のため、電解メツキによってNiメツキ層2
8Sn−Pb1 メツキ層29を形成する電解メツキを行う。
以上の工程により、本発明の実施例2による角板型チッ
プ抵抗器を試作した。
これら、本発明の実施例1,2と従来例の性能比較を第
1表に示す。
第1表に示さなかった特性(抵抗温度特性、電流雑音特
性等)は本発明の実施例、従来例は同等の性能を有して
いることを確認した。
第1表 2 第1表より明らかなように、本発明の実施例1.2の角
板型チップ抵抗器はガラス表面の凹凸が小さいため実装
性能が優れ(斜め実装無し)、耐酸性も良好で、抵抗値
バラツキも従来品と比へ同等で優れた性能を有している
と言える。
なお、実施例1,2においては、第2ガラス層の変色部
を(実施例2においては、第1ガラス層の変色部を)形
成するためにレーザー光を照射しているが、変色部を形
成できるならば他の方法を用いてもよい。但し、レーザ
ー光による方法か最も生産性が高い。
また、ガラス層の変色部はガラス層を印刷焼成後すぐに
形成しているが、これは変色部を形成するガラス層の形
成後であればよい。但し、ガラス焼成後すぐが生産性が
高い。
また実施例においては、抵抗値トリミング前に抵抗値ド
リフトを抑えるためのプリコートガラスを形成しなかっ
たが、プリコートガラスを形成後にトリミングし、角板
型チップ抵抗器を試作しても同等の性能が得られる。
3 4 また、実施例2において、第1ガラス層25焼戊後、レ
ーザー光を透過する透明な第2ガラス層26を印刷焼成
し、その後に第2ガラス層26をレーザー光を透過させ
て第1ガラス層25のみを変色させることもできる。
発明の効果 以上の説明より明らかなように、本発明の角板型チップ
抵抗器は凹凸の原因となっていた。捺印ガラス層を用い
て表示するのでなくガラス層の変色部分にて抵抗特性表
示を行うためガラス表面は根本的に平滑になり、更に、
ガラスの焼成温度を低く抑えられるため、抵抗値ばらつ
きを大きくすることなく、ガラスの耐酸性も劣化させず
に、高精度実装を可能にした角板型チップ抵抗器を提供
することができるといったすぐれた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】 第1図、第2図は本発明の角板型チップ抵抗器の構造を
示す断面図、第3図は従来の角板型チップ抵抗器の構造
の一例を示す断面図、第4図は従来の角板型チップ抵抗
器が斜めに実装されたときの状態説明図である。 11.21・・・・・・96アルミナ基板、12.22
・・・・・・上面電極層、13,2.3・・・・・・端
面電極層、14゜24・・・・・・抵抗層、15.25
・・・・・・第1ガラス層、16.26・・・・・・第
2ガラス層、17.27・・・・・・変色部、18.2
8・・・・・・Niメツキ層、19.29・・・・・5
n−Pbメツキ層。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)絶縁性のセラミック基板と、前記セラミック基板
    上の銀系厚膜の一対の上面電極層と前記上面電極層の一
    部に重なるルテニウム系厚膜の抵抗層と、前記抵抗層を
    完全に覆う第1ガラス層と、前記第1ガラス層上に形成
    され抵抗特性を表す変色部を有する第2ガラス層と、前
    記上面電極層の一部に重なる銀系厚膜の端面電極層とよ
    り構成したことを特徴とする角板型チップ抵抗器。
  2. (2)絶縁性のセラミック基板と、前記セラミック基板
    上の銀系厚膜の一対の上面電極層と前記上面電極層の一
    部に重なるルテニウム系厚膜の抵抗層と、前記抵抗層を
    完全に覆いかつ抵抗特性を表す変色部を有する第1ガラ
    ス層と、前記第1ガラス層上の第2ガラス層と、前記上
    面電極層の一部に重なる銀系厚膜の端面電極層とより構
    成したことを特徴とする角板型チップ抵抗器。
  3. (3)第1ガラス層あるいは第2ガラス層に変色部を設
    ける際に、第2ガラス層を印刷焼成後にレーザー光によ
    って変色させたことを特徴とする請求項1または2記載
    の角板型チップ抵抗器の製造方法。
JP2121590A 1990-01-19 1990-05-11 角板型チップ抵抗器およびその製造方法 Pending JPH03263301A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07106103A (ja) * 1993-10-07 1995-04-21 Rohm Co Ltd チップ抵抗器の製造方法
JPH0831682A (ja) * 1994-07-12 1996-02-02 Tdk Corp レーザマーキングする電子部品及びその製造方法

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