JP3126131B2 - 角板型チップ抵抗器 - Google Patents
角板型チップ抵抗器Info
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- JP3126131B2 JP3126131B2 JP02011358A JP1135890A JP3126131B2 JP 3126131 B2 JP3126131 B2 JP 3126131B2 JP 02011358 A JP02011358 A JP 02011358A JP 1135890 A JP1135890 A JP 1135890A JP 3126131 B2 JP3126131 B2 JP 3126131B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は主に自動実装機により高密度配線回路に装備
される角板型チップ抵抗器に関するものである。
される角板型チップ抵抗器に関するものである。
従来の技術 近年、電子機器の軽薄短小化に対する要求がますます
増大していく中、回路基板の配線密度を高めるため、抵
抗素子には非常に小型な角板型チップ抵抗器が多く用い
られるようになってきた。
増大していく中、回路基板の配線密度を高めるため、抵
抗素子には非常に小型な角板型チップ抵抗器が多く用い
られるようになってきた。
また、この角板型チップ抵抗器は高速度でプリント基
板に実装するために、自動実装機により実装されること
がほとんどである。このため、角板型チップ抵抗器の実
装品質を高める要望が強くなってきている。
板に実装するために、自動実装機により実装されること
がほとんどである。このため、角板型チップ抵抗器の実
装品質を高める要望が強くなってきている。
従来の角板型チップ抵抗器の構造を第３図に示す。
従来の角板型チップ抵抗器は96アルミナ基板11と、銀
系厚膜電極による上面電極層12と端面電極層13、ルテニ
ウム系厚膜抵抗による抵抗層14と、抵抗層14を覆うプリ
コートガラス層15と、第１ガラス層16と捺印ガラス層17
と第２ガラス層18から構成されている。なお、露出電極
面には半田付け性を向上させるために、Niメッキ層19と
Sn−Pbメッキ層20を電解メッキにより施している。
系厚膜電極による上面電極層12と端面電極層13、ルテニ
ウム系厚膜抵抗による抵抗層14と、抵抗層14を覆うプリ
コートガラス層15と、第１ガラス層16と捺印ガラス層17
と第２ガラス層18から構成されている。なお、露出電極
面には半田付け性を向上させるために、Niメッキ層19と
Sn−Pbメッキ層20を電解メッキにより施している。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、従来の角板型チップ抵抗器では上面電
極層12と抵抗層14の一部を重ね合わせて形成しているた
め、重なり部分に盛り上がりが発生し、そしてこの盛り
上がりは第２ガラス層18の表面にまで影響するもので、
すなわち、第２ガラス層18の表面の端部は、上面電極層
12と抵抗層14の重なりによって盛り上がり、その結果、
第２ガラス層18の表面には約10〜20μの凹凸が発生して
しまうものであった。
極層12と抵抗層14の一部を重ね合わせて形成しているた
め、重なり部分に盛り上がりが発生し、そしてこの盛り
上がりは第２ガラス層18の表面にまで影響するもので、
すなわち、第２ガラス層18の表面の端部は、上面電極層
12と抵抗層14の重なりによって盛り上がり、その結果、
第２ガラス層18の表面には約10〜20μの凹凸が発生して
しまうものであった。
このように表面に凹凸がある角板型チップ抵抗器を自
動実装機でプリント基板等に実装しようとする場合、自
動実装機の吸着ピンで角板型チップ抵抗器を吸い上げた
ときに、第２ガラス層18の表面の凹凸のために吸着ピン
と角板型チップ抵抗器が点接触しているような形となっ
て角板型チップ抵抗器が回転してしまうことが多く、第
４図に示すように斜めに実装されることもあり、正確に
プリント基板に実装できないといった課題があった。な
お、第４図において、21はプリント基板、22は導体箔、
23は角板型チップ抵抗器である。
動実装機でプリント基板等に実装しようとする場合、自
動実装機の吸着ピンで角板型チップ抵抗器を吸い上げた
ときに、第２ガラス層18の表面の凹凸のために吸着ピン
と角板型チップ抵抗器が点接触しているような形となっ
て角板型チップ抵抗器が回転してしまうことが多く、第
４図に示すように斜めに実装されることもあり、正確に
プリント基板に実装できないといった課題があった。な
お、第４図において、21はプリント基板、22は導体箔、
23は角板型チップ抵抗器である。
本発明はこのような課題を解決するもので、ガラス層
の表面の凹凸を小さくして精度実装を実現できる角板型
チップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
の表面の凹凸を小さくして精度実装を実現できる角板型
チップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段 上記目的を達成するために本発明の角板型チップ抵抗
器は、絶縁性のセラミック基板と、前記セラミック基板
上に設けられた一対の銀系厚膜の上面電極層と、前記一
対の上面電極層の一部に重なるように設けられたルテニ
ウム系厚膜の抵抗層と、前記抵抗層上のくぼみ部分に、
前記一対の上面電極層間隔以下の長さで、かつ上面電極
層の一部と抵抗層の重なり部分の盛り上がりと同じぐら
いの高さまで設けられた第１ガラス層と、前記第１ガラ
ス層上に設けられた捺印ガラス層と、前記第１ガラス層
上に前記捺印ガラス層を完全に覆うように設けられた第
２ガラス層と、前記一対の上面電極層の一部に重なるよ
うに設けられた一対の銀系厚膜の端面電極層とにより構
成したものである。
器は、絶縁性のセラミック基板と、前記セラミック基板
上に設けられた一対の銀系厚膜の上面電極層と、前記一
対の上面電極層の一部に重なるように設けられたルテニ
ウム系厚膜の抵抗層と、前記抵抗層上のくぼみ部分に、
前記一対の上面電極層間隔以下の長さで、かつ上面電極
層の一部と抵抗層の重なり部分の盛り上がりと同じぐら
いの高さまで設けられた第１ガラス層と、前記第１ガラ
ス層上に設けられた捺印ガラス層と、前記第１ガラス層
上に前記捺印ガラス層を完全に覆うように設けられた第
２ガラス層と、前記一対の上面電極層の一部に重なるよ
うに設けられた一対の銀系厚膜の端面電極層とにより構
成したものである。
作用 上記構成によれば、絶縁性のセラミック基板と、前記
セラミック基板上に設けられた一対の銀系厚膜の上面電
極層と、前記一対の上面電極層の一部に重なるように設
けられたルテニウム系厚膜の抵抗層とを有し、前記抵抗
層上のくぼみ部分に、前記一対の上面電極層間隔以下の
長さで、かつ上面電極層の一部と抵抗層の重なり部分の
盛り上がりと同じぐらいの高さまで設けられた第１ガラ
ス層を設けているため、一対の上面電極層の一部に重な
るように設けられた抵抗層の重なり部分の高さと第１ガ
ラス層の高さがほぼ同一の高さとなり、その結果、この
第１ガラス層上に捺印ガラス層を完全に覆うように設け
られる第２ガラス層の表面は凹凸の小さなものとなるた
め、高精度実装が可能である角板型チップ抵抗器を提供
することができるというすぐれた作用を有するものであ
る。
セラミック基板上に設けられた一対の銀系厚膜の上面電
極層と、前記一対の上面電極層の一部に重なるように設
けられたルテニウム系厚膜の抵抗層とを有し、前記抵抗
層上のくぼみ部分に、前記一対の上面電極層間隔以下の
長さで、かつ上面電極層の一部と抵抗層の重なり部分の
盛り上がりと同じぐらいの高さまで設けられた第１ガラ
ス層を設けているため、一対の上面電極層の一部に重な
るように設けられた抵抗層の重なり部分の高さと第１ガ
ラス層の高さがほぼ同一の高さとなり、その結果、この
第１ガラス層上に捺印ガラス層を完全に覆うように設け
られる第２ガラス層の表面は凹凸の小さなものとなるた
め、高精度実装が可能である角板型チップ抵抗器を提供
することができるというすぐれた作用を有するものであ
る。
実施例 以下、本発明の実施例について、第１図、第２図を用
いて説明する。
いて説明する。
第１図および第２図は本発明の実施例を示す断面図で
ある。
ある。
まず、第１図において、本発明の角板型チップ抵抗器
は、96アルミナ基板１と、銀系厚膜電極による一対の上
面電極層２および一対の端面電極層３と、前記一対の上
面電極層２の一部に重なるように設けられたルテニウム
系厚膜抵抗による抵抗層４と、この抵抗層４上のくぼみ
部分に、前記一対の上面電極層間隔以下の長さで、かつ
上面電極層２の一部と抵抗層４の重なり部分の盛り上が
りと同じぐらいの高さまで設けられたプリコートガラス
層５と、前記プリコートガラス層５と前記抵抗層４が完
全に覆うように設けられた第１ガラス層６と、前記第１
ガラス層６上に設けられた捺印ガラス層７と、前記第１
ガラス層６上に前記捺印ガラス層７を完全に覆うように
設けられた第２ガラス層８とから構成されている。な
お、露出電極面には半田付け性を向上させるために、Ni
メッキ層９とSn−Pbメッキ層10を電解メッキにより形成
している。
は、96アルミナ基板１と、銀系厚膜電極による一対の上
面電極層２および一対の端面電極層３と、前記一対の上
面電極層２の一部に重なるように設けられたルテニウム
系厚膜抵抗による抵抗層４と、この抵抗層４上のくぼみ
部分に、前記一対の上面電極層間隔以下の長さで、かつ
上面電極層２の一部と抵抗層４の重なり部分の盛り上が
りと同じぐらいの高さまで設けられたプリコートガラス
層５と、前記プリコートガラス層５と前記抵抗層４が完
全に覆うように設けられた第１ガラス層６と、前記第１
ガラス層６上に設けられた捺印ガラス層７と、前記第１
ガラス層６上に前記捺印ガラス層７を完全に覆うように
設けられた第２ガラス層８とから構成されている。な
お、露出電極面には半田付け性を向上させるために、Ni
メッキ層９とSn−Pbメッキ層10を電解メッキにより形成
している。
次に、第１図に示した本発明の実施例の詳細について
説明する。まず、耐熱性および絶縁性に優れた96アルミ
ナ基板１を受け入れる。このアルミナ基板１には短冊状
および個片状に分割するために、分割のための溝（グリ
ーンシート時に金型成形）が形成されている。次に、前
記96アルミナ基板１上に厚膜銀ペーストをスクリーン印
刷し、ベルト式連続焼成炉によって850℃の温度で、ピ
ーク時間６分、IN−OUT時間45分のプロファイルによっ
て焼成し、一対の上面電極層２を形成する。次に、前記
一対の上面電極層２の一部に重なるように、RuO2を主成
分とする厚膜抵抗ペーストをスクリーン印刷し、ベルト
式連続焼成炉により850℃の温度でピーク時間６分、IN
−OUT時間45分のプロファイルによって焼成し、抵抗層
４を形成する。次に、前記抵抗層４上で前記一対の上面
電極層２の電極間隔以下の長さのパターンを用いて、プ
リコートガラスペーストを印刷し、ベルト式連続焼成炉
によって590℃の温度で、ピーク時間６分、IN−OUT時間
50分の焼成プロファイルによって焼成し、プリコートガ
ラス層５を形成する。次に、前記一対の上面電極層２間
の前記抵抗層４の抵抗値を揃えるために、レーザー光に
よって、前記抵抗層４と前記プリコートガラス層５の一
部を破壊し抵抗値修正を行う。更に、前記抵抗層４と前
記プリコートガラス層５を完全に覆うように、第１ガラ
スペーストをスクリーン印刷し、近赤外線乾燥炉によっ
て150℃で10分乾燥する。さらに、乾燥済みの第１ガラ
スペーストの上に、捺印ガラスペーストをスクリーン印
刷し、近赤外線乾燥炉によって110℃で10分乾燥する。
さらに、乾燥済みの第１ガラスペーストの上で乾燥済み
捺印ガラスペーストを完全に覆うように、第２ガラスペ
ーストをスクリーン印刷し、近赤外線乾燥炉によって15
0℃で10分乾燥する。その後、ベルト式連続焼成炉によ
って590℃の温度で、ピーク時間６分、IN−OUT時間50分
の焼成プロファイルによって焼成し、第１ガラス層６と
捺印ガラス層７と第２ガラス層８を同時に形成する。次
に、端面電極を形成するための準備工程として、端面電
極を露出させるために、アルミナ基板１を一次基板分割
である短冊状に分割し、短冊状アルミナ基板を得る。そ
して前記短冊状アルミナ基板の側面に、前記一対の上面
電極層２の一部に重なるように厚膜銀ペーストをローラ
ーによって塗布し、ベルト式連続焼成炉によって600℃
の温度で、ピーク時間６分、IN−OUT時間45分の焼成プ
ロファイルによって焼成し、一対の端面電極層３を形成
する。次に、電極メッキ工程の準備工程として、前記端
面電極層３を形成済みの短冊状アルミナ基板を個片状に
分割する二次基板分割を行い、個片状アルミナ基板を得
る。そして最後に、露出している一対の上面電極層２と
一対の端面電極層３の半田付け時の電極喰われの防止お
よび半田付けの信頼性の確保のため、電解メッキによっ
てNiメッキ層９、Sn−Pbメッキ層10を形成する。
説明する。まず、耐熱性および絶縁性に優れた96アルミ
ナ基板１を受け入れる。このアルミナ基板１には短冊状
および個片状に分割するために、分割のための溝（グリ
ーンシート時に金型成形）が形成されている。次に、前
記96アルミナ基板１上に厚膜銀ペーストをスクリーン印
刷し、ベルト式連続焼成炉によって850℃の温度で、ピ
ーク時間６分、IN−OUT時間45分のプロファイルによっ
て焼成し、一対の上面電極層２を形成する。次に、前記
一対の上面電極層２の一部に重なるように、RuO2を主成
分とする厚膜抵抗ペーストをスクリーン印刷し、ベルト
式連続焼成炉により850℃の温度でピーク時間６分、IN
−OUT時間45分のプロファイルによって焼成し、抵抗層
４を形成する。次に、前記抵抗層４上で前記一対の上面
電極層２の電極間隔以下の長さのパターンを用いて、プ
リコートガラスペーストを印刷し、ベルト式連続焼成炉
によって590℃の温度で、ピーク時間６分、IN−OUT時間
50分の焼成プロファイルによって焼成し、プリコートガ
ラス層５を形成する。次に、前記一対の上面電極層２間
の前記抵抗層４の抵抗値を揃えるために、レーザー光に
よって、前記抵抗層４と前記プリコートガラス層５の一
部を破壊し抵抗値修正を行う。更に、前記抵抗層４と前
記プリコートガラス層５を完全に覆うように、第１ガラ
スペーストをスクリーン印刷し、近赤外線乾燥炉によっ
て150℃で10分乾燥する。さらに、乾燥済みの第１ガラ
スペーストの上に、捺印ガラスペーストをスクリーン印
刷し、近赤外線乾燥炉によって110℃で10分乾燥する。
さらに、乾燥済みの第１ガラスペーストの上で乾燥済み
捺印ガラスペーストを完全に覆うように、第２ガラスペ
ーストをスクリーン印刷し、近赤外線乾燥炉によって15
0℃で10分乾燥する。その後、ベルト式連続焼成炉によ
って590℃の温度で、ピーク時間６分、IN−OUT時間50分
の焼成プロファイルによって焼成し、第１ガラス層６と
捺印ガラス層７と第２ガラス層８を同時に形成する。次
に、端面電極を形成するための準備工程として、端面電
極を露出させるために、アルミナ基板１を一次基板分割
である短冊状に分割し、短冊状アルミナ基板を得る。そ
して前記短冊状アルミナ基板の側面に、前記一対の上面
電極層２の一部に重なるように厚膜銀ペーストをローラ
ーによって塗布し、ベルト式連続焼成炉によって600℃
の温度で、ピーク時間６分、IN−OUT時間45分の焼成プ
ロファイルによって焼成し、一対の端面電極層３を形成
する。次に、電極メッキ工程の準備工程として、前記端
面電極層３を形成済みの短冊状アルミナ基板を個片状に
分割する二次基板分割を行い、個片状アルミナ基板を得
る。そして最後に、露出している一対の上面電極層２と
一対の端面電極層３の半田付け時の電極喰われの防止お
よび半田付けの信頼性の確保のため、電解メッキによっ
てNiメッキ層９、Sn−Pbメッキ層10を形成する。
以上の工程により、本発明の実施例による角板型チッ
プ抵抗器を試作した。
プ抵抗器を試作した。
このチップ抵抗器の第２ガラス層８の表面の凹凸は５
μｍ以下となりガラス層の表面が平坦になった。これに
より実装性も非常に優れ、従来品において発生していた
斜め実装（第４図）も10000個中６個から10000個中０個
に改善された。
μｍ以下となりガラス層の表面が平坦になった。これに
より実装性も非常に優れ、従来品において発生していた
斜め実装（第４図）も10000個中６個から10000個中０個
に改善された。
また、その他の特性（抵抗値バラツキ、TCR、寿命特
性）も従来品と比べ同等であることも確認した。
性）も従来品と比べ同等であることも確認した。
なお、上記本発明の実施例では抵抗値バラツキを小さ
くするためにプリコートガラス層５を形成したが、第２
図のように、プリコートガラス層５を除いて抵抗層４上
のくぼみ部分に、一対の上面電極層２の間隔以下の長さ
で、かつ上面電極層２の一部と抵抗層４の重なり部分の
盛り上がりと同じぐらいの高さまで第１ガラス層６を形
成することによってもガラス層の表面の平坦性は確保で
きるものである。
くするためにプリコートガラス層５を形成したが、第２
図のように、プリコートガラス層５を除いて抵抗層４上
のくぼみ部分に、一対の上面電極層２の間隔以下の長さ
で、かつ上面電極層２の一部と抵抗層４の重なり部分の
盛り上がりと同じぐらいの高さまで第１ガラス層６を形
成することによってもガラス層の表面の平坦性は確保で
きるものである。
発明の効果 以上のように本発明の角板型チップ抵抗器は、絶縁性
のセラミック基板と、前記セラミック基板上に設けられ
た一対の銀系厚膜の上面電極層と、前記一対の上面電極
層の一部に重なるように設けられたルテニウム系厚膜の
抵抗層とを有し、前記抵抗層上のくぼみ部分に、前記一
対の上面電極層間隔以下の長さで、かつ上面電極層の一
部と抵抗層の重なり部分の盛り上がりと同じぐらいの高
さまで第１ガラス層を設けているため、一対の上面電極
層の一部に重なるように設けられた抵抗層の重なり部分
の高さと第１ガラス層の高さがほぼ同一の高さとなり、
その結果、この第１ガラス層上に捺印ガラス層を完全に
覆うように設けられる第２ガラス層の表面は凹凸の小さ
なものとなるため、高精度実装が可能である角板型チッ
プ抵抗器を提供することができるというすぐれた効果を
有するものである。
のセラミック基板と、前記セラミック基板上に設けられ
た一対の銀系厚膜の上面電極層と、前記一対の上面電極
層の一部に重なるように設けられたルテニウム系厚膜の
抵抗層とを有し、前記抵抗層上のくぼみ部分に、前記一
対の上面電極層間隔以下の長さで、かつ上面電極層の一
部と抵抗層の重なり部分の盛り上がりと同じぐらいの高
さまで第１ガラス層を設けているため、一対の上面電極
層の一部に重なるように設けられた抵抗層の重なり部分
の高さと第１ガラス層の高さがほぼ同一の高さとなり、
その結果、この第１ガラス層上に捺印ガラス層を完全に
覆うように設けられる第２ガラス層の表面は凹凸の小さ
なものとなるため、高精度実装が可能である角板型チッ
プ抵抗器を提供することができるというすぐれた効果を
有するものである。
第１図および第２図はそれぞれ本発明の一実施例による
角板型チップ抵抗器の構造を示す断面図、第３図は従来
の角板型チップ抵抗器の構造の一例を示す断面図、第４
図は従来の角板型チップ抵抗器が斜めに実装されたとき
の状態説明図である。 １……96アルミナ基板、２……上面電極層、３……端面
電極層、４……抵抗層、５……プリコートガラス層、６
……第１ガラス層、７……捺印ガラス層、８……第２ガ
ラス層、９……Niメッキ層、10……Sn−Pbメッキ層。
角板型チップ抵抗器の構造を示す断面図、第３図は従来
の角板型チップ抵抗器の構造の一例を示す断面図、第４
図は従来の角板型チップ抵抗器が斜めに実装されたとき
の状態説明図である。 １……96アルミナ基板、２……上面電極層、３……端面
電極層、４……抵抗層、５……プリコートガラス層、６
……第１ガラス層、７……捺印ガラス層、８……第２ガ
ラス層、９……Niメッキ層、10……Sn−Pbメッキ層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松井 純治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 中元 順 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−152701（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−70401（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭55−79501（ＪＰ，Ｕ)
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁性のセラミック基板と、前記セラミッ
ク基板上に設けられた一対の銀系厚膜の上面電極層と、
前記一対の上面電極層の一部に重なるように設けられた
ルテニウム系厚膜の抵抗層と、前記抵抗層上のくぼみ部
分に、前記一対の上面電極層間隔以下の長さで、かつ上
面電極層の一部と抵抗層の重なり部分の盛り上がりと同
じぐらいの高さまで設けられた第１ガラス層と、前記第
１ガラス層上に設けられた捺印ガラス層と、前記第１ガ
ラス層上に前記捺印ガラス層を完全に覆うように設けら
れた第２ガラス層と、前記一対の上面電極層の一部に重
なるように設けられた一対の銀系厚膜の端面電極層とに
より構成したことを特徴とする角板型チップ抵抗器。 - 【請求項２】絶縁性のセラミック基板と、前記セラミッ
ク基板上に設けられた一対の銀系厚膜の上面電極層と、
前記一対の上面電極層の一部に重なるように設けられた
ルテニウム系厚膜の抵抗層と、前記抵抗層上のくぼみ部
分に、前記一対の上面電極層間隔以下の長さで、かつ上
面電極層の一部と抵抗層の重なり部分の盛り上がりと同
じぐらいの高さまで設けられたプリコートガラス層と、
前記プリコートガラス層と前記抵抗層を完全に覆うよう
に設けられた第１ガラス層と、前記第１ガラス層上に設
けられた捺印ガラス層と、前記第１ガラス層上に前記捺
印ガラス層を完全に覆うように設けられた第２ガラス層
と、前記一対の上面電極層の一部に重なるように設けら
れた一対の銀系厚膜の端面電極層とにより構成したこと
を特徴とする角板型チップ抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02011358A JP3126131B2 (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 角板型チップ抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02011358A JP3126131B2 (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 角板型チップ抵抗器 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10317384A Division JP3104690B2 (ja) | 1998-11-09 | 1998-11-09 | 角板型チップ抵抗器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03215901A JPH03215901A (ja) | 1991-09-20 |
| JP3126131B2 true JP3126131B2 (ja) | 2001-01-22 |
Family
ID=11775808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02011358A Expired - Fee Related JP3126131B2 (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | 角板型チップ抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3126131B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997002579A1 (fr) * | 1995-07-05 | 1997-01-23 | Rohm Co., Ltd. | Dispositif de puce a plusieurs elements et son procede de fabrication |
| JPH10189318A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-07-21 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | ネットワーク抵抗器の製造方法 |
| JP3756612B2 (ja) * | 1997-03-18 | 2006-03-15 | ローム株式会社 | チップ型抵抗器の構造及びその製造方法 |
| EP1096512B1 (en) * | 1999-10-28 | 2005-08-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thick-film resistor and ceramic circuit board |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP02011358A patent/JP3126131B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03215901A (ja) | 1991-09-20 |
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