JP3756612B2 - チップ型抵抗器の構造及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ型の絶縁基板に、抵抗膜と、その両端に対する端子電極とを形成して成るチップ型抵抗器において、その構造と、その製造方法とに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来におけるチップ型型抵抗器は、例えば、特開昭６０−２７１０４号公報等に記載されているように、チップ型の絶縁基板の上面に形成した抵抗膜を覆うカバーコートの上面が、前記抵抗膜の両端に対する端子電極の上面よりも可成り突出し、カバーコートの上面と両端子電極の上面との間の段差が大きいと言う構造であったから、このチップ型抵抗器を、プリント基板に対して、当該チップ型抵抗器における抵抗膜側をプリント基板に向けた状態にして半田付けするとき、片側がプリント基板から浮き上がってしまって、両端の端子電極を確実に半田付けできないことが多発するのであった。
【０００３】
そこで、先行技術としての特開平４−１０２３０２号公報は、図２８及び図２９に示すように、チップ型絶縁基板１の左右両端部に、抵抗膜２の両端に対する端子電極３を形成するに際して、この両端子電極３を、前記絶縁基板２の上面に抵抗膜２に導通するように形成した主上面電極３ａと、この主上面電極３ｂの上面に盛り上げるよう形成した補助上面電極３ｂと、前記絶縁基板の他面に形成した側面電極３ｃと、前記補助上面電極３ｂ及び側面電極３ｃの表面に形成した金属メッキ層３ｄとで構成することにより、この両端子電極３の上面と、カバーコート４の上面との間における段差を、前記補助上面電極３ｂにて、小さくするか或いは無くすることを提案している。
【０００４】
なお、前記カバーコート４は、抵抗膜２を直接に覆うアンダーコート４ａと、このアンダーコート４ａを覆うミドルコート４ｂと、このミドルコート４ｂを覆うオーバーコート４ｃとの三層になっているか、前記アンダーコート４ａ又はミドルコート４ｂを省略した二層構造になっている。
また、前記先行技術のチップ型抵抗器は、前記公報等に記載されているように、
▲１▼．前記絶縁基板１の上面に、両主上面電極３ａを抵抗膜２を成形するか、或いは、抵抗膜２を形成したのち両主上面電極３ａを形成する。
▲２▼．次いで、前記抵抗膜２のに対してガラスによるアンダーコート４ａを形成したのち、前記両主上面電極３ａに通電用プローブを接触して前記抵抗膜２の抵抗値を測定しながら、前記抵抗膜２及びアンダーコート４ａに対してレーザ光線の照射等にてトリミング溝を刻設することにより、前記抵抗膜２における抵抗値が所定の許容範囲内に入るようにトリミング調整する。
▲３▼．次いで、前記アンダーコート４ａの表面に対して、前記トリミング溝を塞ぐためにガラス等によるミドルコート４ｂを形成したのち、これらの全体を覆うガラス又は合成樹脂によるオーバーコート４ｃを形成する。
▲４▼．そして、前記両主上面電極３ａの上面に補助上面電極３ｂを形成し、絶縁基板１の端面に側面電極３ｃを形成したのち、全体に対して金属メッキ処理を施すことにより、金属メッキ層３ｄを形成する。
と言う順序で製造される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、この先行技術は、両主上面電極３ａの上面に、補助上面電極３ｂ用の導電ペーストを、スクリーン印刷にて、直接的に塗着することによって、補助上面電極３ｂを形成するものであって、この補助上面電極３ｂによってカバーコート４の上面との間における段差を小さくするか無くするためには、当該補助上面電極３ｂの厚さを厚くしなければならない。
【０００６】
しかし、この補助上面電極３ｂの厚さを厚くするためには、当該補助上面電極用の導電ペーストをスクリーン印刷にて塗布することの回数を多くしなければならないばかりか、前記導電ペーストの使用量が多くなるから、製造コストが大幅にアップすると言う問題があった。
本発明は、この問題を解消できる構造と、その製造方法とを提供することを技術的課題とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この技術的課題を達成するため本発明におけるチップ型抵抗器は，
「絶縁基板における長さ方向の両端部に，前記絶縁基板の上面にその長さ方向に延びるように形成した抵抗膜の両端に対する端子電極を備え，この両端子電極を，少なくとも，前記抵抗膜に対して導通するように形成した主上面電極と，この主上面電極の上面に形成した補助上面電極と，これらの表面に形成した金属メッキ層とで構成する一方，前記絶縁基板の上面に前記抵抗膜を覆うカバーコートを形成して成る抵抗器において，
前記絶縁基板における上面のうち長さ方向に前記カバーコートより外側の両端部で且つ幅方向の両側の部分に，前記抵抗膜による延長部又は飛び地部を，当該延長部又は飛び地部が前記主上面電極における幅方向の両側の一部に対して重なるように構成する一方，前記主上面電極の上面における前記補助上面電極を，その一部が前記延長部又は飛び地部の上面と前記カバーコートの端部とに重なるように，前記カバーコートを形成した後において形成する。」
か，
「絶縁基板における長さ方向の両端部に，前記絶縁基板の上面にその長さ方向に延びるように形成した抵抗膜の両端に対する端子電極を備え，この両端子電極を，少なくとも，前記抵抗膜に対して導通するように形成した主上面電極と，この主上面電極の上面に形成した補助上面電極と，これらの表面に形成した金属メッキ層とで構成する一方，前記絶縁基板の上面に前記抵抗膜を覆うカバーコートを形成して成る抵抗器において，
前記絶縁基板における上面のうち長さ方向に前記カバーコートより外側の両端部で且つ幅方向の両側の部分に，前記抵抗膜による延長部又は飛び地部を形成する一方，前記主上面電極を，その幅方向の両側における一部が前記延長部又は飛び地部の上面に対して重なるように形成し，更に，前記主上面電極の上面における前記補助上面電極を，その一部が前記主上面電極における上面のうち前記延長部又は飛び地部の上面に対して重なる部分と前記カバーコートの端部とに重なるように，前記カバーコートを形成した後において形成する。」
と言う構成にした。
【０００８】
また，本発明におけるチップ型抵抗器は，
「絶縁基板における長さ方向の両端部に，前記絶縁基板の上面にその長さ方向に延びるように形成した抵抗膜の両端に対する端子電極を備え，この両端子電極を，少なくとも，前記抵抗膜に対して導通するように形成した主上面電極と，この主上面電極の上面に形成した補助上面電極と，これらの表面に形成した金属メッキ層とで構成する一方，前記絶縁基板の上面に前記抵抗膜を覆うカバーコートを形成して成る抵抗器において，
前記絶縁基板における上面のうち長さ方向に前記カバーコートより外側の両端部で且つ幅方向の両側の部分に，前記抵抗膜による延長部又は飛び地部を，当該延長部又は飛び地部が前記主上面電極における幅方向の両側の一部に対して重なるように形成する一方，前記主上面電極の上面における前記補助上面電極を，前記両主上面電極の上面のうち前記延長部又は飛び地部の間の部分に，その一部が前記カバーコートの端部に重なるように，前記カバーコートを形成した後において形成する。」
か，
「絶縁基板における長さ方向の両端部に，前記絶縁基板の上面にその長さ方向に延びるように形成した抵抗膜の両端に対する端子電極を備え，この両端子電極を，少なくとも，前記抵抗膜に対して導通するように形成した主上面電極と，この主上面電極の上面に形成した補助上面電極と，これらの表面に形成した金属メッキ層とで構成する一方，前記絶縁基板の上面に前記抵抗膜を覆うカバーコートを形成して成る抵抗器において，
前記絶縁基板における上面のうち長さ方向に前記カバーコートより外側の両端部で且つ幅方向の両側の部分に，前記抵抗膜による延長部又は飛び地部を形成する一方，前記主上面電極を，その幅方向の両側における一部が前記延長部又は飛び地部の上面に対して重なるように形成し，更に，前記主上面電極の上面における前記補助上面電極を，前記主上面電極における上面のうち前記延長部又は飛び地部に対して重なる部分の間に，その一部が前記カバーコートの端部に重なるように，前記カバーコートを形成した後において形成する。」
と言う構成にした。
【０００９】
更にまた，本発明の製造方法は，
「絶縁基板の上面のうち長さ方向の両端部に主上面電極を形成する工程と，前記絶縁基板の上面に両端が前記主上面電極に導通する抵抗膜を，当該抵抗膜による延長部又は飛び地部を前記絶縁基板における上面のうち長さ方向の両端部で且つ幅方向の両側の部分に設けて形成する工程とを備え，これら主上面電極を形成する工程及び抵抗膜を形成する工程が，前記抵抗膜による前記延長部又は飛び地部と前記両主上面電極における幅方向の両側の一部とを相互に重なるようにして形成する工程であり，
次いで，前記抵抗膜を覆うカバーコートを，当該カバーコートの外側に前記主上面電極及び前記延長部又は飛び地部が位置するように形成する工程を備え，次いで，前記絶縁基板における上面に補助上面電極を，その一部が前記抵抗膜による延長部又は飛び地部と前記両主上面電極における幅方向の左右両側の一部とが相互に重なる部分及び前記カバーコートの端部に重なるように形成する工程を備え，次いで，金属メッキ層を形成する工程を備えていることを特徴とする。」
か，
「絶縁基板の上面のうち長さ方向の両端部に主上面電極を形成する工程と，前記絶縁基板の上面に両端が前記主上面電極に導通する抵抗膜を，当該抵抗膜による延長部又は飛び地部を前記絶縁基板における上面のうち長さ方向の両端部で且つ幅方向の両側の部分に設けて形成する工程とを備え，これら主上面電極を形成する工程及び抵抗膜を形成する工程が，前記抵抗膜による前記延長部又は飛び地部と前記両主上面電極における幅方向の両側の一部とを相互に重なるようにして形成する工程であり，
次いで，前記抵抗膜を覆うカバーコートを，当該カバーコートの外側に前記主上面電極及び前記延長部又は飛び地部が位置するように形成する工程を備え，次いで，前記主上面電極における上面のうちその幅方向の両側と前記延長部又は飛び地部とが相互に重なる部分の間に補助上面電極を，その一部が前記カバーコートの端部に重なるように形成する工程を備え，次いで，金属メッキ層を形成する工程を備えていることを特徴とする。」
ものである。
【００１０】
【発明の作用・効果】
前記したように、両主上面電極の上面における左右両側に、抵抗膜における延長部又は飛び地部を形成し、この延長部又は飛び地部の上面に、補助上面電極を形成することにより、左右両端子電極は、主上面電極と、抵抗膜における延長部又は飛び地部と、補助上面電極との三層構造になって、絶縁基板の上面から補助上面電極の上面までの高さには、従来の補助上面電極及び主上面電極の厚さに、抵抗膜の厚さが加算されることになるから、補助上面電極における厚さを、従来の場合よりも抵抗膜の厚さの分だけ薄くすることができるのである。
【００１１】
また、前記したように、両主上面電極の上面における左右両側に、抵抗膜における延長部又は飛び地部を形成し、前記主上面電極の上面のうちこの延長部又は飛び地部の間の部分に、補助上面電極を形成することにより、この補助上面電極を、導電ペーストのスクリーン印刷等の塗布にて形成するときにおいて、この左右両側に位置する前記延長部又は飛び地部が、この間の部分に塗布した導電ペーストにおける絶縁基板の幅方向への流れを阻止すると言う堰止めとして作用するから、前記導電ペーストを、少ない量で高く盛り上げることができるのである。
【００１２】
この場合において、前記抵抗膜における延長部又は飛び地部を、両主上面電極の上面のうち左右両側の部分に形成したことにより、抵抗膜を、その抵抗値を測定しながらトリミング調整するとき、前記両主上面電極の各々に対して通電用のプローブを直接的に接触することができるから、前記抵抗膜のトリミング調整を正確に行うことができるのである。
【００１３】
従って、本発明によると、トリミング調整の正確性を損なうことなく、補助上面電極を形成することのために要する導電ペーストの使用量を少なくでき、且つ、前記導電ペーストをスクリーン印刷にて塗布することの回数を少なくできるから、製造コストを大幅に低減できると言う効果を有する。
また、このような作用・効果は、「請求項３」に記載したように、両主上面電極の上面における左右両側に、抵抗膜における延長部又は飛び地部を重ねて形成し、前記両主上面電極の上面のうち前記抵抗膜における延長部又は飛び地部の間に、補助上面電極を形成するか、或いは、「請求項４」に記載したように、両主上面電極を、その左右両側を前記抵抗膜における延長部又は飛び地部に重ねて形成し、この両主上面電極の上面のうち前記抵抗膜における延長部又は飛び地部に重なる部分の間に、補助上面電極を形成すると言う構成にすることによっても達成できる。
【００１４】
特に、本発明の製造方法は、前記抵抗膜における延長部又は飛び地部を、抵抗膜を形成するとき同時に形成するものであるから、前記延長部又は飛び地部を形成することのために工数が増えることを回避できる効果を有する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の実施の形態を図面について説明する。
図１〜図１９は，第１の実施形態を示す。
この第１の実施形態は，以下に述べる方法によって製造される。
ｉ）．先づ，図１に示すように，チップ型に構成した絶縁基板１１の上面のうち長さ方向の両端部の部分に主上面電極１３ａを，その材料導電ペーストのスクリーン印刷による塗布及び焼成にて形成する。
ii ）．次いで，図２〜図５に示すように，前記絶縁基板１１の上面に，抵抗膜１２を，その材料ペーストのスクリーン印刷による塗布及び焼成にて，前記絶縁基板１１の長さ方向に延びるように形成するに際して，この抵抗膜１２の形成と同時に，前記両主上面電極１３ａの上面のうち長さ方向の両端部で且つ幅方向の両側の部分に，前記抵抗膜１２から一体的に延びる延長部１２′を，前記主上面電極１３ａにおける上面のうち幅方向の両側の一部に重ねて形成する。
iii). 次いで，前記絶縁基板１１の上面に，図６及び図７に示すように，前記抵抗膜１２を覆うガラスによるアンダーコート１４ａを，材料のスクリーン印刷による塗布及び焼成にて，前記主上面電極１３ａ及び前記延長部１２′が当該アンダーコート１４ａの外側に位置するように形成したのち，前記両主上面電極１３ａの上面のうち前記両延長部１２′の間の部分に通電用プローブ（図示せず）を接触して前記抵抗膜１２の抵抗値を測定しながら，前記抵抗膜１２及びアンダーコート１４ａに対してレーザ光線の照射等にてトリミング溝１２ａを刻設することにより，前記抵抗膜１２における抵抗値が所定の許容範囲内に入るようにトリミング調整する。
vi).次いで，前記絶縁基板１１の上面に，図８及び図９に示すように，前記トリミング溝１２ｂを塞ぐためのガラスによるミドルコート１４ｂを，材料のスクリーン印刷による塗布及び焼成にて, 前記アンダーコート１４ａと同様に，前記主上面電極１３ａ及び前記延長部１２′が当該ミドルコート１４ｂの外側に位置するように形成する。
ｖ）．更に，前記絶縁基板１１の上面に，図１０及び図１１に示すように，前記ミドルコート１４ｂの全体を覆うオーバーコート１４ｃを，材料のスクリーン印刷による塗布及び焼成にて，前記アンダーコート１４ａ及び前記ミドルコート１４ｂと同様に，前記主上面電極１３ａ及び前記延長部１２′が当該オーバーコート１４ｃの外側に位置するように形成することにより，これらアンダーコート１４ａ，ミドルコート１４ｂ及びオーバーコート１４ｃによる三層構造のカバーコート１４を構成する。
vi).次いで，前記両主上面電極１３ａの上面に，図１２〜図１４に示すように，補助上面電極１３ｂを，前記抵抗膜１２における延長部１２′と主上面電極１３ａの上面との両方に跨がるように重なるとともに，その一部が前記オーバーコート１４ｃの端部に重ねるように，その材料導電ペーストのスクリーン印刷による塗布及び焼成にて形成する。
vii). そして，図１５及び図１６に示すように，前記絶縁基板１１における左右両端面に，側面電極１３ｃをその材料導電ペーストの塗布及び焼成にて形成したのち，全体に対して金属メッキ処理を施して，前記両補助上面電極１３ｂ及び両側面電極１３ｃの表面に金属メッキ層１３ｄを形成することにより，端子電極１３を構成するのである。
【００１６】
このようにして製造されたチップ型抵抗器において、その両端子電極１３のうち絶縁基板１１の上面の部分は、図１５及び図１６に示すように、両端子電極１３における主上面電極１３ａの上面の左右両側には、抵抗膜１２における延長部１２′が形成され、この両延長部１２′の上面に補助上面電極１３ｂが形成されていると言うように三層構造になっていることにより、前記絶縁基板１１の上面から補助上面電極１３ｂの上面までの高さＨ１（正確には、絶縁基板１１の上面から金属メッキ層１３ｃの上面までの高さ寸法）には、当該高さＨ１を絶縁基板１１の上面からオーバーコート１４ｃの上面までの高さＨ０に等しいか略等しくした場合に、補助上面電極１３ｂの厚さＴｂと、主上面電極１３ａの厚さＴａとに加えて、前記抵抗膜１２の厚さＴ１が加算されることになるから、補助上面電極１３ｂにおける厚さＴｂを、従来の場合よりも抵抗膜１２の厚さＴ１の分だけ薄くすることができるのである。
【００１７】
なお、前記抵抗膜１２における延長部１２′は、これに代えて、図１７に示すように、抵抗膜１２と分離した飛び地部１２″の形態にしても良く、また、前記延長部１２′と飛び地部１２″とを適宜組み合わせた形態、つまり、前記両主上面電極１３ａのうち一方の主上面電極には、前記した延長部１２′を、他方の主上面電極には、前記した飛び地部１２″を形成するように構成しても良いのである。
【００１８】
更にまた、前記した第１の実施形態のように、先に、両主上面電極１３ａを形成し、次いで、抵抗膜１２を、その延長部１２′又は飛び地部１２″を前記両主上電極１３ａの左右両側に重ねて形成し、補助上面電極１３ｂを、前記抵抗膜１２における延長部１２′又は飛び地部１２″に重ねて形成することに代えて、図１８及び図１９に示すように、先に、抵抗膜１２を、これに延長部１２′又は飛び地部１２″を設けて形成し、次いで、両主上面電極１３ａを、その左右両側を前記抵抗膜１２における延長部１２′又は飛び地部１２″に重ねて形成し、更に、補助上面電極１３ｂを、前記両主上面電極１３ａの上面のうち前記抵抗膜１２の延長部１２′又は飛び地部１２″の部分に重ねて形成すると言う構成にしても良いのである（他の構成は同様である）。
【００１９】
次に，図２０〜図２４は，第２の実施形態を示す。
この第２の実施形態は，オーバーコート１４ｃを形成するまでは，前記第１の実施形態の場合と同様であるが，その後において，補助上面電極１３ｂを形成するときにおいて，前記第１の実施形態と相違する。
すなわち，前記両主上面電極の上面に補助上面電極を形成するに際して，図２０〜図２２に示すように，前記主上面電極１３ａ，抵抗膜１２及びカバーコート１４を形成した後において，前記主上面電極１３ａの上面のうち幅方向に一対の延長部１２′又は飛び地部１２″の間の部分に対してのみ補助上面電極１３ｂ′を形成する。
【００２０】
なお、この補助上面電極１３ｂ′は、前記と同様に、その材料導電ペーストのスクリーン印刷による塗布及び焼成にて形成しても良いが、絶縁基板１１の両端面に対する側面電極１３ｃの形成と同時に、つまり、絶縁基板１１における左右両端面に側面電極１３ｃ用の材料導電ペーストを塗布するときに、この材料導電ペーストの一部を、主上面電極１３ａの上面側に盛り上げることによって形成するようにしても良い。
【００２１】
次いで、図２３及び図２４に示すように、前記絶縁基板１１における左右両端面に、側面電極１３ｃを同様にして形成したのち、全体に対して金属メッキ処理を施して、前記両補助上面電極１３ｂ及び両側面電極１３ｃの表面に金属メッキ層１３ｄを形成することにより、端子電極１３を構成するのである。
このようにして製造されたチップ型抵抗器は、図２３及び図２４に示すように、両端子電極１３における主上面電極１３ａの左右両側には、抵抗膜１２における延長部１２′又は飛び地部１２″が位置し、且つ、この主上面電極１３ａの上面のうち前記両延長部１２′又は飛び地部１２″の間の部分に、補助上面電極１３ｂ′が形成されると言う形態になっていることにより、この補助上面電極１３ｂ′を、その材料導電ペーストのスクリーン印刷等にて塗布して形成するとき、この左右両側に位置する前記延長部又は飛び地部が、この間の部分に塗布した導電ペーストにおける絶縁基板の幅方向への流れを阻止すると言う堰止めのとして作用するから、前記導電ペーストを少ない量で高く盛り上げることができるのである。
【００２２】
この第２の実施形態においては、前記抵抗膜１２における延長部１２′又は飛び地部１２″の上面に、図２５に示すように、前記アンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′（又は飛び地部）を形成することにより、主上面電極１３ａの上面から高さを高くすることができるから、前記補助上面電極１３ｂ′を形成するに際して、その導電ペーストを少ない量で高く盛り上げることの効果を助長できると共に、このアンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′（又は飛び地部）にて、前記抵抗膜１２における延長部１２′又は飛び地部１２″を覆うことができるから、金属メッキ処理に際して、図２６に示すように、補助上面電極１３ｂにのみ金属メッキ層１３ｃを形成できて、前記抵抗膜１２における延長部１２′又は飛び地部１２″の表面に金属メッキ層１３ｃが形成されることを回避できるのである。
【００２３】
この場合において、抵抗膜１２における延長部１２′又は飛び地部１２″の上面には、前記したように、アンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′（又は飛び地部）を形成することに代えて、ミドルコート１４ｂにおける延長部（又は飛び地部）を形成するか、オーバーコート１４ｃにおける延長部（又は飛び地部）を形成するように構成しても良く、また、前記アンダーコート１４ａ、ミドルコート１４ｂ及びオーバーコート１４ｃのうち少なくとも二つのコートの延長部（又は飛び地部）を形成するようにしても良いことは言うまでもない。
【００２４】
また、前記した第２の実施形態においても、前記したように、先に、両主上面電極１３ａを形成し、次いで、抵抗膜１２を、その延長部１２′又は飛び地部１２″を前記両主上電極１３ａの左右両側に重ねて形成し、補助上面電極１３ｂを、前記両主上面電極１３ａの上面のうち前記抵抗膜１２における延長部１２′又は飛び地部１２″の間に、重ねて形成することに代えて、図１８及び図１９に示す場合と同様に、先に、抵抗膜１２を、これに延長部１２′又は飛び地部１２″を設けて形成し、次いで、両主上面電極１３ａを、その左右両側を前記抵抗膜１２における延長部１２′又は飛び地部１２″に重ねて形成し、補助上面電極１３ｂを、前記両主上面電極１３ａの上面のうち前記抵抗膜１２の延長部１２′又は飛び地部１２″に重なる部分の間に、重ねて形成すると言う構成にしても良いのである。
【００２５】
更にまた、前記した各実施形態においては、図２７に示すように、絶縁基板１１の下面に、端子電極１３の一部を構成する下面電極１３ｅを形成することにより、抵抗膜１２の面を上向きにしてプリント基板に対して実装できるように構成することができる。
なお、この両下面電極１３ｅは、一般的には、前記主上面電極１３ａ又は抵抗膜１２を形成する以前の工程において、材料ペーストのスクリーン印刷及び焼成にて形成されるのであるが、この下面電極１３ｅを、絶縁基板１１の両端面に対する側面電極１３ｃの形成と同時に、つまり、絶縁基板１１における左右両端面に側面電極１３ｃ用の材料導電ペーストを塗布するときに、この材料導電ペーストの一部を、絶縁基板１１の下面に盛り上げることによって形成するようにしても良いのである。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態において絶縁基板に主上面電極を形成した状態を示す斜視図である。
【図２】第１の実施形態において絶縁基板に抵抗膜を形成した状態を示す斜視図である。
【図３】図２の平面図である。
【図４】図３のIV−IV視断面図である。
【図５】図３のＶ−Ｖ視断面図である。
【図６】第１の実施形態において絶縁基板にアンダーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図７】図６のVII −VII 視断面図である。
【図８】第１の実施形態において絶縁基板にミドルコートを形成した状態を示す平面図である。
【図９】図８のIX−IX視断面図である。
【図１０】第１の実施形態において絶縁基板にオーバーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図１１】図１０のXI−XI視断面図である。
【図１２】第１の実施形態において絶縁基板に補助上面電極を形成した状態を示す平面図である。
【図１３】図１２のXIII−XIII視断面図である。
【図１４】図１２のXIV −XIV 視断面図である。
【図１５】第１の実施形態によるチップ型抵抗器を示す縦断正面図である。
【図１６】図１５のXVI −XVI 視断面図である。
【図１７】第１の実施形態における変形例を示す平面図である。
【図１８】第１の実施形態における別の変形例を示す平面図である。
【図１９】図１８のXIX −XIX 視断面図である。
【図２０】第２の実施形態において絶縁基板に補助上面電極を形成した状態を示す平面図である。
【図２１】図２０のXXI −XXI 視断面図である。
【図２２】図２０のXXII−XXII視断面図である。
【図２３】第２の実施形態によるチップ型抵抗器を示す縦断正面図である。
【図２４】図２３のXXIV−XXIV視断面図である。
【図２５】第２の実施形態の変形例を示す図２０と同じ箇所の断面図である。
【図２６】第２の実施形態の別の変形例を示す図２２と同じ箇所の断面図である。
【図２７】別の実施形態によるチップ型抵抗器を示す縦断正面図である。
【図２８】先行技術によるチップ型抵抗器を示す斜視図である。
【図２９】図２８のXXIX−XXIX視断面図である。
【符号の説明】
１１ 絶縁基板
１２ 抵抗膜
１２′ 抵抗膜の延長部
１２″ 抵抗膜の飛び地部
１３ 端子電極
１３ａ 主上面電極
１３ｂ，１３ｂ′ 補助上面電極
１３ｃ 側面電極
１４ カバーコート
１４ａ アンダーコート
１４ａ′ アンダーコートの延長部
１４ｂ ミドルコート
１４ｃ オーバーコート
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ型の絶縁基板に、抵抗膜と、その両端に対する端子電極とを形成して成るチップ型抵抗器において、その構造と、その製造方法とに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来におけるチップ型型抵抗器は、例えば、特開昭６０−２７１０４号公報等に記載されているように、チップ型の絶縁基板の上面に形成した抵抗膜を覆うカバーコートの上面が、前記抵抗膜の両端に対する端子電極の上面よりも可成り突出し、カバーコートの上面と両端子電極の上面との間の段差が大きいと言う構造であったから、このチップ型抵抗器を、プリント基板に対して、当該チップ型抵抗器における抵抗膜側をプリント基板に向けた状態にして半田付けするとき、片側がプリント基板から浮き上がってしまって、両端の端子電極を確実に半田付けできないことが多発するのであった。
【０００３】
そこで、先行技術としての特開平４−１０２３０２号公報は、図２８及び図２９に示すように、チップ型絶縁基板１の左右両端部に、抵抗膜２の両端に対する端子電極３を形成するに際して、この両端子電極３を、前記絶縁基板２の上面に抵抗膜２に導通するように形成した主上面電極３ａと、この主上面電極３ｂの上面に盛り上げるよう形成した補助上面電極３ｂと、前記絶縁基板の他面に形成した側面電極３ｃと、前記補助上面電極３ｂ及び側面電極３ｃの表面に形成した金属メッキ層３ｄとで構成することにより、この両端子電極３の上面と、カバーコート４の上面との間における段差を、前記補助上面電極３ｂにて、小さくするか或いは無くすることを提案している。
【０００４】
なお、前記カバーコート４は、抵抗膜２を直接に覆うアンダーコート４ａと、このアンダーコート４ａを覆うミドルコート４ｂと、このミドルコート４ｂを覆うオーバーコート４ｃとの三層になっているか、前記アンダーコート４ａ又はミドルコート４ｂを省略した二層構造になっている。
また、前記先行技術のチップ型抵抗器は、前記公報等に記載されているように、
▲１▼．前記絶縁基板１の上面に、両主上面電極３ａを抵抗膜２を成形するか、或いは、抵抗膜２を形成したのち両主上面電極３ａを形成する。
▲２▼．次いで、前記抵抗膜２のに対してガラスによるアンダーコート４ａを形成したのち、前記両主上面電極３ａに通電用プローブを接触して前記抵抗膜２の抵抗値を測定しながら、前記抵抗膜２及びアンダーコート４ａに対してレーザ光線の照射等にてトリミング溝を刻設することにより、前記抵抗膜２における抵抗値が所定の許容範囲内に入るようにトリミング調整する。
▲３▼．次いで、前記アンダーコート４ａの表面に対して、前記トリミング溝を塞ぐためにガラス等によるミドルコート４ｂを形成したのち、これらの全体を覆うガラス又は合成樹脂によるオーバーコート４ｃを形成する。
▲４▼．そして、前記両主上面電極３ａの上面に補助上面電極３ｂを形成し、絶縁基板１の端面に側面電極３ｃを形成したのち、全体に対して金属メッキ処理を施すことにより、金属メッキ層３ｄを形成する。
と言う順序で製造される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、この先行技術は、両主上面電極３ａの上面に、補助上面電極３ｂ用の導電ペーストを、スクリーン印刷にて、直接的に塗着することによって、補助上面電極３ｂを形成するものであって、この補助上面電極３ｂによってカバーコート４の上面との間における段差を小さくするか無くするためには、当該補助上面電極３ｂの厚さを厚くしなければならない。
【０００６】
しかし、この補助上面電極３ｂの厚さを厚くするためには、当該補助上面電極用の導電ペーストをスクリーン印刷にて塗布することの回数を多くしなければならないばかりか、前記導電ペーストの使用量が多くなるから、製造コストが大幅にアップすると言う問題があった。
本発明は、この問題を解消できる構造と、その製造方法とを提供することを技術的課題とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この技術的課題を達成するため本発明におけるチップ型抵抗器は，
「絶縁基板における長さ方向の両端部に，前記絶縁基板の上面にその長さ方向に延びるように形成した抵抗膜の両端に対する端子電極を備え，この両端子電極を，少なくとも，前記抵抗膜に対して導通するように形成した主上面電極と，この主上面電極の上面に形成した補助上面電極と，これらの表面に形成した金属メッキ層とで構成する一方，前記絶縁基板の上面に前記抵抗膜を覆うカバーコートを形成して成る抵抗器において，
前記絶縁基板における上面のうち長さ方向に前記カバーコートより外側の両端部で且つ幅方向の両側の部分に，前記抵抗膜による延長部又は飛び地部を，当該延長部又は飛び地部が前記主上面電極における幅方向の両側の一部に対して重なるように構成する一方，前記主上面電極の上面における前記補助上面電極を，その一部が前記延長部又は飛び地部の上面と前記カバーコートの端部とに重なるように，前記カバーコートを形成した後において形成する。」
か，
「絶縁基板における長さ方向の両端部に，前記絶縁基板の上面にその長さ方向に延びるように形成した抵抗膜の両端に対する端子電極を備え，この両端子電極を，少なくとも，前記抵抗膜に対して導通するように形成した主上面電極と，この主上面電極の上面に形成した補助上面電極と，これらの表面に形成した金属メッキ層とで構成する一方，前記絶縁基板の上面に前記抵抗膜を覆うカバーコートを形成して成る抵抗器において，
前記絶縁基板における上面のうち長さ方向に前記カバーコートより外側の両端部で且つ幅方向の両側の部分に，前記抵抗膜による延長部又は飛び地部を形成する一方，前記主上面電極を，その幅方向の両側における一部が前記延長部又は飛び地部の上面に対して重なるように形成し，更に，前記主上面電極の上面における前記補助上面電極を，その一部が前記主上面電極における上面のうち前記延長部又は飛び地部の上面に対して重なる部分と前記カバーコートの端部とに重なるように，前記カバーコートを形成した後において形成する。」
と言う構成にした。
【０００８】
また，本発明におけるチップ型抵抗器は，
「絶縁基板における長さ方向の両端部に，前記絶縁基板の上面にその長さ方向に延びるように形成した抵抗膜の両端に対する端子電極を備え，この両端子電極を，少なくとも，前記抵抗膜に対して導通するように形成した主上面電極と，この主上面電極の上面に形成した補助上面電極と，これらの表面に形成した金属メッキ層とで構成する一方，前記絶縁基板の上面に前記抵抗膜を覆うカバーコートを形成して成る抵抗器において，
前記絶縁基板における上面のうち長さ方向に前記カバーコートより外側の両端部で且つ幅方向の両側の部分に，前記抵抗膜による延長部又は飛び地部を，当該延長部又は飛び地部が前記主上面電極における幅方向の両側の一部に対して重なるように形成する一方，前記主上面電極の上面における前記補助上面電極を，前記両主上面電極の上面のうち前記延長部又は飛び地部の間の部分に，その一部が前記カバーコートの端部に重なるように，前記カバーコートを形成した後において形成する。」
か，
「絶縁基板における長さ方向の両端部に，前記絶縁基板の上面にその長さ方向に延びるように形成した抵抗膜の両端に対する端子電極を備え，この両端子電極を，少なくとも，前記抵抗膜に対して導通するように形成した主上面電極と，この主上面電極の上面に形成した補助上面電極と，これらの表面に形成した金属メッキ層とで構成する一方，前記絶縁基板の上面に前記抵抗膜を覆うカバーコートを形成して成る抵抗器において，
前記絶縁基板における上面のうち長さ方向に前記カバーコートより外側の両端部で且つ幅方向の両側の部分に，前記抵抗膜による延長部又は飛び地部を形成する一方，前記主上面電極を，その幅方向の両側における一部が前記延長部又は飛び地部の上面に対して重なるように形成し，更に，前記主上面電極の上面における前記補助上面電極を，前記主上面電極における上面のうち前記延長部又は飛び地部に対して重なる部分の間に，その一部が前記カバーコートの端部に重なるように，前記カバーコートを形成した後において形成する。」
と言う構成にした。
【０００９】
更にまた，本発明の製造方法は，
「絶縁基板の上面のうち長さ方向の両端部に主上面電極を形成する工程と，前記絶縁基板の上面に両端が前記主上面電極に導通する抵抗膜を，当該抵抗膜による延長部又は飛び地部を前記絶縁基板における上面のうち長さ方向の両端部で且つ幅方向の両側の部分に設けて形成する工程とを備え，これら主上面電極を形成する工程及び抵抗膜を形成する工程が，前記抵抗膜による前記延長部又は飛び地部と前記両主上面電極における幅方向の両側の一部とを相互に重なるようにして形成する工程であり，
次いで，前記抵抗膜を覆うカバーコートを，当該カバーコートの外側に前記主上面電極及び前記延長部又は飛び地部が位置するように形成する工程を備え，次いで，前記絶縁基板における上面に補助上面電極を，その一部が前記抵抗膜による延長部又は飛び地部と前記両主上面電極における幅方向の左右両側の一部とが相互に重なる部分及び前記カバーコートの端部に重なるように形成する工程を備え，次いで，金属メッキ層を形成する工程を備えていることを特徴とする。」
か，
「絶縁基板の上面のうち長さ方向の両端部に主上面電極を形成する工程と，前記絶縁基板の上面に両端が前記主上面電極に導通する抵抗膜を，当該抵抗膜による延長部又は飛び地部を前記絶縁基板における上面のうち長さ方向の両端部で且つ幅方向の両側の部分に設けて形成する工程とを備え，これら主上面電極を形成する工程及び抵抗膜を形成する工程が，前記抵抗膜による前記延長部又は飛び地部と前記両主上面電極における幅方向の両側の一部とを相互に重なるようにして形成する工程であり，
次いで，前記抵抗膜を覆うカバーコートを，当該カバーコートの外側に前記主上面電極及び前記延長部又は飛び地部が位置するように形成する工程を備え，次いで，前記主上面電極における上面のうちその幅方向の両側と前記延長部又は飛び地部とが相互に重なる部分の間に補助上面電極を，その一部が前記カバーコートの端部に重なるように形成する工程を備え，次いで，金属メッキ層を形成する工程を備えていることを特徴とする。」
ものである。
【００１０】
【発明の作用・効果】
前記したように、両主上面電極の上面における左右両側に、抵抗膜における延長部又は飛び地部を形成し、この延長部又は飛び地部の上面に、補助上面電極を形成することにより、左右両端子電極は、主上面電極と、抵抗膜における延長部又は飛び地部と、補助上面電極との三層構造になって、絶縁基板の上面から補助上面電極の上面までの高さには、従来の補助上面電極及び主上面電極の厚さに、抵抗膜の厚さが加算されることになるから、補助上面電極における厚さを、従来の場合よりも抵抗膜の厚さの分だけ薄くすることができるのである。
【００１１】
また、前記したように、両主上面電極の上面における左右両側に、抵抗膜における延長部又は飛び地部を形成し、前記主上面電極の上面のうちこの延長部又は飛び地部の間の部分に、補助上面電極を形成することにより、この補助上面電極を、導電ペーストのスクリーン印刷等の塗布にて形成するときにおいて、この左右両側に位置する前記延長部又は飛び地部が、この間の部分に塗布した導電ペーストにおける絶縁基板の幅方向への流れを阻止すると言う堰止めとして作用するから、前記導電ペーストを、少ない量で高く盛り上げることができるのである。
【００１２】
この場合において、前記抵抗膜における延長部又は飛び地部を、両主上面電極の上面のうち左右両側の部分に形成したことにより、抵抗膜を、その抵抗値を測定しながらトリミング調整するとき、前記両主上面電極の各々に対して通電用のプローブを直接的に接触することができるから、前記抵抗膜のトリミング調整を正確に行うことができるのである。
【００１３】
従って、本発明によると、トリミング調整の正確性を損なうことなく、補助上面電極を形成することのために要する導電ペーストの使用量を少なくでき、且つ、前記導電ペーストをスクリーン印刷にて塗布することの回数を少なくできるから、製造コストを大幅に低減できると言う効果を有する。
また、このような作用・効果は、「請求項３」に記載したように、両主上面電極の上面における左右両側に、抵抗膜における延長部又は飛び地部を重ねて形成し、前記両主上面電極の上面のうち前記抵抗膜における延長部又は飛び地部の間に、補助上面電極を形成するか、或いは、「請求項４」に記載したように、両主上面電極を、その左右両側を前記抵抗膜における延長部又は飛び地部に重ねて形成し、この両主上面電極の上面のうち前記抵抗膜における延長部又は飛び地部に重なる部分の間に、補助上面電極を形成すると言う構成にすることによっても達成できる。
【００１４】
特に、本発明の製造方法は、前記抵抗膜における延長部又は飛び地部を、抵抗膜を形成するとき同時に形成するものであるから、前記延長部又は飛び地部を形成することのために工数が増えることを回避できる効果を有する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の実施の形態を図面について説明する。
図１〜図１９は，第１の実施形態を示す。
この第１の実施形態は，以下に述べる方法によって製造される。
ｉ）．先づ，図１に示すように，チップ型に構成した絶縁基板１１の上面のうち長さ方向の両端部の部分に主上面電極１３ａを，その材料導電ペーストのスクリーン印刷による塗布及び焼成にて形成する。
ii ）．次いで，図２〜図５に示すように，前記絶縁基板１１の上面に，抵抗膜１２を，その材料ペーストのスクリーン印刷による塗布及び焼成にて，前記絶縁基板１１の長さ方向に延びるように形成するに際して，この抵抗膜１２の形成と同時に，前記両主上面電極１３ａの上面のうち長さ方向の両端部で且つ幅方向の両側の部分に，前記抵抗膜１２から一体的に延びる延長部１２′を，前記主上面電極１３ａにおける上面のうち幅方向の両側の一部に重ねて形成する。
iii). 次いで，前記絶縁基板１１の上面に，図６及び図７に示すように，前記抵抗膜１２を覆うガラスによるアンダーコート１４ａを，材料のスクリーン印刷による塗布及び焼成にて，前記主上面電極１３ａ及び前記延長部１２′が当該アンダーコート１４ａの外側に位置するように形成したのち，前記両主上面電極１３ａの上面のうち前記両延長部１２′の間の部分に通電用プローブ（図示せず）を接触して前記抵抗膜１２の抵抗値を測定しながら，前記抵抗膜１２及びアンダーコート１４ａに対してレーザ光線の照射等にてトリミング溝１２ａを刻設することにより，前記抵抗膜１２における抵抗値が所定の許容範囲内に入るようにトリミング調整する。
vi).次いで，前記絶縁基板１１の上面に，図８及び図９に示すように，前記トリミング溝１２ｂを塞ぐためのガラスによるミドルコート１４ｂを，材料のスクリーン印刷による塗布及び焼成にて, 前記アンダーコート１４ａと同様に，前記主上面電極１３ａ及び前記延長部１２′が当該ミドルコート１４ｂの外側に位置するように形成する。
ｖ）．更に，前記絶縁基板１１の上面に，図１０及び図１１に示すように，前記ミドルコート１４ｂの全体を覆うオーバーコート１４ｃを，材料のスクリーン印刷による塗布及び焼成にて，前記アンダーコート１４ａ及び前記ミドルコート１４ｂと同様に，前記主上面電極１３ａ及び前記延長部１２′が当該オーバーコート１４ｃの外側に位置するように形成することにより，これらアンダーコート１４ａ，ミドルコート１４ｂ及びオーバーコート１４ｃによる三層構造のカバーコート１４を構成する。
vi).次いで，前記両主上面電極１３ａの上面に，図１２〜図１４に示すように，補助上面電極１３ｂを，前記抵抗膜１２における延長部１２′と主上面電極１３ａの上面との両方に跨がるように重なるとともに，その一部が前記オーバーコート１４ｃの端部に重ねるように，その材料導電ペーストのスクリーン印刷による塗布及び焼成にて形成する。
vii). そして，図１５及び図１６に示すように，前記絶縁基板１１における左右両端面に，側面電極１３ｃをその材料導電ペーストの塗布及び焼成にて形成したのち，全体に対して金属メッキ処理を施して，前記両補助上面電極１３ｂ及び両側面電極１３ｃの表面に金属メッキ層１３ｄを形成することにより，端子電極１３を構成するのである。
【００１６】
このようにして製造されたチップ型抵抗器において、その両端子電極１３のうち絶縁基板１１の上面の部分は、図１５及び図１６に示すように、両端子電極１３における主上面電極１３ａの上面の左右両側には、抵抗膜１２における延長部１２′が形成され、この両延長部１２′の上面に補助上面電極１３ｂが形成されていると言うように三層構造になっていることにより、前記絶縁基板１１の上面から補助上面電極１３ｂの上面までの高さＨ１（正確には、絶縁基板１１の上面から金属メッキ層１３ｃの上面までの高さ寸法）には、当該高さＨ１を絶縁基板１１の上面からオーバーコート１４ｃの上面までの高さＨ０に等しいか略等しくした場合に、補助上面電極１３ｂの厚さＴｂと、主上面電極１３ａの厚さＴａとに加えて、前記抵抗膜１２の厚さＴ１が加算されることになるから、補助上面電極１３ｂにおける厚さＴｂを、従来の場合よりも抵抗膜１２の厚さＴ１の分だけ薄くすることができるのである。
【００１７】
なお、前記抵抗膜１２における延長部１２′は、これに代えて、図１７に示すように、抵抗膜１２と分離した飛び地部１２″の形態にしても良く、また、前記延長部１２′と飛び地部１２″とを適宜組み合わせた形態、つまり、前記両主上面電極１３ａのうち一方の主上面電極には、前記した延長部１２′を、他方の主上面電極には、前記した飛び地部１２″を形成するように構成しても良いのである。
【００１８】
更にまた、前記した第１の実施形態のように、先に、両主上面電極１３ａを形成し、次いで、抵抗膜１２を、その延長部１２′又は飛び地部１２″を前記両主上電極１３ａの左右両側に重ねて形成し、補助上面電極１３ｂを、前記抵抗膜１２における延長部１２′又は飛び地部１２″に重ねて形成することに代えて、図１８及び図１９に示すように、先に、抵抗膜１２を、これに延長部１２′又は飛び地部１２″を設けて形成し、次いで、両主上面電極１３ａを、その左右両側を前記抵抗膜１２における延長部１２′又は飛び地部１２″に重ねて形成し、更に、補助上面電極１３ｂを、前記両主上面電極１３ａの上面のうち前記抵抗膜１２の延長部１２′又は飛び地部１２″の部分に重ねて形成すると言う構成にしても良いのである（他の構成は同様である）。
【００１９】
次に，図２０〜図２４は，第２の実施形態を示す。
この第２の実施形態は，オーバーコート１４ｃを形成するまでは，前記第１の実施形態の場合と同様であるが，その後において，補助上面電極１３ｂを形成するときにおいて，前記第１の実施形態と相違する。
すなわち，前記両主上面電極の上面に補助上面電極を形成するに際して，図２０〜図２２に示すように，前記主上面電極１３ａ，抵抗膜１２及びカバーコート１４を形成した後において，前記主上面電極１３ａの上面のうち幅方向に一対の延長部１２′又は飛び地部１２″の間の部分に対してのみ補助上面電極１３ｂ′を形成する。
【００２０】
なお、この補助上面電極１３ｂ′は、前記と同様に、その材料導電ペーストのスクリーン印刷による塗布及び焼成にて形成しても良いが、絶縁基板１１の両端面に対する側面電極１３ｃの形成と同時に、つまり、絶縁基板１１における左右両端面に側面電極１３ｃ用の材料導電ペーストを塗布するときに、この材料導電ペーストの一部を、主上面電極１３ａの上面側に盛り上げることによって形成するようにしても良い。
【００２１】
次いで、図２３及び図２４に示すように、前記絶縁基板１１における左右両端面に、側面電極１３ｃを同様にして形成したのち、全体に対して金属メッキ処理を施して、前記両補助上面電極１３ｂ及び両側面電極１３ｃの表面に金属メッキ層１３ｄを形成することにより、端子電極１３を構成するのである。
このようにして製造されたチップ型抵抗器は、図２３及び図２４に示すように、両端子電極１３における主上面電極１３ａの左右両側には、抵抗膜１２における延長部１２′又は飛び地部１２″が位置し、且つ、この主上面電極１３ａの上面のうち前記両延長部１２′又は飛び地部１２″の間の部分に、補助上面電極１３ｂ′が形成されると言う形態になっていることにより、この補助上面電極１３ｂ′を、その材料導電ペーストのスクリーン印刷等にて塗布して形成するとき、この左右両側に位置する前記延長部又は飛び地部が、この間の部分に塗布した導電ペーストにおける絶縁基板の幅方向への流れを阻止すると言う堰止めのとして作用するから、前記導電ペーストを少ない量で高く盛り上げることができるのである。
【００２２】
この第２の実施形態においては、前記抵抗膜１２における延長部１２′又は飛び地部１２″の上面に、図２５に示すように、前記アンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′（又は飛び地部）を形成することにより、主上面電極１３ａの上面から高さを高くすることができるから、前記補助上面電極１３ｂ′を形成するに際して、その導電ペーストを少ない量で高く盛り上げることの効果を助長できると共に、このアンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′（又は飛び地部）にて、前記抵抗膜１２における延長部１２′又は飛び地部１２″を覆うことができるから、金属メッキ処理に際して、図２６に示すように、補助上面電極１３ｂにのみ金属メッキ層１３ｃを形成できて、前記抵抗膜１２における延長部１２′又は飛び地部１２″の表面に金属メッキ層１３ｃが形成されることを回避できるのである。
【００２３】
この場合において、抵抗膜１２における延長部１２′又は飛び地部１２″の上面には、前記したように、アンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′（又は飛び地部）を形成することに代えて、ミドルコート１４ｂにおける延長部（又は飛び地部）を形成するか、オーバーコート１４ｃにおける延長部（又は飛び地部）を形成するように構成しても良く、また、前記アンダーコート１４ａ、ミドルコート１４ｂ及びオーバーコート１４ｃのうち少なくとも二つのコートの延長部（又は飛び地部）を形成するようにしても良いことは言うまでもない。
【００２４】
また、前記した第２の実施形態においても、前記したように、先に、両主上面電極１３ａを形成し、次いで、抵抗膜１２を、その延長部１２′又は飛び地部１２″を前記両主上電極１３ａの左右両側に重ねて形成し、補助上面電極１３ｂを、前記両主上面電極１３ａの上面のうち前記抵抗膜１２における延長部１２′又は飛び地部１２″の間に、重ねて形成することに代えて、図１８及び図１９に示す場合と同様に、先に、抵抗膜１２を、これに延長部１２′又は飛び地部１２″を設けて形成し、次いで、両主上面電極１３ａを、その左右両側を前記抵抗膜１２における延長部１２′又は飛び地部１２″に重ねて形成し、補助上面電極１３ｂを、前記両主上面電極１３ａの上面のうち前記抵抗膜１２の延長部１２′又は飛び地部１２″に重なる部分の間に、重ねて形成すると言う構成にしても良いのである。
【００２５】
更にまた、前記した各実施形態においては、図２７に示すように、絶縁基板１１の下面に、端子電極１３の一部を構成する下面電極１３ｅを形成することにより、抵抗膜１２の面を上向きにしてプリント基板に対して実装できるように構成することができる。
なお、この両下面電極１３ｅは、一般的には、前記主上面電極１３ａ又は抵抗膜１２を形成する以前の工程において、材料ペーストのスクリーン印刷及び焼成にて形成されるのであるが、この下面電極１３ｅを、絶縁基板１１の両端面に対する側面電極１３ｃの形成と同時に、つまり、絶縁基板１１における左右両端面に側面電極１３ｃ用の材料導電ペーストを塗布するときに、この材料導電ペーストの一部を、絶縁基板１１の下面に盛り上げることによって形成するようにしても良いのである。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態において絶縁基板に主上面電極を形成した状態を示す斜視図である。
【図２】第１の実施形態において絶縁基板に抵抗膜を形成した状態を示す斜視図である。
【図３】図２の平面図である。
【図４】図３のIV−IV視断面図である。
【図５】図３のＶ−Ｖ視断面図である。
【図６】第１の実施形態において絶縁基板にアンダーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図７】図６のVII −VII 視断面図である。
【図８】第１の実施形態において絶縁基板にミドルコートを形成した状態を示す平面図である。
【図９】図８のIX−IX視断面図である。
【図１０】第１の実施形態において絶縁基板にオーバーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図１１】図１０のXI−XI視断面図である。
【図１２】第１の実施形態において絶縁基板に補助上面電極を形成した状態を示す平面図である。
【図１３】図１２のXIII−XIII視断面図である。
【図１４】図１２のXIV −XIV 視断面図である。
【図１５】第１の実施形態によるチップ型抵抗器を示す縦断正面図である。
【図１６】図１５のXVI −XVI 視断面図である。
【図１７】第１の実施形態における変形例を示す平面図である。
【図１８】第１の実施形態における別の変形例を示す平面図である。
【図１９】図１８のXIX −XIX 視断面図である。
【図２０】第２の実施形態において絶縁基板に補助上面電極を形成した状態を示す平面図である。
【図２１】図２０のXXI −XXI 視断面図である。
【図２２】図２０のXXII−XXII視断面図である。
【図２３】第２の実施形態によるチップ型抵抗器を示す縦断正面図である。
【図２４】図２３のXXIV−XXIV視断面図である。
【図２５】第２の実施形態の変形例を示す図２０と同じ箇所の断面図である。
【図２６】第２の実施形態の別の変形例を示す図２２と同じ箇所の断面図である。
【図２７】別の実施形態によるチップ型抵抗器を示す縦断正面図である。
【図２８】先行技術によるチップ型抵抗器を示す斜視図である。
【図２９】図２８のXXIX−XXIX視断面図である。
【符号の説明】
１１ 絶縁基板
１２ 抵抗膜
１２′ 抵抗膜の延長部
１２″ 抵抗膜の飛び地部
１３ 端子電極
１３ａ 主上面電極
１３ｂ，１３ｂ′ 補助上面電極
１３ｃ 側面電極
１４ カバーコート
１４ａ アンダーコート
１４ａ′ アンダーコートの延長部
１４ｂ ミドルコート
１４ｃ オーバーコート
Claims (6)
- 絶縁基板における長さ方向の両端部に，前記絶縁基板の上面にその長さ方向に延びるように形成した抵抗膜の両端に対する端子電極を備え，この両端子電極を，少なくとも，前記抵抗膜に対して導通するように形成した主上面電極と，この主上面電極の上面に形成した補助上面電極と，これらの表面に形成した金属メッキ層とで構成する一方，前記絶縁基板の上面に前記抵抗膜を覆うカバーコートを形成して成る抵抗器において，
前記絶縁基板における上面のうち長さ方向に前記カバーコートより外側の両端部で且つ幅方向の両側の部分に，前記抵抗膜による延長部又は飛び地部を，当該延長部又は飛び地部が前記主上面電極における幅方向の両側の一部に対して重なるように構成する一方，前記主上面電極の上面における前記補助上面電極を，その一部が前記延長部又は飛び地部の上面と前記カバーコートの端部とに重なるように，前記カバーコートを形成した後において形成したことを特徴とするチップ型抵抗器の構造。 - 絶縁基板における長さ方向の両端部に，前記絶縁基板の上面にその長さ方向に延びるように形成した抵抗膜の両端に対する端子電極を備え，この両端子電極を，少なくとも，前記抵抗膜に対して導通するように形成した主上面電極と，この主上面電極の上面に形成した補助上面電極と，これらの表面に形成した金属メッキ層とで構成する一方，前記絶縁基板の上面に前記抵抗膜を覆うカバーコートを形成して成る抵抗器において，
前記絶縁基板における上面のうち長さ方向に前記カバーコートより外側の両端部で且つ幅方向の両側の部分に，前記抵抗膜による延長部又は飛び地部を，当該延長部又は飛び地部が前記主上面電極における幅方向の両側の一部に対して重なるように形成する一方，前記主上面電極の上面における前記補助上面電極を，前記両主上面電極の上面のうち前記延長部又は飛び地部の間の部分に，その一部が前記カバーコートの端部に重なるように，前記カバーコートを形成した後において形成したことを特徴とするチップ型抵抗器の構造。 - 絶縁基板における長さ方向の両端部に，前記絶縁基板の上面にその長さ方向に延びるように形成した抵抗膜の両端に対する端子電極を備え，この両端子電極を，少なくとも，前記抵抗膜に対して導通するように形成した主上面電極と，この主上面電極の上面に形成した補助上面電極と，これらの表面に形成した金属メッキ層とで構成する一方，前記絶縁基板の上面に前記抵抗膜を覆うカバーコートを形成して成る抵抗器において，
前記絶縁基板における上面のうち長さ方向に前記カバーコートより外側の両端部で且つ幅方向の両側の部分に，前記抵抗膜による延長部又は飛び地部を形成する一方，前記主上面電極を，その幅方向の両側における一部が前記延長部又は飛び地部の上面に対して重なるように形成し，更に，前記主上面電極の上面における前記補助上面電極を，その一部が前記主上面電極における上面のうち前記延長部又は飛び地部の上面に対して重なる部分と前記カバーコートの端部とに重なるように，前記カバーコートを形成した後において形成したことを特徴とするチップ型抵抗器の構造。 - 絶縁基板における長さ方向の両端部に，前記絶縁基板の上面にその長さ方向に延びるように形成した抵抗膜の両端に対する端子電極を備え，この両端子電極を，少なくとも，前記抵抗膜に対して導通するように形成した主上面電極と，この主上面電極の上面に形成した補助上面電極と，これらの表面に形成した金属メッキ層とで構成する一方，前記絶縁基板の上面に前記抵抗膜を覆うカバーコートを形成して成る抵抗器において，
前記絶縁基板における上面のうち長さ方向に前記カバーコートより外側の両端部で且つ幅方向の両側の部分に，前記抵抗膜による延長部又は飛び地部を形成する一方，前記主上面電極を，その幅方向の両側における一部が前記延長部又は飛び地部の上面に対して重なるように形成し，更に，前記主上面電極の上面における前記補助上面電極を，前記主上面電極における上面のうち前記延長部又は飛び地部に対して重なる部分の間に，その一部が前記カバーコートの端部に重なるように，前記カバーコートを形成した後において形成したことを特徴とするチップ型抵抗器の構造。 - 絶縁基板の上面のうち長さ方向の両端部に主上面電極を形成する工程と，前記絶縁基板の上面に両端が前記主上面電極に導通する抵抗膜を，当該抵抗膜による延長部又は飛び地部を前記絶縁基板における上面のうち長さ方向の両端部で且つ幅方向の両側の部分に設けて形成する工程とを備え，これら主上面電極を形成する工程及び抵抗膜を形成する工程が，前記抵抗膜による前記延長部又は飛び地部と前記両主上面電極における幅方向の両側の一部とを相互に重なるようにして形成する工程であり，
次いで，前記抵抗膜を覆うカバーコートを，当該カバーコートの外側に前記主上面電極及び前記延長部又は飛び地部が位置するように形成する工程を備え，次いで，前記絶縁基板における上面に補助上面電極を，その一部が前記抵抗膜による延長部又は飛び地部と前記両主上面電極における幅方向の左右両側の一部とが相互に重なる部分及び前記カバーコートの端部に重なるように形成する工程を備え，次いで，金属メッキ層を形成する工程を備えていることを特徴とするチップ型抵抗器の製造方法。 - 絶縁基板の上面のうち長さ方向の両端部に主上面電極を形成する工程と，前記絶縁基板の上面に両端が前記主上面電極に導通する抵抗膜を，当該抵抗膜による延長部又は飛び地部を前記絶縁基板における上面のうち長さ方向の両端部で且つ幅方向の両側の部分に設けて形成する工程とを備え，これら主上面電極を形成する工程及び抵抗膜を形成する工程が，前記抵抗膜による前記延長部又は飛び地部と前記両主上面電極における幅方向の両側の一部とを相互に重なるようにして形成する工程であり，
次いで，前記抵抗膜を覆うカバーコートを，当該カバーコートの外側に前記主上面電極及び前記延長部又は飛び地部が位置するように形成する工程を備え，次いで，前記主上面電極における上面のうちその幅方向の両側と前記延長部又は飛び地部とが相互に重なる部分の間に補助上面電極を，その一部が前記カバーコートの端部に重なるように形成する工程を備え，次いで，金属メッキ層を形成する工程を備えていることを特徴とするチップ型抵抗器の製造方法。
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