JP3637124B2 - チップ型抵抗器の構造及びその製造方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ型の絶縁基板に、抵抗膜とその両端に対する端子電極とを形成して成るチップ型の抵抗器において、その構造と製造方法とに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来におけるチップ型抵抗器は、例えば、特開昭60−27104号公報等に記載されているように、チップ型の絶縁基板の表面に形成した抵抗膜を覆うカバーコートが、前記抵抗膜の両端に対する端子電極の表面により可成り突出し、カバーコートの上面と端子電極の上面の間の段差が大きいと言う形状であったから、このチップ型抵抗器を、真空吸着式のコレットにて吸着するときに吸着ミス又は落下することが多発するとか、或いは、このチップ型抵抗器を、その抵抗膜側を下向きにした状態でプリント基板に半田付け実装するときに、片側が浮き上がる等の問題があった。
【0003】
そこで、先行技術としての特開平4−102302号公報は、図13及び図14に示すように、チップ型絶縁基板1の左右両端部に、抵抗膜2の両端に対する端子電極3を形成するに際して、この両端子電極3を、前記絶縁基板1の上面に抵抗膜2に導通するように形成した主上面電極3aと、この主上面電極3aの上面に盛り上げるように形成した補助上面電極3bと、絶縁基板1の端面に形成した側面電極3cと、前記補助上面電極3b及び側面電極3cの表面に形成した金属メッキ層3dとで構成することにより、この両端子電極3の上面と、前記抵抗膜2に対するカバーコート4の上面との間における段差を小さくするか、段差を無くすることを提案している。なお、前記カバーコート4は、一次カバーコート4aと二次カバーコート4bとの二層構造になっている。
【0004】
また、前記先行技術のチップ型抵抗器は、前記公報に記載されているように、先づ、図15に示すように、絶縁基板1の上面に、左右一対の主上面電極3aを形成したのち、図16に示すように、抵抗膜2をその両端が前記両主上面電極3aに導通するように形成すると共に、この抵抗膜2に対して一次カバーコート4aを施したのち、前記両主上面電極3aに対して通電用のプローブを接触して前記抵抗膜2の抵抗値を測定しながら前記抵抗膜2及び一次カバーコート4aに対してレーザー光線等にてトリミング溝5を刻設することにより、前記抵抗膜2における抵抗値が所定抵抗値の許容範囲内に入るようにトリミング調節し、次いで、前記絶縁基板1に対して、図14に示すように、二次カバーコート4bを形成したのち、両主上面電極3の上面に、図18に示すように、補助上面電極3bを、前記主上面電極3の全体を覆うように肉厚状に形成し、更に、前記絶縁基板1の端面に、図18に二点鎖線で示すように、側面電極3cを形成したのち、これら補助上面電極3b及び側面電極3cの表面に金属メッキ層3da形成すると言う順序で製造される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、チップ型抵抗器のプリント基板への半田付け実装は、両端子電極のうち表面における金属メッキ層を、プリント基板における導体パターンに対して半田付けすることによって行うものであるから、前記先行技術のように、抵抗膜2に導通する主上面電極3aの上面に肉厚状の補助上面電極3bを形成して、この補助上面電極3b及び側面電極3cの表面に金属メッキ層3dを形成すると言う構成にした場合には、プリント基板等に半田付けされる金属メッキ層3dと、抵抗膜2に繋がる主上面電極3aとの間に、或る固有抵抗を有する補助上面電極3bが介在することになる。
【0006】
すなわち、抵抗膜2は、前記補助上面電極3bを形成する以前の段階において、所定抵抗値の許容範囲内に入るようにトリミング調整されているにもかかわらず、チップ型抵抗器として完成された段階では、前記抵抗膜2の両端に、固有抵抗を有する補助上面電極3bが直列状に接続された形態になり、この補助上面電極3bの抵抗値が、前記抵抗膜2における抵抗値に加算されることになって、チップ型抵抗器における全抵抗値が変動するから、全抵抗値を正確に設定することができないばかりか、製造に際して、前記抵抗値を所定抵抗値の許容範囲内にすることができない事態が発生し易く、不良品の発生率が高くなると言う問題があった。
【0007】
本発明は、チップ型抵抗器において、前記の問題を解消できるようにした構造と、その製造方法とを提供することを技術的課題とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
この技術的課題を達成するため本発明におけるチップ型抵抗器は、
「上面にカバーコートで被覆した抵抗膜を形成したチップ型絶縁基板の左右両端部に、前記抵抗膜に導通するように形成した主上面電極と、この主上面電極の上面にこれを覆い且つ前記カバーコートの一部に重なるように形成した補助上面電極と、絶縁基板の端面に形成した側面電極と、これら補助上面電極及び側面電極の表面に形成した金属メッキ層とで構成した端子電極を形成して成るチップ型抵抗器において、
前記各端子電極における補助上面電極に、当該補助上面電極のうち前記絶縁基板における左右両端部側の部分において前記主上面電極の一部を露出するようにした切り込み部を、当該補助上面電極のうち前記カバーコート側の部分にカバーコートに対する重なり部を残すように設けて、この切り込み部内における前記主上面電極の表面に、前記金属メッキ層を形成する。」
と言う構成にした。
【0009】
また、本発明の製造方法は、
「チップ型絶縁基板の上面における左右両端部に主上面電極を形成する工程と、前記絶縁基板の上面に抵抗膜を形成する工程と、前記抵抗膜にカバーコートを形成する工程と、前記抵抗膜にトリミング調整を行う工程と、前記主上面電極に対してこれを覆う補助上面電極を前記カバーコートの一部に重なるように形成する工程と、前記絶縁基板の左右両端面に側面電極を形成する工程と、前記補助上面電極及び側面電極並びに主上面電極の露出部分に金属メッキ層を形成する工程とから成るチップ型抵抗器の製造方法において、
前記補助上面電極を形成する工程が、当該補助上面電極のうち前記絶縁基板における左右両端部側の部分において前記主上面電極の一部を露出する一方、当該補助上面電極のうち前記カバーコート側の部分にカバーコートに対する重なり部を残して形成する工程であることを特徴とする。」
ものである。
【0010】
【発明の作用・効果】
両端子電極における主上面電極に対して補助上面電極を形成することによって、この端子電極の上面と抵抗膜を覆うカバーコートの上面との間における段差を無くするか、小さくする場合において、前記したように、補助上面電極に、主上面電極の一部を露出する切り込み部を設けて、この切り込み部内における主上面電極の表面にも、前記金属メッキ層を形成することにより、プリント基板等に実装するときに半田付けされる金属メッキ層を、先行技術のように、前記補助上面電極を介することなく、主上面電極に対して直接的に導通することができるから、前記補助上面電極が、抵抗膜の両端に対して抵抗になることを確実に回避できるのである。
【0011】
従って、本発明によると、補助上面電極を設けることのために、チップ型抵抗器における全抵抗値が変化することを防止できるから、全抵抗値を正確な値にすることができると共に、製造に際しての不良品の発生率を大幅に低減できる効果を有する。
【0012】
また、「請求項2」に記載したように、前記補助上面電極を、絶縁基板における左右両側面から内側に入った領域に形成することにより、この補助上面電極に対して金属メッキ層を形成するときに、当該補助上面電極における左右両側面に発生するメッキバリが、絶縁基板の左右両側面から突出しないようにすることができるから、チップ型抵抗器を、チューブ内に出し入れするときに、当該チップ型抵抗器がチューブ内に引っ掛かることを回避できる利点がある。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面について説明する。
【0014】
図面のうち図1〜図5は、本発明に至る以前の参考例のチップ型抵抗器である。
【0015】
この図1〜図5において、符号11は、チップ型の絶縁基板を示し、この絶縁基板11の左右両端部には、その上面に形成した抵抗膜12の両端に対する端子電極13が形成されている。
【0016】
この両端子電極13は、前記絶縁基板1の上面に抵抗膜2に導通するように形成した主上面電極13aと、この主上面電極13aの上面にこれを覆い且つ後述するカバーコート14の一部に重なるように厚く形成した補助上面電極13bと、絶縁基板11の端面に形成した側面電極13cと、前記補助上面電極13b及び側面電極13cの表面に形成した金属メッキ層13dとで構成されている。
【0017】
なお、符号14は、前記抵抗膜12に対する保護用のカバーコートを示し、このカバーコート14は、ガラス製の一次カバーコート14aと、ガラス又は合成樹脂製の二次カバーコート14bとによって構成されている。
【0018】
そして、前記両端子電極13における補助上面電極13bを、前記主上面電極13aにおける左右両側の部分に分けて設けることにより、その間に前記主上面電極13aの一部が露出するようにして、この主上面電極13aの上面のうち前記露出する部分の表面に、前記金属メッキ層13dを、当該金属メッキ層13dが側面電極13cの表面から連続するように形成するのである。
【0019】
このように構成することにより、金属メッキ層13dを、前記した先行技術のように、補助上面電極13bを介することなく、主上面電極13aに対して直接的に接続することができるから、両端子電極13の上面とカバーコート14の上面との間における段差を小さくするか無くするための前記補助上面電極13bの抵抗が、前記抵抗膜12における抵抗に加算されることを回避できる。
【0020】
前記構成の参考例のチップ型抵抗器は、以下に述べる順序の方法にて製造される。
.先づ、図6に示すように、チップ型絶縁基板11の上面における左右両側に、主上面電極13aを、ペーストの塗布及び乾燥・焼成にて形成する。
ii.図7に示すように、前記絶縁基板11の上面に、抵抗膜12を、ペーストの塗布及び乾燥・焼成にて、当該抵抗膜12の両端が前記両主上面電極13aに導通するように形成し、この抵抗膜12に対して一次カバーコート14aを施したのち、前記両主上面電極13aに対して通電用のプローブ(図示せず)を接触して前記抵抗膜12の抵抗値を測定しながら前記抵抗膜12及び一次カバーコート14aに対してレーザー光線等にてトリミング溝15を刻設することにより、前記抵抗膜12における抵抗値が所定抵抗値の許容範囲内に入るようにトリミング調節する。
iii.次いで、図8に示すように、前記絶縁基板11の上面に、二次カバーコート14bを形成する。
iv.そして、図9に示すように、絶縁基板11の上面のうち前記主上面電極13aの左右両側の部分に、補助上面電極13bを、ペーストの塗布及び乾燥・焼成にて、その間に主上面電極13aの一部が露出し、且つ、当該補助上面電極13bが前記二次カバーコート14bの一部に重なるように、肉厚状に形成する。
v.次いで、図10に示すように、前記絶縁基板11における左右両端に側面電極13cを、ペーストの塗布及び乾燥・焼成にて形成する。
vi.そして、メッキ処理工程に移行して、ニッケルメッキを施したのち、半田メッキ又は錫メッキを行うことにより、前記補助上面電極13b及び側面電極13cの表面、並びに、前記主上面電極13aの表面のうち前記露出部分に対して金属メッキ層13dを形成することにより、完成品にする。
【0021】
このような製造によると、両主上面電極13aの上面に補助上面電極13bを形成したとによって、トリミング調節したあとの抵抗膜12における抵抗値が変わることがない状態で、チップ型抵抗器を製造することができるから、抵抗値が所定抵抗値の許容範囲から外れると言う不良品の発生率を大幅に低減できる。
【0022】
次に、この参考例をもとにして、本発明における実施の形態を説明する。
【0023】
本発明における実施の形態は、前記補助上面電極13bを形成するに際して、図11に示すように構成するものである。
【0024】
すなわち、前記補助上面電極13bのうち前記絶縁基板11における左右両端部側の部 分において前記主上面電極13aの一部を露出するようにした切り込み部13b′を設ける一方、当該補助上面電極のうち前記カバーコート側の部分にカバーコートに対する重なり部13b″を残すようにする
【0025】
そして、以降、前記参考例と同様に、前記絶縁基板11における左右両端に側面電極13cを形成する工程を経たのち、メッキ処理工程に移行して、ニッケルメッキを施したのち、半田メッキ又は錫メッキを行うことにより、前記補助上面電極13b及び側面電極13cの表面、並びに、前記主上面電極13aの表面のうち前記切り込み部13b′における露出部分に対して金属メッキ層13dを形成するのである。
【0026】
また、前記補助上面電極13bに対して金属メッキ層13cをメッキ処理によって形成する場合には、前記補助上面電極13bの左右両側にメッキバリが発生することになる。 そこで、前記補助上面電極13bを、図12に示すように、絶縁基板11の上面のうち、当該絶縁基板11における左右両側面11a,11bから適宜寸法Sだけ内側の領域の部分に形成することにより、この補助上面電極13bに対して金属メッキ層13dを形成するときに、当該補助上面電極13bにおける左右両側面に発生するメッキバリが、絶縁基板11の左右両側面11a,11bから突出しないようにすることができるから、チップ型抵抗器を、チューブ内に出し入れするときに、当該チップ型抵抗器がチューブ内に引っ掛かることを回避できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に至る以前の参考例のチップ型抵抗器の斜視図である。
【図2】 図1のII−II視拡大断面図である。
【図3】 図1のIII −III 視拡大断面図である。
【図4】 図1のIV−IV視拡大断面図である。
【図5】 前記参考例のチップ型抵抗器の一部切欠平面図である。
【図6】 前記参考例のチップ型抵抗器の製造に際しての第1の状態を示す斜視図である。
【図7】 前記参考例のチップ型抵抗器の製造に際しての第2の状態を示す斜視図である。
【図8】 前記参考例のチップ型抵抗器の製造に際しての第3の状態を示す斜視図である。
【図9】 前記参考例のチップ型抵抗器の製造に際しての第4の状態を示す斜視図である。
【図10】 前記参考例のチップ型抵抗器の製造に際しての第5の状態を示す斜視図である。
【図11】 本発明の実施の形態において補助上面電極を形成した状態を示す斜視図である。
【図12】 本発明の別の実施の形態において補助上面電極を形成した状態を示す斜視図である。
【図13】 従来におけるチップ型抵抗器の斜視図である
【図14】 図13の XVI XVI 視拡大断面図である。
【図15】 従来のチップ型抵抗器を製造に際しての第1の状態を示す斜視図である
【図16】 従来のチップ型抵抗器を製造に際しての第2の状態を示す斜視図である
【図17】 従来のチップ型抵抗器を製造に際しての第3の状態を示す斜視図である
【図18】 従来のチップ型抵抗器を製造に際しての第4の状態を示す斜視図である
【符号の説明】
11 絶縁基板
12 抵抗膜
13 端子電極
13a 主上面電極
13b 補助上面電極
13b′ 切り込み部
13b″ 重なり部
13c 側面電極
13d 金属メッキ層
14 カバーコート
14a 一次カバーコート
14b 二次カバーコート
15 トリミング溝

Claims (3)

  1. 上面にカバーコートで被覆した抵抗膜を形成したチップ型絶縁基板の左右両端部に、前記抵抗膜に導通するように形成した主上面電極と、この主上面電極の上面にこれを覆い且つ前記カバーコートの一部に重なるように形成した補助上面電極と、絶縁基板の端面に形成した側面電極と、これら補助上面電極及び側面電極の表面に形成した金属メッキ層とで構成した端子電極を形成して成るチップ型抵抗器において、
    前記各端子電極における補助上面電極に、当該補助上面電極のうち前記絶縁基板における左右両端部側の部分において前記主上面電極の一部を露出するようにした切り込み部を、当該補助上面電極のうち前記カバーコート側の部分にカバーコートに対する重なり部を残すように設けて、この切り込み部内における前記主上面電極の表面に、前記金属メッキ層を形成したことを特徴とするチップ型抵抗器の構造。
  2. 前記請求項1の記載において、前記補助上面電極を、前記絶縁基板における左右両側面から内側に入った領域に形成したことを特徴とするチップ型抵抗器の構造。
  3. チップ型絶縁基板の上面における左右両端部に主上面電極を形成する工程と、前記絶縁基板の上面に抵抗膜を形成する工程と、前記抵抗膜にカバーコートを形成する工程と、前記抵抗膜にトリミング調整を行う工程と、前記主上面電極に対してこれを覆う補助上面電極を前記カバーコートの一部に重なるように形成する工程と、前記絶縁基板の左右両端面に側面電極を形成する工程と、前記補助上面電極及び側面電極並びに主上面電極の露出部分に金属メッキ層を形成する工程とから成るチップ型抵抗器の製造方法において、
    前記補助上面電極を形成する工程が、当該補助上面電極のうち前記絶縁基板における左右両端部側の部分において前記主上面電極の一部を露出する一方、当該補助上面電極のうち前記カバーコート側の部分にカバーコートに対する重なり部を残して形成する工程であることを特徴とするチップ型抵抗器の製造方法。
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