JPH10189302A - チップ型抵抗器の構造及びその製造方法 - Google Patents
チップ型抵抗器の構造及びその製造方法Info
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- JPH10189302A JPH10189302A JP8341383A JP34138396A JPH10189302A JP H10189302 A JPH10189302 A JP H10189302A JP 8341383 A JP8341383 A JP 8341383A JP 34138396 A JP34138396 A JP 34138396A JP H10189302 A JPH10189302 A JP H10189302A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 チップ型抵抗器において、抵抗膜１２の両端
に対する端子電極１３の表面と、前記抵抗膜１２に対す
るカバーコート１４の表面との間の段差を小さくする
か、段差を無くすることを、低コストで達成する。 【手段】 前記カバーコート１４のうちミドルコート１
４ｂの延長部１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″を、前記端
子電極１３における主上面電極１３ａの表面の一部に形
成する一方、前記端子電極１３における補助上面電極１
３ｂを、前記ミドルコート１４ｂの延長部１４ｂ′又は
飛び地部１４ｂ″の表面と主上面電極１３ａの表面との
両方に跨がって形成する。
に対する端子電極１３の表面と、前記抵抗膜１２に対す
るカバーコート１４の表面との間の段差を小さくする
か、段差を無くすることを、低コストで達成する。 【手段】 前記カバーコート１４のうちミドルコート１
４ｂの延長部１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″を、前記端
子電極１３における主上面電極１３ａの表面の一部に形
成する一方、前記端子電極１３における補助上面電極１
３ｂを、前記ミドルコート１４ｂの延長部１４ｂ′又は
飛び地部１４ｂ″の表面と主上面電極１３ａの表面との
両方に跨がって形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ型の絶縁基
板に、抵抗膜とその両端に対する端子電極とを形成して
成るチップ型の抵抗器において、その構造と、その製造
方法とに関するものである。
板に、抵抗膜とその両端に対する端子電極とを形成して
成るチップ型の抵抗器において、その構造と、その製造
方法とに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来におけるチップ型抵抗器は、例え
ば、特開昭６０−２７１０４号公報等に記載されている
ように、チップ型の絶縁基板の表面に形成した抵抗膜を
覆うカバーコートが、前記抵抗膜の両端に対する端子電
極の表面より可成り突出し、カバーコートの表面と両端
子電極の表面との間の段差が大きいと言う構造であった
から、このチップ型抵抗器を、プリント基板に対して、
当該チップ型抵抗器における抵抗膜側をプリント基板に
向けた状態にして半田付けするとき、片側が浮き上がっ
てしまって、確実に半田付けできないと言う問題があっ
た。
ば、特開昭６０−２７１０４号公報等に記載されている
ように、チップ型の絶縁基板の表面に形成した抵抗膜を
覆うカバーコートが、前記抵抗膜の両端に対する端子電
極の表面より可成り突出し、カバーコートの表面と両端
子電極の表面との間の段差が大きいと言う構造であった
から、このチップ型抵抗器を、プリント基板に対して、
当該チップ型抵抗器における抵抗膜側をプリント基板に
向けた状態にして半田付けするとき、片側が浮き上がっ
てしまって、確実に半田付けできないと言う問題があっ
た。
【０００３】そこで、先行技術としての特開平４−１０
２３０２号公報は、図２８及び図２９に示すように、チ
ップ型絶縁基板１の左右両端部に、抵抗膜２の両端に対
する端子電極３を形成するに際して、この両端子電極３
を、前記絶縁基板１の表面に抵抗膜２に導通するように
形成した主上面電極３ａと、この主上面電極３ａの上面
に盛り上げるように形成した補助上面電極３ｂと、前記
絶縁基板１の端面に形成した側面電極３ｃと、前記補助
上面電極３ｂ及び側面電極３ｃの表面に形成した金属メ
ッキ層３ｄとで構成することにより、この両端子電極３
の表面と、前記抵抗膜２に対するカバーコート４の表面
との間における段差を小さくするか、段差を無くするこ
とを提案している。
２３０２号公報は、図２８及び図２９に示すように、チ
ップ型絶縁基板１の左右両端部に、抵抗膜２の両端に対
する端子電極３を形成するに際して、この両端子電極３
を、前記絶縁基板１の表面に抵抗膜２に導通するように
形成した主上面電極３ａと、この主上面電極３ａの上面
に盛り上げるように形成した補助上面電極３ｂと、前記
絶縁基板１の端面に形成した側面電極３ｃと、前記補助
上面電極３ｂ及び側面電極３ｃの表面に形成した金属メ
ッキ層３ｄとで構成することにより、この両端子電極３
の表面と、前記抵抗膜２に対するカバーコート４の表面
との間における段差を小さくするか、段差を無くするこ
とを提案している。
【０００４】なお、前記カバーコート４は、抵抗膜２の
直接覆うアンダーコート４ａと、このアンダーコート４
ａを覆うミドルコート４ｂと、このミドルコート４ｂを
覆うオーバーコート４ｃとの三層構造になっている。な
お、前記アンダーコートを省略する場合もある。また、
前記先行技術のチップ型抵抗器は、前記公報に記載され
ているように、 ．先づ、絶縁基板の上面に、両主上面電極３ａを形成
したのち抵抗膜２を形成するか、或いは、抵抗膜２を形
成したのち両主上面電極３ａを形成する。 ．次いで、前記抵抗膜２に対してガラスによるアンダ
ーコート４ａを形成したのち（なお、このアンダーコー
トを省略する場合もある）、前記両主上面電極３ａに通
電用プローブを接触して前記抵抗膜２の抵抗値を測定し
ながら前記抵抗膜２及びアンダーコート４ａに対してレ
ーザ光線の照射等にてトリミング溝を刻設することによ
り、前記抵抗膜２における抵抗値が所定の許容範囲内に
入るようにトリミング調整する。 ．次いで、前記アンダーコート４ａの表面に対して、
前記トリミング溝を塞ぐためにガラスによるミドルコー
ト４ｂを形成したのち、これらの全体を覆うガラス又は
合成樹脂によるオーバーコート４ｃを形成する。 ．そして、前記両主上面電極３ａの表面に、導電ペー
ストを厚く盛り上げることにより、補助上面電極３ｂを
形成し、絶縁基板１の端面に側面電極３ｃを形成したの
ち、全体に対して金属メッキ処理を施すことにより、金
属メッキ層３ｄを形成する。 と言う順序で製造される。
直接覆うアンダーコート４ａと、このアンダーコート４
ａを覆うミドルコート４ｂと、このミドルコート４ｂを
覆うオーバーコート４ｃとの三層構造になっている。な
お、前記アンダーコートを省略する場合もある。また、
前記先行技術のチップ型抵抗器は、前記公報に記載され
ているように、 ．先づ、絶縁基板の上面に、両主上面電極３ａを形成
したのち抵抗膜２を形成するか、或いは、抵抗膜２を形
成したのち両主上面電極３ａを形成する。 ．次いで、前記抵抗膜２に対してガラスによるアンダ
ーコート４ａを形成したのち（なお、このアンダーコー
トを省略する場合もある）、前記両主上面電極３ａに通
電用プローブを接触して前記抵抗膜２の抵抗値を測定し
ながら前記抵抗膜２及びアンダーコート４ａに対してレ
ーザ光線の照射等にてトリミング溝を刻設することによ
り、前記抵抗膜２における抵抗値が所定の許容範囲内に
入るようにトリミング調整する。 ．次いで、前記アンダーコート４ａの表面に対して、
前記トリミング溝を塞ぐためにガラスによるミドルコー
ト４ｂを形成したのち、これらの全体を覆うガラス又は
合成樹脂によるオーバーコート４ｃを形成する。 ．そして、前記両主上面電極３ａの表面に、導電ペー
ストを厚く盛り上げることにより、補助上面電極３ｂを
形成し、絶縁基板１の端面に側面電極３ｃを形成したの
ち、全体に対して金属メッキ処理を施すことにより、金
属メッキ層３ｄを形成する。 と言う順序で製造される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、先行技術は、
両主上面電極３ａの上面に、導電ペーストを厚く盛り上
げて補助電極３ｂを形成することにより、端子電極３と
カバーコート４との間の段差を無くするか、小さくする
ように構成したものであり、換言すると、前記補助上面
電極３ｂを、導電ペーストを厚く盛り上げることによっ
てのみ形成するように構成したものであるから、端子電
極３とカバーコート４との間の段差を無くするか小さく
するためには、導電ペーストの使用量が多くなって、材
料費が嵩んで製造コストが可成りアップすると共に、チ
ップ型抵抗器の重量もアップするのである。
両主上面電極３ａの上面に、導電ペーストを厚く盛り上
げて補助電極３ｂを形成することにより、端子電極３と
カバーコート４との間の段差を無くするか、小さくする
ように構成したものであり、換言すると、前記補助上面
電極３ｂを、導電ペーストを厚く盛り上げることによっ
てのみ形成するように構成したものであるから、端子電
極３とカバーコート４との間の段差を無くするか小さく
するためには、導電ペーストの使用量が多くなって、材
料費が嵩んで製造コストが可成りアップすると共に、チ
ップ型抵抗器の重量もアップするのである。
【０００６】特に、プリント基板への半田付けに際して
片側が浮き上がることを完全に防止するために、両端子
電極３の表面をカバーコート４の表面より突出するよう
に構成する場合には、材料費がより嵩むばかりか、前記
補助上面電極用導電ペーストをスクリーン印刷にて塗布
することの回数を多くしなければならないから、コスト
が更にアップするのである。
片側が浮き上がることを完全に防止するために、両端子
電極３の表面をカバーコート４の表面より突出するよう
に構成する場合には、材料費がより嵩むばかりか、前記
補助上面電極用導電ペーストをスクリーン印刷にて塗布
することの回数を多くしなければならないから、コスト
が更にアップするのである。
【０００７】本発明は、この問題を解消できる構造と、
その製造方法とを提供することを技術的課題とするもの
である。
その製造方法とを提供することを技術的課題とするもの
である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明のチップ型抵抗器は、「絶縁基板の左右両
端部に、抵抗膜の両端に対する端子電極を備え、前記両
端子電極を、少なくとも、絶縁基板の表面に抵抗膜に導
通するように形成した主上面電極と、この主上面電極の
上面に形成した補助上面電極と、前記絶縁基板の端面に
形成した側面電極とで構成する一方、前記抵抗膜を覆う
カバーコートを、少なくとも、ミドルコートとオーバー
コートとで構成して成る抵抗器において、前記両端子電
極における主上面電極の表面に、前記カバーコートのう
ちミドルコートの延長部又は飛び地部を形成して、この
ミドルコートの延長部又は飛び地部の表面に前記補助上
面電極を形成する。」と言う構成にした。
るため本発明のチップ型抵抗器は、「絶縁基板の左右両
端部に、抵抗膜の両端に対する端子電極を備え、前記両
端子電極を、少なくとも、絶縁基板の表面に抵抗膜に導
通するように形成した主上面電極と、この主上面電極の
上面に形成した補助上面電極と、前記絶縁基板の端面に
形成した側面電極とで構成する一方、前記抵抗膜を覆う
カバーコートを、少なくとも、ミドルコートとオーバー
コートとで構成して成る抵抗器において、前記両端子電
極における主上面電極の表面に、前記カバーコートのう
ちミドルコートの延長部又は飛び地部を形成して、この
ミドルコートの延長部又は飛び地部の表面に前記補助上
面電極を形成する。」と言う構成にした。
【０００９】また、本発明の製造方法は、「絶縁基板に
抵抗膜と左右一対の主上面電極とを形成する工程と、前
記抵抗膜をトリミング調整する工程と、前記抵抗膜を覆
うミドルコートを、当該ミドルコートの延長部又は飛び
地部を前記両主上面電極の表面に部分的に設けるように
形成する工程と、このミドルコートを覆うオーバーコー
トを形成する工程と、前記両主上面電極の表面と前記ミ
ドルコートの延長部又は飛び地部との両方に跨がって補
助上面電極を形成する工程と、前記絶縁基板の左右両端
面に側面電極を形成する工程とから成ることを特徴とす
る。」ものである。
抵抗膜と左右一対の主上面電極とを形成する工程と、前
記抵抗膜をトリミング調整する工程と、前記抵抗膜を覆
うミドルコートを、当該ミドルコートの延長部又は飛び
地部を前記両主上面電極の表面に部分的に設けるように
形成する工程と、このミドルコートを覆うオーバーコー
トを形成する工程と、前記両主上面電極の表面と前記ミ
ドルコートの延長部又は飛び地部との両方に跨がって補
助上面電極を形成する工程と、前記絶縁基板の左右両端
面に側面電極を形成する工程とから成ることを特徴とす
る。」ものである。
【００１０】
【発明の効果】このように、両端子電極における主上面
電極の表面に、カバーコートのうちミドルコートの延長
部又は飛び地部を形成して、このミドルコートの延長部
又は飛び地部の表面に補助上面電極を形成したことで、
主上面電極と、ミドルコートの延長部又は飛び地部と、
補助上面電極との三層構造になっていることにより、前
記絶縁基板の表面から補助上面電極の表面までの高さ寸
法には、前記主上面電極の厚さと、補助上面電極の厚さ
とに、ミドルコートの延長部又は飛び地部における厚さ
寸法が加算することになるから、前記補助上面電極の厚
さ寸法を、前記ミドルコートの延長部又は飛び地部にお
ける厚さ寸法だけ薄くすることができるのである。
電極の表面に、カバーコートのうちミドルコートの延長
部又は飛び地部を形成して、このミドルコートの延長部
又は飛び地部の表面に補助上面電極を形成したことで、
主上面電極と、ミドルコートの延長部又は飛び地部と、
補助上面電極との三層構造になっていることにより、前
記絶縁基板の表面から補助上面電極の表面までの高さ寸
法には、前記主上面電極の厚さと、補助上面電極の厚さ
とに、ミドルコートの延長部又は飛び地部における厚さ
寸法が加算することになるから、前記補助上面電極の厚
さ寸法を、前記ミドルコートの延長部又は飛び地部にお
ける厚さ寸法だけ薄くすることができるのである。
【００１１】従って、補助上面電極用導電ペーストの使
用量が少なくできて、材料費を節減できる一方、前記ミ
ドルコートの延長部又は飛び地部は、ミドルコートと同
時に形成できて別の工程を追加する必要がないから、製
造コストを低減できると共に、軽量化できるのであり、
また、両端子電極の表面をカバーコートの表面より突出
するように構成する場合において、前記補助上面電極用
導電ペーストをスクリーン印刷にて塗布することの回数
が多くなることを回避できると言う効果を有する。
用量が少なくできて、材料費を節減できる一方、前記ミ
ドルコートの延長部又は飛び地部は、ミドルコートと同
時に形成できて別の工程を追加する必要がないから、製
造コストを低減できると共に、軽量化できるのであり、
また、両端子電極の表面をカバーコートの表面より突出
するように構成する場合において、前記補助上面電極用
導電ペーストをスクリーン印刷にて塗布することの回数
が多くなることを回避できると言う効果を有する。
【００１２】特に、「請求項２」に記載したように、主
上面電極の表面に、前記カバーコートのうちミドルコー
トの延長部又は飛び地部を部分的に形成する一方、前記
補助上面電極を、前記ミドルコートの延長部又は飛び地
部の表面と前記主上面電極の表面との両方に跨がって形
成することにより、前記の効果を奏するものでありなが
ら、補助上面電極と主上面電極とを互いに電気的に導通
するように、確実、且つ強固に一体化できるのである。
上面電極の表面に、前記カバーコートのうちミドルコー
トの延長部又は飛び地部を部分的に形成する一方、前記
補助上面電極を、前記ミドルコートの延長部又は飛び地
部の表面と前記主上面電極の表面との両方に跨がって形
成することにより、前記の効果を奏するものでありなが
ら、補助上面電極と主上面電極とを互いに電気的に導通
するように、確実、且つ強固に一体化できるのである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
について説明する。図１〜図１２は、第１の実施形態を
示す。この第１の実施形態は、 ．先づ、図１に示すように、チップ型の絶縁基板１１
の上面に、左右一対の主上面電極１３ａを、導電ペース
トのスクリーン印刷及び焼成にて形成する。 ．次いで、図２に示すように、前記絶縁基板１１の上
面に、抵抗膜１２を、ペーストのスクリーン印刷及び焼
成にて形成し（なお、先にこの抵抗膜１２を形成し、次
いで、前記両主上面電極１３ａを形成するようにしても
良い）、この抵抗膜１２を覆うガラスによるアンダーコ
ート１４ａを、材料のスクリーン印刷及び焼成にて形成
したのち、前記両主上面電極１３ａに通電用プローブ
（図示せず）を接触して前記抵抗膜１２の抵抗値を測定
しながら前記抵抗膜１２及びアンダーコート１４ａに対
してレーザ光線の照射等にてトリミング溝１２ａを刻設
することにより、前記抵抗膜１２における抵抗値が所定
の許容範囲内に入るようにトリミング調整する。なお、
前記アンダーコート１４ａを省略した状態で、抵抗膜１
２のトリミング調整を行うようにしても良い。 ．次いで、前記アンダーコート１４ａの表面に対し
て、前記トリミング溝を塞ぐためにガラスによるミドル
コート１４ｂを、材料のスクリーン印刷及び焼成にて形
成するに際して、図３〜図５に示すように、前記両主上
面電極１３ａの表面のうち左右両側の部分に、前記ミド
ルコート１４ｂから一体的に延びる延長部１４ｂ′を、
同時に形成する。 ．次いで、前記ミドルコート１４ｂの表面のうち前記
延長部１４ｂ′以外の部分に、図６及び図７に示すよう
に、ガラス又は合成樹脂によるオーバーコート１４ｃ
を、材料のスクリーン印刷及び焼成にて形成することに
より、カバーコート１４を構成する。 ．次いで、前記両主上面電極３ａの表面に、図８〜図
１０に示すように、補助上面電極１３ｂを、主上面電極
３ａの表面と前記ミドルコート１４ｂにおける延長部１
４ｂ′の表面との両方に跨がるように、導電ペーストの
スクリーン印刷及び焼成にて形成する。なお、この補助
上面電極１３ｂは、後述する側面電極１３ｃと同時に形
成するようにしても良い。 ．そして、図１１及び図１２に示すように、前記絶縁
基板１１における左右両端面に、側面電極１３ｃを、導
電ペーストの塗布及び焼成にて形成したのち、全体に対
して金属メッキ処理を施して、前記補助上面電極１３ｂ
及び側面電極１３ｃの表面に金属メッキ層１３ｄを形成
することにより、端子電極１３に構成するのである。
について説明する。図１〜図１２は、第１の実施形態を
示す。この第１の実施形態は、 ．先づ、図１に示すように、チップ型の絶縁基板１１
の上面に、左右一対の主上面電極１３ａを、導電ペース
トのスクリーン印刷及び焼成にて形成する。 ．次いで、図２に示すように、前記絶縁基板１１の上
面に、抵抗膜１２を、ペーストのスクリーン印刷及び焼
成にて形成し（なお、先にこの抵抗膜１２を形成し、次
いで、前記両主上面電極１３ａを形成するようにしても
良い）、この抵抗膜１２を覆うガラスによるアンダーコ
ート１４ａを、材料のスクリーン印刷及び焼成にて形成
したのち、前記両主上面電極１３ａに通電用プローブ
（図示せず）を接触して前記抵抗膜１２の抵抗値を測定
しながら前記抵抗膜１２及びアンダーコート１４ａに対
してレーザ光線の照射等にてトリミング溝１２ａを刻設
することにより、前記抵抗膜１２における抵抗値が所定
の許容範囲内に入るようにトリミング調整する。なお、
前記アンダーコート１４ａを省略した状態で、抵抗膜１
２のトリミング調整を行うようにしても良い。 ．次いで、前記アンダーコート１４ａの表面に対し
て、前記トリミング溝を塞ぐためにガラスによるミドル
コート１４ｂを、材料のスクリーン印刷及び焼成にて形
成するに際して、図３〜図５に示すように、前記両主上
面電極１３ａの表面のうち左右両側の部分に、前記ミド
ルコート１４ｂから一体的に延びる延長部１４ｂ′を、
同時に形成する。 ．次いで、前記ミドルコート１４ｂの表面のうち前記
延長部１４ｂ′以外の部分に、図６及び図７に示すよう
に、ガラス又は合成樹脂によるオーバーコート１４ｃ
を、材料のスクリーン印刷及び焼成にて形成することに
より、カバーコート１４を構成する。 ．次いで、前記両主上面電極３ａの表面に、図８〜図
１０に示すように、補助上面電極１３ｂを、主上面電極
３ａの表面と前記ミドルコート１４ｂにおける延長部１
４ｂ′の表面との両方に跨がるように、導電ペーストの
スクリーン印刷及び焼成にて形成する。なお、この補助
上面電極１３ｂは、後述する側面電極１３ｃと同時に形
成するようにしても良い。 ．そして、図１１及び図１２に示すように、前記絶縁
基板１１における左右両端面に、側面電極１３ｃを、導
電ペーストの塗布及び焼成にて形成したのち、全体に対
して金属メッキ処理を施して、前記補助上面電極１３ｂ
及び側面電極１３ｃの表面に金属メッキ層１３ｄを形成
することにより、端子電極１３に構成するのである。
【００１４】このようにして製造されたチップ型抵抗器
は、図１１及び図１２に示すように、両端子電極１３に
おける主上面電極１３ａの表面には、ミドルコート１４
ｂにおける延長部１４ｂ′が形成され、このミドルコー
ト１４ｂにおける延長部１４ｂ′の表面に、補助上面電
極１３ｂが形成されると言うように三層構造の形態にな
っていることにより、前記絶縁基板１１の表面から補助
上面電極１３ｂの表面までの高さ寸法Ｈ１（正確には、
絶縁基板１１の表面から金属メッキ層１３ｄの表面まで
の高さ）には、前記主上面電極１３ａの厚さＴａと、補
助上面電極１３ｂの厚さＴｂとに、前記ミドルコート１
４ｂの延長部１４ｂ′における厚さ寸法Ｔ１が加算する
ことになる。
は、図１１及び図１２に示すように、両端子電極１３に
おける主上面電極１３ａの表面には、ミドルコート１４
ｂにおける延長部１４ｂ′が形成され、このミドルコー
ト１４ｂにおける延長部１４ｂ′の表面に、補助上面電
極１３ｂが形成されると言うように三層構造の形態にな
っていることにより、前記絶縁基板１１の表面から補助
上面電極１３ｂの表面までの高さ寸法Ｈ１（正確には、
絶縁基板１１の表面から金属メッキ層１３ｄの表面まで
の高さ）には、前記主上面電極１３ａの厚さＴａと、補
助上面電極１３ｂの厚さＴｂとに、前記ミドルコート１
４ｂの延長部１４ｂ′における厚さ寸法Ｔ１が加算する
ことになる。
【００１５】従って、前記絶縁基板１１の表面から補助
上面電極１３ｂの表面までの高さ寸法Ｈ１（正確には、
絶縁基板１１の表面から金属メッキ層１３ｄの表面まで
の高さ）を、前記先行技術と同じにした場合には、前記
補助上面電極１３ｂの厚さ寸法Ｔｂを、先行技術の場合
よりも、前記ミドルコート１４ｂの延長部１４ｂ′にお
ける厚さ寸法Ｔ１だけ薄くすることができるから、補助
上面電極１３ｂ用導電ペーストの使用量が少なくできて
材料費を節減できると共に、軽量化できるのである。
上面電極１３ｂの表面までの高さ寸法Ｈ１（正確には、
絶縁基板１１の表面から金属メッキ層１３ｄの表面まで
の高さ）を、前記先行技術と同じにした場合には、前記
補助上面電極１３ｂの厚さ寸法Ｔｂを、先行技術の場合
よりも、前記ミドルコート１４ｂの延長部１４ｂ′にお
ける厚さ寸法Ｔ１だけ薄くすることができるから、補助
上面電極１３ｂ用導電ペーストの使用量が少なくできて
材料費を節減できると共に、軽量化できるのである。
【００１６】また、前記絶縁基板１１の表面から補助上
面電極１３ｂの表面までの高さ寸法Ｈ１（正確には、絶
縁基板１１の表面から金属メッキ層１３ｄの表面までの
高さ）を、絶縁基板１１の表面からオーバーコート１４
ｃの表面までの高さ寸法Ｈ０よりも高くして、両端子電
極１３の表面をオーバーコート１４ｃの表面より突出す
るように構成する場合においては、前記補助上面電極用
導電ペーストをスクリーン印刷にて塗布することの回数
が多くなることを回避できるのである。
面電極１３ｂの表面までの高さ寸法Ｈ１（正確には、絶
縁基板１１の表面から金属メッキ層１３ｄの表面までの
高さ）を、絶縁基板１１の表面からオーバーコート１４
ｃの表面までの高さ寸法Ｈ０よりも高くして、両端子電
極１３の表面をオーバーコート１４ｃの表面より突出す
るように構成する場合においては、前記補助上面電極用
導電ペーストをスクリーン印刷にて塗布することの回数
が多くなることを回避できるのである。
【００１７】一方、前記ミドルコート１４ｂにおける延
長部１４ｂ′は、主上面電極１３ａにおける表面の一部
に形成され、補助上面電極１３ｂは、前記ミドルコート
１４ｂの延長部１４ｂ′の表面と前記主上面電極１３ａ
の表面との両方に跨がって形成されていることにより、
補助上面電極１３ｂと主上面電極１３ａとを互いに電気
的に導通するように確実、且つ強固に一体化できるので
ある。
長部１４ｂ′は、主上面電極１３ａにおける表面の一部
に形成され、補助上面電極１３ｂは、前記ミドルコート
１４ｂの延長部１４ｂ′の表面と前記主上面電極１３ａ
の表面との両方に跨がって形成されていることにより、
補助上面電極１３ｂと主上面電極１３ａとを互いに電気
的に導通するように確実、且つ強固に一体化できるので
ある。
【００１８】なお、前記ミドルコート１４ｂの延長部１
４ｂ′としては、図１３、図１４、図１５又は図１６に
示すような形態にすることができるのであり、また、こ
の延長部とすることに代えて、図１７に示すように、前
記ミドルコート１４ｂを形成するときにおいて、両主上
面電極１３ａの表面のうち左右両側の部分に、当該ミド
ルコート１４ｂの飛び地部１４ｂ″を同時に形成し、補
助上面電極１３ｂを、この飛び地部１４ｂ″の表面と主
上面電極１３ａの表面との両方に跨がって形成するよう
に構成しても良く、また、図１８及び図１９に示すよう
に、両主上面電極１３ａのうち一方に、二つの延長部１
４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″を、他方に一つの延長部１
４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″を各々設けた形態にしても
良いのである。
４ｂ′としては、図１３、図１４、図１５又は図１６に
示すような形態にすることができるのであり、また、こ
の延長部とすることに代えて、図１７に示すように、前
記ミドルコート１４ｂを形成するときにおいて、両主上
面電極１３ａの表面のうち左右両側の部分に、当該ミド
ルコート１４ｂの飛び地部１４ｂ″を同時に形成し、補
助上面電極１３ｂを、この飛び地部１４ｂ″の表面と主
上面電極１３ａの表面との両方に跨がって形成するよう
に構成しても良く、また、図１８及び図１９に示すよう
に、両主上面電極１３ａのうち一方に、二つの延長部１
４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″を、他方に一つの延長部１
４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″を各々設けた形態にしても
良いのである。
【００１９】次に、図２０〜図２７は、第２の実施形態
を示す。この第２の実施形態は、絶縁基板１１に対して
両上面電極１３ａ、抵抗膜１２及びアンダーコート１４
ａを形成し、更に、トリミング調整を行ったのち、ガラ
スによるミドルコート１４ｂを形成するに際して、この
ミドルコート１４ｂの延長部１４ｂ′を、図２０及び図
２１に示すように、両主上面電極１３ａの一部に形成し
たもので、以後は、前記第１の実施形態と同様に、図２
２及び図２３に示すようにオーバーコート１４ｃを形成
し、次いで、図２４及び図２４に示すように、補助上面
電極１３ｂを形成し、更に、図２３及び図２４に示すよ
うに、側面電極１３ｃを形成したのち、金属メッキ層１
３ｄを形成するこによって、両端子電極１３を構成した
ものである。
を示す。この第２の実施形態は、絶縁基板１１に対して
両上面電極１３ａ、抵抗膜１２及びアンダーコート１４
ａを形成し、更に、トリミング調整を行ったのち、ガラ
スによるミドルコート１４ｂを形成するに際して、この
ミドルコート１４ｂの延長部１４ｂ′を、図２０及び図
２１に示すように、両主上面電極１３ａの一部に形成し
たもので、以後は、前記第１の実施形態と同様に、図２
２及び図２３に示すようにオーバーコート１４ｃを形成
し、次いで、図２４及び図２４に示すように、補助上面
電極１３ｂを形成し、更に、図２３及び図２４に示すよ
うに、側面電極１３ｃを形成したのち、金属メッキ層１
３ｄを形成するこによって、両端子電極１３を構成した
ものである。
【００２０】この場合においても、両端子電極１３にお
ける主上面電極１３ａの表面の一部には、ミドルコート
１４ｂにおける延長部１４ｂ′が形成される一方、この
ミドルコート１４ｂにおける延長部１４ｂ′の表面の主
上面電極１３ａの表面との両方に跨がって補助上面電極
１３ｂが形成されていることにより、前記第１の実施形
態と同様に作用・効果を得ることができるのである。
ける主上面電極１３ａの表面の一部には、ミドルコート
１４ｂにおける延長部１４ｂ′が形成される一方、この
ミドルコート１４ｂにおける延長部１４ｂ′の表面の主
上面電極１３ａの表面との両方に跨がって補助上面電極
１３ｂが形成されていることにより、前記第１の実施形
態と同様に作用・効果を得ることができるのである。
【００２１】なお、両主上面電極１３ａの表面に、前記
した各実施形態のように、ミドルコート１４ｂにおける
延長部１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″のみを形成して、
その上、補助上面電極１３ｂを形成することに代えて、
前記両主上面電極１３ａの表面に、先に、アンダーコー
ト１４ａにおける延長部又は飛び地部を形成し、その上
に、ミドルコート１４ｂにおける延長部１４ｂ′又は飛
び地部１４ｂ″を形成し、更にその上に、補助上面電極
１３ｂを形成するとか、或いは、前記両主上面電極１３
ａの表面に、先に、ミドルコート１４ｂにおける延長部
１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″を形成し、その上に、オ
ーバーコート１４ｃにおける延長部又は飛び地部を形成
し、更にその上に、補助上面電極１３ｂを形成するよう
に構成しても良く、これにより、補助上面電極用導電ペ
ーストの使用量を更に低減できるのである。
した各実施形態のように、ミドルコート１４ｂにおける
延長部１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″のみを形成して、
その上、補助上面電極１３ｂを形成することに代えて、
前記両主上面電極１３ａの表面に、先に、アンダーコー
ト１４ａにおける延長部又は飛び地部を形成し、その上
に、ミドルコート１４ｂにおける延長部１４ｂ′又は飛
び地部１４ｂ″を形成し、更にその上に、補助上面電極
１３ｂを形成するとか、或いは、前記両主上面電極１３
ａの表面に、先に、ミドルコート１４ｂにおける延長部
１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″を形成し、その上に、オ
ーバーコート１４ｃにおける延長部又は飛び地部を形成
し、更にその上に、補助上面電極１３ｂを形成するよう
に構成しても良く、これにより、補助上面電極用導電ペ
ーストの使用量を更に低減できるのである。
【００２２】勿論、前記両主上面電極１３ａの表面に、
先に、アンダーコート１４ａにおける延長部又は飛び地
部を形成し、その上に、ミドルコート１４ｂにおける延
長部１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″を形成し、更にその
上に、オーバーコート１４ｃにおける延長部又は飛び地
部を形成したのち、補助上面電極１３ｂを形成するよう
に構成しても良い。
先に、アンダーコート１４ａにおける延長部又は飛び地
部を形成し、その上に、ミドルコート１４ｂにおける延
長部１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″を形成し、更にその
上に、オーバーコート１４ｃにおける延長部又は飛び地
部を形成したのち、補助上面電極１３ｂを形成するよう
に構成しても良い。
【図１】第１の実施形態において絶縁基板に主上面電極
を形成した状態を示す斜視図である。
を形成した状態を示す斜視図である。
【図２】前記絶縁基板の抵抗膜に次いでアンダーコート
を形成した状態を示す斜視図である。
を形成した状態を示す斜視図である。
【図３】前記絶縁基板にミドルコートを形成した状態を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図４】図３のIV−IV視断面図である。
【図５】図３のＶ−Ｖ視断面図である。
【図６】前記絶縁基板にオーバーコートを形成した状態
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図７】図６のVII −VII 視断面図である。
【図８】前記絶縁基板に補助上面電極を形成した状態を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図９】図８のIX−IX視断面図である。
【図１０】図８のＸ−Ｘ視断面図である。
【図１１】第１の実施形態によるチップ型抵抗器を示す
縦断正面図である。
縦断正面図である。
【図１２】図１１のXII −XII 視断面図である。
【図１３】前記第１の実施形態におけるミドルコートの
第１変形例を示す平面図である。
第１変形例を示す平面図である。
【図１４】前記第１の実施形態におけるミドルコートの
第２変形例を示す平面図である。
第２変形例を示す平面図である。
【図１５】前記第１の実施形態におけるミドルコートの
第３変形例を示す平面図である。
第３変形例を示す平面図である。
【図１６】前記第１の実施形態におけるミドルコートの
第４変形例を示す平面図である。
第４変形例を示す平面図である。
【図１７】前記第１の実施形態におけるミドルコートの
第５変形例を示す平面図である。
第５変形例を示す平面図である。
【図１８】前記第１の実施形態におけるミドルコートの
第６変形例を示す平面図である。
第６変形例を示す平面図である。
【図１９】前記第１の実施形態におけるミドルコートの
第７変形例を示す平面図である。
第７変形例を示す平面図である。
【図２０】第２の実施形態において絶縁基板に主上面電
極、抵抗膜、アンダーコート及びミドルコートを形成し
た状態の平面図である。
極、抵抗膜、アンダーコート及びミドルコートを形成し
た状態の平面図である。
【図２１】図２０のXXI −XXI 視断面図である。
【図２２】前記絶縁基板にオーバーコートを形成した状
態を示す平面図である。
態を示す平面図である。
【図２３】図２２のXXIII −XXIII 視断面図である。
【図２４】前記絶縁基板に補助上面電極を形成した状態
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２５】図２４のXXV −XXV 視断面図である。
【図２６】第２の実施形態によるチップ型抵抗器を示す
縦断正面図である。
縦断正面図である。
【図２７】図２６のXXVII −XXVII 視断面図である。
【図２８】先行技術によるチップ型抵抗器を示す斜視図
である。
である。
【図２９】図２８のXXIX−XXIX視拡大断面図である。
１１ 絶縁基板 １２ 抵抗膜 １３ 端子電極 １３ａ 主上面電極 １３ｂ 補助上面電極 １３ｃ 側面電極 １３ｄ 金属メッキ層 １４ カバーコート １４ａ アンダーコート １４ｂ ミドルコート １４ｃ オーバーコート １４ｂ′ ミドルコートの延長部 １４ｂ″ ミドルコートの飛び地部
Claims (3)
- 【請求項１】絶縁基板の左右両端部に、抵抗膜の両端に
対する端子電極を備え、前記両端子電極を、少なくと
も、絶縁基板の表面に抵抗膜に導通するように形成した
主上面電極と、この主上面電極の上面に形成した補助上
面電極と、前記絶縁基板の端面に形成した側面電極とで
構成する一方、前記抵抗膜を覆うカバーコートを、少な
くとも、ミドルコートとオーバーコートとで構成して成
る抵抗器において、 前記両端子電極における主上面電極の表面に、前記カバ
ーコートのうちミドルコートの延長部又は飛び地部を形
成して、このミドルコートの延長部又は飛び地部の表面
に前記補助上面電極を形成することを特徴とするチップ
型抵抗器の構造。 - 【請求項２】絶縁基板の左右両端部に、抵抗膜の両端に
対する端子電極を備え、前記両端子電極を、少なくと
も、絶縁基板の表面に抵抗膜に導通するように形成した
主上面電極と、この主上面電極の上面に形成した補助上
面電極と、前記絶縁基板の端面に形成した側面電極とで
構成する一方、前記抵抗膜を覆うカバーコートを、少な
くとも、ミドルコートとオーバーコートとで構成して成
る抵抗器において、 前記両端子電極における主上面電極の表面に、前記カバ
ーコートのうちミドルコートの延長部又は飛び地部を部
分的に形成する一方、前記補助上面電極を、前記ミドル
コートの延長部又は飛び地部の表面と前記主上面電極の
表面との両方に跨がって形成したことを特徴とするチッ
プ型抵抗器の構造。 - 【請求項３】絶縁基板に抵抗膜と左右一対の主上面電極
とを形成する工程と、前記抵抗膜をトリミング調整する
工程と、前記抵抗膜を覆うミドルコートを、当該ミドル
コートの延長部又は飛び地部を前記両主上面電極の表面
に部分的に設けるように形成する工程と、このミドルコ
ートを覆うオーバーコートを形成する工程と、前記両主
上面電極の表面と前記ミドルコートの延長部又は飛び地
部との両方に跨がって補助上面電極を形成する工程と、
前記絶縁基板の左右両端面に側面電極を形成する工程と
から成ることを特徴とするチップ型抵抗器の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34138396A JP3766492B2 (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | チップ型抵抗器の構造及びその製造方法 |
| GB9726778A GB2320620B (en) | 1996-12-20 | 1997-12-18 | Chip type resistor and manufacturing method thereof |
| MYPI97006187A MY122000A (en) | 1996-12-20 | 1997-12-19 | Chip type resistor |
| US08/995,220 US6127722A (en) | 1996-12-20 | 1997-12-19 | Chip type resistor |
| TW086221170U TW363762U (en) | 1996-12-20 | 1997-12-20 | Chip type resistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34138396A JP3766492B2 (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | チップ型抵抗器の構造及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189302A true JPH10189302A (ja) | 1998-07-21 |
| JP3766492B2 JP3766492B2 (ja) | 2006-04-12 |
Family
ID=18345642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34138396A Expired - Fee Related JP3766492B2 (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | チップ型抵抗器の構造及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3766492B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011091140A (ja) * | 2009-10-21 | 2011-05-06 | Koa Corp | 基板内蔵用チップ抵抗器およびその製造方法 |
| JP2014057096A (ja) * | 2013-11-22 | 2014-03-27 | Koa Corp | 基板内蔵用チップ抵抗器およびその製造方法 |
| JP2014060435A (ja) * | 2013-11-22 | 2014-04-03 | Koa Corp | 基板内蔵用チップ抵抗器およびその製造方法 |
-
1996
- 1996-12-20 JP JP34138396A patent/JP3766492B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011091140A (ja) * | 2009-10-21 | 2011-05-06 | Koa Corp | 基板内蔵用チップ抵抗器およびその製造方法 |
| JP2014057096A (ja) * | 2013-11-22 | 2014-03-27 | Koa Corp | 基板内蔵用チップ抵抗器およびその製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3766492B2 (ja) | 2006-04-12 |
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