JP3766493B2 - チップ型抵抗器の構造及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,チップ型の絶縁基板に,抵抗膜とその両端に対する端子電極とを形成して成るチップ型の抵抗器において,その構造と,その製造方法とに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来におけるチップ型抵抗器は,例えば,特開昭60−27104号公報等に記載されているように,チップ型の絶縁基板の表面に形成した抵抗膜を覆うカバーコートが,前記抵抗膜の両端に対する端子電極の表面より可成り突出し,カバーコートの表面と両端子電極の表面との間の段差が大きいと言う構造であったから,このチップ型抵抗器を,プリント基板に対して,当該チップ型抵抗器における抵抗膜側をプリント基板に向けた状態にして半田付けするとき,片側が浮き上がってしまって,確実に半田付けできないと言う問題があった。
【0003】
そこで,先行技術としての特開平4−102302号公報は,図28及び図29に示すように,チップ型絶縁基板1の左右両端部に,抵抗膜2の両端に対する端子電極3を形成するに際して,この両端子電極3を,前記絶縁基板1の表面に抵抗膜2に導通するように形成した主上面電極3aと,この主上面電極3aの上面に盛り上げるように形成した補助上面電極3bと,前記絶縁基板1の端面に形成した側面電極3cと,前記補助上面電極3b及び側面電極3cの表面に形成した金属メッキ層3dとで構成することにより,この両端子電極3の表面と,前記抵抗膜2に対するカバーコート4の表面との間における段差を小さくするか,段差を無くすることを提案している。
【0004】
なお,前記カバーコート4は,抵抗膜2の直接覆うアンダーコート4aと,このアンダーコート4aを覆うミドルコート4bと,このミドルコート4bを覆うオーバーコート4cとの三層構造になっているか,或いは,前記ミドルコート4bを省略した二層構造になっている。
【0005】
また,前記先行技術のチップ型抵抗器は,前記公報に記載されているように,
i .先づ,絶縁基板の上面に,両主上面電極3aを形成したのち抵抗膜2を形成するか,或いは,抵抗膜2を形成したのち両主上面電極3aを形成する。
ii.次いで,前記抵抗膜2に対してガラスによるアンダーコート4aを形成したのち,前記両主上面電極3aに通電用プローブを接触して前記抵抗膜2の抵抗値を測定しながら前記抵抗膜2及びアンダーコート4aに対してレーザ光線の照射等にてトリミング溝を刻設することにより,前記抵抗膜2における抵抗値が所定の許容範囲内に入るようにトリミング調整する。
iii .次いで,前記アンダーコート4aの表面に対して,前記トリミング溝を塞ぐためにガラスによるミドルコート4bを形成したのち,これらの全体を覆うガラス又は合成樹脂によるオーバーコート4cを形成する。
iv.そして,前記両主上面電極3aの表面に,導電ペーストを厚く盛り上げることにより,補助上面電極3bを形成し,絶縁基板1の端面に側面電極3cを形成したのち,全体に対して金属メッキ処理を施すことにより,金属メッキ層3dを形成する。
と言う順序で製造される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし,先行技術は,両主上面電極3aの上面に,導電ペーストを厚く盛り上げて補助電極3bを形成することにより,端子電極3とカバーコート4との間の段差を無くするか,小さくするように構成したものであり,換言すると,前記補助上面電極3bを,導電ペーストを厚く盛り上げることによってのみ形成するように構成したものであるから,端子電極3とカバーコート4との間の段差を無くするか小さくするためには,導電ペーストの使用量が多くなって,材料費が嵩んで製造コストが可成りアップすると共に,チップ型抵抗器の重量もアップするのである。
【0007】
特に,プリント基板への半田付けに際して片側が浮き上がることを完全に防止するために,両端子電極3の表面をカバーコート4の表面より突出するように構成する場合には,材料費がより嵩むばかりか,前記補助上面電極用導電ペーストをスクリーン印刷にて塗布することの回数を多くしなければならないから,コストが更にアップするのである。
【0008】
本発明は,この問題を解消できる構造と,その製造方法とを提供することを技術的課題とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
この技術的課題を達成するため本発明のチップ型抵抗器は,請求項1に記載したように,
「絶縁基板の左右両端部に,当該絶縁基板の上面に形成した抵抗膜の両端に対する端子電極を備え,前記両端子電極を,少なくとも,絶縁基板の上面に抵抗膜に導通するように形成した主上面電極と,この主上面電極の上面に形成した補助上面電極と,前記絶縁基板の端面に前記主上面電極に導通するように形成した側面電極とで構成する一方,前記抵抗膜を覆うカバーコートを,少なくとも,下層のアンダーコートと上層のオーバーコートとで構成し,更に,前記補助上面電極を,前記オーバーコートの端部に重なるように構成して成るチップ型抵抗器において,
前記両端子電極における主上面電極の上面の一部に,前記カバーコートのうちアンダーコートによる飛び地部を形成する一方,前記補助上面電極を,前記飛び地部の上面と前記主上面電極の上面との両方に跨がるように形成することにより,前記絶縁基板の上面から前記補助上面電極の上面のうち前記飛び地部のために最も高くなる部分までの高さ寸法を前記絶縁基板の上面から前記オーバーコートの上面までの高さ寸法に略等しくするように構成する。」
と言う構成にした。
【0010】
また,本発明のチップ型抵抗器は,請求項2に記載したように,
「前記請求項1の記載において,前記飛び地部を,前記主上面電極の上面における左右両側に設ける。」
と言う構成にした。
【0011】
次に,本発明の製造方法は,請求項3に記載したように,
「絶縁基板の上面に抵抗膜及びその両端に導通する左右一対の主上面電極を形成する工程と,
前記抵抗膜を覆うアンダーコートを,当該アンダーコートによる飛び地部を前記両主上面電極の上面における一部に設けるようにして形成する工程と,
このアンダーコートを覆うオーバーコートを形成する工程と,
補助上面電極を前記両主上面電極の上面と前記飛び地部の上面との両方に跨がり且つ前記オーバーコートの端部に重なるように形成する工程とを備え,
前記補助上面電極を形成する工程が,前記絶縁基板の上面から前記補助上面電極の上面のうち前記飛び地部のために最も高くなる部分までの高さ寸法を前記絶縁基板の上面から前記オーバーコートの上面までの高さ寸法に略等しくする工程であり,
更に,前記絶縁基板の左右両端面に側面電極を前記主上面電極に導通するように形成する工程を,
備えていることを特徴とする。」
ものである。
【0012】
また,本発明の製造方法は,請求項4に記載したように,
「前記請求項3の記載において,前記飛び地部を形成する工程が,当該飛び地部を前記主上面電極の上面における左右両側に設ける工程であることを特徴とする。」
ものである。
【0013】
【発明の効果】
このように,両端子電極における主上面電極の上面に,カバーコートのうちアンダーコートによる飛び地部を形成して,このアンダーコートによる飛び地部の上面に補助上面電極を形成したことで,主上面電極と,アンダーコートによる飛び地部と,補助上面電極との三層構造になっていることにより,前記絶縁基板の上面から補助上面電極の上面のうち前記飛び地部のために最も高くなる部分までの高さ寸法には,前記主上面電極の厚さと,補助上面電極の厚さとに,アンダーコートによる飛び地部における厚さ寸法が加算することになるから,前記絶縁基板の上面から前記補助上面電極の上面のうち前記飛び地部のために最も高くなる部分までの高さ寸法を前記絶縁基板の上面から前記オーバーコートの上面までの高さ寸法と略等しくすることによって,その間における段差を小さくするか,無くする場合に,前記補助上面電極の厚さ寸法を,前記アンダーコートによる飛び地部における厚さ寸法だけ薄くすることができるのである。
【0014】
従って,補助上面電極用導電ペーストの使用量が少なくできて,材料費を節減できる一方,前記アンダーコートによる飛び地部は,アンダーコートと同時に形成できて別の工程を追加する必要がないから,製造コストを低減できると共に,軽量化できるのであり,また,両端子電極の上面をカバーコートの上面より突出するように構成する場合においては,前記補助上面電極用導電ペーストをスクリーン印刷にて塗布することの回数が多くなることを回避できると言う効果を有する。
【0015】
しかも,主上面電極の上面に,前記カバーコートのうちアンダーコートによる飛び地部を部分的に形成する一方,前記補助上面電極を,前記アンダーコートによる飛び地部の上面と前記主上面電極の上面との両方に跨がって形成することにより,前記の効果を奏するものでありながら,抵抗膜に対するトリミング調整に際して,両主上面電極に対して通電用プローブを接触することを確保できると共に,補助上面電極と主上面電極とを互いに電気的に導通するように,確実,且つ,強固に一体化できるのである。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下,本発明の実施の形態を図面について説明する。
【0017】
図面のうち図1〜図12は,本発明に至る以前の第1参考例のチップ型抵抗器を製造する場合である。
【0018】
この第1参考例の製造方法は,
i .先づ,図1に示すように,チップ型の絶縁基板11の上面に,左右一対の主上面電極13aを,導電ペーストのスクリーン印刷及び焼成にて形成する。
ii.次いで,図2に示すように,前記絶縁基板11の上面に,抵抗膜12を,ペーストのスクリーン印刷及び焼成にて形成する(なお,先にこの抵抗膜12を形成し,次いで,前記両主上面電極13aを形成するようにしても良い)。
iii .次いで,前記絶縁基板11の上面に抵抗膜12を覆うガラスによるアンダーコート14aを,材料のスクリーン印刷及び焼成にて形成するに際して,図3〜図5に示すように,前記両主上面電極13aの上面のうち左右両側の部分に,前記アンダーコート14aから一体的に延びる延長部14a′を,同時に形成する。
iv.次いで,図6に示すように,前記両主上面電極13aに通電用プローブ(図示せず)を接触して前記抵抗膜12の抵抗値を測定しながら前記抵抗膜12及びアンダーコート14aに対してレーザ光線の照射等にてトリミング溝12aを刻設することにより,前記抵抗膜12における抵抗値が所定の許容範囲内に入るようにトリミング調整する。
v .次いで,図7及び図8に示すように,前記アンダーコート14aの上面に対して,前記トリミング溝を塞ぐためにガラスによるミドルコート14bを,材料のスクリーン印刷及び焼成にて形成する。
vi.次いで,前記ミドルコート14bの上面のうち前記アンダーコート14aの延長部14a′を除く部分に,図9及び図10に示すように,ガラス又は合成樹脂によるオーバーコート14cを,材料のスクリーン印刷及び焼成にて形成することにより,カバーコート14を構成する。
vii .次いで,前記両主上面電極3aの上面に,図11〜図13に示すように,補助上面電極13bを,主上面電極3aの上面と前記アンダーコート14aにおける延長部14a′の上面との両方に跨がり,且つ,当該補助上面電極13bが前記オーバーコート14cの端部に重なるように,導電ペーストのスクリーン印刷及び焼成にて形成する。
【0019】
なお,この補助上面電極13bは,後述する側面電極13cと同時に形成するようにしても良い。
viii.そして,図14及び図15に示すように,前記絶縁基板11における左右両端面に,側面電極13cを,導電ペーストの塗布及び焼成にて,当該側面電極13cが前記主上面電極3aに導通するように形成したのち,全体に対して金属メッキ処理を施して,前記補助上面電極13b及び側面電極13cの表面に金属メッキ層13dを形成することにより,端子電極13に構成するのである。
【0020】
このようにして製造された第1参考例のチップ型抵抗器は,図14及び図15に示すように,両端子電極13における主上面電極13aの上面には,アンダーコート14aにおける延長部14a′が形成され,このアンダーコート14aにおける延長部14a′の上面に,補助上面電極13bが形成されると言うように三層構造の形態になっていることにより,前記絶縁基板11の上面から補助上面電極13bの上面までの高さ寸法H1(正確には,絶縁基板11の上面から金属メッキ層13dの上面までの高さ)には,前記主上面電極13aの厚さTaと,補助上面電極13bの厚さTbとに,前記アンダーコート14aの延長部14a′における厚さ寸法T1が加算することになる。
【0021】
従って,前記絶縁基板11の上面から補助上面電極13bの上面までの高さ寸法H1(正確には,絶縁基板11の上面から金属メッキ層13dの上面までの高さ)を,前記先行技術と同じにした場合には,前記補助上面電極13bの厚さ寸法Tbを,先行技術の場合よりも,前記アンダーコート14aの延長部14a′における厚さ寸法T1だけ薄くすることができるから,補助上面電極13b用導電ペーストの使用量が少なくできて材料費を節減できると共に,軽量化できるのである。
【0022】
また,前記絶縁基板11の上面から補助上面電極13bの上面までの高さ寸法H1(正確には,絶縁基板11の上面から金属メッキ層13dの上面までの高さ)を,絶縁基板11の上面からオーバーコート14cの上面までの高さ寸法H0よりも高くして,両端子電極13の上面をオーバーコート14cの上面より突出するように構成する場合においては,前記補助上面電極用導電ペーストをスクリーン印刷にて塗布することの回数が多くなることを回避できるのである。
【0023】
一方,前記アンダーコート14aにおける延長部14a′は,主上面電極13aにおける上面の一部に形成され,補助上面電極13bは,前記アンダーコート14aの延長部14a′の上面と前記主上面電極13aの上面との両方に跨がって形成されていることにより,抵抗膜12に対するトリミング調整に際して,両主上面電極13aのうちアンダーコート14aの延長部14a′が形成されていない部分に対して通電用プローブを接触することを確保できると共に,補助上面電極13bと主上面電極13aとを互いに電気的に導通するように,確実,且つ,強固に一体化できるのである。
【0024】
そして,この第1参考例をもとにして,本発明における第1の実施形態を,図16について説明する。
【0025】
この第1の実施形態は,前記した第1参考例においてアンダーコート14aを形成するに際し,このアンダーコート14aと一体の延長部14a′を前記主上面電極13aにおける上面の一部に形成することに代えて,前記両主上面電極13aの上面のうち左右両側の部分に,前記アンダーコート14aによる島状の飛び地部14a″を同時に形成し,前記補助上面電極13bを,この飛び地部14a″の上面と主上面電極13aの上面との両方に跨がって形成することにより,前記絶縁基板11の上面からこの補助上面電極13bの上面のうち前記飛び地部14a″のために最も高くなる部分までの高さ寸法を前記絶縁基板11の上面から前記オーバーコート14cの上面までの高さ寸法に略等しくするように構成したものであり,その他は,前記第1参考例と同様である。
【0026】
この第1の実施形態によるチップ型抵抗器は,前記参考例によるチップ型抵抗器と同様に,両端子電極14における主上面電極13aの上面には,前記アンダーコート14aによる飛び地部14a″が形成され,このアンダーコート14aによる飛び地部14a″の上面に,前記補助上面電極13bが形成されると言うように,三層構造であるから,前記参考例と同様の効果を有する。
すなわち,両端子電極13における主上面電極13aの上面に,カバーコート14のうちアンダーコート14aによる飛び地部14a″を形成して,このアンダーコート14aによる飛び地部14a″の上面に補助上面電極13bを形成したことで,主上面電極13aと,アンダーコート14aによる飛び地部14a″と,補助上面電極13bとの三層構造になっていることにより,前記絶縁基板11の上面から補助上面電極13bの上面のうち前記飛び地部14a″のために最も高くなる部分までの高さ寸法には,前記主上面電極13aの厚さと,補助上面電極13bの厚さとに,アンダーコート14aによる飛び地部14a″における厚さ寸法が加算することになるから,前記絶縁基板11の上面から前記補助上面電極13bの上面のうち前記飛び地部14a″のために最も高くなる部分までの高さ寸法を前記絶縁基板11の上面から前記オーバーコート14cの上面までの高さ寸法と略等しくすることによって,その間における段差を小さくするか,無くする場合に,前記補助上面電極13bの厚さ寸法を,前記アンダーコート14aによる飛び地部14a″における厚さ寸法だけ薄くすることができる。
しかも,前記アンダーコート14aにおける飛び地部14a″は,主上面電極13aにおける上面の一部に形成され,補助上面電極13bは,前記アンダーコート14aの飛び地部14a″の上面と前記主上面電極13aの上面との両方に跨がって形成されていることにより,補助上面電極13bと主上面電極13aとを互いに電気的に導通するように確実,且つ,強固に一体化できる。
【0027】
この本発明における第2の実施形態においては,図17に示すように,両主上面電極13aのうち一方に一つの飛び地部14a″を,他方の左右両側に二つの飛び地部14a″を設けた形態にしても良いのである。
【0028】
次に,図18〜図27は,本発明に対する第2参考例を示す。
【0029】
この第2参考例は,絶縁基板11に対して両上面電極13a及び抵抗膜12を形成したのち,アンダーコート14aを形成するに際して,図18及び図19に示すように,このアンダーコート14aから前記両主上面電極13aにおける幅方向の全体を覆うように一体に延びる延長部14b′を,当該延長部14b′の先端と前記絶縁基板11の端面との間に適宜寸法Sだけ前記主上面電極13aにおける上面の一部を露出するようにして形成するという構成にしたものであり,以後は,前記第1参考例及び第1の実施形態と同様に,図18に二点鎖線で示すようにトリミング溝12aを刻設すると言うトリミング調整を行ったのち,図20及び図21に示すようにミドルコート14bを形成し,更に,図22及び図23に示すようにオーバーコート14cを形成し,次いで,図24及び図25に示すように,補助上面電極13bを形成し,更に,図26及び図27に示すように,側面電極13cを形成したのち,金属メッキ層13dを形成することによって,両端子電極13を構成したものである。
【0030】
この場合においても,両端子電極13における主上面電極13aの上面の一部には,アンダーコート14aにおける延長部14a′が,前記主上面電極13aにおける幅方向の全体を覆うように形成される一方,このアンダーコート14aにおける延長部14a′の上面と主上面電極13aの上面との両方に跨がって補助上面電極13bが形成されることになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に対する第1参考例において絶縁基板に主上面電極を形成した状態を示す斜視図である。
【図2】 前記第1参考例において絶縁基板に抵抗膜を形成した状態を示す斜視図である。
【図3】 前記第1参考例において絶縁基板にアンダーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図4】 図3のIV−IV視断面図である。
【図5】 図3のV−V視断面図である。
【図6】 前記第1参考例において絶縁基板の抵抗膜にトリミング溝を刻設した状態を示す平面図である。
【図7】 前記第1参考例において絶縁基板にミドルコートを形成した状態を示す平面図である。
【図8】 図7のVIII−VIII視断面図である。
【図9】 前記第1参考例において絶縁基板にオーバーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図10】図9のX−X視断面図である。
【図11】前記第1参考例において絶縁基板に補助上面電極を形成した状態を示す平面図である。
【図12】図11のXII −XII 視断面図である。
【図13】図11のXIII−XIII視断面図である。
【図14】前記第1参考例によるチップ型抵抗器を示す縦断正面図である。
【図15】図14のXV−XV視断面図である。
【図16】本発明における第1の実施形態においてアンダーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図17】本発明における第2の実施形態においてアンダーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図18】本発明に対する第2参考例においてアンダーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図19】図18のXXII−XXII視断面図である。
【図20】前記第2参考例においてミドルコートを形成した状態を示す平面図である。
【図21】図20のXXIV−XXIV視断面図である。
【図22】前記第2参考例においてオーバーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図23】図22のXXVI−XXVI視断面図である。
【図24】前記第2参考例において補助上面電極を形成した状態を示す平面図である。
【図25】図24のXXVIII−XXVIII視断面図である。
【図26】前記第2参考例によるチップ型抵抗器を示す縦断正面図である。
【図27】図26のXXX −XXX 視断面図である。
【図28】先行技術によるチップ型抵抗器を示す斜視図である。
【図29】図28のXXXII −XXXII 視拡大断面図である。
【符号の説明】
11 絶縁基板
12 抵抗膜
13 端子電極
13a 主上面電極
13b 補助上面電極
13c 側面電極
13d 金属メッキ層
14 カバーコート
14a アンダーコート
14b ミドルコート
14c オーバーコート
14a″ アンダーコートの飛び地部
Claims (4)
- 絶縁基板の左右両端部に,当該絶縁基板の上面に形成した抵抗膜の両端に対する端子電極を備え,前記両端子電極を,少なくとも,絶縁基板の上面に抵抗膜に導通するように形成した主上面電極と,この主上面電極の上面に形成した補助上面電極と,前記絶縁基板の端面に前記主上面電極に導通するように形成した側面電極とで構成する一方,前記抵抗膜を覆うカバーコートを,少なくとも,下層のアンダーコートと上層のオーバーコートとで構成し,更に,前記補助上面電極を,前記オーバーコートの端部に重なるように構成して成るチップ型抵抗器において,
前記両端子電極における主上面電極の上面の一部に,前記カバーコートのうちアンダーコートによる飛び地部を形成する一方,前記補助上面電極を,前記飛び地部の上面と前記主上面電極の上面との両方に跨がるように形成することにより,前記絶縁基板の上面から前記補助上面電極の上面のうち前記飛び地部のために最も高くなる部分までの高さ寸法を前記絶縁基板の上面から前記オーバーコートの上面までの高さ寸法に略等しくするように構成したことを特徴とするチップ型抵抗器の構造。 - 前記請求項1の記載において,前記飛び地部を,前記主上面電極の上面における左右両側に設けることを特徴とするチップ型抵抗器の構造。
- 絶縁基板の上面に抵抗膜及びその両端に導通する左右一対の主上面電極を形成する工程と,
前記抵抗膜を覆うアンダーコートを,当該アンダーコートによる飛び地部を前記両主上面電極の上面における一部に設けるようにして形成する工程と,
このアンダーコートを覆うオーバーコートを形成する工程と,
補助上面電極を前記両主上面電極の上面と前記飛び地部の上面との両方に跨がり且つ前記オーバーコートの端部に重なるように形成する工程とを備え,
前記補助上面電極を形成する工程が,前記絶縁基板の上面から前記補助上面電極の上面のうち前記飛び地部のために最も高くなる部分までの高さ寸法を前記絶縁基板の上面から前記オーバーコートの上面までの高さ寸法に略等しくする工程であり,
更に,前記絶縁基板の左右両端面に側面電極を前記主上面電極に導通するように形成する工程を,
備えていることを特徴とするチップ型抵抗器の製造方法。 - 前記請求項3の記載において,前記飛び地部を形成する工程が,当該飛び地部を前記主上面電極の上面における左右両側に設ける工程であることを特徴とするチップ型抵抗器の製造方法。
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1996
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