JP3766497B2 - チップ型抵抗器の構造及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，チップ型の絶縁基板に，抵抗膜とその両端に対する端子電極とを形成して成るチップ型の抵抗器において，その構造と，その製造方法とに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来におけるチップ型抵抗器は，例えば，特開昭６０−２７１０４号公報等に記載されているように，チップ型の絶縁基板の表面に形成した抵抗膜を覆うカバーコートが，前記抵抗膜の両端に対する端子電極の表面より可成り突出し，カバーコートの表面と両端子電極の表面との間の段差が大きいと言う構造であったから，このチップ型抵抗器を，プリント基板に対して，当該チップ型抵抗器における抵抗膜側をプリント基板に向けた状態にして半田付けするとき，片側が浮き上がってしまって，確実に半田付けできないと言う問題があった。
【０００３】
そこで，先行技術としての特開平４−１０２３０２号公報は，図４３及び図４４に示すように，チップ型絶縁基板１の左右両端部に，抵抗膜２の両端に対する端子電極３を形成するに際して，この両端子電極３を，前記絶縁基板１の表面に抵抗膜２に導通するように形成した主上面電極３ａと，この主上面電極３ａの上面に盛り上げるように形成した補助上面電極３ｂと，前記絶縁基板１の端面に形成した側面電極３ｃと，前記補助上面電極３ｂ及び側面電極３ｃの表面に形成した金属メッキ層３ｄとで構成することにより，この両端子電極３の表面と，前記抵抗膜２に対するカバーコート４の表面との間における段差を小さくするか，段差を無くすることを提案している。
【０００４】
なお，前記カバーコート４は，抵抗膜２の直接覆うアンダーコート４ａと，このアンダーコート４ａを覆うミドルコート４ｂと，このミドルコート４ｂを覆うオーバーコート４ｃとの三層構造になっている。なお，前記アンダーコートを省略する場合もある。
また，前記先行技術のチップ型抵抗器は，前記公報に記載されているように，
（i ）．先づ，絶縁基板の上面に，両主上面電極３ａを形成したのち抵抗膜２を形成するか，或いは，抵抗膜２を形成したのち両主上面電極３ａを形成する。
（ii）．次いで，前記抵抗膜２に対してガラスによるアンダーコート４ａを形成したのち（なお，このアンダーコートを省略する場合もある），前記両主上面電極３ａに通電用プローブを接触して前記抵抗膜２の抵抗値を測定しながら前記抵抗膜２及びアンダーコート４ａに対してレーザ光線の照射等にてトリミング溝を刻設することにより，前記抵抗膜２における抵抗値が所定の許容範囲内に入るようにトリミング調整する。
（iii ）．次いで，前記アンダーコート４ａの表面に対して，前記トリミング溝を塞ぐためにガラスによるミドルコート４ｂを形成したのち，これらの全体を覆うガラス又は合成樹脂によるオーバーコート４ｃを形成する。
（iv）．そして，前記両主上面電極３ａの表面に，導電ペーストを絶縁基板１の横幅一杯にわたって厚く盛り上げることにより，補助上面電極３ｂを形成し，絶縁基板１の端面に側面電極３ｃを形成したのち，全体に対して金属メッキ処理を施すことにより，金属メッキ層３ｄを形成する。
と言う順序で製造される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし，先行技術は，両主上面電極３ａの上面に，導電ペーストを絶縁基板１における幅一杯にわたって厚く盛り上げて補助電極３ｂを形成することにより，端子電極３とカバーコート４との間の段差を無くするか，小さくするように構成したものであり，換言すると，前記厚さの厚い補助上面電極３ｂを，絶縁基板１の横幅一杯にわたって形成するように構成したものであるから，端子電極３とカバーコート４との間の段差を無くするか小さくするためには，導電ペーストの使用量が多くなって，材料費が嵩んで製造コストが可成りアップすると共に，チップ型抵抗器の重量もアップするのであった。
【０００６】
そこで，別の先行技術としての特開平６−７７００２号公報は，前記補助上面電極３ｂにおける横幅を，絶縁基板１における横幅よりも狭くすることを提案している。
しかし，ここに示した別の先行技術は，補助上面電極３ｂにおける横幅を，絶縁基板１における横幅よりも狭くするものであるから，先に示した先行技術のものよりも，補助上面電極３ｂを形成するための導電ペーストの使用量を節減できるものの，前記主上面電極３ａの上面に，補助上面電極用導電ペーストを厚く塗着したとき，この導電ペーストが，未乾燥中において及び焼成中において絶縁基板１における幅方向に流れることになるから，焼成後における補助上面電極３ｂの高さ寸法は，導電ペーストを塗着したときにおける厚さよりも大幅に低くなる傾向を呈する。
【０００７】
従って，焼成後における補助上面電極３ｂに所定の高さ寸法を確保するためには，主上面電極３ａの表面に導電ペーストを塗着するときに，当該導電ペーストにおける絶縁基板の幅方向への流れによってその厚さが大幅に低くなる分だけ余分に厚く塗着するようにしなければならないから，補助上面電極３ｂを形成するための導電ペーストの使用量の節減，ひいては，製造コストの低減，及び軽量化を，効果的に充分に達成することができないのである。
【０００８】
本発明は，この問題を解消できる構造と，その製造方法とを提供することを技術的課題とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この技術的課題を達成するため本発明のチップ型抵抗器は，請求項１に記載したように，
「絶縁基板の左右両端部に，当該絶縁基板の上面に形成した抵抗膜の両端に対する端子電極を備え，この両端子電極を，少なくとも，絶縁基板の上面における抵抗膜に導通するように形成した主上面電極と，この主上面電極の上面に形成した補助上面電極とで構成する一方，前記絶縁基板の上面に前記抵抗膜を覆うカバーコートを形成し，更に，前記絶縁基板の上面から前記補助上面電極の上面までの高さ寸法を，前記絶縁基板の上面から前記カバーコートの上面までの高さ寸法と略等しくするように構成して成るチップ型抵抗器において，
前記両主上面電極における上面の左右両側に，前記カバーコートにおける延長部又は飛び地部を形成する一方，前記補助上面電極を，前記両主上面電極の上面のうちその両側に位置する前記延長部又は飛び地部の間の部分に，前記延長部又は飛び地部を形成した後においてこれらの上面よりも全体が盛り上がるように形成する。」
と言う構成にした。
【００１０】
この場合，カバーコートにおける延長部又は飛び地部は，請求項２〜４に記載したように，前記カバーコートにおける一つの層を構成するアンダーコート，ミドルコート又はオーバーコートにおける延長部又は飛び地部とすることができる。
また，本発明の製造方法は，請求項５に記載したように，
「絶縁基板の上面に抵抗膜及びその両端に対する左右一対の主上面電極を形成する工程と，
前記抵抗膜を覆うカバーコートを，当該カバーコートにおける延長部又は飛び地部を前記両主上面電極における上面の左右両側に位置するようにして形成する工程と，
前記工程に次いで，前記両主上面電極の上面のうちその両側に位置する前記両延長部又は飛び地部の間の部分に補助上面電極を形成する工程を備え，
前記補助上面電極を形成する工程が，前記絶縁基板の上面から当該補助上面電極の上面までの高さ寸法を前記絶縁基板の上面から前記カバーコートの上面までの高さ寸法と略等しくなるようにその全体を前記両延長部又は飛び地部の上面よりも盛り上げて形成する工程である，
ことを特徴とする。」
ものである。
【００１１】
この場合においても，カバーコートにおける延長部又は飛び地部は，請求項６〜８に記載したように，前記カバーコートにおける一つの層を構成するアンダーコート，ミドルコート又はオーバーコートにおける延長部又は飛び地部とすることができる。
【００１２】
【発明の効果】
このように，両端子電極における主上面電極における上面の左右両側に，カバーコートにおける延長部又は飛び地部を形成する一方，補助上面電極を，前記両主上面電極の上面のうちその両側に位置する前記延長部又は飛び地部の間の部分に，前記延長部又は飛び地部を形成した後においてこれらの上面よりも全体が盛り上がるように形成することにより，前記補助上面電極を，導電ペーストのスクリーン印刷等による塗着及び焼成にて形成するときにおいて，その左右両側に位置する前記延長部又は飛び地部が，その間の部分に塗着した前記導電ペーストにおける絶縁基板の幅方向への流れを阻止すると言う堰止めとしての作用を行うことになるから，前記補助上面電極における主上面電極の上面からの高さ寸法を，少ない量の導電ペーストにて高くすることができるのである。
【００１３】
従って，前記絶縁基板の上面から補助上面電極の上面までの高さ寸法を，例えば，絶縁基板の上面からカバーコートの上面までの高さ寸法と略等しくすることによって，その間の段差を小さくするか，或いは，段差を無くする等のように，高くする場合において，前記補助上面電極を形成するために必要な導電ペーストの使用量を少なくできるから，前記した各先行技術の場合よりも更に材料費を節減できて，低コスト化を達成できると共に，前記した各先行技術の場合よりも更に軽量化できるのである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の実施の形態を図面について説明する。
図１〜図１３は，第１の実施形態を示す。
この第１の実施形態は，
（i ）．先づ，図１に示すように，チップ型の絶縁基板１１の上面に，左右一対の主上面電極１３ａを，導電ペーストのスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成する。
（ii）．次いで，図２に示すように，前記絶縁基板１１の上面に，抵抗膜１２を，ペーストのスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成し（なお，先に，この抵抗膜１２を形成し，次いで，前記両主上面電極１３ａを形成するようにしても良い），この抵抗膜１２を直接覆うガラスによるアンダーコート１４ａを，材料のスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成したのち，前記両主上面電極１３ａに通電用プローブ（図示せず）を接触して前記抵抗膜１２の抵抗値を測定しながら前記抵抗膜１２及びアンダーコート１４ａに対してレーザ光線の照射等にてトリミング溝１２ａを刻設することにより，前記抵抗膜１２における抵抗値が所定の許容範囲内に入るようにトリミング調整する。
なお，前記アンダーコート１４ａを省略した状態で，抵抗膜１２のトリミング調整を行うようにしても良い。
（iii ）．次いで，図３〜図５に示すように，前記アンダーコート１４ａの上面（アンダーコート１４ａを省略する場合には，前記抵抗膜１２の上面）に対して，前記トリミング溝１２ａを塞ぐためにガラスによるミドルコート１４ｂを，材料のスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成するに際して，前記両主上面電極１３ａにおける上面の左右両側の部分に，前記ミドルコート１４ｂから一体的に延びる延長部１４ｂ′を，同時に形成する。
（iv）．次いで，前記ミドルコート１４ｂの上面のうち前記延長部１４ｂ′以外の部分に，図６及び図７に示すように，ガラス又は合成樹脂によるオーバーコート１４ｃを，材料のスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成することにより，これらアンダーコート１４ａ，ミドルコート１４ｂ及びオーバーコート１４ｃによる三層構造のカバーコート１４を構成する。
（v ）．次いで，前記両主上面電極３ａにおける上面のうちその左右両側に位置する前記延長部１４ｂ′の間の部分に，図８〜図１０に示すように，補助上面電極１３ｂを，導電ペーストのスクリーン印刷による塗着及び焼成にて，前記延長部１４ｂ′の上面よりも当該補助上面電極１３ｂの全体が盛り上がるように形成する。
【００１５】
この補助上面電極１３ｂの形成に際しては，前記絶縁基板１１の上面から当該補助上面 電極１３ｂの上面までの高さ寸法を，前記絶縁基板１１の上面から前記オーバーコート１４ｃの上面までの高さ寸法に略等しくするように構成する。
なお，この補助上面電極１３ｂは，後述する側面電極１３ｃと同時に，つまり，絶縁基板１１における左右両端面に側面電極１３ｃ用の導電ペーストを塗着するときに，この側面電極１３ｃ用の導電ペーストを前記両主上面電極３ａにおける上面のうち両延長部１４ｂ′の間の部分にも塗着したのち焼成することによって，同時に形成するようにしても良い。
（vi）．そして，図１１及び図１２に示すように，前記絶縁基板１１における左右両端面に，側面電極１３ｃを，導電ペーストの塗着及び焼成にて形成したのち，全体に対して金属メッキ処理を施して，前記補助上面電極１３ｂ及び側面電極１３ｃの表面に金属メッキ層１３ｄを形成することにより，端子電極１３に構成するのである。
【００１６】
このようにして製造されたチップ型抵抗器は，図１１及び図１２に示すように，両端子電極１３における主上面電極１３ａの上面の左右両側には，ミドルコート１４ｂにおける延長部１４ｂ′が位置し，且つ，この主上面電極１３ａの上面のうち前記両延長部１４ｂ′の間の部分に，補助上面電極１３ｂが，前記両延長部１４ｂ′を形成した後においてその上面よりも全体が盛り上がるように形成されると言うような形態になっていることにより，この補助上面電極１３ｂを，導電ペーストのスクリーン印刷等による塗着及び焼成にて形成するときにおいて，その左右両側に位置する前記ミドルコート１４ｂにおける両延長部１４ｂ′が，その間の部分に塗着した前記導電ペーストにおける絶縁基板１１の幅方向への流れを阻止すると言う堰止めとしての作用を行うことになるから，前記補助上面電極１３ｂにおける主上面電極１３ａの上面からの高さ寸法（正確には，主上面電極１３ａの上面から金属メッキ層１３ｄの上面までの高さ）を，少ない量の導電ペーストにて高くすることができるのである。
【００１７】
従って，前記絶縁基板１１の上面から補助上面電極１３ｂの上面までの高さ寸法Ｈ１（正確には，絶縁基板１１の上面から金属メッキ層１３ｄの上面までの高さ）を，絶縁基板１１の上面からオーバーコート１４ｃの上面までの高さ寸法Ｈ０と略等しくする場合において，前記補助上面電極１３ｂ用導電ペーストの使用量を少なくできるから，材料費を節減できると共に，軽量化できるのである。
【００１８】
なお，前記ミドルコート１４ｂにおける延長部１４ｂ′とすることに代えて，図１３に示すように，前記ミドルコート１４ｂを形成するときにおいて，両主上面電極１３ａにおける左右両側の部分に，当該ミドルコート１４ｂの飛び地部１４ｂ″を同時に形成し，両主上面電極１３ａの上面のうちこの両飛び地部１４ｂ″の間の部分に補助上面電極１３ｂを，前記飛び地部１４ｂ″の上面よりも盛り上がるように形成するように構成しても良く，また，これらミドルコート１４ｂにおける延長部１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″は，図示のように，その一部が主上面電極１３ａの一部に重なるように形成することが好ましいが，このミドルコート１４ｂの厚さは，主上面電極１３ａの厚さよりも厚いので，主上面電極１３ａに重ならないように形成しても良いのである。
【００１９】
次に，図１４〜図２９は，第２の実施形態を示す。
この第２の実施形態は，
（i ）．先づ，図１４に示すように，チップ型の絶縁基板１１の上面に，左右一対の上面電極１３ａを，導電ペーストのスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成する。
（ii）．次いで，図１５に示すように，前記絶縁基板１１の上面に，抵抗膜１２を，その材料ペーストのスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成する（なお，先に，この抵抗膜１２を形成し，次いで，両上面電極１３ａを形成するようにしても良い）。
（iii ）．次いで，図１６〜図１８に示すように，前記絶縁基板１１の上面に抵抗膜１２を直接覆うガラスによるアンダーコート１４ａを，その材料のスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成するに際して，前記両主上面電極１３ａにおける上面の左右両側の部分に，前記アンダーコート１４ａから一体的に延びる延長部１４ａ′を，同時に形成する。（iv）．次いで，図１９に示すように，前記両主上面電極１３ａに通電用プローブ（図示せず）を接触して前記抵抗膜１２の抵抗値を測定しながら前記抵抗膜１２及びアンダーコート１４ａに対してレーザ光線の照射等にてトリミング溝１２ａを刻設することにより，前記抵抗膜１２における抵抗値が所定の許容範囲内に入るようにトリミング調整する。
（v ）．次いで，図２０及び図２１に示すように，前記アンダーコート１４ａの上面のうち各延長部１４ａ′を除く部分に，前記トリミング溝１２ａを塞ぐためにガラスによるミドルコート１４ｂを，その材料のスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成する。
（vi）．次いで，図２２及び図２３に示すように，前記ミドルコート１４ｂの上面のうち前記アンダーコート１４ａにおける各延長部１４ａ′以外の部分に，ガラス又は合成樹脂によるオーバーコート１４ｃを，材料のスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成することにより，これらアンダーコート１４ａ，ミドルコート１４ｂ及びオーバーコート１４ｃによる三層構造のカバーコート１４を構成する。
（vii ）．次いで，図２４〜図２６に示すように，前記両主上面電極３ａにおける上面のうちその左右両側に位置する前記延長部１４ａ′の間の部分に，補助上面電極１３ｂを，導電ペーストのスクリーン印刷による塗着及び焼成にて，前記延長部１４ａ′の上面よりも当該補助上面電極１３ｂの全体が盛り上がるように形成する。
【００２０】
この補助上面電極１３ｂの形成に際しては，前記絶縁基板１１の上面から当該補助上面電極１３ｂの上面までの高さ寸法を，前記絶縁基板１１の上面から前記オーバーコート１４ｃの上面までの高さ寸法に略等しくするように構成する。
なお，この補助上面電極１３ｂは，後述する側面電極１３ｃと同時に，つまり，絶縁基板１１における左右両端面に側面電極１３ｃ用の導電ペーストを塗着するときに，この側面電極１３ｃ用の導電ペーストを前記両主上面電極３ａにおける上面のうち両延長部１４ａ′の間の部分にも塗着したのち焼成することによって，同時に形成するようにしても良い。
（viii）．そして，図２７及び図２８に示すように，前記絶縁基板１１における左右両端面に，側面電極１３ｃを，導電ペーストの塗着及び焼成にて形成したのち，全体に対して金属メッキ処理を施して，前記補助上面電極１３ｂ及び側面電極１３ｃの表面に金属メッキ層１３ｄを形成することにより，端子電極１３に構成するのである。
【００２１】
このようにして製造されたチップ型抵抗器は，前記第１の実施形態の場合と同様に，図２７及び図２８に示すように，両端子電極１３における主上面電極１３ａの上面の左右両側には，アンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′が位置し，且つ，この主上面電極１３ａの上面のうち前記両延長部１４ａ′の間の部分に，補助上面電極１３ｂが，前記両延長部１４ａ′を形成した後においてその上面よりも全体が盛り上がるように形成されると言うような形態になっていることにより，この補助上面電極１３ｂを，導電ペーストのスクリーン印刷等による塗着及び焼成にて形成するときにおいて，その左右両側に位置する前記アンダーコート１４ａにおける両延長部１４ａ′が，その間の部分に塗着した前記導電ペーストにおける絶縁基板１１の幅方向への流れを阻止すると言う堰止めとしての作用を行うことになるから，前記補助上面電極１３ｂにおける主上面電極１３ａの上面からの高さ寸法（正確には，主上面電極１３ａの上面から金属メッキ層１３ｄの上面までの高さ）を，少ない量の導電ペーストにて高くすることができるのである。
【００２２】
従って，前記絶縁基板１１の上面から補助上面電極１３ｂの上面までの高さ寸法Ｈ１（正確には，絶縁基板１１の上面から金属メッキ層１３ｄの上面までの高さ）を，絶縁基板１１の上面からオーバーコート１４ｃの上面までの高さ寸法Ｈ０と略等しくする場合において，前記補助上面電極１３ｂ用導電ペーストの使用量を少なくできるから，材料費を節減できる共に，軽量化できるのである。
【００２３】
なお，前記アンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′とすることに代えて，図２９に示すように，前記アンダーコート１４ａを形成するときにおいて，両主上面電極１３ａにおける上面の左右両側の部分に，当該アンダーコート１４ａの飛び地部１４ａ″を同時に形成し，両主上面電極１３ａの上面のうちこの両飛び地部１４ａ″の間の部分に補助上面電極１３ｂを形成するように構成しても良く，また，これらアンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′又は飛び地部１４ａ″は，図示のように，その一部が主上面電極１３ａの一部に重なるように形成することが好ましいが，このアンダーコート１４ａの厚さは，主上面電極１３ａの厚さよりも厚いので，主上面電極１３ａに重ならないように形成しても良いのである。
【００２４】
そして，図３０〜図４２は，第３の実施形態を示す。
この第３の実施形態は，
（i ）．先づ，図３０に示すように，チップ型の絶縁基板１１の上面に，左右一対の主上面電極１３ａを，導電ペーストのスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成する。
（ii）．次いで，図３１に示すように，前記絶縁基板１１の上面に，抵抗膜１２を，ペーストのスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成し（なお，先に，この抵抗膜１２を形成し，次いで，前記両主上面電極１３ａを形成するようにしても良い），この抵抗膜１２を直接覆うガラスによるアンダーコート１４ａを，材料のスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成したのち，前記両主上面電極１３ａに通電用プローブ（図示せず）を接触して前記抵抗膜１２の抵抗値を測定しながら前記抵抗膜１２及びアンダーコート１４ａに対してレーザ光線の照射等にてトリミング溝１２ａを刻設することにより，前記抵抗膜１２における抵抗値が所定の許容範囲内に入るようにトリミング調整する。
なお，前記アンダーコート１４ａを省略した状態で，抵抗膜１２のトリミング調整を行うようにしても良い。
（iii ）．次いで，図３２及び図３３に示すように，前記アンダーコート１４ａの上面（アンダーコート１４ａを省略する場合には，前記抵抗膜１２の上面）に対して，前記トリミング溝１２ａを塞ぐためにガラスによるミドルコート１４ｂを，材料のスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成する。
（iv）．次いで，図３４〜図３６に示すように，前記ミドルコート１４ｂの上面に対して，ガラス又は合成樹脂によるオーバーコート１４ｃを，材料のスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成することにより，これらアンダーコート１４ａ，ミドルコート１４ｂ及びオーバーコート１４ｃによる三層構造のカバーコート１４を構成するにおいて，前記両主上面電極１３ａにおける上面の左右両側の部分に，前記オーバーコート１４ｃから一体的に延びる延長部１４ｃ′を，同時に形成する。
（v ）．次いで，前記両主上面電極３ａにおける上面のうちその左右両側に位置する前記延長部１４ｃ′の間の部分に，図３７〜図３９に示すように，補助上面電極１３ｂを，導電ペーストのスクリーン印刷による塗着及び焼成にて，前記延長部１４ｃ′の上面よりも当該補助上面電極１３ｂの全体が盛り上がるように形成する。
【００２５】
この補助上面電極１３ｂの形成に際しては，前記絶縁基板１１の上面から当該補助上面電極１３ｂの上面までの高さ寸法を，前記絶縁基板１１の上面から前記オーバーコート１４ｃの上面までの高さ寸法に略等しくするように構成する。
なお，この補助上面電極１３ｂは，後述する側面電極１３ｃと同時に，つまり，絶縁基板１１における左右両端面に側面電極１３ｃ用の導電ペーストを塗着するときに，この側面電極１３ｃ用の導電ペーストを前記両主上面電極３ａにおける上面のうち両延長部１４ｂ′の間の部分にも塗着したのち焼成することによって，同時に形成するようにしても良い。
（vi）．そして，図４０及び図４１に示すように，前記絶縁基板１１における左右両端面に，側面電極１３ｃを，導電ペーストの塗着及び焼成にて形成したのち，全体に対して金属メッキ処理を施して，前記補助上面電極１３ｂ及び側面電極１３ｃの表面に金属メッキ層１３ｄを形成することにより，端子電極１３に構成するのである。
【００２６】
このようにして製造されたチップ型抵抗器は，前記第１及び第２の実施形態の場合と同様に，図４０及び図４１に示すように，両端子電極１３における主上面電極１３ａにおける上面の左右両側には，オーバーコート１４ｃにおける延長部１４ｃ′が位置し，且つ，この主上面電極１３ａの上面のうち前記両延長部１４ｃ′の間の部分に，補助上面電極１３ｂが，前記延長部１４ｃ′を形成した後においてその上面よりも全体が盛り上がるように形成されると言うような形態になっていることにより，この補助上面電極１３ｂを，導電ペーストのスクリーン印刷等による塗着及び焼成にて形成するときにおいて，その左右両側に位置する前記オーバーコート１４ｃにおける両延長部１４ｃ′が，その間の部分に塗着した前記導電ペーストにおける絶縁基板１１の幅方向への流れを阻止すると言う堰止めとしての作用を行うことになるから，前記補助上面電極１３ｂにおける主上面電極１３ａの上面からの高さ寸法（正確には，主上面電極１３ａの上面から金属メッキ層１３ｄの上面までの高さ）を，少ない量の導電ペーストにて高くすることができるのである。
【００２７】
従って，前記絶縁基板１１の上面から補助上面電極１３ｂの上面までの高さ寸法Ｈ１（正確には，絶縁基板１１の上面から金属メッキ層１３ｄの上面までの高さ）を，絶縁基板１１の上面からオーバーコート１４ｃの上面までの高さ寸法Ｈ０と略等しくする場合において，前記補助上面電極１３ｂ用導電ペーストの使用量を少なくできるから，材料費を節減できる共に，軽量化できるのである。
【００２８】
なお，前記オーバーコート１４ｃにおける延長部１４ｃ′とすることに代えて，図４２に示すように，前記オーバーコート１４ｃを形成するときにおいて，両主上面電極１３ａにおける上面の左右両側の部分に，当該オーバーコート１４ｃの飛び地部１４ｃ″を同時に形成し，両主上面電極１３ａの上面のうちこの両飛び地部１４ｃ″の間の部分に補助上面電極１３ｂを形成するように構成しても良く，また，これらオーバーコート１４ｃにおける延長部１４ｃ′又は飛び地部１４ｃ″は，図示のように，その一部が主上面電極１３ａの一部に重なるように形成することが好ましいが，このオーバーコート１４ｃの厚さは，主上面電極１３ａの厚さよりも厚いので，主上面電極１３ａに重ならないように形成しても良いのである。
【００２９】
なお，前記各実施形態は，両主上面電極１３ａにおける上面の左右両側の部分に，ミドルコート１４ｂにおける延長部１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″，或いは，アンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′又は飛び地部１４ａ″，若しくは，オーバーコート１４ｃにおける延長部１４ｃ′又は飛び地部１４ｃ″のみを形成する場合を示したが，本発明は，これに限らず，両主上面電極１３ａにおける上面の左右両側の部分に，ミドルコート１４ｂにおける延長部１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″とアンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′又は飛び地部１４ａ″とを同じ箇所に重ねて形成するか，又は，ミドルコート１４ｂにおける延長部１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″とオーバーコート１４ｃにおける延長部１４ｃ′又は飛び地部１４ｃ″とを同じ箇所に重ねて形成するか，或いは，アンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′又は飛び地部１４ａ″とオーバーコート１４ｃにおける延長部１４ｃ′又は飛び地部１４ｃ″とを同じ箇所に重ねて形成するか，若しくは，ミドルコート１４ｂにおける延長部１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″，アンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′又は飛び地部１４ａ″及びオーバーコート１４ｃにおける延長部１４ｃ′又は飛び地部１４ｃ″との三者を同じ箇所に重ねて形成するように構成しても良いのであり，このように構成することにより，前記両主上面電極１３ａにおける左右両側の部分に形成される延長部又は飛び地部の高さを高くできるから，補助上面電極を形成するための導電ペーストの使用量を更に節減できるのである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 第１の実施形態において絶縁基板に主上面電極を形成した状態を示す斜視図である。
【図２】 第１の実施形態において前記絶縁基板に抵抗膜に次いでアンダーコートを形成した状態を示す斜視図である。
【図３】 第１の実施形態において前記絶縁基板にミドルコートを形成した状態を示す平面図である。
【図４】 図３のIV−IV視断面図である。
【図５】 図３のＶ−Ｖ視断面図である。
【図６】 第１の実施形態において前記絶縁基板にオーバーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図７】 図６のVII −VII 視断面図である。
【図８】 第１の実施形態において前記絶縁基板に補助上面電極を形成した状態を示す平面図である。
【図９】 図８のIX−IX視断面図である。
【図１０】図８のＸ−Ｘ視断面図である。
【図１１】第１の実施形態によるチップ型抵抗器を示す縦断正面図である。
【図１２】図１１のXII −XII 視断面図である。
【図１３】前記第１の実施形態におけるミドルコートの変形例を示す平面図である。
【図１４】第２の実施形態において絶縁基板に主上面電極を形成した状態を示す斜視図である。
【図１５】第２の実施形態において前記絶縁基板に抵抗膜を形成した状態を示す斜視図である。
【図１６】第２の実施形態において前記絶縁基板にアンダーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図１７】図１６のXVII−XVII視断面図である。
【図１８】図１６のXVIII −XVIII 視断面図である。
【図１９】第２の実施形態において抵抗膜にトリミング溝を刻設した状態を示す平面図である。
【図２０】第２の実施形態において絶縁基板にミドルコートを形成した状態を示す平面図である。
【図２１】図２０のXXI −XXI 視断面図である。
【図２２】第２の実施形態において絶縁基板にオーバーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図２３】図２２のXXIII −XXIII 視断面図である。
【図２４】
第２の実施形態において絶縁基板に補助上面電極を形成した状態を示す平面図である。
【図２５】図２４のXXV −XXV 視断面図である。
【図２６】図２４のXXVI−XXVI視断面図である。
【図２７】第２の実施形態によるチップ型抵抗器を示す縦断正面図である。
【図２８】図２７のXXVIII−XXVIII視断面図である。
【図２９】前記第２の実施形態におけるアンダーコートの変形例を示す平面図である。
【図３０】第３の実施形態において絶縁基板に主上面電極を形成した状態を示す斜視図である。
【図３１】第３の実施形態において前記絶縁基板に抵抗膜に次いでアンダーコートを形成した状態を示す斜視図である。
【図３２】第３の実施形態において前記絶縁基板にミドルコートを形成した状態を示す平面図である。
【図３３】図３２のXXXIII−XXXIII視断面図である。
【図３４】第３の実施形態において前記絶縁基板にオーバーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図３５】図３４のXXXV−XXXV視断面図である。
【図３６】図３４のXXXVI −XXXVI 視断面図である。
【図３７】第３の実施形態において前記絶縁基板に補助上面電極を形成した状態を示す平面図である。
【図３８】図３７のXXXVIII −XXXVIII 視断面図である。
【図３９】図３７のXXXIX −XXXIX 視断面図である。
【図４０】第３の実施形態によるチップ型抵抗器を示す縦断正面図である。
【図４１】図４０のXXXXI −XXXXI 視断面図である。
【図４２】前記第３の実施形態におけるミドルコートの変形例を示す平面図である。
【図４３】先行技術によるチップ型抵抗器を示す斜視図である。
【図４４】図４３のXXXXIV−XXXXIV視拡大断面図である。
【符号の説明】
１１ 絶縁基板
１２ 抵抗膜
１３ 端子電極
１３ａ 主上面電極
１３ｂ 補助上面電極
１３ｃ 側面電極
１３ｄ 金属メッキ層
１４ カバーコート
１４ａ アンダーコート
１４ｂ ミドルコート
１４ｃ オーバーコート
１４ａ′ アンダーコートの延長部
１４ａ″ アンダーコートの飛び地部
１４ｂ′ ミドルコートの延長部
１４ｂ″ ミドルコートの飛び地部
１４ｃ′ オーバーコートの延長部
１４ｃ″ オーバーコートの飛び地部
【発明の属する技術分野】
本発明は，チップ型の絶縁基板に，抵抗膜とその両端に対する端子電極とを形成して成るチップ型の抵抗器において，その構造と，その製造方法とに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来におけるチップ型抵抗器は，例えば，特開昭６０−２７１０４号公報等に記載されているように，チップ型の絶縁基板の表面に形成した抵抗膜を覆うカバーコートが，前記抵抗膜の両端に対する端子電極の表面より可成り突出し，カバーコートの表面と両端子電極の表面との間の段差が大きいと言う構造であったから，このチップ型抵抗器を，プリント基板に対して，当該チップ型抵抗器における抵抗膜側をプリント基板に向けた状態にして半田付けするとき，片側が浮き上がってしまって，確実に半田付けできないと言う問題があった。
【０００３】
そこで，先行技術としての特開平４−１０２３０２号公報は，図４３及び図４４に示すように，チップ型絶縁基板１の左右両端部に，抵抗膜２の両端に対する端子電極３を形成するに際して，この両端子電極３を，前記絶縁基板１の表面に抵抗膜２に導通するように形成した主上面電極３ａと，この主上面電極３ａの上面に盛り上げるように形成した補助上面電極３ｂと，前記絶縁基板１の端面に形成した側面電極３ｃと，前記補助上面電極３ｂ及び側面電極３ｃの表面に形成した金属メッキ層３ｄとで構成することにより，この両端子電極３の表面と，前記抵抗膜２に対するカバーコート４の表面との間における段差を小さくするか，段差を無くすることを提案している。
【０００４】
なお，前記カバーコート４は，抵抗膜２の直接覆うアンダーコート４ａと，このアンダーコート４ａを覆うミドルコート４ｂと，このミドルコート４ｂを覆うオーバーコート４ｃとの三層構造になっている。なお，前記アンダーコートを省略する場合もある。
また，前記先行技術のチップ型抵抗器は，前記公報に記載されているように，
（i ）．先づ，絶縁基板の上面に，両主上面電極３ａを形成したのち抵抗膜２を形成するか，或いは，抵抗膜２を形成したのち両主上面電極３ａを形成する。
（ii）．次いで，前記抵抗膜２に対してガラスによるアンダーコート４ａを形成したのち（なお，このアンダーコートを省略する場合もある），前記両主上面電極３ａに通電用プローブを接触して前記抵抗膜２の抵抗値を測定しながら前記抵抗膜２及びアンダーコート４ａに対してレーザ光線の照射等にてトリミング溝を刻設することにより，前記抵抗膜２における抵抗値が所定の許容範囲内に入るようにトリミング調整する。
（iii ）．次いで，前記アンダーコート４ａの表面に対して，前記トリミング溝を塞ぐためにガラスによるミドルコート４ｂを形成したのち，これらの全体を覆うガラス又は合成樹脂によるオーバーコート４ｃを形成する。
（iv）．そして，前記両主上面電極３ａの表面に，導電ペーストを絶縁基板１の横幅一杯にわたって厚く盛り上げることにより，補助上面電極３ｂを形成し，絶縁基板１の端面に側面電極３ｃを形成したのち，全体に対して金属メッキ処理を施すことにより，金属メッキ層３ｄを形成する。
と言う順序で製造される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし，先行技術は，両主上面電極３ａの上面に，導電ペーストを絶縁基板１における幅一杯にわたって厚く盛り上げて補助電極３ｂを形成することにより，端子電極３とカバーコート４との間の段差を無くするか，小さくするように構成したものであり，換言すると，前記厚さの厚い補助上面電極３ｂを，絶縁基板１の横幅一杯にわたって形成するように構成したものであるから，端子電極３とカバーコート４との間の段差を無くするか小さくするためには，導電ペーストの使用量が多くなって，材料費が嵩んで製造コストが可成りアップすると共に，チップ型抵抗器の重量もアップするのであった。
【０００６】
そこで，別の先行技術としての特開平６−７７００２号公報は，前記補助上面電極３ｂにおける横幅を，絶縁基板１における横幅よりも狭くすることを提案している。
しかし，ここに示した別の先行技術は，補助上面電極３ｂにおける横幅を，絶縁基板１における横幅よりも狭くするものであるから，先に示した先行技術のものよりも，補助上面電極３ｂを形成するための導電ペーストの使用量を節減できるものの，前記主上面電極３ａの上面に，補助上面電極用導電ペーストを厚く塗着したとき，この導電ペーストが，未乾燥中において及び焼成中において絶縁基板１における幅方向に流れることになるから，焼成後における補助上面電極３ｂの高さ寸法は，導電ペーストを塗着したときにおける厚さよりも大幅に低くなる傾向を呈する。
【０００７】
従って，焼成後における補助上面電極３ｂに所定の高さ寸法を確保するためには，主上面電極３ａの表面に導電ペーストを塗着するときに，当該導電ペーストにおける絶縁基板の幅方向への流れによってその厚さが大幅に低くなる分だけ余分に厚く塗着するようにしなければならないから，補助上面電極３ｂを形成するための導電ペーストの使用量の節減，ひいては，製造コストの低減，及び軽量化を，効果的に充分に達成することができないのである。
【０００８】
本発明は，この問題を解消できる構造と，その製造方法とを提供することを技術的課題とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この技術的課題を達成するため本発明のチップ型抵抗器は，請求項１に記載したように，
「絶縁基板の左右両端部に，当該絶縁基板の上面に形成した抵抗膜の両端に対する端子電極を備え，この両端子電極を，少なくとも，絶縁基板の上面における抵抗膜に導通するように形成した主上面電極と，この主上面電極の上面に形成した補助上面電極とで構成する一方，前記絶縁基板の上面に前記抵抗膜を覆うカバーコートを形成し，更に，前記絶縁基板の上面から前記補助上面電極の上面までの高さ寸法を，前記絶縁基板の上面から前記カバーコートの上面までの高さ寸法と略等しくするように構成して成るチップ型抵抗器において，
前記両主上面電極における上面の左右両側に，前記カバーコートにおける延長部又は飛び地部を形成する一方，前記補助上面電極を，前記両主上面電極の上面のうちその両側に位置する前記延長部又は飛び地部の間の部分に，前記延長部又は飛び地部を形成した後においてこれらの上面よりも全体が盛り上がるように形成する。」
と言う構成にした。
【００１０】
この場合，カバーコートにおける延長部又は飛び地部は，請求項２〜４に記載したように，前記カバーコートにおける一つの層を構成するアンダーコート，ミドルコート又はオーバーコートにおける延長部又は飛び地部とすることができる。
また，本発明の製造方法は，請求項５に記載したように，
「絶縁基板の上面に抵抗膜及びその両端に対する左右一対の主上面電極を形成する工程と，
前記抵抗膜を覆うカバーコートを，当該カバーコートにおける延長部又は飛び地部を前記両主上面電極における上面の左右両側に位置するようにして形成する工程と，
前記工程に次いで，前記両主上面電極の上面のうちその両側に位置する前記両延長部又は飛び地部の間の部分に補助上面電極を形成する工程を備え，
前記補助上面電極を形成する工程が，前記絶縁基板の上面から当該補助上面電極の上面までの高さ寸法を前記絶縁基板の上面から前記カバーコートの上面までの高さ寸法と略等しくなるようにその全体を前記両延長部又は飛び地部の上面よりも盛り上げて形成する工程である，
ことを特徴とする。」
ものである。
【００１１】
この場合においても，カバーコートにおける延長部又は飛び地部は，請求項６〜８に記載したように，前記カバーコートにおける一つの層を構成するアンダーコート，ミドルコート又はオーバーコートにおける延長部又は飛び地部とすることができる。
【００１２】
【発明の効果】
このように，両端子電極における主上面電極における上面の左右両側に，カバーコートにおける延長部又は飛び地部を形成する一方，補助上面電極を，前記両主上面電極の上面のうちその両側に位置する前記延長部又は飛び地部の間の部分に，前記延長部又は飛び地部を形成した後においてこれらの上面よりも全体が盛り上がるように形成することにより，前記補助上面電極を，導電ペーストのスクリーン印刷等による塗着及び焼成にて形成するときにおいて，その左右両側に位置する前記延長部又は飛び地部が，その間の部分に塗着した前記導電ペーストにおける絶縁基板の幅方向への流れを阻止すると言う堰止めとしての作用を行うことになるから，前記補助上面電極における主上面電極の上面からの高さ寸法を，少ない量の導電ペーストにて高くすることができるのである。
【００１３】
従って，前記絶縁基板の上面から補助上面電極の上面までの高さ寸法を，例えば，絶縁基板の上面からカバーコートの上面までの高さ寸法と略等しくすることによって，その間の段差を小さくするか，或いは，段差を無くする等のように，高くする場合において，前記補助上面電極を形成するために必要な導電ペーストの使用量を少なくできるから，前記した各先行技術の場合よりも更に材料費を節減できて，低コスト化を達成できると共に，前記した各先行技術の場合よりも更に軽量化できるのである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の実施の形態を図面について説明する。
図１〜図１３は，第１の実施形態を示す。
この第１の実施形態は，
（i ）．先づ，図１に示すように，チップ型の絶縁基板１１の上面に，左右一対の主上面電極１３ａを，導電ペーストのスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成する。
（ii）．次いで，図２に示すように，前記絶縁基板１１の上面に，抵抗膜１２を，ペーストのスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成し（なお，先に，この抵抗膜１２を形成し，次いで，前記両主上面電極１３ａを形成するようにしても良い），この抵抗膜１２を直接覆うガラスによるアンダーコート１４ａを，材料のスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成したのち，前記両主上面電極１３ａに通電用プローブ（図示せず）を接触して前記抵抗膜１２の抵抗値を測定しながら前記抵抗膜１２及びアンダーコート１４ａに対してレーザ光線の照射等にてトリミング溝１２ａを刻設することにより，前記抵抗膜１２における抵抗値が所定の許容範囲内に入るようにトリミング調整する。
なお，前記アンダーコート１４ａを省略した状態で，抵抗膜１２のトリミング調整を行うようにしても良い。
（iii ）．次いで，図３〜図５に示すように，前記アンダーコート１４ａの上面（アンダーコート１４ａを省略する場合には，前記抵抗膜１２の上面）に対して，前記トリミング溝１２ａを塞ぐためにガラスによるミドルコート１４ｂを，材料のスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成するに際して，前記両主上面電極１３ａにおける上面の左右両側の部分に，前記ミドルコート１４ｂから一体的に延びる延長部１４ｂ′を，同時に形成する。
（iv）．次いで，前記ミドルコート１４ｂの上面のうち前記延長部１４ｂ′以外の部分に，図６及び図７に示すように，ガラス又は合成樹脂によるオーバーコート１４ｃを，材料のスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成することにより，これらアンダーコート１４ａ，ミドルコート１４ｂ及びオーバーコート１４ｃによる三層構造のカバーコート１４を構成する。
（v ）．次いで，前記両主上面電極３ａにおける上面のうちその左右両側に位置する前記延長部１４ｂ′の間の部分に，図８〜図１０に示すように，補助上面電極１３ｂを，導電ペーストのスクリーン印刷による塗着及び焼成にて，前記延長部１４ｂ′の上面よりも当該補助上面電極１３ｂの全体が盛り上がるように形成する。
【００１５】
この補助上面電極１３ｂの形成に際しては，前記絶縁基板１１の上面から当該補助上面 電極１３ｂの上面までの高さ寸法を，前記絶縁基板１１の上面から前記オーバーコート１４ｃの上面までの高さ寸法に略等しくするように構成する。
なお，この補助上面電極１３ｂは，後述する側面電極１３ｃと同時に，つまり，絶縁基板１１における左右両端面に側面電極１３ｃ用の導電ペーストを塗着するときに，この側面電極１３ｃ用の導電ペーストを前記両主上面電極３ａにおける上面のうち両延長部１４ｂ′の間の部分にも塗着したのち焼成することによって，同時に形成するようにしても良い。
（vi）．そして，図１１及び図１２に示すように，前記絶縁基板１１における左右両端面に，側面電極１３ｃを，導電ペーストの塗着及び焼成にて形成したのち，全体に対して金属メッキ処理を施して，前記補助上面電極１３ｂ及び側面電極１３ｃの表面に金属メッキ層１３ｄを形成することにより，端子電極１３に構成するのである。
【００１６】
このようにして製造されたチップ型抵抗器は，図１１及び図１２に示すように，両端子電極１３における主上面電極１３ａの上面の左右両側には，ミドルコート１４ｂにおける延長部１４ｂ′が位置し，且つ，この主上面電極１３ａの上面のうち前記両延長部１４ｂ′の間の部分に，補助上面電極１３ｂが，前記両延長部１４ｂ′を形成した後においてその上面よりも全体が盛り上がるように形成されると言うような形態になっていることにより，この補助上面電極１３ｂを，導電ペーストのスクリーン印刷等による塗着及び焼成にて形成するときにおいて，その左右両側に位置する前記ミドルコート１４ｂにおける両延長部１４ｂ′が，その間の部分に塗着した前記導電ペーストにおける絶縁基板１１の幅方向への流れを阻止すると言う堰止めとしての作用を行うことになるから，前記補助上面電極１３ｂにおける主上面電極１３ａの上面からの高さ寸法（正確には，主上面電極１３ａの上面から金属メッキ層１３ｄの上面までの高さ）を，少ない量の導電ペーストにて高くすることができるのである。
【００１７】
従って，前記絶縁基板１１の上面から補助上面電極１３ｂの上面までの高さ寸法Ｈ１（正確には，絶縁基板１１の上面から金属メッキ層１３ｄの上面までの高さ）を，絶縁基板１１の上面からオーバーコート１４ｃの上面までの高さ寸法Ｈ０と略等しくする場合において，前記補助上面電極１３ｂ用導電ペーストの使用量を少なくできるから，材料費を節減できると共に，軽量化できるのである。
【００１８】
なお，前記ミドルコート１４ｂにおける延長部１４ｂ′とすることに代えて，図１３に示すように，前記ミドルコート１４ｂを形成するときにおいて，両主上面電極１３ａにおける左右両側の部分に，当該ミドルコート１４ｂの飛び地部１４ｂ″を同時に形成し，両主上面電極１３ａの上面のうちこの両飛び地部１４ｂ″の間の部分に補助上面電極１３ｂを，前記飛び地部１４ｂ″の上面よりも盛り上がるように形成するように構成しても良く，また，これらミドルコート１４ｂにおける延長部１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″は，図示のように，その一部が主上面電極１３ａの一部に重なるように形成することが好ましいが，このミドルコート１４ｂの厚さは，主上面電極１３ａの厚さよりも厚いので，主上面電極１３ａに重ならないように形成しても良いのである。
【００１９】
次に，図１４〜図２９は，第２の実施形態を示す。
この第２の実施形態は，
（i ）．先づ，図１４に示すように，チップ型の絶縁基板１１の上面に，左右一対の上面電極１３ａを，導電ペーストのスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成する。
（ii）．次いで，図１５に示すように，前記絶縁基板１１の上面に，抵抗膜１２を，その材料ペーストのスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成する（なお，先に，この抵抗膜１２を形成し，次いで，両上面電極１３ａを形成するようにしても良い）。
（iii ）．次いで，図１６〜図１８に示すように，前記絶縁基板１１の上面に抵抗膜１２を直接覆うガラスによるアンダーコート１４ａを，その材料のスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成するに際して，前記両主上面電極１３ａにおける上面の左右両側の部分に，前記アンダーコート１４ａから一体的に延びる延長部１４ａ′を，同時に形成する。（iv）．次いで，図１９に示すように，前記両主上面電極１３ａに通電用プローブ（図示せず）を接触して前記抵抗膜１２の抵抗値を測定しながら前記抵抗膜１２及びアンダーコート１４ａに対してレーザ光線の照射等にてトリミング溝１２ａを刻設することにより，前記抵抗膜１２における抵抗値が所定の許容範囲内に入るようにトリミング調整する。
（v ）．次いで，図２０及び図２１に示すように，前記アンダーコート１４ａの上面のうち各延長部１４ａ′を除く部分に，前記トリミング溝１２ａを塞ぐためにガラスによるミドルコート１４ｂを，その材料のスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成する。
（vi）．次いで，図２２及び図２３に示すように，前記ミドルコート１４ｂの上面のうち前記アンダーコート１４ａにおける各延長部１４ａ′以外の部分に，ガラス又は合成樹脂によるオーバーコート１４ｃを，材料のスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成することにより，これらアンダーコート１４ａ，ミドルコート１４ｂ及びオーバーコート１４ｃによる三層構造のカバーコート１４を構成する。
（vii ）．次いで，図２４〜図２６に示すように，前記両主上面電極３ａにおける上面のうちその左右両側に位置する前記延長部１４ａ′の間の部分に，補助上面電極１３ｂを，導電ペーストのスクリーン印刷による塗着及び焼成にて，前記延長部１４ａ′の上面よりも当該補助上面電極１３ｂの全体が盛り上がるように形成する。
【００２０】
この補助上面電極１３ｂの形成に際しては，前記絶縁基板１１の上面から当該補助上面電極１３ｂの上面までの高さ寸法を，前記絶縁基板１１の上面から前記オーバーコート１４ｃの上面までの高さ寸法に略等しくするように構成する。
なお，この補助上面電極１３ｂは，後述する側面電極１３ｃと同時に，つまり，絶縁基板１１における左右両端面に側面電極１３ｃ用の導電ペーストを塗着するときに，この側面電極１３ｃ用の導電ペーストを前記両主上面電極３ａにおける上面のうち両延長部１４ａ′の間の部分にも塗着したのち焼成することによって，同時に形成するようにしても良い。
（viii）．そして，図２７及び図２８に示すように，前記絶縁基板１１における左右両端面に，側面電極１３ｃを，導電ペーストの塗着及び焼成にて形成したのち，全体に対して金属メッキ処理を施して，前記補助上面電極１３ｂ及び側面電極１３ｃの表面に金属メッキ層１３ｄを形成することにより，端子電極１３に構成するのである。
【００２１】
このようにして製造されたチップ型抵抗器は，前記第１の実施形態の場合と同様に，図２７及び図２８に示すように，両端子電極１３における主上面電極１３ａの上面の左右両側には，アンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′が位置し，且つ，この主上面電極１３ａの上面のうち前記両延長部１４ａ′の間の部分に，補助上面電極１３ｂが，前記両延長部１４ａ′を形成した後においてその上面よりも全体が盛り上がるように形成されると言うような形態になっていることにより，この補助上面電極１３ｂを，導電ペーストのスクリーン印刷等による塗着及び焼成にて形成するときにおいて，その左右両側に位置する前記アンダーコート１４ａにおける両延長部１４ａ′が，その間の部分に塗着した前記導電ペーストにおける絶縁基板１１の幅方向への流れを阻止すると言う堰止めとしての作用を行うことになるから，前記補助上面電極１３ｂにおける主上面電極１３ａの上面からの高さ寸法（正確には，主上面電極１３ａの上面から金属メッキ層１３ｄの上面までの高さ）を，少ない量の導電ペーストにて高くすることができるのである。
【００２２】
従って，前記絶縁基板１１の上面から補助上面電極１３ｂの上面までの高さ寸法Ｈ１（正確には，絶縁基板１１の上面から金属メッキ層１３ｄの上面までの高さ）を，絶縁基板１１の上面からオーバーコート１４ｃの上面までの高さ寸法Ｈ０と略等しくする場合において，前記補助上面電極１３ｂ用導電ペーストの使用量を少なくできるから，材料費を節減できる共に，軽量化できるのである。
【００２３】
なお，前記アンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′とすることに代えて，図２９に示すように，前記アンダーコート１４ａを形成するときにおいて，両主上面電極１３ａにおける上面の左右両側の部分に，当該アンダーコート１４ａの飛び地部１４ａ″を同時に形成し，両主上面電極１３ａの上面のうちこの両飛び地部１４ａ″の間の部分に補助上面電極１３ｂを形成するように構成しても良く，また，これらアンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′又は飛び地部１４ａ″は，図示のように，その一部が主上面電極１３ａの一部に重なるように形成することが好ましいが，このアンダーコート１４ａの厚さは，主上面電極１３ａの厚さよりも厚いので，主上面電極１３ａに重ならないように形成しても良いのである。
【００２４】
そして，図３０〜図４２は，第３の実施形態を示す。
この第３の実施形態は，
（i ）．先づ，図３０に示すように，チップ型の絶縁基板１１の上面に，左右一対の主上面電極１３ａを，導電ペーストのスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成する。
（ii）．次いで，図３１に示すように，前記絶縁基板１１の上面に，抵抗膜１２を，ペーストのスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成し（なお，先に，この抵抗膜１２を形成し，次いで，前記両主上面電極１３ａを形成するようにしても良い），この抵抗膜１２を直接覆うガラスによるアンダーコート１４ａを，材料のスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成したのち，前記両主上面電極１３ａに通電用プローブ（図示せず）を接触して前記抵抗膜１２の抵抗値を測定しながら前記抵抗膜１２及びアンダーコート１４ａに対してレーザ光線の照射等にてトリミング溝１２ａを刻設することにより，前記抵抗膜１２における抵抗値が所定の許容範囲内に入るようにトリミング調整する。
なお，前記アンダーコート１４ａを省略した状態で，抵抗膜１２のトリミング調整を行うようにしても良い。
（iii ）．次いで，図３２及び図３３に示すように，前記アンダーコート１４ａの上面（アンダーコート１４ａを省略する場合には，前記抵抗膜１２の上面）に対して，前記トリミング溝１２ａを塞ぐためにガラスによるミドルコート１４ｂを，材料のスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成する。
（iv）．次いで，図３４〜図３６に示すように，前記ミドルコート１４ｂの上面に対して，ガラス又は合成樹脂によるオーバーコート１４ｃを，材料のスクリーン印刷による塗着及び焼成にて形成することにより，これらアンダーコート１４ａ，ミドルコート１４ｂ及びオーバーコート１４ｃによる三層構造のカバーコート１４を構成するにおいて，前記両主上面電極１３ａにおける上面の左右両側の部分に，前記オーバーコート１４ｃから一体的に延びる延長部１４ｃ′を，同時に形成する。
（v ）．次いで，前記両主上面電極３ａにおける上面のうちその左右両側に位置する前記延長部１４ｃ′の間の部分に，図３７〜図３９に示すように，補助上面電極１３ｂを，導電ペーストのスクリーン印刷による塗着及び焼成にて，前記延長部１４ｃ′の上面よりも当該補助上面電極１３ｂの全体が盛り上がるように形成する。
【００２５】
この補助上面電極１３ｂの形成に際しては，前記絶縁基板１１の上面から当該補助上面電極１３ｂの上面までの高さ寸法を，前記絶縁基板１１の上面から前記オーバーコート１４ｃの上面までの高さ寸法に略等しくするように構成する。
なお，この補助上面電極１３ｂは，後述する側面電極１３ｃと同時に，つまり，絶縁基板１１における左右両端面に側面電極１３ｃ用の導電ペーストを塗着するときに，この側面電極１３ｃ用の導電ペーストを前記両主上面電極３ａにおける上面のうち両延長部１４ｂ′の間の部分にも塗着したのち焼成することによって，同時に形成するようにしても良い。
（vi）．そして，図４０及び図４１に示すように，前記絶縁基板１１における左右両端面に，側面電極１３ｃを，導電ペーストの塗着及び焼成にて形成したのち，全体に対して金属メッキ処理を施して，前記補助上面電極１３ｂ及び側面電極１３ｃの表面に金属メッキ層１３ｄを形成することにより，端子電極１３に構成するのである。
【００２６】
このようにして製造されたチップ型抵抗器は，前記第１及び第２の実施形態の場合と同様に，図４０及び図４１に示すように，両端子電極１３における主上面電極１３ａにおける上面の左右両側には，オーバーコート１４ｃにおける延長部１４ｃ′が位置し，且つ，この主上面電極１３ａの上面のうち前記両延長部１４ｃ′の間の部分に，補助上面電極１３ｂが，前記延長部１４ｃ′を形成した後においてその上面よりも全体が盛り上がるように形成されると言うような形態になっていることにより，この補助上面電極１３ｂを，導電ペーストのスクリーン印刷等による塗着及び焼成にて形成するときにおいて，その左右両側に位置する前記オーバーコート１４ｃにおける両延長部１４ｃ′が，その間の部分に塗着した前記導電ペーストにおける絶縁基板１１の幅方向への流れを阻止すると言う堰止めとしての作用を行うことになるから，前記補助上面電極１３ｂにおける主上面電極１３ａの上面からの高さ寸法（正確には，主上面電極１３ａの上面から金属メッキ層１３ｄの上面までの高さ）を，少ない量の導電ペーストにて高くすることができるのである。
【００２７】
従って，前記絶縁基板１１の上面から補助上面電極１３ｂの上面までの高さ寸法Ｈ１（正確には，絶縁基板１１の上面から金属メッキ層１３ｄの上面までの高さ）を，絶縁基板１１の上面からオーバーコート１４ｃの上面までの高さ寸法Ｈ０と略等しくする場合において，前記補助上面電極１３ｂ用導電ペーストの使用量を少なくできるから，材料費を節減できる共に，軽量化できるのである。
【００２８】
なお，前記オーバーコート１４ｃにおける延長部１４ｃ′とすることに代えて，図４２に示すように，前記オーバーコート１４ｃを形成するときにおいて，両主上面電極１３ａにおける上面の左右両側の部分に，当該オーバーコート１４ｃの飛び地部１４ｃ″を同時に形成し，両主上面電極１３ａの上面のうちこの両飛び地部１４ｃ″の間の部分に補助上面電極１３ｂを形成するように構成しても良く，また，これらオーバーコート１４ｃにおける延長部１４ｃ′又は飛び地部１４ｃ″は，図示のように，その一部が主上面電極１３ａの一部に重なるように形成することが好ましいが，このオーバーコート１４ｃの厚さは，主上面電極１３ａの厚さよりも厚いので，主上面電極１３ａに重ならないように形成しても良いのである。
【００２９】
なお，前記各実施形態は，両主上面電極１３ａにおける上面の左右両側の部分に，ミドルコート１４ｂにおける延長部１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″，或いは，アンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′又は飛び地部１４ａ″，若しくは，オーバーコート１４ｃにおける延長部１４ｃ′又は飛び地部１４ｃ″のみを形成する場合を示したが，本発明は，これに限らず，両主上面電極１３ａにおける上面の左右両側の部分に，ミドルコート１４ｂにおける延長部１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″とアンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′又は飛び地部１４ａ″とを同じ箇所に重ねて形成するか，又は，ミドルコート１４ｂにおける延長部１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″とオーバーコート１４ｃにおける延長部１４ｃ′又は飛び地部１４ｃ″とを同じ箇所に重ねて形成するか，或いは，アンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′又は飛び地部１４ａ″とオーバーコート１４ｃにおける延長部１４ｃ′又は飛び地部１４ｃ″とを同じ箇所に重ねて形成するか，若しくは，ミドルコート１４ｂにおける延長部１４ｂ′又は飛び地部１４ｂ″，アンダーコート１４ａにおける延長部１４ａ′又は飛び地部１４ａ″及びオーバーコート１４ｃにおける延長部１４ｃ′又は飛び地部１４ｃ″との三者を同じ箇所に重ねて形成するように構成しても良いのであり，このように構成することにより，前記両主上面電極１３ａにおける左右両側の部分に形成される延長部又は飛び地部の高さを高くできるから，補助上面電極を形成するための導電ペーストの使用量を更に節減できるのである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 第１の実施形態において絶縁基板に主上面電極を形成した状態を示す斜視図である。
【図２】 第１の実施形態において前記絶縁基板に抵抗膜に次いでアンダーコートを形成した状態を示す斜視図である。
【図３】 第１の実施形態において前記絶縁基板にミドルコートを形成した状態を示す平面図である。
【図４】 図３のIV−IV視断面図である。
【図５】 図３のＶ−Ｖ視断面図である。
【図６】 第１の実施形態において前記絶縁基板にオーバーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図７】 図６のVII −VII 視断面図である。
【図８】 第１の実施形態において前記絶縁基板に補助上面電極を形成した状態を示す平面図である。
【図９】 図８のIX−IX視断面図である。
【図１０】図８のＸ−Ｘ視断面図である。
【図１１】第１の実施形態によるチップ型抵抗器を示す縦断正面図である。
【図１２】図１１のXII −XII 視断面図である。
【図１３】前記第１の実施形態におけるミドルコートの変形例を示す平面図である。
【図１４】第２の実施形態において絶縁基板に主上面電極を形成した状態を示す斜視図である。
【図１５】第２の実施形態において前記絶縁基板に抵抗膜を形成した状態を示す斜視図である。
【図１６】第２の実施形態において前記絶縁基板にアンダーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図１７】図１６のXVII−XVII視断面図である。
【図１８】図１６のXVIII −XVIII 視断面図である。
【図１９】第２の実施形態において抵抗膜にトリミング溝を刻設した状態を示す平面図である。
【図２０】第２の実施形態において絶縁基板にミドルコートを形成した状態を示す平面図である。
【図２１】図２０のXXI −XXI 視断面図である。
【図２２】第２の実施形態において絶縁基板にオーバーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図２３】図２２のXXIII −XXIII 視断面図である。
【図２４】
第２の実施形態において絶縁基板に補助上面電極を形成した状態を示す平面図である。
【図２５】図２４のXXV −XXV 視断面図である。
【図２６】図２４のXXVI−XXVI視断面図である。
【図２７】第２の実施形態によるチップ型抵抗器を示す縦断正面図である。
【図２８】図２７のXXVIII−XXVIII視断面図である。
【図２９】前記第２の実施形態におけるアンダーコートの変形例を示す平面図である。
【図３０】第３の実施形態において絶縁基板に主上面電極を形成した状態を示す斜視図である。
【図３１】第３の実施形態において前記絶縁基板に抵抗膜に次いでアンダーコートを形成した状態を示す斜視図である。
【図３２】第３の実施形態において前記絶縁基板にミドルコートを形成した状態を示す平面図である。
【図３３】図３２のXXXIII−XXXIII視断面図である。
【図３４】第３の実施形態において前記絶縁基板にオーバーコートを形成した状態を示す平面図である。
【図３５】図３４のXXXV−XXXV視断面図である。
【図３６】図３４のXXXVI −XXXVI 視断面図である。
【図３７】第３の実施形態において前記絶縁基板に補助上面電極を形成した状態を示す平面図である。
【図３８】図３７のXXXVIII −XXXVIII 視断面図である。
【図３９】図３７のXXXIX −XXXIX 視断面図である。
【図４０】第３の実施形態によるチップ型抵抗器を示す縦断正面図である。
【図４１】図４０のXXXXI −XXXXI 視断面図である。
【図４２】前記第３の実施形態におけるミドルコートの変形例を示す平面図である。
【図４３】先行技術によるチップ型抵抗器を示す斜視図である。
【図４４】図４３のXXXXIV−XXXXIV視拡大断面図である。
【符号の説明】
１１ 絶縁基板
１２ 抵抗膜
１３ 端子電極
１３ａ 主上面電極
１３ｂ 補助上面電極
１３ｃ 側面電極
１３ｄ 金属メッキ層
１４ カバーコート
１４ａ アンダーコート
１４ｂ ミドルコート
１４ｃ オーバーコート
１４ａ′ アンダーコートの延長部
１４ａ″ アンダーコートの飛び地部
１４ｂ′ ミドルコートの延長部
１４ｂ″ ミドルコートの飛び地部
１４ｃ′ オーバーコートの延長部
１４ｃ″ オーバーコートの飛び地部
Claims (8)
- 絶縁基板の左右両端部に，当該絶縁基板の上面に形成した抵抗膜の両端に対する端子電極を備え，この両端子電極を，少なくとも，絶縁基板の上面における抵抗膜に導通するように形成した主上面電極と，この主上面電極の上面に形成した補助上面電極とで構成する一方，前記絶縁基板の上面に前記抵抗膜を覆うカバーコートを形成し，更に，前記絶縁基板の上面から前記補助上面電極の上面までの高さ寸法を，前記絶縁基板の上面から前記カバーコートの上面までの高さ寸法と略等しくするように構成して成るチップ型抵抗器において，
前記両主上面電極における上面の左右両側に，前記カバーコートにおける延長部又は飛び地部を形成する一方，前記補助上面電極を，前記両主上面電極の上面のうちその両側に位置する前記延長部又は飛び地部の間の部分に，前記延長部又は飛び地部を形成した後においてこれらの上面よりも全体が盛り上がるように形成したことを特徴とするチップ型抵抗器の構造。 - 前記請求項１の記載において，前記カバーコートが，前記抵抗膜を直接覆う下層のアンダーコートと，これを覆う上層のオーバーコートを有する構成であり，前記延長部又は飛び地部が，前記アンダーコートにおける延長部又は飛び地部であることを特徴とするチップ型抵抗器の構造。
- 前記請求項１の記載において，前記カバーコートが，前記抵抗膜を直接覆う下層のアンダーコートと，これを覆う中層のミドルコートと，これを覆う上層の上層のオーバーコートを有する構成であり，前記延長部又は飛び地部が，前記ミドルコートにおける延長部又は飛び地部であることを特徴とするチップ型抵抗器の構造。
- 前記請求項１の記載において，前記カバーコートが，前記抵抗膜を直接覆う下層のアンダーコートと，これを覆う上層のオーバーコートを有する構成であり，前記延長部又は飛び地部が，前記オーバーコートにおける延長部又は飛び地部であることを特徴とするチップ型抵抗器の構造。
- 絶縁基板の上面に抵抗膜及びその両端に対する左右一対の主上面電極を形成する工程と，
前記抵抗膜を覆うカバーコートを，当該カバーコートにおける延長部又は飛び地部を前記両主上面電極における上面の左右両側に位置するようにして形成する工程と，
前記工程に次いで，前記両主上面電極の上面のうちその両側に位置する前記両延長部又は飛び地部の間の部分に補助上面電極を形成する工程を備え，
前記補助上面電極を形成する工程が，前記絶縁基板の上面から当該補助上面電極の上面までの高さ寸法を前記絶縁基板の上面から前記カバーコートの上面までの高さ寸法と略等しくなるようにその全体を前記両延長部又は飛び地部の上面よりも盛り上げて形成する工程である，
ことを特徴とするチップ型抵抗器の製造方法。 - 絶縁基板の上面に抵抗膜及びその両端に対する左右一対の主上面電極を形成する工程と，
前記抵抗膜を直接覆う下層のアンダーコートを，当該アンダーコートにおける延長部又は飛び地部を前記両主上面電極における上面の左右両側に位置するようにして形成する工程と，
前記抵抗膜をトリミング調整する工程と，
前記アンダーコートに重ねて上層のオーバーコートを形成する工程と，
前記工程に次いで，前記両主上面電極の上面のうちその両側に位置する前記両延長部又は飛び地部の間の部分に補助上面電極を形成する工程を備え，
前記補助上面電極を形成する工程が，前記絶縁基板の上面から当該補助上面電極の上面までの高さ寸法を前記絶縁基板の上面から前記オーバーコートの上面までの高さ寸法と略等しくなるようにその全体を前記両延長部又は飛び地部の上面よりも盛り上げて形成する工程である，
ことを特徴とするチップ型抵抗器の製造方法。 - 絶縁基板の上面に抵抗膜及びその両端に対する左右一対の主上面電極を形成する工程と，
前記抵抗膜を直接覆う下層のアンダーコートを形成する工程と，
前記抵抗膜をトリミング調整する工程と，
前記アンダーコートに重ねて中層のミドルコートを，当該ミドルコートにおける延長部又は飛び地部を前記両主上面電極における上面の左右両側に位置するようにして形成する工程と，
前記ミドルコートに重ねて上層のオーバーコートを形成する工程と，
前記工程に次いで，前記両主上面電極の上面のうちその両側に位置する前記両延長部又は飛び地部の間の部分に補助上面電極を形成する工程を備え，
前記補助上面電極を形成する工程が，前記絶縁基板の上面から当該補助上面電極の上面までの高さ寸法を前記絶縁基板の上面から前記オーバーコートの上面までの高さ寸法と略等しくなるようにその全体を前記両延長部又は飛び地部の上面よりも盛り上げて形成する工程である，
ことを特徴とするチップ型抵抗器の製造方法。 - 絶縁基板の上面に抵抗膜及びその両端に対する左右一対の主上面電極を形成する工程と，
前記抵抗膜を直接覆う下層のアンダーコートを形成する工程と，
前記抵抗膜をトリミング調整する工程と，
前記アンダーコートに重ねて上層のオーバーコートを，当該オーバーコートにおける延長部又は飛び地部を前記両主上面電極における上面の左右両側に位置するようにして形成する工程と，
前記工程に次いで，前記両主上面電極の上面のうちその両側に位置する前記両延長部又は飛び地部の間の部分に補助上面電極を形成する工程を備え，
前記補助上面電極を形成する工程が，前記絶縁基板の上面から当該補助上面電極の上面までの高さ寸法を前記絶縁基板の上面から前記オーバーコートの上面までの高さ寸法と略等しくなるようにその全体を前記両延長部又は飛び地部の上面よりも盛り上げて形成する工程である，
ことを特徴とするチップ型抵抗器の製造方法。
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