JP3146884B2 - 回路部品 - Google Patents
回路部品Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4685—Manufacturing of cross-over conductors
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、基板上に導体を設け
た構造を有する回路部品に関するもので、特に、複数の
導体がクロスオーバーする部分を有する回路部品に関す
るものである。
た構造を有する回路部品に関するもので、特に、複数の
導体がクロスオーバーする部分を有する回路部品に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】この発明にとって興味ある回路部品とし
て、たとえば回路基板がある。このような回路基板にお
いて、基板上に形成された複数の回路導体を、互いに電
気的に絶縁しながら交差させなければならない場合があ
る。このようないわゆるクロスオーバー部分は、過去に
は、ジャンパー線によって実現されていたが、厚膜技術
や薄膜技術を用いて回路導体を形成する場合、通常、こ
のクロスオーバー部分は、下部導体上に絶縁層を設けて
その上にさらに導体を設けることによって実現されてい
る。
て、たとえば回路基板がある。このような回路基板にお
いて、基板上に形成された複数の回路導体を、互いに電
気的に絶縁しながら交差させなければならない場合があ
る。このようないわゆるクロスオーバー部分は、過去に
は、ジャンパー線によって実現されていたが、厚膜技術
や薄膜技術を用いて回路導体を形成する場合、通常、こ
のクロスオーバー部分は、下部導体上に絶縁層を設けて
その上にさらに導体を設けることによって実現されてい
る。
【０００３】このようなクロスオーバー構造は、ジャン
パー線を用いたクロスオーバー構造に比べて、回路部品
の小型化を可能にするとともに、クロスオーバー部の導
体および絶縁層の形成が他の導体および絶縁体の形成と
ともにフォトリソグラフィなどの工程において同時に実
施することができるので、工程数の削減に大きく寄与し
ている。
パー線を用いたクロスオーバー構造に比べて、回路部品
の小型化を可能にするとともに、クロスオーバー部の導
体および絶縁層の形成が他の導体および絶縁体の形成と
ともにフォトリソグラフィなどの工程において同時に実
施することができるので、工程数の削減に大きく寄与し
ている。
【０００４】図４は、上述したクロスオーバー構造を示
す斜視図であり、図５は、図４の線Ｖ−Ｖに沿う断面図
である。図４および図５を参照して、基板１上には、第
１の導体２が設けられ、次いで、この第１の導体２を覆
うように絶縁層３が基板１上に形成され、さらに、絶縁
層３を介在させた状態で第１の導体２に対し交差するよ
うに第２の導体４が設けられる。基板１は、典型的には
絶縁性であり、たとえば、アルミナまたはガラス等によ
って構成される。第１および第２の導体２および４に
は、たとえば、銅、アルミニウム、銀などが用いられ
る。絶縁層３は、たとえば、ガラスまたは樹脂などによ
って構成される。
す斜視図であり、図５は、図４の線Ｖ−Ｖに沿う断面図
である。図４および図５を参照して、基板１上には、第
１の導体２が設けられ、次いで、この第１の導体２を覆
うように絶縁層３が基板１上に形成され、さらに、絶縁
層３を介在させた状態で第１の導体２に対し交差するよ
うに第２の導体４が設けられる。基板１は、典型的には
絶縁性であり、たとえば、アルミナまたはガラス等によ
って構成される。第１および第２の導体２および４に
は、たとえば、銅、アルミニウム、銀などが用いられ
る。絶縁層３は、たとえば、ガラスまたは樹脂などによ
って構成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したクロスオーバ
ー構造において、図５に「５」で示す箇所で電気的ショ
ートが発生しやすいことが知られている。その理由は、
絶縁層３が、これら箇所５において比較的薄くなるため
である。より詳細には、絶縁層３は、ペースト状または
液状の材料を塗布し、次いで焼成または硬化することに
よって形成されるが、この材料は、塗布または焼成時に
おいて流動性を示し、その表面張力のため、箇所５にお
いて絶縁層３がより薄くされてしまう。
ー構造において、図５に「５」で示す箇所で電気的ショ
ートが発生しやすいことが知られている。その理由は、
絶縁層３が、これら箇所５において比較的薄くなるため
である。より詳細には、絶縁層３は、ペースト状または
液状の材料を塗布し、次いで焼成または硬化することに
よって形成されるが、この材料は、塗布または焼成時に
おいて流動性を示し、その表面張力のため、箇所５にお
いて絶縁層３がより薄くされてしまう。
【０００６】上述した問題を避けるため、絶縁層３をよ
り厚く形成したり、２層に形成したり、絶縁層３の表面
を平坦化したりするなどの方策がとられているが、いず
れも、手間がかかり、回路部品の生産性の向上を阻害し
ている。
り厚く形成したり、２層に形成したり、絶縁層３の表面
を平坦化したりするなどの方策がとられているが、いず
れも、手間がかかり、回路部品の生産性の向上を阻害し
ている。
【０００７】それゆえに、この発明の目的は、クロスオ
ーバー部分の信頼性を向上し得るとともに、生産性を向
上し得る、回路部品を提供しようとすることである。
ーバー部分の信頼性を向上し得るとともに、生産性を向
上し得る、回路部品を提供しようとすることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、基板と、基
板上に設けられる第１の導体と、第１の導体の少なくと
も一部を覆うように基板上に形成される絶縁層と、この
絶縁層を介在させた状態で第１の導体に対し交差するよ
うに、下面がその絶縁層の上表面に密着して設けられる
第２の導体とを備える回路部品に向けられるものであっ
て、上述した技術的課題を解決するため、次のような構
成を備えることを特徴としている。
板上に設けられる第１の導体と、第１の導体の少なくと
も一部を覆うように基板上に形成される絶縁層と、この
絶縁層を介在させた状態で第１の導体に対し交差するよ
うに、下面がその絶縁層の上表面に密着して設けられる
第２の導体とを備える回路部品に向けられるものであっ
て、上述した技術的課題を解決するため、次のような構
成を備えることを特徴としている。
【０００９】すなわち、この発明に係る回路部品では、
第１の導体の少なくとも一方の側部近傍であって第２の
導体の下方の位置に、第１の導体とほぼ同じ高さを有し
かつ第１の導体とは電気的に絶縁された島状パターン膜
が基板と絶縁層との間に形成されている。
第１の導体の少なくとも一方の側部近傍であって第２の
導体の下方の位置に、第１の導体とほぼ同じ高さを有し
かつ第１の導体とは電気的に絶縁された島状パターン膜
が基板と絶縁層との間に形成されている。
【００１０】
【作用】上述した島状パターン膜は、第１の導体の側部
近傍に設けられているため、絶縁層を形成するために付
与されたペースト状または液状の材料に表面張力が生じ
たとしても、第１の導体の側部において絶縁層が薄くさ
れる傾向を大幅に緩和できる。
近傍に設けられているため、絶縁層を形成するために付
与されたペースト状または液状の材料に表面張力が生じ
たとしても、第１の導体の側部において絶縁層が薄くさ
れる傾向を大幅に緩和できる。
【００１１】
【発明の効果】したがって、この発明によれば、第１の
導体と第２の導体との間でショートする確率を極めて低
くすることができ、そのため、クロスオーバー部分を備
える回路部品の信頼性を高めることができる。また、従
来のように、絶縁層を特別に厚くしたりするなどの対策
が不要であるので、回路部品の生産性も向上させること
ができる。
導体と第２の導体との間でショートする確率を極めて低
くすることができ、そのため、クロスオーバー部分を備
える回路部品の信頼性を高めることができる。また、従
来のように、絶縁層を特別に厚くしたりするなどの対策
が不要であるので、回路部品の生産性も向上させること
ができる。
【００１２】なお、この発明では、島状パターン膜の、
第１の導体に向く側とは反対側の端縁においては、絶縁
層が依然として比較的薄く形成される傾向がある。しか
しながら、このように絶縁層が薄くされた結果として、
仮に島状パターン膜と第２の導体とがショートしても、
島状パターン膜は第１の導体とは電気的に絶縁されてい
るので、何ら支障はない。
第１の導体に向く側とは反対側の端縁においては、絶縁
層が依然として比較的薄く形成される傾向がある。しか
しながら、このように絶縁層が薄くされた結果として、
仮に島状パターン膜と第２の導体とがショートしても、
島状パターン膜は第１の導体とは電気的に絶縁されてい
るので、何ら支障はない。
【００１３】この発明において、島状パターン膜は、第
１の導体の両方の側部近傍に設けられるのが好ましい。
これによって、ショートの発生をより確実に防止するこ
とができる。
１の導体の両方の側部近傍に設けられるのが好ましい。
これによって、ショートの発生をより確実に防止するこ
とができる。
【００１４】また、この発明において、島状パターン膜
を、第１の導体を構成する導電性材料と同じ材料によっ
て形成するようにすれば、島状パターン膜を第１の導体
と同じ工程で形成することができ、生産性をさらに向上
させることができる。
を、第１の導体を構成する導電性材料と同じ材料によっ
て形成するようにすれば、島状パターン膜を第１の導体
と同じ工程で形成することができ、生産性をさらに向上
させることができる。
【００１５】
【実施例】図１は、この発明の一実施例による回路部品
としての回路基板を示す斜視図である。図２は、図１の
線ＩＩ−ＩＩに沿う断面図である。図１および図２に
は、回路基板の一部であって、クロスオーバー構造を備
える部分のみが示されている。
としての回路基板を示す斜視図である。図２は、図１の
線ＩＩ−ＩＩに沿う断面図である。図１および図２に
は、回路基板の一部であって、クロスオーバー構造を備
える部分のみが示されている。
【００１６】図示した回路基板は、基板１１を備える。
基板１１は、たとえば、アルミナまたはガラスや樹脂の
ような絶縁性材料から構成される。基板１１は、このよ
うに、典型的には絶縁性であるが、その他の特性を有し
ていてもよい。
基板１１は、たとえば、アルミナまたはガラスや樹脂の
ような絶縁性材料から構成される。基板１１は、このよ
うに、典型的には絶縁性であるが、その他の特性を有し
ていてもよい。
【００１７】基板１１上には、第１の導体１２が設けら
れる。第１の導体１２には、たとえば、銅、アルミニウ
ム、または銀などが用いられる。
れる。第１の導体１２には、たとえば、銅、アルミニウ
ム、または銀などが用いられる。
【００１８】基板１１上には、第１の導体１２の両方の
側部近傍に位置するように、島状パターン膜１３が形成
される。島状パターン膜１３は、導電性であっても電気
絶縁性であってもよい。島状パターン膜１３が導電性で
あるとき、第１の導体１２と同時に島状パターン１３を
形成すれば、島状パターン膜１３を形成するための特別
な工程が不要となる。島状パターン膜１３は、第１の導
体１２とほぼ同じ高さをもって形成される。島状パター
ン膜１３は、電気絶縁性であるときには、第１の導体１
２に接触するように形成されてもよいが、導電性である
ときには、第１の導体１２とは電気的に絶縁されるよう
に、互いの間に間隔が形成される。この間隔は、できる
だけ小さい方が好ましく、たとえば、３０μｍ程度に選
ばれる。なお、第１の導体１２および島状パターン膜１
３をたとえばフォトリソグラフィ技術を用いて形成する
場合、第１の導体１２と島状パターン膜１３とは分解能
の許される範囲でできるだけ近接させて形成されるのが
望ましい。
側部近傍に位置するように、島状パターン膜１３が形成
される。島状パターン膜１３は、導電性であっても電気
絶縁性であってもよい。島状パターン膜１３が導電性で
あるとき、第１の導体１２と同時に島状パターン１３を
形成すれば、島状パターン膜１３を形成するための特別
な工程が不要となる。島状パターン膜１３は、第１の導
体１２とほぼ同じ高さをもって形成される。島状パター
ン膜１３は、電気絶縁性であるときには、第１の導体１
２に接触するように形成されてもよいが、導電性である
ときには、第１の導体１２とは電気的に絶縁されるよう
に、互いの間に間隔が形成される。この間隔は、できる
だけ小さい方が好ましく、たとえば、３０μｍ程度に選
ばれる。なお、第１の導体１２および島状パターン膜１
３をたとえばフォトリソグラフィ技術を用いて形成する
場合、第１の導体１２と島状パターン膜１３とは分解能
の許される範囲でできるだけ近接させて形成されるのが
望ましい。
【００１９】上述した第１の導体１２および島状パター
ン膜１３を覆うように、絶縁層１４が基板１１上に形成
される。絶縁層１４には、たとえばガラスまたは樹脂等
が用いられる。一例として、絶縁層１４は、ポリイミド
樹脂から構成される。絶縁層１４は、従来と同様、ペー
スト状または液状の材料を基板１１上に塗布し、その
後、焼成または硬化することによって形成される。
ン膜１３を覆うように、絶縁層１４が基板１１上に形成
される。絶縁層１４には、たとえばガラスまたは樹脂等
が用いられる。一例として、絶縁層１４は、ポリイミド
樹脂から構成される。絶縁層１４は、従来と同様、ペー
スト状または液状の材料を基板１１上に塗布し、その
後、焼成または硬化することによって形成される。
【００２０】絶縁層１４上には、この絶縁層１４を介在
させた状態で第１の導体１２に対し交差するように、第
２の導体１５が設けられる。第２の導体１５は、第１の
導体１２と同様、たとえば、銅、アルミニウムまたは銀
を用いて構成される。第２の導体１５の下方には、前述
した島状パターン膜１３が位置している。
させた状態で第１の導体１２に対し交差するように、第
２の導体１５が設けられる。第２の導体１５は、第１の
導体１２と同様、たとえば、銅、アルミニウムまたは銀
を用いて構成される。第２の導体１５の下方には、前述
した島状パターン膜１３が位置している。
【００２１】このような構成の回路基板のクロスオーバ
ー部分においては、島状パターン膜１３が第１の導体１
２に近接して設けられているので、絶縁層１４の形成過
程において遭遇する流動性のために表面張力によって第
１の導体１２の側部端縁において絶縁層１４が比較的薄
く形成されることを防止できる。したがって、第１の導
体１２と第２の導体１５との間でショートが発生する確
率は極めて低くなる。
ー部分においては、島状パターン膜１３が第１の導体１
２に近接して設けられているので、絶縁層１４の形成過
程において遭遇する流動性のために表面張力によって第
１の導体１２の側部端縁において絶縁層１４が比較的薄
く形成されることを防止できる。したがって、第１の導
体１２と第２の導体１５との間でショートが発生する確
率は極めて低くなる。
【００２２】なお、図２において、「１６」で示す箇所
は、図５に示した箇所５と変わらない状況にある。した
がって、これら箇所１６では、絶縁層１４が比較的薄く
形成される傾向がある。しかしながら、このような箇所
１６において仮にショートが生じたとしても、それは第
２の導体１５と島状パターン膜１３との間に限られ、島
状パターン膜１３は第１の導体１２に対し電気的に絶縁
されているので、何らの支障をももたらすことはない。
は、図５に示した箇所５と変わらない状況にある。した
がって、これら箇所１６では、絶縁層１４が比較的薄く
形成される傾向がある。しかしながら、このような箇所
１６において仮にショートが生じたとしても、それは第
２の導体１５と島状パターン膜１３との間に限られ、島
状パターン膜１３は第１の導体１２に対し電気的に絶縁
されているので、何らの支障をももたらすことはない。
【００２３】図３は、この発明の他の実施例による回路
部品の一部を示す平面図である。この回路部品は、基板
２１を備え、基板２１上には、インダクタを与えるべく
渦巻状に延びるストリップ状導体２２が形成されてい
る。このストリップ状導体２２において、渦巻の中心か
ら渦巻の外側に導出される導体部分２３とその下方に位
置される導体部分２４および２５とが交差し、この交差
する部分においてクロスオーバー構造が与えられてい
る。
部品の一部を示す平面図である。この回路部品は、基板
２１を備え、基板２１上には、インダクタを与えるべく
渦巻状に延びるストリップ状導体２２が形成されてい
る。このストリップ状導体２２において、渦巻の中心か
ら渦巻の外側に導出される導体部分２３とその下方に位
置される導体部分２４および２５とが交差し、この交差
する部分においてクロスオーバー構造が与えられてい
る。
【００２４】図３において破線で示すように、導体部分
２４および２５のそれぞれの側部近傍で、導体部分２３
の下方の位置には、島状パターン膜２６、２７および２
８が形成される。これら島状パターン膜２６〜２８なら
びに導体部分２４および２５を覆うように絶縁層２９が
形成され、この絶縁層２９上に導体部分２３が設けられ
ている。
２４および２５のそれぞれの側部近傍で、導体部分２３
の下方の位置には、島状パターン膜２６、２７および２
８が形成される。これら島状パターン膜２６〜２８なら
びに導体部分２４および２５を覆うように絶縁層２９が
形成され、この絶縁層２９上に導体部分２３が設けられ
ている。
【００２５】このように、島状パターン膜２６〜２８を
設けることによって、導体部分２４および２５のそれぞ
れの側部端縁において絶縁層２９が比較的薄くされるこ
とが防止され、それによって、導体部分２３と導体部分
２４および２５との間でショートが発生する確率を極め
て低くすることができる。
設けることによって、導体部分２４および２５のそれぞ
れの側部端縁において絶縁層２９が比較的薄くされるこ
とが防止され、それによって、導体部分２３と導体部分
２４および２５との間でショートが発生する確率を極め
て低くすることができる。
【００２６】以上、この発明を図示した実施例に関連し
て説明したが、この発明は、クロスオーバー構造を持つ
回路部品であれば、どのような回路部品に対しても適用
することができる。
て説明したが、この発明は、クロスオーバー構造を持つ
回路部品であれば、どのような回路部品に対しても適用
することができる。
【００２７】また、第１および第２の導体や島状パター
ン膜の形成には、上述のフォトリソグラフィ技術に限ら
ず、印刷や転写技術を用いることも可能である。
ン膜の形成には、上述のフォトリソグラフィ技術に限ら
ず、印刷や転写技術を用いることも可能である。
【図１】この発明の一実施例による回路部品の主要部を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図２】図１の線ＩＩ−ＩＩに沿う断面図である。
【図３】この発明の他の実施例による回路部品の主要部
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図４】この発明にとって興味ある従来の回路部品の主
要部を示す斜視図である。
要部を示す斜視図である。
【図５】図４の線Ｖ−Ｖに沿う断面図である。
１１，２１ 基板 １２ 第１の導体 １３，２６，２７，２８ 島状パターン膜 １４，２９ 絶縁層 １５ 第２の導体 ２３ 導体部分（第２の導体） ２４，２５ 導体部分（第１の導体）
Claims (1)
- 【請求項１】 基板と、 前記基板上に設けられる第１の導体と、 前記第１の導体の少なくとも一部を覆うように前記基板
上に形成される絶縁層と、 前記絶縁層を介在させた状態で前記第１の導体に対し交
差するように、下面が前記絶縁層の上表面に密着して設
けられる第２の導体とを備える回路部品において、 前記第１の導体の少なくとも一方の側部近傍であって前
記第２の導体の下方の位置に、前記第１の導体とほぼ同
じ高さを有しかつ前記第１の導体とは電気的に絶縁され
た島状パターン膜が前記基板と前記絶縁層との間に形成
されていることを特徴とする、回路部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24921194A JP3146884B2 (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | 回路部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24921194A JP3146884B2 (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | 回路部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08116142A JPH08116142A (ja) | 1996-05-07 |
| JP3146884B2 true JP3146884B2 (ja) | 2001-03-19 |
Family
ID=17189572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24921194A Expired - Fee Related JP3146884B2 (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | 回路部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3146884B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6255840B1 (en) | 1997-04-25 | 2001-07-03 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor package with wire bond protective member |
-
1994
- 1994-10-14 JP JP24921194A patent/JP3146884B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6255840B1 (en) | 1997-04-25 | 2001-07-03 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor package with wire bond protective member |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08116142A (ja) | 1996-05-07 |
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