JPH0138924Y2 - - Google Patents

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JPH0138924Y2
JPH0138924Y2 JP1982069388U JP6938882U JPH0138924Y2 JP H0138924 Y2 JPH0138924 Y2 JP H0138924Y2 JP 1982069388 U JP1982069388 U JP 1982069388U JP 6938882 U JP6938882 U JP 6938882U JP H0138924 Y2 JPH0138924 Y2 JP H0138924Y2
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conductor
terminal
insulating layer
hybrid integrated
thick film
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JP1982069388U
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、厚膜混成集積回路、特に、セラミツ
ク基板上に形成され所定の電子部品の接続端子と
接続される端子導体相互間の絶縁に関する。
従来、厚膜混成集積回路においては、所定の電
子部品を回路パターンが形成されたセラミツク基
板に取り付けるに際し、電子部品の接続端子とセ
ラミツク基板上に形成された端子導体とをハンダ
づけしている。このハンダづけは、端子導体にハ
ンダペーストを塗布し、それに電子部品の接続端
子を重ね合わせ、しかる後、加熱冷却するように
している。
ところで、このようなハンダづけの方法による
と、セラミツク基板上の端子導体は近接して設け
られていることから、上記加熱時に、ハンダペー
ストが液状になつて流れ、隣りの端子導体に塗布
した液状のハンダとつながつてしまうようなこと
がおこり、端子導体間が短絡して厚膜混成集積回
路の製造歩留りの低下をきたすことになる。
そこで、このような端子導体間の短絡を防止す
るために、セラミツク基板上の端子導体間に絶縁
体層が設けられ、液状ハンダの隣りの端子導体へ
の流れを防止するようにしている。
第1図は従来の厚膜混成集積回路の一例を示す
平面図、第2図は第1図のA−A線における断面
図であつて、1は電子部品、2は接続端子、3は
端子導体、4は絶縁体層、5はセラミツク基板、
6はハンダ部材である。
第1図および第2図において、セラミツク基板
上には、端子導体3を含む所定の領域を除いて絶
縁体層4により被覆されており、電子部品1は、
夫々の接続端子2がハンダ部材6により対応する
端子導体3に接続されて取りつけられている。各
端子導体3の間には絶縁体層4が介在しているた
めに、電子部品1をセラミツク基板5に取りつけ
るときのハンダ部材6による端子導体3間の短絡
を防止することができる。
このようにして端子導体間の短絡が防止される
が、一方、厚膜混成集積回路では、導体が交叉す
ることができるように配置された、いわゆる、多
層導体構造がとられており、かかる厚膜混成集積
回路のセラミツク基板上には、互いに交叉せる導
体がガラス絶縁体層を介して設けられている。
第3図は従来の厚膜混成集積回路の多層導体構
造の一例を示す斜視図、第4図は第3図の多層導
体構造表面に絶縁樹脂層を設けて形成された厚膜
混成集積回路を示す斜視図であつて、7はガラス
絶縁体層、8は上部導体、9は下部導体であり、
第1図および第2図に対する部分には同一符号を
つけている。
第3図において、未焼成のセラミツク基板5上
に、端子導体3と下部導体9とが導体ペーストに
より印刷形成され、次に、上部導体8が下部導体
9と交叉する部分にガラス絶縁層7が印刷形成さ
れて、その上に上部導体8が導体ペーストにより
印刷形成される。
このようにして導体と絶縁体層とが順次の印刷
により多層に形成されると、所定の温度で加熱さ
れてセラミツク基板5が焼成され、その表面に多
層構造の導体パターンが得られる。
次に、第4図に示すように、かかるセラミツク
基板5上に絶縁樹脂が印刷されて絶縁体層4が形
成され、加熱することによつて硬化して厚膜混成
集積回路が得られることになる。絶縁層4は所定
の印刷スクリーンにより端子導体3を避けるよう
にスクリーン印刷される。そして、端子導体3の
周囲には絶縁体層4が形成され、したがつて、図
示しない近接せる他の端子導体とのハンダ部材に
よる短絡を防止することができる。
しかしながら、かかる厚膜混成集積回路におい
ては、上部導体8と下部導体9との交叉する部分
は端子導体3に非常に接近しており、このため
に、端子導体3に接近してガラス絶縁体層7によ
る段差が存在する。そこで、上述のように、所定
のマスクによつて絶縁体層4を印刷すると、上記
段差のために絶縁層4が存在してはならない部分
に絶縁樹脂の印刷にじみが生ずることになる。
第5図は厚膜混成集積回路のかかる印刷にじみ
を示す平面図、第6図は第5図のB−B線におけ
る断面図であつて、10は印刷にじみであり、第
3図および第4図に対応する部分には同一符号を
つけている。
第5図、第6図において、絶縁樹脂による印刷
にじみ10は、端子導体3を含む絶縁樹脂がマス
クされる領域のガラス絶縁体層7により段差があ
る角の部分から生じ、端子導体3の一部を覆うこ
とになる。かかるにじみ10は、ガラス絶縁体層
7による段差により該段差部分で印刷用スクリー
ン(図示せず)と絶縁体層4が形成されるべきセ
ラミツク基板5の表面との間隙が不当に広くな
り、このために、印刷する際にスクリーンの開口
部からまわり込んで絶縁樹脂が広がつていくこと
によるものである。
しかるに、従来の多層導体構造をとる厚膜混成
集積回路においては、端子導体はその一部が絶縁
体層によつて覆われることからハンダのつき具合
が悪化することになる。したがつて、厚膜混成集
積回路の製造歩留りが低下し、また、端子導体の
表面を修正することにより製造歩留りを向上させ
ようとすると、製造工程数が増加して厚膜混成集
積回路のコストアツプをまねくことになる。
これを防止するために、印刷にじみ10が端子
導体3を覆うことがないように、絶縁体層4をそ
の境界が端子導体から充分はなして形成すればよ
いが、近接せる端子導体3間ではこのように絶縁
体層4を形成することができない。したがつて、
従来技術においては、絶縁体層4による端子導体
3のハンダ付着性の劣化を防止することができな
かつた。
本考案の目的は、上記従来技術の欠点を除き、
絶縁体層のにじみによる端子導体のハンダ付着性
の劣化を防止することができるようにした厚膜混
成集積回路を提供することにある。
この目的を達成するために、本考案は、端子導
体の周囲に、上部導体と下部導体とを絶縁するガ
ラス絶縁体層と一体化したガラス絶縁層を形成
し、近接せる端子導体間を該ガラス絶縁層により
絶縁するようにした点を特徴とする。
以下、本考案の実施例を図面について説明す
る。
第7図は本考案による厚膜混成集積回路の一実
施例を示す平面図、第8図は第7図のC−C線に
よる断面図であつて、第5図および第6図に対応
する部分には同一符号をつけている。
第7図および第8図において、ガラス絶縁体層
7は上部導体8と下部導体9との間に介在し、そ
れら導体間を絶縁しているとともに、端子導体3
の周囲にも形成されている。ガラス絶縁体層7は
その表面が一様な平面をなしており、また、近接
せる端子導体3間に介在してそれら端子導体3間
のハンダ付けによる短絡が生じないようにしてい
る。そして、かかる多層導体構造をとるセラミツ
ク基板上に絶縁樹脂による絶縁体層4が形成され
ているが、互いに近接した端子導体3を含みガラ
ス絶縁体層7上の境界線11で囲まれる領域内に
は形成されない。この境界線11は、ガラス絶縁
体層7の端子導体3側の縁よりもガラス絶縁体層
7の表面上100μmないし1mm程度づれているよう
にする。
かかるガラス絶縁体層7の形状は、端子導体3
および下部導体9を印刷した後、下部導体9と上
部導体8とが交叉する部分と各近接する端子導体
3の周囲とにガラス絶縁体を印刷すればよい。絶
縁体層4は、境界線11で囲まれる領域内をマス
クすることにより、スクリーン印刷によつて形成
される。
しかるに、近接せる端子導体3間にはガラス絶
縁体層7が形成されているものであるから、さら
に、絶縁樹脂による絶縁体層を設ける必要がな
く、また、ガラス絶縁体層7は平坦な表面を有し
ていることから、絶縁体層4の境界線11の角度
における絶縁樹脂の印刷にじみは充分小さくする
ことができる。したがつて、端子導体3のハンダ
付着性は大幅に向上することになる。
以上説明したように、本考案によれば、端子導
体のハンダ付着性が大幅に向上し、端子導体の表
面修正のための格別の製造工程を必要とすること
なく歩留り良く製造することができ、上記従来技
術の欠点を除いて優れた機能の厚膜混成集積回路
を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の厚膜混成集積回路の一例を示す
平面図、第2図は第1図のA−A線における断面
図、第3図は従来の厚膜混成集積回路の多層導体
構造の一例を示す斜視図、第4図は第3図の多層
導体構造表面に絶縁体層を設けて形成された厚膜
混成集積回路を示す斜視図、第5図は絶縁樹脂の
印刷にじみを生じた厚膜混成集積回路を示す平面
図、第6図は第5図のB−B線における断面図、
第7図は本考案による厚膜混成集積回路の一実施
例を示す平面図、第8図は第7図のC−C線にお
ける断面図である。 1……電子部品、2……接続端子、3……端子
導体、4……絶縁体層、7……ガラス絶縁体層、
8……上部導体、9……下部導体。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. セラミツク基板上に、所定の電子部品の接続端
    子が接続される複数個の端子導体が夫々下部導体
    に接続されて互いに近接して配置され、かつ該端
    子導体の近傍で該下部導体と交叉して上部導体が
    配置された厚膜混成集積回路において、前記セラ
    ミツク基板上の前記下部導体、上部導体間と前記
    各端子導体の周囲とに一体にガラス絶縁体層を設
    けるとともに、前記セラミツク基板上の前記各端
    子導体と前記端子導体間とを含み該ガラス絶縁体
    層上に境界をもつ領域を除いた領域に樹脂絶縁体
    層を設け、該ガラス絶縁体層によつて前記下部導
    体、上部導体間と前記端子導体相互間とを絶縁し
    たことを特徴とする厚膜混成集積回路。
JP1982069388U 1982-05-14 1982-05-14 厚膜混成集積回路 Granted JPS58173267U (ja)

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JPS58173267U JPS58173267U (ja) 1983-11-19
JPH0138924Y2 true JPH0138924Y2 (ja) 1989-11-21

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS555286B2 (ja) * 1975-10-31 1980-02-05

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54152759U (ja) * 1978-04-15 1979-10-24
JPS555286U (ja) * 1978-06-28 1980-01-14

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS555286B2 (ja) * 1975-10-31 1980-02-05

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