JPH1116702A - チップ抵抗器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 バルクワンバイワン方式又はマルチ実装方式
において、チップ抵抗器が裏向きに実装された場合でも
安定した実装を行うことができるチップ抵抗器を提供す
る。 【解決手段】 絶縁基板１０上に形成される上面電極層
２２ａを略凸状として、上面電極層２２ａの端部側は幅
広とし、内側は幅狭とする。つまり、側面電極層形成領
域に対応した上面電極層２２ａの部分の形成幅Ｕが、保
護層により覆われる上面電極層の部分の形成幅Ｓよりも
広く形成されるようにする。抵抗体層３０は、該上面電
極層２２ａを渡すように形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、チップ抵抗器に関
するものであり、特に、絶縁基板上面に形成される上面
電極層の配設形態に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のチップ抵抗器Ｂにおいては、図１
３（ａ）に示すように、平面視すると、長方形状を呈す
る絶縁基板１０上面に、Ｙ方向の両端部に対向するべく
一対の上面電極層２２が形成されている。この上面電極
層２２は略方形状を呈している。この上面電極層２２の
上には、図１３（ｂ）に示すように、抵抗体層３０がそ
の対向する一対の上面電極層２２を連結するべく該一対
の上面電極層２２の一部とオーバーラップして形成され
ている。また、上記一対の上面電極層２２の一部及び該
抵抗体層３０上には、図１３（ｃ）に示すように、ガラ
ス層からなる保護層４０が形成されている。

【０００３】ここで、上記上面電極層のＸ方向の形成幅
Ｓは、上記保護層４０の幅Ｔに比べて狭く形成されるの
が一般的である。これにより、図１４（ａ）に示すよう
に、該保護層４０がたとえずれて印刷されても、平面視
したときに、上記一対の上面電極層２２が上記保護層４
０からＸ方向に露出しない。これにより、上面電極層２
２が保護層４０から露出することによる抵抗値の変動等
を防止することができる。つまり、図１４（ｂ）に示す
ように、上面電極層２２が保護層４０からはみ出してい
る場合には、はみ出た上面電極層同士が短絡する等の問
題が生じるおそれがあるが、上記のように、上記上面電
極層のＸ方向の形成幅Ｓを上記保護層４０の幅Ｔに比べ
て狭く形成することによりそのような問題を回避するこ
とができる。なお、上記一対の上面電極層２２の上に
は、従来のチップ抵抗器Ｂの完成図を示す図１５
（ａ）、（ｂ）に示すように、上記上面電極層２２を覆
うべく側面電極層、ニッケルメッキ層、ハンダメッキ層
が重合されて全体として電極部２０が形成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記構成の従
来のチップ抵抗器Ｂは、Ｘ方向の側断面において、図１
５（ｂ）に示すように構成され、チップ抵抗器Ｂの電極
部２０の頂面において平滑な部分が少なくなる。つま
り、従来のチップ抵抗器Ｂにおける一対の上面電極層２
２のＸ方向の形成幅Ｓが短いことから、電極部２０の頂
面に平滑な部分がどうしても少なくならざるを得ない。
従って、バルクケースによるワンバイワン方式（バルク
ワンバイワン方式）又はマルチマウント方式（マルチ実
装方式）において、図１５（ｃ）に示すように、従来の
チップ抵抗器Ｂの上面側が下向きで配線基板５０に実装
される場合があるが、リフローハンダ付け時に不均一な
ハンダ９０の張力が働くと、上記のように電極部２０の
頂面に平滑な部分が少ないため、ランド５２に実装され
る姿勢が不安定となり、本来期待されるセルフアライメ
ント効果が得られない場合を生ずる。

【０００５】ここで、「セルフアライメント」とは、配
線基板への実装時に位置ずれを起こしたチップ抵抗器
が、クリームハンダが溶解することに伴い、その表面張
力により、正常な位置へ戻ろうとする作用をいう。

【０００６】そこで、本発明は、バルクワンバイワン方
式又はマルチ実装方式において、チップ抵抗器が裏向き
に実装された場合でも安定した実装を行うことができる
チップ抵抗器を提供することを目的とするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決するために創作されたものであって、第１には、チッ
プ抵抗器において、上面電極層において、側面電極層形
成領域に対応した上面電極層の部分の少なくとも一部の
形成幅が、保護層により覆われる上面電極層の部分の形
成幅よりも広く形成されていることを特徴とする。この
第１の構成のチップ抵抗器においては、上面電極層の形
成幅のうち、側面電極層形成領域に対応した上面電極層
の少なくとも一部の形成幅が、保護層により覆われる上
面電極層の形成幅よりも広く形成されるので、従来のチ
ップ抵抗器に比し、絶縁基板上面で上面電極層、側面電
極層、ニッケルメッキ層及びハンダメッキ層の積層によ
り形成される電極部の頂面は、より平滑状に形成され
て、バルクケースによるワンバイワン方式又はマルチマ
ウント方式において、チップ抵抗器がその上面側を下向
きに配線基板に実装された場合でも、その実装姿勢が安
定し、セルフアライメント効果を十分に得ることができ
る。

【０００８】また、第２には、チップ抵抗器において、
上面電極層において、側面電極層形成側の端部側のいず
れかの位置の形成幅が、該位置よりも内側のいずれかの
位置の形成幅よりも広く形成されていることを特徴とす
る。この第２の構成のチップ抵抗器においては、側面電
極層形成側の端部側のいずれかの位置の形成幅が、該位
置よりも内側のいずれかの位置の形成幅よりも広く形成
されているので、従来のチップ抵抗器に比し、絶縁基板
上面で上面電極層、側面電極層、ニッケルメッキ層及び
ハンダメッキ層の積層により形成される電極部の頂面
は、より平滑状に形成されて、バルクケースによるワン
バイワン方式又はマルチマウント方式において、チップ
抵抗器がその上面側を下向きに配線基板に実装された場
合でも、その実装姿勢が安定し、セルフアライメント効
果を十分に得ることができる。

【０００９】また、第３には、上記第１又は第２の構成
において、上面電極層の平面形状が、略凸型形状を呈す
ることを特徴とする。この第３の構成のチップ抵抗器に
よれば、従来のチップ抵抗器に比し、絶縁基板上面で上
面電極層、側面電極層、ニッケルメッキ層及びハンダメ
ッキ層の積層により形成される電極部の頂面は、より一
層平滑状に形成される。従って、バルクケースによるワ
ンバイワン方式又はマルチマウント方式において、チッ
プ抵抗器がその上面側を下向きに配線基板に実装された
場合でも、その実装姿勢が一層安定し、セルフアライメ
ント効果を十分に得ることができる。また、第４には、
上記第１又は第２の構成において、上面電極層の平面形
状が、略台形形状を呈することを特徴とする。この第４
の構成のチップ抵抗器によれば、従来のチップ抵抗器に
比し、絶縁基板上面で上面電極層、側面電極層、ニッケ
ルメッキ層及びハンダメッキ層の積層により形成される
電極部の頂面は、より一層平滑状に形成される。従っ
て、バルクケースによるワンバイワン方式又はマルチマ
ウント方式において、チップ抵抗器がその上面側を下向
きに配線基板に実装された場合でも、その実装姿勢が一
層安定し、セルフアライメント効果を十分に得ることが
できる。また、第５には、上記第１又は第２の構成にお
いて、上面電極層の平面形状が、一対の電極部が形成さ
れる両端部から内側に向けて幅狭となるように形成され
ることを特徴とする。この第５の構成のチップ抵抗器に
よれば、上面電極層の平面形状が、絶縁基板上面におい
て、その内部から電極部が形成される両端部に向けて幅
広となすべく形成されているので、従来のチップ抵抗器
に比し、絶縁基板上面で上面電極層、側面電極層、ニッ
ケルメッキ層及びハンダメッキ層の積層により形成され
る電極部の頂面は、より一層平滑状に形成される。従っ
て、バルクケースによるワンバイワン方式又はマルチマ
ウント方式において、チップ抵抗器がその上面側を下向
きに配線基板に実装された場合でも、その実装姿勢が一
層安定し、セルフアライメント効果を十分に得ることが
できる。

【００１０】また、第６には、上記第１から第５までの
いずれかの構成において、上面電極層の最も幅広の部分
と、絶縁基板の端部であって、側面電極形成側の端部以
外の上記端部との間には、隙間が形成されていることを
特徴とする。よって、正確な抵抗値の測定に支障を来す
ことがない。また、第７には、上記第１から第６までの
いずれかの構成において、上面電極層の平面形状が、側
面電極層形成側の端部において、その両端に切欠部が形
成された形状であることを特徴とする。この第７の構成
のチップ抵抗器によれば、切欠部が設けられているの
で、製造上、絶縁基板原板に設けられる１次分割用スリ
ットに電極ペーストが侵入することが少なくなり、従っ
て、隣接する他の上面電極層と短絡するおそれも少なく
なる。また、トリミングによる抵抗値の修正も正確に行
うことができる。さらに、製造上、該切欠部を有する分
だけ電極ペーストの使用量を少なくすることができ、従
って、製造コストを引き下げることができる。また、第
８には、上記第１から第７までのいずれかの構成におい
て、チップ抵抗器に設けられる保護層により覆われる上
面電極層の少なくとも一部が、上記保護層の配設ずれに
対応可能とする幅を有することを特徴とする。よって、
該保護層により覆われる上面電極層の一部が、上記保護
層の配設ずれに対応可能とする幅を有しているので、上
面電極層が上記保護層から露出することがなく、従っ
て、対向する一対の電極部が配線基板への実装時のハン
ダによって短絡することもない。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態としての実施
例を図面を利用して説明する。まず、第１実施例を図１
〜図４を利用して説明する。本第１実施例のチップ抵抗
器Ａ１は、図１〜図４に示すように、絶縁基板１０と、
電極部２０ａと、抵抗体層３０と、保護層４０とを有し
ている。

【００１２】ここで、該絶縁基板１０は、主にアルミナ
で構成された略直方体形状であって、平面視すると、図
１（ａ）に示すように、略長方形状を呈している。該電
極部２０ａは、Ｙ方向の端部に一対形成されている。こ
の電極部２０ａは、図１（ａ）（ｂ）、図２に示すよう
に、上面電極層２２ａと、側面電極層２４と、ニッケル
メッキ層２６と、ハンダメッキ層２８とを有している。

【００１３】該上面電極層２２ａは、製造途中のチップ
抵抗器Ａ１’が示される図３（ａ）に示すように、平面
視すると、外周形状が略凸型形状を呈し、Ｘ方向に幅広
の幅広領域２２ａ−１と幅狭の幅狭領域２２ａ−２とか
らなっている。この上面電極層２２ａは、上記絶縁基板
１０上に対向して設けられる。つまり、上記略凸状形状
の基端部分はＹ方向の端部の側面Ｌ、Ｒ側を向いてい
る。

【００１４】上記幅広領域２２ａ−１はＸ方向に形成幅
Ｕを有し、上記幅狭領域２２ａ−２はＸ方向に形成幅Ｓ
を有している。上記形成幅Ｕは上記形成幅Ｓよりも大き
い。これにより、該上面電極層２２ａの側面Ｌ、Ｒ側の
Ｘ方向の形成幅Ｕは、内側のＸ方向の形成幅Ｓよりも広
く形成される。つまり、側面電極層２４の形成領域に対
応した上面電極層２２ａの部分の少なくとも一部の形成
幅が、保護層４０により覆われる上面電極層の部分の形
成幅よりも広く形成されている。また、上記幅広領域２
２ａ−１の形成幅が、上記幅広領域２２ａ−１の内側に
位置する上記幅狭領域２２ａ−２の形成幅よりも広く形
成されている。なお、該形成幅Ｓは、従来のチップ抵抗
器Ｂの上面電極層２２のＸ方向の形成幅と同一幅であ
る。つまり、該形成幅Ｓは上記保護層の幅４０の幅Ｔよ
りも狭く形成され、この形成幅Ｓは、上述したように、
後記する保護層４０の印刷がずれても該上面電極層２２
が該保護層４０から露出しない程度の幅である。従っ
て、図１４のように、たとえ上記上面電極層２２ａ上に
上記保護層４０がずれて重合されても、上記上面電極層
２２ａは、上記保護層４０から露出することはない。

【００１５】また、上記上面電極層２２ａの幅広領域２
２ａ−１のＸ方向（つまり、絶縁基板１０の幅方向）の
両端部と絶縁基板１０のＸ方向の端部との間には隙間ｑ
が形成されている。つまり、上面電極層２２ａの最も幅
広の部分と、絶縁基板１０のＸ方向の端部との間には、
隙間ｑが形成されている。この隙間ｑにより正確な抵抗
値の測定に支障を来すことがない。つまり、この隙間ｑ
が形成されていないと、上面電極層２２ａの電極ペース
トが図３のＸ方向に沿って形成されている一次スリット
に流れ込み、隣接する上面電極層と短絡して正確な抵抗
値を測定できないが、この隙間ｑによりそのおそれを防
止することができる。この隙間ｑが、上面電極層の最も
幅広の部分と、絶縁基板の端部であって、側面電極形成
側の端部以外の上記端部との間に形成された上記隙間に
相当する。

【００１６】該側面電極層２４は、図２に示すように、
上記上面電極層２２ａの一部と、上記絶縁基板１０の側
面Ｌ、Ｒと、上記絶縁基板１０の下面の一部とを、略均
一の膜厚で覆っている。ここで、上記上面電極層２２ａ
上においては、図１（ａ）、図２に示すように、Ｘ方向
の形成幅がＵである幅広領域２２ａ−１を覆っている。
つまり、図４（ａ）に示すように、側面電極２４は上面
電極層２２ａの幅広領域２２ａ−１を丁度覆うように形
成されている。なお、上記側面電極２４が覆う範囲が上
記とは少しずれる場合もある。つまり、図４（ｂ）に示
すように、側面電極２４が上面電極層２２ａの幅広領域
２２ａ−１の一部を覆う場合や、図４（ｃ）に示すよう
に、側面電極層２４が上面電極層２２ａの幅広領域２２
ａ−１のみならず、幅狭領域２２ａ−２の一部も覆う場
合もある。つまり、側面電極層２４は、上面電極の幅広
領域２２ａ−１の少なくとも一部を覆うのである。

【００１７】また、上記ニッケルメッキ層２６は、上記
側面電極層２４の上に略均一の膜厚で設けられ、電気メ
ッキが施されている。さらに、上記ハンダメッキ層２８
は、上記ニッケルメッキ層２６の上に略均一の膜厚で設
けられ、電気メッキが施されている。

【００１８】上記抵抗体層３０は、上記絶縁基板１０上
面及び上記一対の上面電極層２２ａの一部と重合されて
形成されている。この抵抗体層３０は、図３（ｂ）に示
すように、平面視において略長方形上を呈している。こ
の抵抗体層３０は、酸化ルテニウム系等の抵抗ペースト
を、上記の位置に、略平滑状に、略均一の膜厚で、スク
リーン印刷し、焼成して設けたものである。

【００１９】上記保護層４０は、図２に示すように、第
１ガラス層４２と、第２ガラス層４４とから構成されて
いる。この保護層４０は、図２に示すように、上記絶縁
基板１０の上面の一部と、上記一対の上面電極層２２ａ
の上面の一部と、上記抵抗体層３０と重合するように形
成されている。なお、図１、図３に示すように、この保
護層４０全体のＸ方向の形成幅Ｔは、上記上面電極層２
２ａの一部のＸ方向の形成幅Ｓよりも幅広で形成されて
いる。

【００２０】該第１ガラス層４２は、図２に示すよう
に、上記抵抗体層３０と、一対の上面電極層２２ａの上
面の一部と、上記絶縁基板１０の上面の一部とに重合す
るように形成され、平面視では、図１（ａ）に示す保護
層４０の範囲よりもやや狭い範囲に形成されている。こ
の第１ガラス層４２は、ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラス
ペーストを、上記の範囲にスクリーン印刷し、焼成して
形成したものである。なお、この第１ガラス層４２は必
要に応じて形成し、不要な場合には形成しなくてもよ
い。

【００２１】該第２ガラス層４４は、上記第１ガラス層
４２の上に形成され、図１（ａ）の保護層４０に示す範
囲に渡って形成されている。つまり、図２に示すよう
に、上記第１ガラス層４２と、一対の上面電極層２２ａ
の上面の一部と、上記絶縁基板１０の上面の一部とに重
合するように形成されている。この第２ガラス層４４
は、ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラスペーストを、上記の
範囲にスクリーン印刷し、焼成して形成したものであ
る。

【００２２】次に、本第１実施例のチップ抵抗器Ａ１の
製造方法について説明する。上記構成の本第１実施例の
チップ抵抗器Ａ１は、原則として下記のＡ工程〜Ｉ工程
までの９工程により製造する。

【００２３】まず、Ａ工程は、１次及び２次分割用スリ
ットを有し、主にアルミナで構成された平板状の絶縁基
板原板の上面に、上面電極層を設ける工程である。すな
わち、図５（ａ）に示すように、１次分割用スリット６
１と２次分割用スリット６２とが設けられた絶縁基板原
板６０を用意し、この絶縁基板原板６０の表面に、銀等
の導電ペーストを印刷し、所定の温度で焼成して、図５
（ｂ）に示すように、一対の上面電極層７２を形成す
る。つまり、上記上面電極層２２ａを背中合わせにした
ものが上記上面電極層７２である。ここで、上面電極層
７２は、略凸状形状を背中合わせにした形状とする。つ
まり、上面電極層２２ａの形状を背中合わせにした形状
とする。この上面電極層７２には、図８に示すように、
形成幅Ｃの幅広領域７２−１と形成幅Ｓの幅狭領域７２
−２とが設けられている。これは、１次分割スリット間
に設けれた部分としては、１次分割スリット側の形成幅
を内側の形成幅よりも幅広とすべく外周形状を略凸型形
状で（図３（ａ）参照）、該絶縁基板原板の上面におい
て対向するように形成されている。

【００２４】なお、必要に応じて、平板状の絶縁基板原
板６０の下面に、下面電極層を設けてもよい。該下面電
極層を配設した場合は、後記するＧ工程において、側面
電極層２４を断面略コ字状とし、その下面電極層の一部
にも重合するようにする。このようにすることにより、
上記側面電極層２４により上記上面電極層２２ａと下面
電極層とが電気的に接続される。また、下面電極層を配
設した場合には、後記するＩ工程において、ニッケルメ
ッキ層２６及びハンダメッキ層２８が、重合する下面電
極層及び側面電極層２４を覆う形態となる。

【００２５】次に、Ｂ工程は、抵抗体層３０を設ける工
程である。すなわち、図５（ｃ）に示すように、上記Ａ
工程で設けた上面電極層７２間を連結するべく、上記絶
縁基板原板６０の上面及び上記一対の上面電極層７２の
一部と重合させて、抵抗体層３０を形成する。すなわ
ち、図５（ｃ）に示すように、平面視すると略長方形状
を呈するように、略均一の膜厚で、酸化ルテニウム系等
の抵抗ペーストを、スクリーン印刷し、焼成する。

【００２６】次に、Ｃ工程は、上記した保護層４０のう
ち、第１ガラス層４２を形成する工程である。すなわ
ち、ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラスペーストを、上記Ａ
工程で設けた一対の上面電極層７２の一部と、上記Ｂ工
程で設けた抵抗体層３０と、絶縁基板原板６０の一部を
覆うように、平面視すると略長方形状で、かつ、均一の
膜厚で、スクリーン印刷し焼成して、図６（ａ）に示す
ように、第１ガラス層４２を形成する。なお、上記上面
電極層７２の一部とは、上面電極層７２の幅狭領域７２
−２の部分、すなわち、上面電極層７２の形成範囲のう
ち、形成幅がＳである略四角形状を呈する範囲内のみで
ある。

【００２７】次に、Ｄ工程は、上記Ｂ工程で設けた抵抗
体層３０の抵抗値を修正する工程である。すなわち、図
６（ｂ）に示すように、抵抗体層３０及び該抵抗体層３
０を覆っている上記Ｃ工程で形成した第１ガラス層４２
の部分に、レーザートリミング技法等を使用してトリミ
ング溝８０を形成し、抵抗値を修正する。従って、形成
するトリミング溝８０の長さや条数により適切な抵抗値
を得ることが可能となる。

【００２８】次に、Ｅ工程は、上記した保護層４０のう
ち、第２ガラス層４４を形成する工程である。すなわ
ち、ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラスペーストを、上記Ｃ
工程で設けた第１ガラス層４２と、上記上面電極層７２
の一部と、絶縁基板原板６０の一部を覆うように、平面
視すると略長方形状で、かつ、均一の膜厚で、スクリー
ン印刷し焼成して、図６（ｃ）に示すように、第２ガラ
ス層４４を形成する。なお、該ホウ硅酸鉛ガラス系等の
ガラスペーストの代わりに、エポキシ、シリコン、ポリ
イミド系の樹脂ペーストを使用して印刷し、硬化させて
もよい。

【００２９】次に、Ｆ工程は、以上の工程を経た絶縁基
板原板６０を、１次分割用スリット６１に沿って、分割
する工程である。すなわち、図７（ａ）に示すように、
１次分割用スリット６１（図５（ａ）参照）に沿って絶
縁基板原板６０を切断する。次に、Ｇ工程は、側面電極
層２４を形成する工程である。すなわち、銀等の導電ペ
ーストを、上面電極層２２ａの一部と、上記Ｆ工程にお
いて、１次分割用スリット６１に沿って分割した短冊状
の絶縁基板原板６０の側面及び該絶縁基板原板６０の下
面の一部とを覆うように、塗布し、焼成あるいは硬化さ
せる。

【００３０】次に、Ｈ工程は、短冊状の絶縁基板原板６
０を２次分割用スリット６２に沿って分割する工程であ
る。つまり、図７（ｃ）に示すように、上記Ｆ工程にお
いて、１次分割用スリット６１に沿って分割した短冊状
の絶縁基板原板６０を、２次分割用スリット６２（図５
（ａ）参照）に沿ってさらに分割し、１個片ごとにする
工程である。

【００３１】次に、Ｉ工程は、上記Ｈ工程において、各
個片に分割した絶縁基板１０に設けた電極部、つまり、
上面電極層２２ａの一部及び側面電極層２４に、ニッケ
ルメッキ層２６及びハンダメッキ層２８を積層して施す
最終工程である。すなわち、図７（ｄ）に示すように、
各個片ごとに、ニッケルメッキ層２６、ハンダメッキ層
２８の順で、均一の膜厚で２層のメッキを施す。以上、
Ａ〜Ｉの９工程を経て、チップ抵抗器Ａ１を製造する。

【００３２】次に、本第１実施例のチップ抵抗器Ａ１の
使用状態について図９を利用して説明する。チップ抵抗
器Ａ１は、配線基板上に実装して使用する。ここで、バ
ルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン
方式においては、その上面側、つまり、一対の上面電極
層２２ａが設けられている側を、配線基板５０上に配設
して使用される場合がある。すなわち、該配線基板５０
に設けられるランド５２と一対の電極部２０ａとにハン
ダ９０を付けて接続することにより、該チップ抵抗器Ａ
１が上記配線基板５０上に固定される。

【００３３】上記構成のチップ抵抗器Ａ１によれば、バ
ルクケースによるワンバイワン方式又はマルチマウント
方式においては、チップ抵抗器Ａ１がその上面側を下向
きに配線基板５０に実装された場合でも、その実装姿勢
が非常に安定し、セルフアライメント効果を十分に得る
ことができる。すなわち、上記チップ抵抗器Ａ１におい
ては、図１（ｂ）に示すように、その上面側における一
対の電極部２０ａの頂面がほぼ平滑状を呈するので、姿
勢が安定して実装される。

【００３４】また、保護層４０により覆われる上面電極
層２２ａの幅狭領域２２ａ−２が、形成幅Ｓを有するの
で（図３（ａ）参照）、該保護層４０の配設ずれにも対
応でき、上面電極層２２ａが上記保護層４０から露出す
ることがなく、従って、対向する一対の電極部２０ａが
配線基板５０への実装時のハンダ９０によって短絡する
こともない。

【００３５】次に、第２実施例を図１０を利用して説明
する。本第２実施例のチップ抵抗器は、上記第１実施例
のチップ抵抗器Ａ１と略同一の構成であるが、上面電極
層の形状が相違する。ここでは、第２実施例のチップ抵
抗器の詳細な構成の説明は省略し、上面電極層２２ｂに
ついてのみ説明することにする。

【００３６】上面電極層２２ｂは、図１０に示すよう
に、略台形形状を呈している。つまり、平面視すると、
外周形状が略台形形状で、一対の電極部が形成される側
面Ｌ、Ｒから内側に向けて幅狭となるように形成され、
各上面電極層２２ｂは該絶縁基板１０の上面上に対向し
て設けられる。つまり、上記略台形形状の基端部分は、
絶縁基板１０のＹ方向の端部の側面Ｌ、Ｒ側を向いてい
る。ここで、該側面Ｌ、Ｒ側のＸ方向の形成幅Ｕは、そ
の反対側、すなわち、内側の形成幅Ｓよりも幅広に形成
される。また、上面電極層２２ｂは略台形形状に形成さ
れているので、側面電極層形成側の端部側の位置の形成
幅が、該位置よりも内側の位置の形成幅よりも広く形成
されていることになる。なお、該形成幅Ｓは、上記第１
実施例と同様、従来のチップ抵抗器Ｂの上面電極層２２
のＸ方向の形成幅と同一幅であり、この形成幅Ｓは、保
護層４０の印刷ずれにも該上面電極層２２が該保護層４
０から露出しないものである。従って、図１４のよう
に、たとえ上記上面電極層２２ｂ上に保護層がずれて重
合しても、上記上面電極層２２ｂは、該保護層から露出
することはない。

【００３７】また、上記上面電極層２２ｂの側面Ｌ、Ｒ
側の端部付近のＸ方向の両端部と絶縁基板１０のＸ方向
の端部との間には、上記第１実施例の場合と同様に、隙
間ｑが形成されている。つまり、上面電極層２２ｂの最
も幅広の部分と、絶縁基板１０のＸ方向の端部との間に
は、隙間ｑが形成されている。この隙間ｑにより正確な
抵抗値の測定に支障を来すことがない。

【００３８】なお、上記構成の本第２実施例のチップ抵
抗器の製造方法については、上記第１実施例の製造方法
と変わりがなく、すなわち、上記Ａ工程からＩ工程の９
工程を経て製造する。ただし、Ａ工程においては、上面
電極層２２ｂの平面形状を略台形形状に形成する必要が
ある。

【００３９】また、本第２実施例のチップ抵抗器の使用
状態についても、上記第１実施例と同様である（図９参
照）。すなわち、配線基板に設けられるランドと一対の
電極部とにハンダを付けて接続し、該チップ抵抗器が上
記配線基板上に固定される。

【００４０】上記第２実施例のチップ抵抗器によれば、
バルクケースによるワンバイワン方式又はマルチマウン
ト方式においは、チップ抵抗器がその上面側を下向きに
配線基板に実装された場合でも、その実装姿勢が非常に
安定し、セルフアライメント効果を十分に得ることがで
きる。すなわち、この第２実施例の上記チップ抵抗器に
おいては、上面電極層２２ｂのＹ方向の端部側の幅が内
側の幅よりも幅広に形成されるので、その上面側におけ
る一対の電極部の頂面がほぼ平滑状を呈するので、姿勢
が安定して実装される。

【００４１】また、保護層により覆われる上面電極層２
２ｂの一部が、該保護層の配設ずれにも対応できるＸ方
向の形成幅をＳとしているので、上面電極層２２ｂが上
記保護層から露出することがなく、従って、対向する一
対の電極部が配線基板への実装時のハンダによって短絡
することもない。

【００４２】次に、第３実施例を図１１を利用して説明
する。本第３実施例のチップ抵抗器は、上記第１実施例
のチップ抵抗器Ａ１と略同一の構成であるが、上面電極
層の形状が相違する。ここでは、第３実施例のチップ抵
抗器の詳細な構成の説明は省略し、上面電極層２２ｃに
ついてのみ説明することにする。

【００４３】上面電極層２２ｃは、図１１に示すよう
に、平面視すると、外周形状が略凸型形状を呈し、Ｘ方
向に幅広の部分を有する幅広領域２２ｃ−１と幅狭の幅
狭領域２２ｃ−２とからなっている。さらに、この幅広
領域２２ｃ−１には、略三角形状の切欠部７０を有して
いる。つまり、幅広領域２２ｃ−１のＹ方向の端部でＸ
方向の両端部には、略直角三角形状の切欠部７０が設け
られている。つまり、側面電極層形成側の端部におい
て、その両端に切欠部７０が形成されている。この上面
電極層２２ｃは、上記絶縁基板１０上に対向して設けら
れる。つまり、上記略凸状形状の基端部分はＹ方向の端
部の側面Ｌ、Ｒ側を向いている。この切欠部７０が設け
られることにより、上面電極層２２ｃのＹ方向の側面に
接する幅が上記第１実施例に比べて短くなっている。

【００４４】また、上記幅広領域２２ｃ−１はＸ方向に
形成幅Ｕを有し、上記幅狭領域２２ａ−２はＸ方向に形
成幅Ｓを有している。上記形成幅Ｕは上記形成幅Ｓより
も大きい。Ｘ方向の形成幅Ｓは、上記第１実施例と同
様、従来のチップ抵抗器Ｂの上面電極層２２のＸ方向の
形成幅と同一幅であり、この形成幅Ｓは、保護層４０の
印刷ずれにも該上面電極層２２が該保護層４０から露出
しないものである。従って、図７のように、たとえ上記
上面電極層２２ｃ上に保護層がずれて重合しても、上記
上面電極層２２ｃは、該保護層から露出することはな
い。また、上記上面電極層２２ｃの幅広領域２２ｃ−１
の最も幅広の部分と絶縁基板１０のＸ方向の端部との間
には、隙間ｑが形成されている。この隙間ｑにより正確
な抵抗値の測定に支障を来すことがない。

【００４５】なお、上記構成の本第３実施例のチップ抵
抗器の製造方法については、上記第１実施例の製造方法
と変わりがなく、すなわち、上記Ａ工程からＩ工程の９
工程を経て製造するが、Ａ工程においては、上面電極層
２２ｃの平面形状をほぼ凸型形状であって、該側面Ｌ、
Ｒ側の両隅部分を略三角形状で切断した切欠部７０を有
したものに形成する必要がある。

【００４６】また、本第３実施例のチップ抵抗器の使用
状態についても、上記第１実施例と同様である（図９参
照）。すなわち、配線基板に有するランドと一対の電極
部（絶縁基板の上面側及び側面側）とにハンダを付けて
接続し、該チップ抵抗器が上記配線基板上に固定され
る。

【００４７】上記第３実施例のチップ抵抗器によれば、
バルクケースによるワンバイワン方式又はマルチマウン
ト方式においは、該チップ抵抗器がその上面側を下向き
に配線基板に実装された場合でも、その実装姿勢が非常
に安定し、セルフアライメント効果を十分に得ることが
できる。すなわち、この第３実施例の上記チップ抵抗器
においては、上面電極層２２ｃのＹ方向の端部側の幅が
内側の幅よりも幅広に形成されるので、その上面側にお
ける一対の電極部の頂面がほぼ平滑状を呈するので、姿
勢が安定して実装される。また、保護層により覆われる
上面電極層２２ｃの一部が、該保護層の配設ずれにも対
応できるＸ方向の形成幅をＳとしているので、上面電極
層２２ｃが保護層から露出することがなく、従って、対
向する一対の電極部が配線基板への実装時のハンダによ
って短絡することもない。

【００４８】さらに、上面電極層２２ｃに切欠部７０を
有するので、該銀等の導電ペースト（電極）を形成する
際の１次分割用スリットへの侵入を減少させて、隣接す
る他の上面電極層と短絡するおそれを少なくすることが
でき、よって、トリミングによる抵抗値の修正も正確に
行うことができる。また、製造上、比較的銀等の導電ペ
ースト（電極）の使用量を少なくすることができて経済
的である。

【００４９】なお、本実施例における上面電極層は上記
の形状に限られず、図１２（ａ）から図１２（ｃ）に示
すように、上面電極層２２ｄ〜２２ｆに示す形状であっ
てもよい。つまり、側面電極層形成側の端部側のいずれ
かの位置の形成幅が、該位置よりも内側のいずれかの位
置の形成幅よりも広く形成されていればよい。

【００５０】なお、上記説明においては、上面電極層を
形成後に抵抗体層を形成しているが、これには限られ
ず、抵抗体層を形成してから上面電極層を形成するよう
にしてもよい。この場合には、上記の製造工程におい
て、Ａ工程においては、上記絶縁基板原板の上面におい
て、平面視すると矩形状を呈し、かつ、略均一の膜厚
で、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストを、スクリーン
印刷し、焼成する。そして、次に、Ｂ工程においては、
Ａ工程で設けた抵抗体層上に重合するべく、外周形状が
略凸型形状を呈する上面電極層を対向するように、略均
一の膜厚で、スクリーン印刷し、焼成する。さらに、上
面電極層と抵抗体層の焼成については両者を同時に行う
ようにしてもよい。また、上記上面電極に設けられた切
欠部の形状は、図１１等に示すように三角形状である必
要はなく、四角形等の多角形や扇形であってもよい。

【００５１】

【発明の効果】本発明に基づくチップ抵抗器によれば、
電極部の頂面は、より平滑状に形成されて、バルクケー
スによるワンバイワン方式又はマルチマウント方式にお
いて、チップ抵抗器がその上面側を下向きに配線基板に
実装された場合でも、その実装姿勢が安定し、セルフア
ライメント効果を十分に得ることができる。また、特
に、請求項６に記載のチップ抵抗器によれば、正確な抵
抗値の測定に支障を来すことがない。また、特に、請求
項７に記載のチップ抵抗器によれば、切欠部が設けられ
ているので、製造上、絶縁基板原板に設けられる１次分
割用スリットに電極ペーストが侵入することが少なくな
り、従って、隣接する他の上面電極層と短絡するおそれ
も少なくなる。また、トリミングによる抵抗値の修正も
正確に行うことができる。さらに、製造上、該切欠部を
有する分だけ電極ペーストの使用量を少なくすることが
でき、従って、製造コストを引き下げることができる。
また、特に、請求項８に記載のチップ抵抗器によれば、
該保護層により覆われる上面電極層の一部が、上記保護
層の配設ずれに対応可能とする幅を有しているので、上
面電極層が上記保護層から露出することがなく、従っ
て、対向する一対の電極部が配線基板への実装時のハン
ダによって短絡することもない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に基づく第１実施例のチップ抵抗器を示
し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ断面図で
ある。

【図２】図１（ａ）のＦ−Ｆ断面図である。

【図３】本発明に基づく第１実施例のチップ抵抗器の製
造途中の状態を示し、（ａ）は絶縁基板上面上に一対の
上面電極層が形成された状態を示す平面図、（ｂ）は
（ａ）の状態において、抵抗体層が重合して形成された
状態を示す平面図である。

【図４】本発明に基づく第１実施例のチップ抵抗器の製
造途中の状態を示す平面図である。

【図５】チップ抵抗器の製造工程を示す図であり、
（ａ）は絶縁基板原板を示す平面図であり、（ｂ）は
（ａ）の状態に上面電極層が形成された状態を示す平面
図であり、（ｃ）は（ｂ）の状態に抵抗体層が形成され
た状態を示す平面図である。

【図６】チップ抵抗器の製造工程を示す図であり、
（ａ）は図５（ｃ）の状態に第１ガラス層が形成された
状態を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）の状態にトリ
ミング溝が形成された状態を示す平面図であり、（ｃ）
は（ｂ）の状態に第２ガラス層が形成された状態を示す
平面図である。

【図７】チップ抵抗器の製造工程を示す図であり、
（ａ）は図６（ｃ）の状態から１次分割用スリットに沿
って分割した状態を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）
の状態に側面電極層が形成された状態を示す平面図であ
り、（ｃ）は（ｂ）の状態から２次分割用スリットに沿
って分割した状態を示す平面図であり、（ｄ）は（ｂ）
の状態にニッケルメッキ層及びハンダメッキ層が形成さ
れた状態を示す平面図である。

【図８】絶縁基板原板に形成された上面電極層を示す平
面図である。

【図９】第１実施例に基づくチップ抵抗器の使用状態を
示す断面図である。

【図１０】本発明に基づく第２実施例のチップ抵抗器の
製造途中の状態を示す平面図である。

【図１１】本発明に基づく第３実施例のチップ抵抗器の
製造途中の状態を示す平面図である。

【図１２】上面電極層の他の形状を示した平面図であ
る。

【図１３】従来のチップ抵抗器の製造途中の状態を示
し、（ａ）は絶縁基板上面上に一対の上面電極層が形成
された状態を示す平面図、（ｂ）は（ａ）の状態におい
て、抵抗体層が重合して形成された状態を示す平面図、
（ｃ）は（ｂ）の状態において、保護層が重合して形成
された状態を示す平面図である。

【図１４】従来のチップ抵抗器の製造途中の状態を示
し、保護層がずれて重合して形成された状態を示す平面
図である。

【図１５】従来のチップ抵抗器を示し、（ａ）は平面図
であり、（ｂ）は（ａ）のＧ−Ｇ断面図であり、（ｃ）
は使用状態を示す説明図である。

【符号の説明】

Ａ１ チップ抵抗器 １０ 絶縁基板 ２０ａ 電極部 ２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ、２２ｅ、２２ｆ 上
面電極層 ２４ 側面電極層 ２６ ニッケルメッキ層 ２８ ハンダメッキ層 ４０ 保護層 ７０ 切欠部 Ｌ、Ｒ 側面

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 チップ抵抗器において、 上面電極層において、側面電極層形成領域に対応した上
   面電極層の部分の少なくとも一部の形成幅が、保護層に
   より覆われる上面電極層の部分の形成幅よりも広く形成
   されていることを特徴とするチップ抵抗器。
2. 【請求項２】 チップ抵抗器において、 上面電極層において、側面電極層形成側の端部側のいず
   れかの位置の形成幅が、該位置よりも内側のいずれかの
   位置の形成幅よりも広く形成されていることを特徴とす
   るチップ抵抗器。
3. 【請求項３】 上面電極層の平面形状が、略凸型形状を
   呈することを特徴とする請求項１又は２に記載のチップ
   抵抗器。
4. 【請求項４】 上面電極層の平面形状が、略台形形状を
   呈することを特徴とする請求項１又は２に記載のチップ
   抵抗器。
5. 【請求項５】 上面電極層の平面形状が、一対の電極部
   が形成される両端部から内側に向けて幅狭となるように
   形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載のチ
   ップ抵抗器。
6. 【請求項６】 上面電極層の最も幅広の部分と、絶縁基
   板の端部であって、側面電極形成側の端部以外の上記端
   部との間には、隙間が形成されていることを特徴とする
   請求項１又は２又は３又は４又は５に記載のチップ抵抗
   器。
7. 【請求項７】 上面電極層の平面形状が、側面電極層形
   成側の端部において、その両端に切欠部が形成された形
   状であることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４
   又は５又は６に記載のチップ抵抗器。
8. 【請求項８】 チップ抵抗器に設けられる保護層により
   覆われる上面電極層の少なくとも一部が、上記保護層の
   配設ずれに対応可能とする幅を有することを特徴とする
   請求項１又は２又は３又は４又は５又は６又は７に記載
   のチップ抵抗器。