JP3661909B2 - チップ抵抗器 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ抵抗器に関するものであり、特に、絶縁基板上面において、電極部を形成する層と、抵抗体層又は抵抗体層と同時に形成される調整層とが積層されているチップ抵抗器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のチップ抵抗器Ｂは、図１３に示すように、絶縁基板１０上面の左右両端部に一対の上面電極層２２が形成され、さらに、抵抗体層３０が該一対の上面電極層２２の一部にオーバーラップされて形成されている。
また、上記一対の上面電極層２２の一部及び該抵抗体層３０上に、さらに重ねて、２層のガラス層４２、４４からなる保護層４０が施され、側面視した場合に、該保護層４０の頂面は、従来のチップ抵抗器Ｂの上面側における該絶縁基板１０上面の左右両端部に設けられた上面電極層２２の一部、側面電極層２４、ニッケルメッキ層２６、ハンダメッキ層２８の順の重合により形成された電極部２０の頂面が至っている頂線Ｈ３よりも高くなっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記構成の従来のチップ抵抗器Ｂでは、通常、その上面側において、上記保護層４０の頂面が該頂線Ｈ３よりも高く設定されているため、従来のチップ抵抗器Ｂを配線基板へ実装するに際し、キャリアテープによるワンバイワン方式においては、図１４に示すように、従来のチップ抵抗器Ｂが吸着ノズルＮの中心からズレやすく、すなわち、上記保護層４０と上記電極部２０より生じている段差に伴う吸着姿勢の乱れから、従来のチップ抵抗器Ｂが落下したり、いわゆる立ち吸着を惹起させるおそれがある。
【０００４】
また、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式においては、従来のチップ抵抗器Ｂの上面側が下向きで配線基板に実装される場合がある。この場合には、図１５に示すように、上記保護層４０がソルダーレジスト５４に接触して、片側の電極部２０とランド電極５２との間に大きな隙間が生じたり、また、図１６に示すように、ツームストーン現象と呼ばれるいわゆるチップ立ちを生じたり、さらには、図１７〜図１９に示すように、セルフアライメント性が低下して、従来のチップ抵抗器Ｂが該配線基板５０に対して、図１７に示されるような横ズレや、図１８に示されるような斜めズレ、さらには、図１９に示されるような縦ズレをして、実装されてしまう可能性が大きくなる。
ここで、「セルフアライメント」とは、配線基板への実装時に位置ズレを起こしたチップ抵抗器が、クリームハンダが溶解することに伴い、その表面張力により、正常な位置へ戻ろうとする作用をいう。
【０００５】
従って、上記の課題を解決する手段としては、まず、従来のチップ抵抗器Ｂの上面側における上記電極部２０の頂面を上記保護層４０の頂面よりも同等若しくは高く設定することが考えられる。すなわち、上記一対の上面電極層２２の膜厚を通常よりも厚くすることにより実現することができる。
しかし、この場合には、上記一対の上面電極層２２の膜厚が通常よりも厚いので、上記抵抗体層３０と上記一対の上面電極層２２のエッジ部分とがオーバーラップしている部分の上記抵抗体層３０に特にクラックが発生しやすくなって製造の歩留まりが悪くなったり、また、段差が比較的大きいので、上記抵抗体層３０の抵抗値にバラツキが大きくなる等の不具合を生じやすい。従って、上記一対の上面電極層２２の膜厚の範囲には制限を課さざるを得ない。
【０００６】
また、逆に、上記保護層４０の頂面を従来のチップ抵抗器Ｂの上面側における上記電極部２０の頂面よりも同等若しくは低く設定することも考えられる。すなわち、上記保護層４０の膜厚を通常よりも薄くすることにより実現することができる。
しかし、この場合には、上記保護層４０の膜厚の薄さに伴って、これにピンホールが発生したり、さらには、耐酸性の劣化等が生じる等の不具合を生じやすい。従って、上記保護層４０の膜厚の範囲にも制限を課さざるを得ない。
よって従来のチップ抵抗器Ｂでは、上記電極部２０や上記保護層４０の膜厚を大きく変更することは上記のような不具合が生ずるためなかなか困難であった。そこで、本発明は、チップ抵抗器の上面側における電極部の頂面を保護層の頂面よりも同等若しくは高く調整することが、容易に可能とすることができるチップ抵抗器を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第一には、チップ抵抗器であって、絶縁基板と、該絶縁基板の上面に接触して形成され、厚膜により形成された抵抗体層と、該抵抗体層の両側に接続され、厚膜により形成された電極部で、該抵抗体層との接続領域において、該抵抗体層の上面に接触して形成された電極部と、該抵抗体層を保護するための保護層と、を有し、少なくとも、平面視における該保護層が形成されていない領域において、該電極部が該抵抗体層の上面に接触して積層していることを特徴とするものである。本構成のチップ抵抗器では、従来のチップ抵抗器に比し、電極部を構成する各層の厚さを全く変更することなく、上記電極部の頂面を比較的容易に高くすることができる。また、該抵抗体層を含めて各層の膜厚のわずかな変更により上記電極部の頂面を容易に制御することができる。よって、チップ抵抗器の製造も容易とすることができる。また、特に、製造上、絶縁基板上面において、最下層として抵抗体層が形成されるので、その後に上面電極層を形成するに際し、従来のチップ抵抗器のように、抵抗体層の配設を考慮する必要がなく、かつ、該上面電極層の膜厚を自由に設定することが可能となって、しかも、抵抗体層の膜厚も含めつつ、電極部の頂面を容易に制御することができる。よって、チップ抵抗器の製造も容易とすることができる。また、抵抗体層が、従来のチップ抵抗器のように、側面視すると、上面電極層の一部とオーバーラップして曲折部分を生ずることなく、絶縁基板上面に設けられるので、抵抗値のバラツキの要因が減少し、該抵抗値の分布が良好となる。さらに、とりわけ、従来のチップ抵抗器のように抵抗体層が上面電極層上に重合してしかも抵抗値が高い場合は、平面視したとき、保護層及び側面電極層の上面側の回り込み部よりも露出する抵抗体層には電流が流れ難く電気メッキができない場合があるが、絶縁基板上面において、最下層として抵抗体層が形成されるので、電気メッキを施す面には抵抗体層は露出せず、問題なく電気メッキをすることができる。
【０００８】
また、第二には、第一の構成のチップ抵抗器において、上記抵抗体層が、一対の電極部間の方向において、絶縁基板の一方の端位置から他方の端位置まで形成されていることを特徴とするものである。
【０００９】
また、第三には、第一の構成のチップ抵抗器において、上記抵抗体層が、一対の電極部間の方向において、絶縁基板の長さよりも短く形成され、該方向の両側において、上記抵抗体層の端部と絶縁基板の端部間には、間隔が形成されていることを特徴とするものである。よって、絶縁基板原板（各個片のチップ抵抗器に分割する前の、すなわち、複数のチップ抵抗器が上下・左右方向に連結されているもの）に有する一次分割用スリットに上記抵抗体層が侵入することがないので、製造工程において、該絶縁基板原板を短冊状に分割するに際し、全く支障がなくなり、従って、チップ抵抗器の製造を容易とすることができる。
【００１０】
また、第四には、チップ抵抗器であって、絶縁基板と、該絶縁基板の上面に接触して形成され、厚膜により形成された抵抗体層と、該抵抗体層の両側に接続され、厚膜により形成された電極部で、該抵抗体層との接続領域において、該抵抗体層の上面に接触して形成された電極部と、該抵抗体層を保護するための保護層と、該絶縁基板の上面と該電極部の下面に接触して設けられ、厚膜により形成された調整層で、少なくとも、平面視における該保護層が形成されていない領域に形成されている調整層と、を有することを特徴とするものである。本構成のチップ抵抗器では、調整層が平面視における該保護層が形成されていない領域に形成されているので、従来のチップ抵抗器に比し、電極部を構成する各層の厚さを全く変更することなく、上記電極部の頂面を比較的容易に高くすることができる。また、調整層を含めて各層の膜厚のわずかな変更により上記電極部の頂面を容易に制御することができる。よって、チップ抵抗器の製造も容易とすることができる。また、特に、製造上、絶縁基板上面において、最下層として抵抗体層が形成されるので、その後に上面電極層を形成するに際し、従来のチップ抵抗器のように、抵抗体層の配設を考慮する必要がなく、かつ、該上面電極層の膜厚を自由に設定することが可能となって、しかも、抵抗体層の膜厚も含めつつ、電極部の頂面を容易に制御することができる。よって、チップ抵抗器の製造も容易とすることができる。また、抵抗体層が、従来のチップ抵抗器のように、側面視すると、上面電極層の一部とオーバーラップして曲折部分を生ずることなく、絶縁基板上面に設けられるので、抵抗値のバラツキの要因が減少し、該抵抗値の分布が良好となる。さらに、とりわけ、従来のチップ抵抗器のように抵抗体層が上面電極層上に重合してしかも抵抗値が高い場合は、平面視したとき、保護層及び側面電極層の上面側の回り込み部よりも露出する抵抗体層には電流が流れ難く電気メッキができない場合があるが、絶縁基板上面において、最下層として抵抗体層や調整層が形成されるので、電気メッキを施す面には抵抗体層や調整層は露出せず、問題なく電気メッキをすることができる。
【００１１】
また、第五には、上記第一から第四までのいずれかの構成において、平面視において電極部が形成され保護層が形成されていない領域の頂面は、保護層の頂面と略同等の高さであることを特徴とするものである。よって、キャリアテープによるワンバイワン方式においては、チップ抵抗器の配線基板への実装時の吸着ノズルにおける吸着姿勢が安定し、落下やいわゆる立ち吸着が減少して、従って、チップ抵抗器の配線基板への実装率を格段に向上させることができる。
【００１２】
また、第六には、上記第一から第四までのいずれかの構成において、平面視において電極部が形成され保護層が形成されていない領域の頂面は、保護層の頂面よりも高いことを特徴とするものである。よって、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式においては、チップ抵抗器の上面側が下向きで配線基板に実装される場合には、保護層が配線基板と接触して、片側の電極部とランド電極との間に大きな隙間を生ずることもなく、また、ツームストーン現象と呼ばれるいわゆるチップ立ちが減少するとともに、良好なセルフアライメント効果を得ることができて、従って、チップ抵抗器の配線基板への実装率を格段に向上させることができる。
【００１３】
また、第七には、上記第一から第六までのいずれかの構成において、上記抵抗体層における一対の電極部間の方向の端部領域に、切欠部が形成されていることを特徴とするものである。本構成のチップ抵抗器では、特に、製造上、抵抗体層が切欠部を有しているので、絶縁基板原板（各個片のチップ抵抗器に分割する前の、すなわち、複数のチップ抵抗器が上下・左右方向に連結されているもの）に有する一次分割用スリットに該抵抗体層が侵入することが少なくなるので、製造工程において、該絶縁基板原板を短冊状に分割するに際し、その分割性が向上し、従って、チップ抵抗器の製造を容易とすることができる。さらに、製造上、該切欠部を有する分だけ抵抗ペーストの使用量を少なくすることができ、従って、製造コストを引き下げることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態として一具体例を図面を利用して説明する。
まず、第一具体例を図１及び図７（ａ）を利用して説明する。
本第一具体例のチップ抵抗器Ａ１は、図１（ａ）に示すように、絶縁基板１０と、電極部２０ａと、抵抗体層３０ａと、保護層４０ａとを有している。
ここで、該絶縁基板１０は、主にアルミナで構成された略直方体形状であって、平面視すると、図１（ｂ）に示すように、略長方形状を呈している。
該抵抗体層３０ａは、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストを、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ間を連結するべく、図７（ａ）に示すように、上記絶縁基板１０の上面上を形成幅Ｆで略均一に、かつ、図１（ａ）に示すように、略平滑状に、略均一の膜厚で、スクリーン印刷し、焼成して設けたものである。
【００１７】
該電極部２０ａは、一対であり、銀等の導電ペーストを、上記絶縁基板１０等にスクリーン印刷又は塗布し、焼成したものであって、上面電極層２２ａの一部と、側面電極層２４と、各電極上に２層で形成されるニッケルメッキ層２６及びハンダメッキ層２８とから構成されている。
該上面電極層２２ａは、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒからそれぞれ内部に向かって所定長だけ、平面視すると略長方形状で、上記抵抗体層３０ａ上に設けられ、しかも、上記抵抗体層３０ａの形成幅Ｆと略同一幅で、かつ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２の膜厚の略２倍の均一の膜厚で形成されている。なお、上記上面電極層２２ａの幅を、上記抵抗体層３０ａの形成幅Ｆと略同一幅としたが、必ずしも略同一幅としなくてもよい。
【００１８】
該側面電極層２４は、図１（ａ）に示すように、上記上面電極層２２ａの一部、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ、下面の一部及び上記抵抗体層３０ａの一部を、略均一の膜厚で覆っている。
以上のように、設けられている各電極上に、さらに、ニッケルメッキ層２６、ハンダメッキ層２８の順に略均一の膜厚で、電気メッキが施されている。
そして、２層のメッキがされた後の電極部２０ａの膜厚は、チップ抵抗器Ａ１の上面側において、図１（ａ）に示すように、頂線Ｈ１まで至っている。
【００１９】
該保護層４０ａは、第１ガラス層４２ａと、第２ガラス層４４ａとから構成されている。
該第１ガラス層４２ａは、ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラスペーストを、上記絶縁基板１０の上面側であって、図１（ａ）に示すように、上記一対の上面電極層２２ａの一部と、上記抵抗体層３０ａの一部とに重合するようにスクリーン印刷し、焼成して形成されている。
該第２ガラス層４４ａは、ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラスペーストを、上記絶縁基板１０の上面側であって、図１（ａ）に示すように、上記一対の上面電極層２２ａの一部と、上記第１ガラス層４２ａとに重合するようにスクリーン印刷し、焼成して形成されている。そして、上記保護層４０ａの頂面は、図１（ａ）に示すように、頂線Ｈ１まで至っている。
従って、チップ抵抗器Ａ１の上面側において、上記電極部２０ａの頂面と上記保護層４０ａの頂面とはほぼ同等の高さを有している。
【００２０】
次に、本第一具体例のチップ抵抗器Ａ１の製造方法について説明する。
上記構成の本第一具体例のチップ抵抗器Ａ１は、原則としてＡ〜Ｉまでの９工程により製造する。
まず、Ａ工程は、一次及び二次分割用スリットを有し、主にアルミナで構成された図示しない平板状の絶縁基板原板の上面側に、抵抗体層３０ａを設ける工程である。
すなわち、一次分割用スリット間を、図７（ａ）に示すように、形成幅Ｆで略均一に、かつ、図１（ａ）に示すように、略均一の膜厚で、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストを、スクリーン印刷し、焼成する。
【００２１】
次に、Ｂ工程は、上面電極層２２ａを設ける工程である。
すなわち、銀等の導電ペーストを、上面電極層２２ａとして、上記Ａ工程において設けられた抵抗体層３０ａ上に重合するように、該抵抗体層３０ａの形成幅Ｆと略同一幅で、かつ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２の膜厚の略２倍の膜厚で、スクリーン印刷し、焼成する。
なお、上記Ａ、Ｂ工程については、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストをスクリーン印刷した後、銀等の導電ペースト（電極）をスクリーン印刷し、そして、同時に焼成してもよい。
また、必要に応じて、図示しない平板状の絶縁基板原板の下面に、一対の下面電極層を設けてもよい。該一対の下面電極層を配設した場合は、後記するＧ工程において、側面電極層２４をその下面電極層の一部に重合し、かつ、該上面電極層２２ａと接続し、後記するＩ工程において、ニッケルメッキ層２６及びハンダメッキ層２８が、重合する下面電極層及び側面電極層２４を覆う形態となる。
【００２２】
次に、Ｃ工程は、上記した保護層４０ａのうち、第１ガラス層４２ａを形成する工程である。なお、本工程を省略してもよい。すなわち、第１ガラス層４２ａを形成せずに、後記するＥ工程で形成するところの第２ガラス層４４ａのみで保護層４０ａを構成してもよい。
すなわち、ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラスペーストを、上記Ｂ工程で設けた一対の上面電極層２２ａの一部と、上記Ａ工程で設けた抵抗体層３０ａであって、一対の上面電極層２２ａが重合している範囲を除く部分とを覆うように、平面視すると略長方形状に、スクリーン印刷し、焼成する。
ここで、「一対の上面電極層」とは、後記するＦ工程において、一次分割用スリットに沿って絶縁基板原板を短冊状に分割したときに、その分割した端部からそれぞれ内部に向かって設ける２個の上面電極層を指称する。以下同様である。
【００２３】
次に、Ｄ工程は、上記Ａ工程で設けた抵抗体層３０ａの抵抗値を修正する工程である。
すなわち、抵抗体層３０ａ及び該抵抗体層３０ａを覆っている上記Ｃ工程で形成した第１ガラス層４２ａの部分に、レーザートリミング技法等を使用してトリミング溝を形成し、抵抗値を修正する。従って、形成するトリミング溝の長さや条数により適切な抵抗値を得ることが可能となる。
次に、Ｅ工程は、上記した保護層４０ａのうち、第２ガラス層４４ａを形成する工程である。
すなわち、ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラスペーストを、上記Ｂ工程で設けた一対の上面電極層２２ａの一部と、上記Ｃ工程で形成した第１ガラス層４２ａとを覆うように、図１（ｂ）に示すように、平面視すると略長方形状に、スクリーン印刷し、焼成する。
なお、該ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラスペーストの代わりに、エポキシ、シリコン、ポリイミド系の樹脂ペーストを使用して印刷し、硬化させてもよい。
【００２４】
次に、Ｆ工程は、以上の工程を経た図示しない絶縁基板原板を、一次分割用スリットに沿って、分割する工程である。
次に、Ｇ工程は、側面電極層２４ａを形成する工程である。
すなわち、銀等の導電ペーストを、上面電極層２２の一部と、上記Ｆ工程において、一次分割用スリットに沿って分割した短冊状の絶縁基板原板の端部（絶縁基板１０の端部と同じ）及び下面の一部と、抵抗体層３０ａの一部とを覆うように、塗布し、焼成あるいは硬化させる。
【００２５】
次に、Ｈ工程は、上記Ｆ工程において、一次分割用スリットに沿って分割した短冊状の絶縁基板原板を、二次分割用スリットに沿ってさらに分割し、１個片ごとにする工程である。
次に、Ｉ工程は、上記Ｈ工程において、各個片に分割した絶縁基板１０に設けた電極、つまり、上面電極層２２ａの一部及び側面電極層２４ａに、ニッケルメッキ層２６及びハンダメッキ層２８を積層して施す最終工程である。
すなわち、各個片ごとに、ニッケルメッキ層２６、ハンダメッキ層２８の順で２層のメッキを施す。
以上、Ａ〜Ｉの９工程を経て、チップ抵抗器Ａ１を製造する。
【００２６】
次に、本第一具体例のチップ抵抗器Ａ１の使用状態について、図１（ｃ）を利用して説明する。
チップ抵抗器Ａ１は、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式においては、その上面側を、つまり、一対の上面電極層２２ａが設けられている側を、配線基板５０上に配設して使用される場合がある。
すなわち、該配線基板５０に有するランド電極５２と一対の電極部２０ａ（絶縁基板１０の上面側及び側面側）とにハンダ６０を付けて接続し、該チップ抵抗器Ａ１が上記配線基板５０上に固定される。
また、配線基板５０上に配設する場合に当たって、その上面側は、一対の電極部２０ａの頂面と保護層４０ａの頂面とはほぼ同等の高さ（頂線Ｈ１）を有しているので、バルク実装に適している。従って、該一対の電極部２０ａ（上面電極層２２ａが設けられている側）のうち、片側の電極部２０ａとランド電極５２との間で大きな隙間が生じたり（図１５参照）、セルフアライメント性を低下させたり（図１７〜図１９参照）、ツームストーン現象と呼ばれるいわゆるチップ立ち（図１６参照）を発生させるおそれはない。
【００２７】
上記構成のチップ抵抗器Ａ１によれば、キャリアテープによるワンバイワン方式においては、チップ抵抗器Ａ１を配線基板５０上に実装する場合に当たって、その上面側においては、一対の電極部２０ａの頂面と保護層４０ａの頂面とはほぼ同等の高さ（頂線Ｈ１）を有しているので、チップ抵抗器Ａ１の上面側全体がほぼ平滑状となり、該配線基板５０への実装時の吸着ノズルにおける吸着姿勢が安定して、落下やいわゆる立ち吸着が減少し、よって、チップ抵抗器Ａ１の上記配線基板５０への実装率を格段に向上させることができる。
また、上面電極層２２ａが抵抗体層３０ａ上に重合して形成されるので、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２と抵抗体層３０との配設形態では、段差が比較的大きいことによるクラックの発生や特性劣化のおそれがあるため、該上面電極層２２の膜厚の範囲を制限せざるを得なかったが、この場合は、該上面電極層２２ａの膜厚の範囲の制限はなく、自由に厚くすることができて、よって、電極部２０ａの頂面を容易に頂線Ｈ１にまですることができる。
【００２８】
さらに、絶縁基板１０上面上に、略平滑状に、略均一の膜厚で、該抵抗体層３０ａが設けられているため、抵抗値の分布が、従来（どうしても抵抗体層と上面電極層とがオーバーラップする部分があって、その段差により、抵抗値にバラツキが発生しやすかった）よりも良好となる。
また、とりわけ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂのように抵抗体層３０が上面電極層２２上に重合してしかも抵抗値が高い場合は、平面視したとき、保護層４０及び側面電極層２４の上面側の回り込み部よりも露出する抵抗体層３０には電流が流れ難く電気メッキができない場合があるが、絶縁基板１０上面上に抵抗体層３０ａが形成されるので、電気メッキを施す面には抵抗体層３０ａは露出せず、問題なく電気メッキをすることができる。
【００２９】
次に、第二具体例を図２及び図７（ｂ）を利用して説明する。
本第二具体例のチップ抵抗器Ａ２は、図２（ａ）に示すように、絶縁基板１０と、電極部２０ｂと、抵抗体層３０ｂと、保護層４０ａとを有している。
ここで、該絶縁基板１０は、上記第一具体例と同様に、主にアルミナで構成された略直方体形状であって、平面視すると、略長方形状を呈している。
該抵抗体層３０ｂは、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ間において、図７（ｂ）に示すように、上記絶縁基板１０上面上に設けられたその形成幅が、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ際の形成部分を除いて、上記第一具体例と同様の形成幅Ｆと略同一幅であるが、該端部Ｌ、Ｒ際の形成幅はＧと短く、上記端部Ｌ、Ｒへ向かってそれぞれ形成幅Ｆから段々にしぼった平面形状を呈している。そして、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストを、上記絶縁基板１０上面上で、図２（ａ）に示すように、略平滑状に、略均一の膜厚で、スクリーン印刷し、焼成されている。
【００３０】
該電極部２０ｂは、上記第一具体例と同様に、一対であり、銀等の導電ペーストを、上記絶縁基板１０等にスクリーン印刷又は塗布し、焼成したものであって、上面電極層２２ｂの一部と、側面電極層２４ｂと、各電極上に２層で形成されるニッケルメッキ層２６及びハンダメッキ層２８とから構成されている。
該上面電極層２２ｂは、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒからそれぞれ内部に向かって所定長だけ、平面視すると略長方形状で、上記抵抗体層３０ｂ上に設けられ、しかも、上記抵抗体層３０ｂの形成幅Ｆと略同一幅で、かつ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２の膜厚の略３倍の均一の膜厚で形成されている。なお、上記上面電極層２２ｂの幅を、上記抵抗体層３０ｂの形成幅Ｆと略同一幅としたが、必ずしも略同一幅としなくてもよい。
【００３１】
該側面電極層２４ｂは、図２（ａ）に示すように、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する側面電極層２４の膜厚の略２倍の均一の膜厚で形成され、上記上面電極層２２ｂの一部、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ、下面の一部及び上記抵抗体層３０ｂの一部を覆っている。
以上のように、設けられている各電極上に、上記第一具体例と同様、さらに、ニッケルメッキ層２６、ハンダメッキ層２８の順に略均一の膜厚で、メッキが施されている。
そして、２層のメッキがされた後の電極部２０ｂの膜厚は、チップ抵抗器Ａ２の上面側において、図２（ａ）に示すように、頂線Ｈ２まで至っている。
【００３２】
該保護層４０ａは、上記第一具体例と同様に、第１ガラス層４２ａと、第２ガラス層４４ａとから構成されている。
該第１ガラス層４２ａは、ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラスペーストを、上記絶縁基板１０の上面側であって、図２（ａ）に示すように、上記一対の上面電極層２２ｂの一部と、上記抵抗体層３０ｂの一部とに重合するようにスクリーン印刷し、焼成して形成されている。
該第２ガラス層４４ａは、ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラスペーストを、上記絶縁基板１０の上面側であって、図２（ａ）に示すように、上記一対の上面電極層２２ｂの一部と、上記第１ガラス層４２ａとに重合するようにスクリーン印刷し、焼成して形成されている。そして、上記保護層４０ａの頂面は、図１（ａ）に示したものと同様、頂線Ｈ１にすぎない。
従って、チップ抵抗器Ａ２の上面側において、上記電極部２０ｂの頂面は、上記保護層４０ａの頂面よりも高くなっている。
【００３３】
なお、上記構成の本第二具体例のチップ抵抗器Ａ２の製造方法については、上記第一具体例の製造方法と変わりがなく、すなわち、上記ＡからＩの９工程を経て製造するが、ただ、Ｂ工程においては、上面電極層２２ｂの膜厚を、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２の膜厚の略３倍にし、Ｇ工程においては、側面電極層２４ｂの膜厚を、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する側面電極層２４の膜厚の略２倍にする必要がある。
【００３４】
次に、本第二具体例のチップ抵抗器Ａ２の使用状態について、図２（ｂ）を利用して説明する。
チップ抵抗器Ａ２は、上記チップ抵抗器Ａ１と同様に、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式においては、その上面側を、つまり、一対の上面電極層２２ｂが設けられている側を、配線基板５０上に配設して使用される場合がある。
すなわち、該配線基板５０に有するランド電極５２と一対の電極部２０ｂ（絶縁基板１０の上面側及び側面側）とにハンダ６０を付けて接続し、該チップ抵抗器Ａ２が上記配線基板５０上に固定される。
【００３５】
上記構成のチップ抵抗器Ａ２によれば、上面電極層２２ｂが抵抗体層３０ｂ上に重合して形成されるので、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２と抵抗体層３０との配設形態では、段差が比較的大きいことによるクラックの発生や特性劣化のおそれがあるため、該上面電極層２２の膜厚の範囲を制限せざるを得なかったが、この場合は、該上面電極層２２ｂの膜厚の範囲の制限はなく、自由に厚くすることができるとともに、側面電極層２４ｂの膜厚も厚くすることによって、電極部２０ｂの頂面を容易に頂線Ｈ２にまですることができる。
また、配線基板５０上に配設する場合に当たって、その上面側は、一対の電極部２０ｂの頂面が保護層４０ａの頂面よりも高いので、バルク実装に適し、特に、配線パターン５６が設けられている場合でも該配線パターン５６には接触せず、確実に実装することができる。従って、該一対の電極部２０ｂ（上面電極層２２ｂが設けられている側）のうち、片側の電極部２０ｂとランド電極５２との間で大きな隙間が生じたり（図１５参照）、セルフアライメント性を低下させたり（図１７〜図１９参照）、ツームストーン現象と呼ばれるいわゆるチップ立ち（図１６参照）を発生させるおそれはない。
【００３６】
さらに、上記チップ抵抗器Ａ１と同様、絶縁基板１０上面上に、略平滑状に、略均一の膜厚で、該抵抗体層３０ｂが設けられているため、抵抗値の分布が、従来（どうしても抵抗体層と上面電極層とがオーバーラップする部分があって、その段差により、抵抗値にバラツキが発生しやすかった）よりも良好となる。
また、とりわけ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂのように抵抗体層３０が上面電極層２２上に重合してしかも抵抗値が高い場合は、平面視したとき、保護層４０及び側面電極層２４の上面側の回り込み部よりも露出する抵抗体層３０には電流が流れ難く電気メッキができない場合があるが、絶縁基板１０上面上に抵抗体層３０ｂが形成されるので、電気メッキを施す面には抵抗体層３０ｂは露出せず、問題なく電気メッキをすることができる。
また、抵抗体層３０ｂの形成に当たって、図７（ａ）に示す抵抗ペースト量に比し、図７（ｂ）に示すように、少ない抵抗ペースト量で済み、経済的である。
【００３７】
次に、第三具体例を図７（ｃ）を利用して説明する。なお、側断面は図１（ａ）と、使用状態は図１（ｃ）と同じとなるため、図示しない。
本第三具体例のチップ抵抗器Ａ３は、上記第一具体例と同様に、絶縁基板１０と、電極部２０ａと、抵抗体層３０ｃと、保護層４０ａとを有している（図１参照）。
すなわち、チップ抵抗器Ａ３は、略直方体形状の絶縁基板１０上面上に、略均一の膜厚で設けた抵抗体層３０ｃと、一対の電極部２０ａ、つまり、上面電極層２２ａと、該抵抗体層３０ｃ上に設けた該上面電極層２２ａの一部、該絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ、下面の一部及び上記抵抗体層３０ｃの一部を覆うように設けた側面電極層２４と、該側面電極層２４等をさらに外側から覆う２層のニッケルメッキ層２６及びハンダメッキ層２８とを有し、上記上面電極層２２ａの一部及び上記抵抗体層３０ｃの一部を覆う第１ガラス層４２ａと、上記上面電極層２２ａの一部及び該第１ガラス層４２ａを覆う第２ガラス層４４ａからなる保護層４０ａを備えている点で、上記第一具体例と同様である。
【００３８】
しかし、上記抵抗体層３０ｃは、図７（ｃ）に示すように、その平面形状は、上記絶縁基板１０上面上に設けられたその形成幅が、上記第一具体例の形成幅Ｆと略同一幅であるが、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ際のその形成部分は、略細長の長方形状を呈する切欠部３２をそれぞれ有しコ字状、逆コ字状を呈して形成されている点で相違している。
なお、上記構成の本第三具体例のチップ抵抗器Ａ３の製造方法については、上記第一具体例の製造方法と変わりがなく、すなわち、上記ＡからＩの９工程を経て製造するが、ただ、Ａ工程において、抵抗体層３０ｃを一次分割用スリット際では、略細長の長方形状を呈する切欠部３２を設けてそれぞれコ字状、逆コ字状の形にする必要がある。
【００３９】
次に、本第三具体例のチップ抵抗器Ａ３の使用状態について、上記図１（ｃ）に準じて説明する。
チップ抵抗器Ａ３は、上記チップ抵抗器Ａ１と同様に、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式においては、その上面側を、つまり、一対の上面電極層２２ａが設けられている側を、配線基板５０上に配設して使用される場合がある。
すなわち、該配線基板５０に有するランド電極５２と一対の電極部２０ａ（絶縁基板１０の上面側及び側面側）とにハンダ６０を付けて接続し、チップ抵抗器Ａ３が上記配線基板５０上に固定される。この配線基板５０上に配設する場合に当たって、その上面側は、一対の電極部２０ａの頂面と保護層４０ａの頂面とはほぼ同等の高さ（頂線Ｈ１）を有しているので、バルク実装に適している。
【００４０】
上記構成のチップ抵抗器Ａ３によれば、上記チップ抵抗器Ａ１と同様に、キャリアテープによるワンバイワン方式においては、チップ抵抗器Ａ３を配線基板５０上に実装する場合に当たって、その上面側においては、一対の電極部２０ａの頂面と保護層４０ａの頂面とはほぼ同等の高さ（頂線Ｈ１）を有しているので、チップ抵抗器Ａ３の上面側全体がほぼ平滑状となり、該配線基板５０への実装時の吸着ノズルにおける吸着姿勢が安定して、落下やいわゆる立ち吸着が減少し、よって、チップ抵抗器Ａ３の上記配線基板５０への実装率を格段に向上させることができる。
また、上面電極層２２ａが抵抗体層３０ｃ上に重合して形成されるので、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２と抵抗体層３０との配設形態では、段差が比較的大きいことによるクラックの発生や特性劣化のおそれがあるため、該上面電極層２２の膜厚の範囲を制限せざるを得なかったが、この場合は、該上面電極層２２ａの膜厚の範囲の制限はなく、自由に厚くすることができて、よって、電極部２０ａの頂面を容易に頂線Ｈ１にまですることができる。
【００４１】
また、絶縁基板１０上面上に、略平滑状に、略均一の膜厚で、該抵抗体層３０ｃが設けられているため、抵抗値の分布が、従来（どうしても抵抗体層と上面電極層とがオーバーラップする部分があって、その段差により、抵抗値にバラツキが発生しやすかった）よりも良好となる。
また、とりわけ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂのように抵抗体層３０が上面電極層２２上に重合してしかも抵抗値が高い場合は、平面視したとき、保護層４０及び側面電極層２４の上面側の回り込み部よりも露出する抵抗体層３０には電流が流れ難く電気メッキができない場合があるが、絶縁基板１０上面上に抵抗体層３０ｃが形成されるので、電気メッキを施す面には抵抗体層３０ｃは露出せず、問題なく電気メッキをすることができる。
さらに、製造上において、絶縁基板原板上面上に、上記抵抗体層３０ｃを上記のような平面形状とすることにより、上記Ａ工程において、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストの一次分割用スリットへの侵入を少なくすることができて、Ｆ工程での分割に際し、分割性を高めることができる。
また、抵抗体層３０ｃの形成に当たって、図７（ａ）に示す抵抗ペースト量に比し、図７（ｃ）に示すように、少ない抵抗ペースト量で済み、経済的である。
【００４２】
次に、第四具体例を図３及び図８（ａ）を利用して説明する。
本第四具体例のチップ抵抗器Ａ４は、図３に示すように、絶縁基板１０と、電極部２０ｃと、抵抗体層３０ｄと、保護層４０ａとを有している。
ここで、該絶縁基板１０は、上記第一具体例と同様に、主にアルミナで構成された略直方体形状であって、平面視すると、略長方形状を呈している。
該抵抗体層３０ｄは、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ間において、図８（ａ）に示すように平面視すると、上記絶縁基板１０上面上に設けられたその形成幅が、上記第一具体例の形成幅Ｆと略同一幅で、かつ、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ間の距離よりも形成長を短くして距離Ｄ１とした略長方形状を呈している。そして、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストを、上記絶縁基板１０上面上で、図３に示すように、略平滑状に略均一の膜厚でスクリーン印刷し、焼成されている。
【００４３】
該電極部２０ｃは、上記第一具体例と同様に、一対であり、銀等の導電ペーストを、上記絶縁基板１０等にスクリーン印刷又は塗布し、焼成したものであって、上面電極層２２ｂの一部と、側面電極層２４ｂと、各電極上に２層で形成されるニッケルメッキ層２６及びハンダメッキ層２８とから構成されている。
該上面電極層２２ｂは、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒからそれぞれ内部に向かって所定長だけ、平面視すると略長方形状で、上記抵抗体層３０ｄと一部重合しつつ上記絶縁基板１０上面上に設けられ、しかも、上記抵抗体層３０ｄの形成幅Ｆと略同一幅で、かつ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２の膜厚の略３倍の均一の膜厚で形成されている。なお、上記上面電極層２２ｂの幅を、上記抵抗体層３０ｄの形成幅Ｆと略同一幅としたが、必ずしも略同一幅としなくてもよい。
【００４４】
該側面電極層２４ｂは、図３に示すように、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する側面電極層２４の膜厚の略２倍の均一の膜厚で形成され、上記上面電極層２２ｂの一部、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ及び下面の一部を覆っている。
以上のように、設けられている各電極上に、上記第一具体例と同様、さらに、ニッケルメッキ層２６、ハンダメッキ層２８の順に略均一の膜厚で、メッキが施されている。そして、２層のメッキがされた後の電極部２０ｃの頂面の一部は、チップ抵抗器Ａ４の上面側において、図３に示すように、頂線Ｈ２まで至っている。
【００４５】
該保護層４０ａは、上記第一具体例と同様に、第１ガラス層４２ａと、第２ガラス層４４ａとから構成されている。
該第１ガラス層４２ａは、ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラスペーストを、上記絶縁基板１０の上面側であって、図３に示すように、上記一対の上面電極層２２ｂの一部と、上記抵抗体層３０ｄの一部とに重合するようにスクリーン印刷し、焼成して形成されている。
該第２ガラス層４４ａは、ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラスペーストを、上記絶縁基板１０の上面側であって、図３に示すように、上記一対の上面電極層２２ｂの一部と、上記第１ガラス層４２ａとに重合するようにスクリーン印刷し、焼成して形成されている。そして、上記保護層４０ａの頂面は、図１（ａ）に示したものと同様、頂線Ｈ１にすぎない。
従って、チップ抵抗器Ａ４の上面側において、上記電極部２０ｃの頂面は、上記保護層４０ａの頂面よりも高くなっている。
【００４６】
なお、上記構成の本第四具体例のチップ抵抗器Ａ４の製造方法については、上記第一具体例の製造方法と変わりがなく、すなわち、上記ＡからＩの９工程を経て製造するが、ただ、Ａ工程においては、抵抗体層３０ｄの形成長を一次分割用スリット間の距離よりも短くして距離Ｄ１として、Ｂ工程においては、上面電極層２２ｂの膜厚を、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２の膜厚の略３倍にし、Ｇ工程においては、側面電極層２４ｂの膜厚を、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する側面電極層２４の膜厚の略２倍にする必要がある。
【００４７】
次に、本第四具体例のチップ抵抗器Ａ４の使用状態について、上記図２（ｂ）に準じて説明する。
チップ抵抗器Ａ４は、上記チップ抵抗器Ａ２と同様に、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式においては、その上面側を、つまり、一対の上面電極層２２ｂが設けられている側を、配線基板５０上に配設して使用される場合がある。
すなわち、該配線基板５０に有するランド電極５２と一対の電極部２０ｃ（絶縁基板１０の上面側及び側面側）とにハンダ６０を付けて接続し、該チップ抵抗器Ａ４が上記配線基板５０上に固定される。
【００４８】
上記構成のチップ抵抗器Ａ４によれば、上記チップ抵抗器Ａ２と同様、上面電極層２２ｂが抵抗体層３０ｄ上に重合して形成されるので、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２と抵抗体層３０との配設形態では、段差が比較的大きいことによるクラックの発生や特性劣化のおそれがあるため、該上面電極層２２の膜厚の範囲を制限せざるを得なかったが、この場合は、該上面電極層２２ｂの膜厚の範囲の制限はなく、自由に厚くすることができるとともに、側面電極層２４ｂの膜厚も厚くすることによって、電極部２０ｃの頂面の一部を容易に頂線Ｈ２にまですることができる。
また、配線基板５０上に配設する場合に当たって、その上面側は、一対の電極部２０ｃの頂面が保護層４０ａの頂面よりも高いので、バルク実装に適し、特に、配線パターン５６が設けられている場合でも該配線パターン５６には接触せず、確実に実装することができる。従って、該一対の電極部２０ｃ（上面電極層２２ｂが設けられている側）のうち、片側の電極部２０ｃとランド電極５２との間で大きな隙間が生じたり（図１５参照）、セルフアライメント性を低下させたり（図１７〜図１９参照）、ツームストーン現象と呼ばれるいわゆるチップ立ち（図１６参照）を発生させるおそれはない。
【００４９】
また、上記チップ抵抗器Ａ１と同様、絶縁基板１０上面上に、略平滑状に略均一の膜厚で、該抵抗体層３０ｄが設けられているため、抵抗値の分布が、従来（どうしても抵抗体層と上面電極層とがオーバーラップする部分があって、その段差により、抵抗値にバラツキが発生しやすかった）よりも良好となる。
また、とりわけ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂのように抵抗体層３０が上面電極層２２上に重合してしかも抵抗値が高い場合は、平面視したとき、保護層４０及び側面電極層２４の上面側の回り込み部よりも露出する抵抗体層３０には電流が流れ難く電気メッキができない場合があるが、絶縁基板１０上面上に抵抗体層３０ｄが形成されるので、電気メッキを施す面には抵抗体層３０ｄは露出せず、問題なく電気メッキをすることができる。
さらに、製造上において、絶縁基板原板上面上に、上記抵抗体層３０ｄを上記のような平面形状とすることにより、上記Ａ工程において、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストの一次分割用スリットへの侵入を全くなくすることができて、Ｆ工程での分割に際し、その分割作業に支障がなくなる。
【００５０】
次に、第五具体例を図８（ｂ）を利用して説明する。なお、側断面は図３と同じとなるため、図示しない。
本第五具体例のチップ抵抗器Ａ５は、上記第四具体例と同様に、絶縁基板１０と、電極部２０ｃと、抵抗体層３０ｅと、保護層４０ａとを有している（図３参照）。
すなわち、チップ抵抗器Ａ５は、略直方体形状の絶縁基板１０上面上に、略均一の膜厚で設けた抵抗体層３０ｅと、一対の電極部２０ｃ、つまり、上面電極層２２ｂと、該抵抗体層３０ｅ上に設けた該上面電極層２２ｂの一部、該絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ及び下面の一部を覆うように設けた側面電極層２４ｂと、該側面電極層２４ｂ等をさらに外側から覆う２層のニッケルメッキ層２６及びハンダメッキ層２８とを有し、上記上面電極層２２ｂの一部及び上記抵抗体層３０ｅの一部を覆う第１ガラス層４２ａと、上記上面電極層２２ｂの一部及び該第１ガラス層４２ａを覆う第２ガラス層４４ａからなる保護層４０ａを備えている点で、上記第四具体例と同様である。
【００５１】
しかし、上記抵抗体層３０ｅは、図８（ｂ）に示すように、その平面形状は、上記絶縁基板１０上面上に設けられたその形成幅が、上記第一具体例の形成幅Ｆと略同一幅であるが、上記第四具体例と同様、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ間の距離よりも形成長を短くして距離Ｄ１とした略長方形状を呈し、さらに加えて、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ近傍のその形成部分は、略長方形状を呈する切欠部３４をそれぞれ有しコ字状、逆コ字状を呈して形成されている点で相違している。
なお、上記構成の本第五具体例のチップ抵抗器Ａ５の製造方法については、上記第一具体例の製造方法と変わりがなく、すなわち、上記ＡからＩの９工程を経て製造するが、ただ、Ａ工程において、抵抗体層３０ｅを一次分割用スリット近傍では、略長方形状を呈する切欠部３４を設けてそれぞれコ字状、逆コ字状の形にする必要がある。
【００５２】
次に、本第五具体例のチップ抵抗器Ａ５の使用状態について、上記図２（ｂ）を準じて説明する。
チップ抵抗器Ａ５は、上記チップ抵抗器Ａ２と同様に、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式においては、その上面側を、つまり、一対の上面電極層２２ｂが設けられている側を、配線基板５０上に配設して使用される場合がある。
すなわち、該配線基板５０に有するランド電極５２と一対の電極部２０ｃ（絶縁基板１０の上面側及び側面側）とにハンダ６０を付けて接続し、チップ抵抗器Ａ５が上記配線基板５０上に固定される。
【００５３】
上記構成のチップ抵抗器Ａ５によれば、上記チップ抵抗器Ａ２と同様、上面電極層２２ｂが抵抗体層３０ｅ上に重合して形成されるので、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２と抵抗体層３０との配設形態では、段差が比較的大きいことによるクラックの発生や特性劣化のおそれがあるため、該上面電極層２２の膜厚の範囲を制限せざるを得なかったが、この場合は、該上面電極層２２ｂの膜厚の範囲の制限はなく、自由に厚くすることができるとともに、側面電極層２４ｂの膜厚も厚くすることによって、電極部２０ｃの頂面の一部を容易に頂線Ｈ２にまですることができる。
また、配線基板５０上に配設する場合に当たって、その上面側は、一対の電極部２０ｃの頂面が保護層４０ａの頂面よりも高いので、バルク実装に適し、特に、配線パターン５６が設けられている場合でも該配線パターン５６には接触せず、確実に実装することができる。従って、該一対の電極部２０ｃ（上面電極層２２ｂが設けられている側）のうち、片側の電極部２０ｃとランド電極５２との間で大きな隙間が生じたり（図１５参照）、セルフアライメント性を低下させたり（図１７〜図１９参照）、ツームストーン現象と呼ばれるいわゆるチップ立ち（図１６参照）を発生させるおそれはない。
【００５４】
また、上記チップ抵抗器Ａ１と同様、絶縁基板１０上面上に、略平滑状に、略均一の膜厚で、該抵抗体層３０ｅが設けられているため、抵抗値の分布が、従来（どうしても抵抗体層と上面電極層とがオーバーラップする部分があって、その段差により、抵抗値にバラツキが発生しやすかった）よりも良好となる。
また、とりわけ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂのように抵抗体層３０が上面電極層２２上に重合してしかも抵抗値が高い場合は、平面視したとき、保護層４０及び側面電極層２４の上面側の回り込み部よりも露出する抵抗体層３０には電流が流れ難く電気メッキができない場合があるが、絶縁基板１０上面上に抵抗体層３０ｅが形成されるので、電気メッキを施す面には抵抗体層３０ｅは露出せず、問題なく電気メッキをすることができる。
さらに、製造上において、絶縁基板原板上面上に、上記抵抗体層３０ｅを上記のような平面形状とすることにより、上記Ａ工程において、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストの一次分割用スリットへの侵入を全くなくすることができて、Ｆ工程での分割に際し、その分割作業に支障がなくなる。
また、抵抗体層３０ｅの形成に当たって、図８（ａ）に示す抵抗ペースト量に比し、図８（ｂ）に示すように、少ない抵抗ペースト量で済み、経済的である。
【００５５】
次に、第六具体例を図４及び図９（ａ）を利用して説明する。
本第六具体例のチップ抵抗器Ａ６は、図４に示すように、絶縁基板１０と、電極部２０ｄと、抵抗体層３０ｆと、保護層４０ａとを有している。
ここで、該絶縁基板１０は、上記第一具体例と同様に、主にアルミナで構成された略直方体形状であって、平面視すると、略長方形状を呈している。
該抵抗体層３０ｆは、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ間において、図９（ａ）に示すように平面視すると、上記絶縁基板１０上面上に設けられたその形成幅が、上記第一具体例の形成幅Ｆと略同一幅で、かつ、上記第四具体例と同様の上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ間の距離よりも形成長を短くして距離Ｄ１を有した略長方形状のものを中心部分層ｐ、左部分層ｑ、右部分層ｒに三分割して形成されている。
中心部分層ｐは、形成長を距離Ｄ２とした略長方形状を呈して略中央に配置され、その両側に、ともに略同一サイズで略細長の長方形状を呈する左部分層ｑ及び右部分層ｒが配されている。そして、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストをこのような配置で、上記絶縁基板１０上面上に、図４に示すように、略平滑状に、略均一の膜厚で、スクリーン印刷し、焼成されている。
【００５６】
該電極部２０ｄは、上記第一具体例と同様に、一対であり、銀等の導電ペーストを、上記絶縁基板１０等にスクリーン印刷し、焼成したものであって、上面電極層２２ｂの一部と、側面電極層２４ｂと、各電極上に２層で形成されるニッケルメッキ層２６及びハンダメッキ層２８とから構成されている。
該上面電極層２２ｂは、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒからそれぞれ内部に向かって所定長だけ、平面視すると略長方形状で、上記抵抗体層３０ｆにおける中心部分層ｐの範囲の一部と重合し、左部分層ｑ及び右部分層ｒの範囲を完全に覆いつつ上記絶縁基板１０上面上に設けられ、しかも、上記抵抗体層３０ｆの形成幅Ｆと略同一幅で、かつ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２の膜厚の略３倍の均一の膜厚で形成されている。なお、上記上面電極層２２ｂの幅を、上記抵抗体層３０ｆの形成幅Ｆと略同一幅としたが、必ずしも略同一幅としなくてもよい。
【００５７】
該側面電極層２４ｂは、図４に示すように、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する側面電極層２４の膜厚の略２倍の均一の膜厚で形成され、上記上面電極層２２ｂの一部、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ及び下面の一部を覆っている。
以上のように、設けられている各電極上に、上記第一具体例と同様、さらに、ニッケルメッキ層２６、ハンダメッキ層２８の順に略均一の膜厚で、メッキが施されている。そして、２層のメッキがされた後の電極部２０ｄの頂面の一部は、チップ抵抗器Ａ６の上面側において、図４に示すように、頂線Ｈ２まで至っている。
【００５８】
該保護層４０ａは、上記第一具体例と同様に、第１ガラス層４２ａと、第２ガラス層４４ａとから構成されている。
該第１ガラス層４２ａは、ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラスペーストを、上記絶縁基板１０の上面側であって、図４に示すように、上記一対の上面電極層２２ｂの一部と、上記抵抗体層３０ｆの一部とに重合するようにスクリーン印刷し、焼成して形成されている。
該第２ガラス層４４ａは、ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラスペーストを、上記絶縁基板１０の上面側であって、図４に示すように、上記一対の上面電極層２２ｂの一部と、上記第１ガラス層４２ａとに重合するようにスクリーン印刷し、焼成して形成されている。そして、上記保護層４０ａの頂面は、図１（ａ）に示したものと同様、頂線Ｈ１にすぎない。
従って、チップ抵抗器Ａ６の上面側において、上記電極部２０ｄの頂面は、上記保護層４０ａの頂面よりも高くなっている。
【００５９】
なお、上記構成の本第六具体例のチップ抵抗器Ａ６の製造方法については、上記第一具体例の製造方法と変わりがなく、すなわち、上記ＡからＩの９工程を経て製造するが、ただ、Ａ工程においては、抵抗体層３０ｆ全体の形成長を一次分割用スリット間の距離よりも短くして距離Ｄ１としつつ、上記中心部分層ｐ、上記左部分層ｑ、上記右部分層ｒのそれぞれに三分割して、Ｂ工程においては、上面電極層２２ｂの膜厚を、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２の膜厚の略３倍にし、Ｇ工程においては、側面電極層２４ｂの膜厚を、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する側面電極層２４の膜厚の略２倍にする必要がある。
【００６０】
次に、本第六具体例のチップ抵抗器Ａ６の使用状態について、上記図２（ｂ）に準じて説明する。
チップ抵抗器Ａ６は、上記チップ抵抗器Ａ２と同様に、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式においては、その上面側を、つまり、一対の上面電極層２２ｂが設けられている側を、配線基板５０上に配設して使用される場合がある。
すなわち、該配線基板５０に有するランド電極５２と一対の電極部２０ｄ（絶縁基板１０の上面側及び側面側）とにハンダ６０を付けて接続し、チップ抵抗器Ａ６が上記配線基板５０上に固定される。
【００６１】
上記構成のチップ抵抗器Ａ６によれば、上記チップ抵抗器Ａ２と同様、上面電極層２２ｂが抵抗体層３０ｆ上に重合して形成されるので、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２と抵抗体層３０との配設形態では、段差が比較的大きいことによるクラックの発生や特性劣化のおそれがあるため、該上面電極層２２の膜厚の範囲を制限せざるを得なかったが、この場合は、該上面電極層２２ｂの膜厚の範囲の制限はなく、自由に厚くすることができるとともに、側面電極層２４ｂの膜厚も厚くすることによって、電極部２０ｄの頂面の一部を容易に頂線Ｈ２にまですることができる。
また、配線基板５０上に配設する場合に当たって、その上面側は、一対の電極部２０ｄの頂面が保護層４０ａの頂面よりも高いので、バルク実装に適し、特に、配線パターン５６が設けられている場合でも該配線パターン５６には接触せず、確実に実装することができる。従って、該一対の電極部２０ｄ（上面電極層２２ｂが設けられている側）のうち、片側の電極部２０ｄとランド電極５２との間で大きな隙間が生じたり（図１５参照）、セルフアライメント性を低下させたり（図１７〜図１９参照）、ツームストーン現象と呼ばれるいわゆるチップ立ち（図１６参照）を発生させるおそれはない。
【００６２】
また、上記チップ抵抗器Ａ１と同様、絶縁基板１０上面上に、略平滑状に、略均一の膜厚で、該抵抗体層３０ｆが設けられているため、抵抗値の分布が、従来（どうしても抵抗体層と上面電極層とがオーバーラップする部分があって、その段差により、抵抗値にバラツキが発生しやすかった）よりも良好となる。
また、とりわけ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂのように抵抗体層３０が上面電極層２２上に重合してしかも抵抗値が高い場合は、平面視したとき、保護層４０及び側面電極層２４の上面側の回り込み部よりも露出する抵抗体層３０には電流が流れ難く電気メッキができない場合があるが、絶縁基板１０上面上に抵抗体層３０ｆが形成されるので、電気メッキを施す面には抵抗体層３０ｆは露出せず、問題なく電気メッキをすることができる。
さらに、製造上において、絶縁基板原板上面上に、上記抵抗体層３０ｆを上記のような平面形状とすることにより、上記Ａ工程において、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストの一次分割用スリットへの侵入を全くなくすることができて、Ｆ工程での分割に際し、その分割作業に支障がなくなる。
【００６３】
次に、第七具体例を図９（ｂ）を利用して説明する。なお、側断面は図４と同じとなるため、図示しない。
本第七具体例のチップ抵抗器Ａ７は、上記第六具体例と同様に、絶縁基板１０と、電極部２０ｄと、抵抗体層３０ｇと、保護層４０ａとを有している（図４参照）。
すなわち、チップ抵抗器Ａ７は、略直方体形状の絶縁基板１０上面上に、略均一の膜厚で設けた抵抗体層３０ｇと、一対の電極部２０ｄ、つまり、上面電極層２２ｂと、該抵抗体層３０ｇ上に設けた該上面電極層２２ｂの一部、該絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ及び下面の一部を覆うように設けた側面電極層２４ｂと、該側面電極層２４ｂ等をさらに外側から覆う２層のニッケルメッキ層２６及びハンダメッキ層２８とを有し、上記上面電極層２２ｂの一部及び上記抵抗体層３０ｇの一部を覆う第１ガラス層４２ａと、上記上面電極層２２ｂの一部及び該第１ガラス層４２ａを覆う第２ガラス層４４ａからなる保護層４０ａを備えている点で、上記第六具体例と同様である。
【００６４】
しかし、上記抵抗体層３０ｇは、図９（ｂ）に示すように、その平面形状は、上記絶縁基板１０上面上に設けられたその形成幅が、上記第一具体例の形成幅Ｆと略同一幅で、かつ、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ間の距離よりも形成長を短くして距離Ｄ２とした略長方形状を呈する中心部分層ｐと、これは上記第六具体例と同様であるが、その両側に、ともに略同一サイズの円形状を呈する左上部分層ｓ、左下部分層ｔ、右上部分層ｕ及び右下部分層ｖとが配置されて形成されている点で相違している。
なお、上記構成の本第七具体例のチップ抵抗器Ａ７の製造方法については、上記第一具体例の製造方法と変わりがなく、すなわち、上記ＡからＩの９工程を経て製造するが、ただ、Ａ工程においては、抵抗体層３０ｇを上記中心部分層ｐ、上記左上部分層ｓ、上記左下部分層ｔ、上記右上部分層ｕ、上記右下部分層ｖのそれぞれに配設して、Ｂ工程においては、上面電極層２２ｂの膜厚を、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２の膜厚の略３倍にし、Ｇ工程においては、側面電極層２４ｂの膜厚を、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する側面電極層２４の膜厚の略２倍にする必要がある。
【００６５】
次に、本第七具体例のチップ抵抗器Ａ７の使用状態について、上記図２（ｂ）を準じて説明する。
チップ抵抗器Ａ７は、上記チップ抵抗器Ａ２と同様に、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式においては、その上面側を、つまり、一対の上面電極層２２ｂが設けられている側を、配線基板５０上に配設して使用される場合がある。
すなわち、該配線基板５０に有するランド電極５２と一対の電極部２０ｄ（絶縁基板１０の上面側及び側面側）とにハンダ６０を付けて接続し、チップ抵抗器Ａ７が上記配線基板５０上に固定される。
【００６６】
上記構成のチップ抵抗器Ａ７によれば、上記チップ抵抗器Ａ２と同様、上面電極層２２ｂが抵抗体層３０ｇ上に重合して形成されるので、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２と抵抗体層３０との配設形態では、段差が比較的大きいことによるクラックの発生や特性劣化のおそれがあるため、該上面電極層２２の膜厚の範囲を制限せざるを得なかったが、この場合は、該上面電極層２２ｂの膜厚の範囲の制限はなく、自由に厚くすることができるとともに、側面電極層２４ｂの膜厚も厚くすることによって、電極部２０ｄの頂面の一部を容易に頂線Ｈ２にまですることができる。
また、配線基板５０上に配設する場合に当たって、その上面側は、一対の電極部２０ｄの頂面が保護層４０ａの頂面よりも高いので、バルク実装に適し、特に、配線パターン５６が設けられている場合でも該配線パターン５６には接触せず、確実に実装することができる。従って、該一対の電極部２０ｄ（上面電極層２２ｂが設けられている側）のうち、片側の電極部２０ｄとランド電極５２との間で大きな隙間が生じたり（図１５参照）、セルフアライメント性を低下させたり（図１７〜図１９参照）、ツームストーン現象と呼ばれるいわゆるチップ立ち（図１６参照）を発生させるおそれはない。
【００６７】
また、上記チップ抵抗器Ａ１と同様、絶縁基板１０上面上に、略平滑状に、略均一の膜厚で、該抵抗体層３０ｇが設けられているため、抵抗値の分布が、従来（どうしても抵抗体層と上面電極層とがオーバーラップする部分があって、その段差により、抵抗値にバラツキが発生しやすかった）よりも良好となる。
また、とりわけ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂのように抵抗体層３０が上面電極層２２上に重合してしかも抵抗値が高い場合は、平面視したとき、保護層４０及び側面電極層２４の上面側の回り込み部よりも露出する抵抗体層３０には電流が流れ難く電気メッキができない場合があるが、絶縁基板１０上面上に抵抗体層３０ｇが形成されるので、電気メッキを施す面には抵抗体層３０ｇは露出せず、問題なく電気メッキをすることができる。
さらに、製造上において、絶縁基板原板上面上に、上記抵抗体層３０ｇを上記のような平面形状とすることにより、上記Ａ工程において、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストの一次分割用スリットへの侵入を全くなくすることができて、Ｆ工程での分割に際し、その分割作業に支障がなくなる。
また、抵抗体層３０ｇの形成に当たって、図９（ａ）に示す抵抗ペースト量に比し、図９（ｂ）に示すように、少ない抵抗ペースト量で済み、経済的である。
【００６８】
次に、第八具体例を図５及び図７（ａ）を利用して説明する。
本第八具体例のチップ抵抗器Ａ８は、図５に示すように、絶縁基板１０と、電極部２０ｅと、抵抗体層３０ｈと、保護層４０ａとを有している。但し、上記第一具体例等とは異なり、抵抗体層と上面電極層の配設状態は、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂのように、上面電極層上にオーバーラップして抵抗体層が重合して形成されている。
すなわち、チップ抵抗器Ａ８は、上記第一具体例と同様の略直方体形状の絶縁基板１０上面上に、一対の電極部２０ｅのうちの図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂのものと同一に形成された一対の上面電極層２２と、図７（ａ）に示す上記抵抗体層３０ａの平面形状と同様に該上面電極層２２上に該絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ間を連結するべく、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストを略均一の膜厚でスクリーン印刷し焼成して設けた抵抗体層３０ｈと、上記絶縁基板１０上に設けた上記上面電極層２２の一部、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ、下面の一部及び該抵抗体層３０ｈの一部を覆うように、銀等の導電ペーストをスクリーン印刷し焼成して設けた側面電極層２４と、該側面電極層２４等をさらに外側から覆う略均一の膜厚の２層のニッケルメッキ層２６及びハンダメッキ層２８とを有し、上記抵抗体層３０ｈの一部を覆う第１ガラス層４２ａと、上記抵抗体層３０ｈの一部及び該第１ガラス層４２ａを覆う第２ガラス層４４ａからなる上記第一具体例と同様の保護層４０ａを備えている。
そして、該電極部２０ｅの頂面と該保護層４０ａの頂面は、チップ抵抗器Ａ８の上面側において、図５に示すように、ともに頂線Ｈ１まで至っている。つまり、略同等の高さを有している。
【００６９】
なお、上記構成の本第八具体例のチップ抵抗器Ａ８の製造方法については、基本的に上記第一具体例の製造方法と同じ上記ＡからＩの９工程を経て製造するものであるが、Ａ工程とＢ工程とが次のように変更したものとなる。
すなわち、Ａ工程は、一次及び二次分割用スリットを有し、主にアルミナで構成された図示しない平板状の絶縁基板原板の上面側に、上面電極層２２を設ける工程となる。銀等の導電ペーストを、形成幅Ｆで略均一に、かつ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２の膜厚で、スクリーン印刷し、焼成する。
Ｂ工程は、抵抗体層３０ｈを設ける工程となる。一次分割用スリット間を連結するべく、上記Ａ工程において設けられた上面電極層２２上に、図７（ａ）に示すように該上面電極層２２の形成幅Ｆと略同一幅で、かつ、図５に示すように、略均一の膜厚で重合させるべく、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストを、スクリーン印刷し、焼成する。
【００７０】
次に、本第八具体例のチップ抵抗器Ａ８の使用状態について、上記図１（ｃ）に準じて説明する。
チップ抵抗器Ａ８は、上記チップ抵抗器Ａ１と同様に、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式においては、その上面側を、つまり、一対の上面電極層２２が設けられている側を、配線基板５０上に配設して使用される場合がある。
すなわち、該配線基板５０に有するランド電極５２と一対の電極部２０ｅ（絶縁基板１０の上面側及び側面側）とにハンダ６０を付けて接続し、チップ抵抗器Ａ８が上記配線基板５０上に固定される。この配線基板５０上に配設する場合に当たって、その上面側は、一対の電極部２０ｅの頂面と保護層４０ａの頂面とはほぼ同等の高さ（頂線Ｈ１）を有しているので、バルク実装に適している。
【００７１】
上記構成のチップ抵抗器Ａ８によれば、上記チップ抵抗器Ａ１と同様に、キャリアテープによるワンバイワン方式においては、チップ抵抗器Ａ８を配線基板５０上に実装する場合に当たって、その上面側においては、一対の電極部２０ｅの頂面と保護層４０ａの頂面とはほぼ同等の高さ（頂線Ｈ１）を有しているので、チップ抵抗器Ａ８の上面側全体がほぼ平滑状となり、該配線基板５０への実装時の吸着ノズルにおける吸着姿勢が安定して、落下やいわゆる立ち吸着が減少し、よって、チップ抵抗器Ａ８の上記配線基板５０への実装率を格段に向上させることができる。
また、上面電極層２２と抵抗体層３０ｈとの配設形態は、上記従来のチップ抵抗器Ｂと略同様であるが、段差が比較的小さいので、クラックの発生や特性劣化のおそれは低く、また、該抵抗体層３０ｈが絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ間を連結するべく配設されているので、各端部においては、抵抗値のバラツキは小さくなり、さらに、上記抵抗体層３０ｈを電極部２０ｅに積層することにより、容易に電極部２０ｅの頂面を容易に頂線Ｈ１にまですることができる。
【００７２】
次に、第九具体例を図６及び図９（ａ）を利用して説明する。
本第九具体例のチップ抵抗器Ａ９は、図６に示すように、絶縁基板１０と、電極部２０ｆと、抵抗体層３０ｉと、調整層３７と、保護層４０とを有している。なお、上記第八具体例と同様、抵抗体層と上面電極層の配設状態は、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂのように、上面電極層上に一部がオーバーラップして抵抗体層が形成されている。
すなわち、チップ抵抗器Ａ９は、上記第一具体例と同様の略直方体形状の絶縁基板１０上面上に、一対の電極部２０ｆのうちの図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂのものと同一に形成された一対の上面電極層２２と、図９（ａ）に示す上記抵抗体層３０ｅの中心部分層ｐの平面形状と同様に、形成幅Ｆで、かつ、該絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ間の距離よりも形成長を短くして距離Ｄ２とした略長方形状を呈し、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストを略均一の膜厚でスクリーン印刷し焼成して設け、その左右両端近傍が該上面電極層２２上にオーバーラップして形成された抵抗体層３０ｉと、図９（ａ）に示す上記抵抗体層３０ｅの左部分層ｑ及び右部分層ｒの平面形状と同様に、該抵抗体層３０ｉの両側で、所定の間隔を開けて、形成幅Ｆで、上記抵抗体層３０ｉと同じ材料で、上記上面電極層２２上に上記抵抗体層３０ｉと同時に形成された調整層３７と、上記絶縁基板１０上に設けた上記上面電極層２２の一部、該調整層３７、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ、下面の一部を覆うように、銀等の導電ペーストをスクリーン印刷し焼成して設けた側面電極層２４と、該側面電極層２４等をさらに外側から覆う略均一の膜厚の２層のニッケルメッキ層２６及びハンダメッキ層２８とを有し、上記抵抗体層３０ｉ全体を覆う第１ガラス層４２と、上記上面電極層２２の一部及び該第１ガラス層４２を覆う第２ガラス層４４からなる上記従来のチップ抵抗器Ｂと同様の保護層４０を備えている。
【００７３】
そして、該電極部２０ｆの一部の頂面と該保護層４０の頂面は、チップ抵抗器Ａ９の上面側において、図６に示すように、ともに頂線Ｈ１まで至っている。つまり、略同等の高さを有している。
なお、上記調整層３７とは、実質的には抵抗体層に相当するものであるが、その配設位置により、抵抗体としての機能を果たさないものである。
また、上記構成の本第九具体例のチップ抵抗器Ａ９の製造方法については、上記第八具体例の製造方法と同様である。ただ、Ｂ工程においては、抵抗体層３０ｉ及び調整層３７全体の形成長を一次分割用スリット間の距離よりも短くして距離Ｄ１としつつ、距離Ｄ２の形成長を有する該抵抗体層３０ｉ、該調整層３７のそれぞれに三分割する必要がある。
【００７４】
次に、本第九具体例のチップ抵抗器Ａ９の使用状態について、上記図１（ｃ）に準じて説明する。
チップ抵抗器Ａ９は、上記チップ抵抗器Ａ１と同様に、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式においては、その上面側を、つまり、一対の上面電極層２２が設けられている側を、配線基板５０上に配設して使用される場合がある。
すなわち、該配線基板５０に有するランド電極５２と一対の電極部２０ｆ（絶縁基板１０の上面側及び側面側）とにハンダ６０を付けて接続し、チップ抵抗器Ａ９が上記配線基板５０上に固定される。この配線基板５０上に配設する場合に当たって、その上面側は、一対の電極部２０ｆの頂面と保護層４０の頂面とはほぼ同等の高さ（頂線Ｈ１）を有しているので、バルク実装に適している。
【００７５】
上記構成のチップ抵抗器Ａ９によれば、上記チップ抵抗器Ａ１と同様に、キャリアテープによるワンバイワン方式においては、チップ抵抗器Ａ９を配線基板５０上に実装する場合に当たって、その上面側においては、一対の電極部２０ｆの頂面と保護層４０の頂面とはほぼ同等の高さ（頂線Ｈ１）を有しているので、チップ抵抗器Ａ９の上面側全体がほぼ平滑状となり、該配線基板５０への実装時の吸着ノズルにおける吸着姿勢が安定して、落下やいわゆる立ち吸着が減少し、よって、チップ抵抗器Ａ９の上記配線基板５０への実装率を格段に向上させることができる。
また、上面電極層２２と抵抗体層３０ｉの配設形態は、上記従来のチップ抵抗器Ｂと略同様であるが、段差が比較的小さいので、クラックの発生や特性劣化のおそれは低く、また、調整層３７を電極部２０ｆに積層することにより、容易に電極部２０ｆの頂面を容易に頂線Ｈ１にまですることができる。さらに、製造上において、絶縁基板原板上面上に、抵抗体層３０ｉ及び調整層３７を上記のような平面形状とすることにより、上記Ｂ工程において、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストの一次分割用スリットへの侵入を全くなくすることができて、Ｆ工程での分割に際し、その分割作業に支障がなくなる。
また、抵抗体層３０ｉ及び調整層３７の形成に当たって、図８（ａ）に示す抵抗ペースト量に比し、図９（ａ）に示すように、少ない抵抗ペースト量で済み、経済的である。
【００７６】
次に、第十〜第十六具体例を順に図１０〜図１２を利用して説明するが、これらの具体例はすべて、上記第一〜第七具体例において説明した各抵抗体層の平面形状に、さらに、別個の複数の切欠部を設けた平面形状である点が相違するものであり、よって、抵抗ペースト量が比較的少なくて済み、一層経済的である。従って、この点を除けば、目的、発明特定事項、効果はそれぞれ上記第一〜第七具体例の各チップ抵抗器Ａ１〜Ａ７と同様である。よって、抵抗体層の平面形状以外の説明については、以下省略する。
【００７７】
まず、第十具体例を図１０（ａ）を利用して説明する。
本第八具体例のチップ抵抗器Ａ１０は、上記第一具体例のチップ抵抗器Ａ１に準じたものである。
抵抗体層３０ｊの平面形状は、図１０（ａ）に示すように、上記第一具体例のチップ抵抗器Ａ１に形成された抵抗体層３０ａの平面形状に、略長方形状を呈する切欠部３６を２個設けたものである。
次に、第十一具体例を図１０（ｂ）を利用して説明する。
本第十一具体例のチップ抵抗器Ａ１１は、上記第二具体例のチップ抵抗器Ａ２に準じたものである。
抵抗体層３０ｋの平面形状は、図１０（ｂ）に示すように、上記第二具体例のチップ抵抗器Ａ２に形成された抵抗体層３０ｂの平面形状に、略長方形状を呈する切欠部３６を２個設けたものである。
【００７８】
次に、第十二具体例を図１０（ｃ）を利用して説明する。
本第十二具体例のチップ抵抗器Ａ１２は、上記第三具体例のチップ抵抗器Ａ３に準じたものである。
抵抗体層３０ｌの平面形状は、図１０（ｃ）に示すように、上記第三具体例のチップ抵抗器Ａ３に形成された抵抗体層３０ｃの平面形状に、略長方形状を呈する切欠部３６を２個設けたものである。
次に、第十三具体例を図１１（ａ）を利用して説明する。
本第十三具体例のチップ抵抗器Ａ１３は、上記第四具体例のチップ抵抗器Ａ４に準じたものである。
抵抗体層３０ｍの平面形状は、図１１（ａ）に示すように、上記第四具体例のチップ抵抗器Ａ４に形成された抵抗体層３０ｄの平面形状に、略長方形状を呈する切欠部３６を２個設けたものである。
【００７９】
次に、第十四具体例を図１１（ｂ）を利用して説明する。
本第十四具体例のチップ抵抗器Ａ１４は、上記第五具体例のチップ抵抗器Ａ５に準じたものである。
抵抗体層３０ｎの平面形状は、図１１（ｂ）に示すように、上記第五具体例のチップ抵抗器Ａ５に形成された抵抗体層３０ｅの平面形状に、略長方形状を呈する切欠部３８を２個設けたものであって、結果的に、逆Ｔ字状を呈するｗと、略四角形状を呈するｘ、ｙとに分割された形状に形成されている。
次に、第十五具体例を図１２（ａ）を利用して説明する。
本第十五具体例のチップ抵抗器Ａ１５は、上記第六具体例のチップ抵抗器Ａ６に準じたものである。
抵抗体層３０ｚの平面形状は、図１２（ａ）に示すように、上記第六具体例のチップ抵抗器Ａ６に形成された抵抗体層３０ｆの平面形状のうち中心部分層ｐに相当する部分に、略長方形状を呈する切欠部３９を２個設けたものであって、結果的に、中心部分層ｐに相当した部分は逆Ｔ字状を呈している。
【００８０】
次に、第十六具体例を図１２（ｂ）を利用して説明する。
本第十六具体例のチップ抵抗器Ａ１６は、上記第七具体例のチップ抵抗器Ａ７に準じたものである。
抵抗体層３０αの平面形状は、図１２（ｂ）に示すように、上記第七具体例のチップ抵抗器Ａ７に形成された抵抗体層３０ｇの平面形状のうち中心部分層ｐに相当する部分に、略長方形状を呈する切欠部３９を２個設けたものであって、結果的に、中心部分層ｐに相当した部分は逆Ｔ字状を呈している。
【００８１】
なお、本具体例では、抵抗体層の形成形状を略均一の形成幅Ｆ、略均一の膜厚、形成幅Ｇ、形成長Ｄ１、Ｄ２と、電極部の頂面を頂線Ｈ１、Ｈ２と表示して説明しているが、ともに絶縁基板１０の形状、大きさ等により、その具体的な数値は変動する。従って、その態様が本具体例と同様であれば、同一のものと解することができる。
また、本第二、第四から第九、第十一、第十三から第十六具体例では、チップ抵抗器の上面側における電極部の頂面を保護層の頂面よりも高くしているが、第一具体例等のように、チップ抵抗器の上面側における電極部の頂面と保護層の頂面とを略同等としてもよい。
【００８２】
また、本具体例は、チップ抵抗器の実装方式として、キャリアテープによるワンバイワン方式、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式のいずれにも対応させることができる。
さらに、本具体例では、抵抗体層の平面形状について各種説明しているが、本具体例に限定するものではなく、特に、絶縁基板の両端部近傍の平面形状は、一次分割用スリットに沿って短冊状等に絶縁基板原板を分割する際に、抵抗ペーストの該一次分割用スリットへの侵入を極力防止できて、分割しやすくできればよいのであって、任意の形状を呈していてもよい。
【００８３】
【発明の効果】
本発明に基づく請求項１に記載のチップ抵抗器によれば、従来のチップ抵抗器に比し、電極部を構成する各層の厚さを全く変更することなく、上記電極部の頂面を比較的容易に高くすることができる。また、該抵抗体層を含めて各層の膜厚のわずかな変更により上記電極部の頂面を容易に制御することができる。よって、チップ抵抗器の製造も容易とすることができる。また、特に、製造上、絶縁基板上面において、最下層として抵抗体層が形成されるので、その後に上面電極層を形成するに際し、従来のチップ抵抗器のように、抵抗体層の配設を考慮する必要がなく、かつ、該上面電極層の膜厚を自由に設定することが可能となって、しかも、抵抗体層の膜厚も含めつつ、電極部の頂面を容易に制御することができる。よって、チップ抵抗器の製造も容易とすることができる。また、抵抗体層が、従来のチップ抵抗器のように、側面視すると、上面電極層の一部とオーバーラップして曲折部分を生ずることなく、絶縁基板上面に設けられるので、抵抗値のバラツキの要因が減少し、該抵抗値の分布が良好となる。さらに、とりわけ、従来のチップ抵抗器のように抵抗体層が上面電極層上に重合してしかも抵抗値が高い場合は、平面視したとき、保護層及び側面電極層の上面側の回り込み部よりも露出する抵抗体層には電流が流れ難く電気メッキができない場合があるが、絶縁基板上面において、最下層として抵抗体層が形成されるので、電気メッキを施す面には抵抗体層は露出せず、問題なく電気メッキをすることができる。
【００８４】
また、特に、請求項３に記載のチップ抵抗器によれば、絶縁基板原板（各個片のチップ抵抗器に分割する前の、すなわち、複数のチップ抵抗器が上下・左右方向に連結されているもの）に有する一次分割用スリットに上記抵抗体層が侵入することがないので、製造工程において、該絶縁基板原板を短冊状に分割するに際し、全く支障がなくなり、従って、チップ抵抗器の製造を容易とすることができる。
【００８５】
また、特に、請求項４に記載のチップ抵抗器によれば、調整層が平面視における該保護層が形成されていない領域に形成されているので、従来のチップ抵抗器に比し、電極部を構成する各層の厚さを全く変更することなく、上記電極部の頂面を比較的容易に高くすることができる。また、調整層を含めて各層の膜厚のわずかな変更により上記電極部の頂面を容易に制御することができる。よって、チップ抵抗器の製造も容易とすることができる。また、特に、製造上、絶縁基板上面において、最下層として抵抗体層が形成されるので、その後に上面電極層を形成するに際し、従来のチップ抵抗器のように、抵抗体層の配設を考慮する必要がなく、かつ、該上面電極層の膜厚を自由に設定することが可能となって、しかも、抵抗体層の膜厚も含めつつ、電極部の頂面を容易に制御することができる。よって、チップ抵抗器の製造も容易とすることができる。また、抵抗体層が、従来のチップ抵抗器のように、側面視すると、上面電極層の一部とオーバーラップして曲折部分を生ずることなく、絶縁基板上面に設けられるので、抵抗値のバラツキの要因が減少し、該抵抗値の分布が良好となる。さらに、とりわけ、従来のチップ抵抗器のように抵抗体層が上面電極層上に重合してしかも抵抗値が高い場合は、平面視したとき、保護層及び側面電極層の上面側の回り込み部よりも露出する抵抗体層には電流が流れ難く電気メッキができない場合があるが、絶縁基板上面において、最下層として抵抗体層や調整層が形成されるので、電気メッキを施す面には抵抗体層や調整層は露出せず、問題なく電気メッキをすることができる。
【００８６】
また、特に、請求項５に記載のチップ抵抗器によれば、キャリアテープによるワンバイワン方式においては、チップ抵抗器の配線基板への実装時の吸着ノズルにおける吸着姿勢が安定し、落下やいわゆる立ち吸着が減少して、従って、チップ抵抗器の配線基板への実装率を格段に向上させることができる。
【００８７】
また、特に、請求項６に記載のチップ抵抗器によれば、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式においては、チップ抵抗器の上面側が下向きで配線基板に実装される場合には、保護層が配線基板と接触して、片側の電極部とランド電極との間に大きな隙間を生ずることもなく、また、ツームストーン現象と呼ばれるいわゆるチップ立ちが減少するとともに、良好なセルフアライメント効果を得ることができて、従って、チップ抵抗器の配線基板への実装率を格段に向上させることができる。また、特に、請求項７に記載のチップ抵抗器によれば、製造上、抵抗体層が切欠部を有しているので、絶縁基板原板（各個片のチップ抵抗器に分割する前の、すなわち、複数のチップ抵抗器が上下・左右方向に連結されているもの）に有する一次分割用スリットに該抵抗体層が侵入することが少なくなるので、製造工程において、該絶縁基板原板を短冊状に分割するに際し、その分割性が向上し、従って、チップ抵抗器の製造を容易とすることができる。さらに、製造上、該切欠部を有する分だけ抵抗ペーストの使用量を少なくすることができ、従って、製造コストを引き下げることができる。
【００８８】
また、特に、請求項８に記載のチップ抵抗器によれば、製造上、抵抗体層の平面形状を絶縁基板の左右両端部間の距離よりも短くなして、該抵抗体層が配設されているので、絶縁基板原板（各個片のチップ抵抗器に分割する前の、すなわち、複数のチップ抵抗器が上下・左右方向に連結されているもの）に有する一次分割用スリットに上記抵抗体層が侵入することがないので、製造工程において、該絶縁基板原板を短冊状に分割するに際し、全く支障がなくなり、従って、チップ抵抗器の製造を容易とすることができる。
さらに、特に、請求項９に記載のチップ抵抗器によれば、抵抗体層が、一対の上面電極層が配設される範囲内の少なくとも一箇所で、分割されて形成されるため、製造上の抵抗ペーストの使用量を少なくすることができ、従って、製造コストを引き下げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に基づく第一具体例のチップ抵抗器を示し、（ａ）は側断面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は使用状態を示す説明図である。
【図２】本発明に基づく第二具体例のチップ抵抗器を示し、（ａ）は側断面図、（ｂ）は使用状態を示す説明図である。
【図３】本発明に基づく第四具体例のチップ抵抗器を示す側断面図である。
【図４】本発明に基づく第六具体例のチップ抵抗器を示す側断面図である。
【図５】本発明に基づく第八具体例のチップ抵抗器を示す側断面図である。
【図６】本発明に基づく第九具体例のチップ抵抗器を示す側断面図である。
【図７】本発明に基づく第一から第三具体例のチップ抵抗器における抵抗体層の形成形状を示し、（ａ）は第一具体例に関する平面図、（ｂ）は第二具体例に関する平面図、（ｃ）は第三具体例に関する平面図である。
【図８】本発明に基づく第四又は第五具体例のチップ抵抗器における抵抗体層の形成形状を示し、（ａ）は第四具体例に関する平面図、（ｂ）は第五具体例に関する平面図である。
【図９】本発明に基づく第六又は第七具体例のチップ抵抗器における抵抗体層の形成形状を示し、（ａ）は第六具体例に関する平面図、（ｂ）は第七具体例に関する平面図である。
【図１０】本発明に基づく第八から第十具体例のチップ抵抗器における抵抗体層の形成形状を示し、（ａ）は第八具体例に関する平面図、（ｂ）は第九具体例に関する平面図、（ｃ）は第十具体例に関する平面図である。
【図１１】本発明に基づく第十一又は第十二具体例のチップ抵抗器における抵抗体層の形成形状を示し、（ａ）は第十一具体例に関する平面図、（ｂ）は第十二具体例に関する平面図である。
【図１２】本発明に基づく第十三又は第十四具体例のチップ抵抗器における抵抗体層の形成形状を示し、（ａ）は第十三具体例に関する平面図、（ｂ）は第十四具体例に関する平面図である。
【図１３】従来のチップ抵抗器を示す側断面図である。
【図１４】キャリアテープによるワンバイワン方式において、従来のチップ抵抗器を吸着ノズルにて吸着している状態を側面視して示す説明図である。
【図１５】バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式において、従来のチップ抵抗器の使用状態を側面視して示す説明図である。
【図１６】バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式において、従来のチップ抵抗器の使用状態を側面視して示す説明図である。
【図１７】バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式において、従来のチップ抵抗器の使用状態を平面視して示す説明図である。
【図１８】バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式において、従来のチップ抵抗器の使用状態を平面視して示す説明図である。
【図１９】バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式において、従来のチップ抵抗器の使用状態を平面視して示す説明図である。
【符号の説明】
１０ 絶縁基板
２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆ 電極部
２２、２２ａ、２２ｂ 上面電極層
２４、２４ａ、２４ｂ 側面電極層
２６ ニッケルメッキ層
２８ ハンダメッキ層
３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄ、３０ｅ、３０ｆ、３０ｇ、３０ｈ、３０ｉ、３０ｊ、３０ｋ、３０ｌ、３０ｍ、３０ｎ、３０ｚ、３０α 抵抗体層
３２、３４、３６、３８、３９ 切欠部
３７ 調整層
４０、４０ａ 保護層
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８、Ａ９、Ａ１０、Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３、Ａ１４、Ａ１５、Ａ１６ チップ抵抗器
Ｄ１、Ｄ２ 抵抗体層の形成長の距離
Ｈ１、Ｈ２ 頂線
Ｌ 端部
Ｒ 端部
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ抵抗器に関するものであり、特に、絶縁基板上面において、電極部を形成する層と、抵抗体層又は抵抗体層と同時に形成される調整層とが積層されているチップ抵抗器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のチップ抵抗器Ｂは、図１３に示すように、絶縁基板１０上面の左右両端部に一対の上面電極層２２が形成され、さらに、抵抗体層３０が該一対の上面電極層２２の一部にオーバーラップされて形成されている。
また、上記一対の上面電極層２２の一部及び該抵抗体層３０上に、さらに重ねて、２層のガラス層４２、４４からなる保護層４０が施され、側面視した場合に、該保護層４０の頂面は、従来のチップ抵抗器Ｂの上面側における該絶縁基板１０上面の左右両端部に設けられた上面電極層２２の一部、側面電極層２４、ニッケルメッキ層２６、ハンダメッキ層２８の順の重合により形成された電極部２０の頂面が至っている頂線Ｈ３よりも高くなっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記構成の従来のチップ抵抗器Ｂでは、通常、その上面側において、上記保護層４０の頂面が該頂線Ｈ３よりも高く設定されているため、従来のチップ抵抗器Ｂを配線基板へ実装するに際し、キャリアテープによるワンバイワン方式においては、図１４に示すように、従来のチップ抵抗器Ｂが吸着ノズルＮの中心からズレやすく、すなわち、上記保護層４０と上記電極部２０より生じている段差に伴う吸着姿勢の乱れから、従来のチップ抵抗器Ｂが落下したり、いわゆる立ち吸着を惹起させるおそれがある。
【０００４】
また、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式においては、従来のチップ抵抗器Ｂの上面側が下向きで配線基板に実装される場合がある。この場合には、図１５に示すように、上記保護層４０がソルダーレジスト５４に接触して、片側の電極部２０とランド電極５２との間に大きな隙間が生じたり、また、図１６に示すように、ツームストーン現象と呼ばれるいわゆるチップ立ちを生じたり、さらには、図１７〜図１９に示すように、セルフアライメント性が低下して、従来のチップ抵抗器Ｂが該配線基板５０に対して、図１７に示されるような横ズレや、図１８に示されるような斜めズレ、さらには、図１９に示されるような縦ズレをして、実装されてしまう可能性が大きくなる。
ここで、「セルフアライメント」とは、配線基板への実装時に位置ズレを起こしたチップ抵抗器が、クリームハンダが溶解することに伴い、その表面張力により、正常な位置へ戻ろうとする作用をいう。
【０００５】
従って、上記の課題を解決する手段としては、まず、従来のチップ抵抗器Ｂの上面側における上記電極部２０の頂面を上記保護層４０の頂面よりも同等若しくは高く設定することが考えられる。すなわち、上記一対の上面電極層２２の膜厚を通常よりも厚くすることにより実現することができる。
しかし、この場合には、上記一対の上面電極層２２の膜厚が通常よりも厚いので、上記抵抗体層３０と上記一対の上面電極層２２のエッジ部分とがオーバーラップしている部分の上記抵抗体層３０に特にクラックが発生しやすくなって製造の歩留まりが悪くなったり、また、段差が比較的大きいので、上記抵抗体層３０の抵抗値にバラツキが大きくなる等の不具合を生じやすい。従って、上記一対の上面電極層２２の膜厚の範囲には制限を課さざるを得ない。
【０００６】
また、逆に、上記保護層４０の頂面を従来のチップ抵抗器Ｂの上面側における上記電極部２０の頂面よりも同等若しくは低く設定することも考えられる。すなわち、上記保護層４０の膜厚を通常よりも薄くすることにより実現することができる。
しかし、この場合には、上記保護層４０の膜厚の薄さに伴って、これにピンホールが発生したり、さらには、耐酸性の劣化等が生じる等の不具合を生じやすい。従って、上記保護層４０の膜厚の範囲にも制限を課さざるを得ない。
よって従来のチップ抵抗器Ｂでは、上記電極部２０や上記保護層４０の膜厚を大きく変更することは上記のような不具合が生ずるためなかなか困難であった。そこで、本発明は、チップ抵抗器の上面側における電極部の頂面を保護層の頂面よりも同等若しくは高く調整することが、容易に可能とすることができるチップ抵抗器を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第一には、チップ抵抗器であって、絶縁基板と、該絶縁基板の上面に接触して形成され、厚膜により形成された抵抗体層と、該抵抗体層の両側に接続され、厚膜により形成された電極部で、該抵抗体層との接続領域において、該抵抗体層の上面に接触して形成された電極部と、該抵抗体層を保護するための保護層と、を有し、少なくとも、平面視における該保護層が形成されていない領域において、該電極部が該抵抗体層の上面に接触して積層していることを特徴とするものである。本構成のチップ抵抗器では、従来のチップ抵抗器に比し、電極部を構成する各層の厚さを全く変更することなく、上記電極部の頂面を比較的容易に高くすることができる。また、該抵抗体層を含めて各層の膜厚のわずかな変更により上記電極部の頂面を容易に制御することができる。よって、チップ抵抗器の製造も容易とすることができる。また、特に、製造上、絶縁基板上面において、最下層として抵抗体層が形成されるので、その後に上面電極層を形成するに際し、従来のチップ抵抗器のように、抵抗体層の配設を考慮する必要がなく、かつ、該上面電極層の膜厚を自由に設定することが可能となって、しかも、抵抗体層の膜厚も含めつつ、電極部の頂面を容易に制御することができる。よって、チップ抵抗器の製造も容易とすることができる。また、抵抗体層が、従来のチップ抵抗器のように、側面視すると、上面電極層の一部とオーバーラップして曲折部分を生ずることなく、絶縁基板上面に設けられるので、抵抗値のバラツキの要因が減少し、該抵抗値の分布が良好となる。さらに、とりわけ、従来のチップ抵抗器のように抵抗体層が上面電極層上に重合してしかも抵抗値が高い場合は、平面視したとき、保護層及び側面電極層の上面側の回り込み部よりも露出する抵抗体層には電流が流れ難く電気メッキができない場合があるが、絶縁基板上面において、最下層として抵抗体層が形成されるので、電気メッキを施す面には抵抗体層は露出せず、問題なく電気メッキをすることができる。
【０００８】
また、第二には、第一の構成のチップ抵抗器において、上記抵抗体層が、一対の電極部間の方向において、絶縁基板の一方の端位置から他方の端位置まで形成されていることを特徴とするものである。
【０００９】
また、第三には、第一の構成のチップ抵抗器において、上記抵抗体層が、一対の電極部間の方向において、絶縁基板の長さよりも短く形成され、該方向の両側において、上記抵抗体層の端部と絶縁基板の端部間には、間隔が形成されていることを特徴とするものである。よって、絶縁基板原板（各個片のチップ抵抗器に分割する前の、すなわち、複数のチップ抵抗器が上下・左右方向に連結されているもの）に有する一次分割用スリットに上記抵抗体層が侵入することがないので、製造工程において、該絶縁基板原板を短冊状に分割するに際し、全く支障がなくなり、従って、チップ抵抗器の製造を容易とすることができる。
【００１０】
また、第四には、チップ抵抗器であって、絶縁基板と、該絶縁基板の上面に接触して形成され、厚膜により形成された抵抗体層と、該抵抗体層の両側に接続され、厚膜により形成された電極部で、該抵抗体層との接続領域において、該抵抗体層の上面に接触して形成された電極部と、該抵抗体層を保護するための保護層と、該絶縁基板の上面と該電極部の下面に接触して設けられ、厚膜により形成された調整層で、少なくとも、平面視における該保護層が形成されていない領域に形成されている調整層と、を有することを特徴とするものである。本構成のチップ抵抗器では、調整層が平面視における該保護層が形成されていない領域に形成されているので、従来のチップ抵抗器に比し、電極部を構成する各層の厚さを全く変更することなく、上記電極部の頂面を比較的容易に高くすることができる。また、調整層を含めて各層の膜厚のわずかな変更により上記電極部の頂面を容易に制御することができる。よって、チップ抵抗器の製造も容易とすることができる。また、特に、製造上、絶縁基板上面において、最下層として抵抗体層が形成されるので、その後に上面電極層を形成するに際し、従来のチップ抵抗器のように、抵抗体層の配設を考慮する必要がなく、かつ、該上面電極層の膜厚を自由に設定することが可能となって、しかも、抵抗体層の膜厚も含めつつ、電極部の頂面を容易に制御することができる。よって、チップ抵抗器の製造も容易とすることができる。また、抵抗体層が、従来のチップ抵抗器のように、側面視すると、上面電極層の一部とオーバーラップして曲折部分を生ずることなく、絶縁基板上面に設けられるので、抵抗値のバラツキの要因が減少し、該抵抗値の分布が良好となる。さらに、とりわけ、従来のチップ抵抗器のように抵抗体層が上面電極層上に重合してしかも抵抗値が高い場合は、平面視したとき、保護層及び側面電極層の上面側の回り込み部よりも露出する抵抗体層には電流が流れ難く電気メッキができない場合があるが、絶縁基板上面において、最下層として抵抗体層や調整層が形成されるので、電気メッキを施す面には抵抗体層や調整層は露出せず、問題なく電気メッキをすることができる。
【００１１】
また、第五には、上記第一から第四までのいずれかの構成において、平面視において電極部が形成され保護層が形成されていない領域の頂面は、保護層の頂面と略同等の高さであることを特徴とするものである。よって、キャリアテープによるワンバイワン方式においては、チップ抵抗器の配線基板への実装時の吸着ノズルにおける吸着姿勢が安定し、落下やいわゆる立ち吸着が減少して、従って、チップ抵抗器の配線基板への実装率を格段に向上させることができる。
【００１２】
また、第六には、上記第一から第四までのいずれかの構成において、平面視において電極部が形成され保護層が形成されていない領域の頂面は、保護層の頂面よりも高いことを特徴とするものである。よって、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式においては、チップ抵抗器の上面側が下向きで配線基板に実装される場合には、保護層が配線基板と接触して、片側の電極部とランド電極との間に大きな隙間を生ずることもなく、また、ツームストーン現象と呼ばれるいわゆるチップ立ちが減少するとともに、良好なセルフアライメント効果を得ることができて、従って、チップ抵抗器の配線基板への実装率を格段に向上させることができる。
【００１３】
また、第七には、上記第一から第六までのいずれかの構成において、上記抵抗体層における一対の電極部間の方向の端部領域に、切欠部が形成されていることを特徴とするものである。本構成のチップ抵抗器では、特に、製造上、抵抗体層が切欠部を有しているので、絶縁基板原板（各個片のチップ抵抗器に分割する前の、すなわち、複数のチップ抵抗器が上下・左右方向に連結されているもの）に有する一次分割用スリットに該抵抗体層が侵入することが少なくなるので、製造工程において、該絶縁基板原板を短冊状に分割するに際し、その分割性が向上し、従って、チップ抵抗器の製造を容易とすることができる。さらに、製造上、該切欠部を有する分だけ抵抗ペーストの使用量を少なくすることができ、従って、製造コストを引き下げることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態として一具体例を図面を利用して説明する。
まず、第一具体例を図１及び図７（ａ）を利用して説明する。
本第一具体例のチップ抵抗器Ａ１は、図１（ａ）に示すように、絶縁基板１０と、電極部２０ａと、抵抗体層３０ａと、保護層４０ａとを有している。
ここで、該絶縁基板１０は、主にアルミナで構成された略直方体形状であって、平面視すると、図１（ｂ）に示すように、略長方形状を呈している。
該抵抗体層３０ａは、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストを、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ間を連結するべく、図７（ａ）に示すように、上記絶縁基板１０の上面上を形成幅Ｆで略均一に、かつ、図１（ａ）に示すように、略平滑状に、略均一の膜厚で、スクリーン印刷し、焼成して設けたものである。
【００１７】
該電極部２０ａは、一対であり、銀等の導電ペーストを、上記絶縁基板１０等にスクリーン印刷又は塗布し、焼成したものであって、上面電極層２２ａの一部と、側面電極層２４と、各電極上に２層で形成されるニッケルメッキ層２６及びハンダメッキ層２８とから構成されている。
該上面電極層２２ａは、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒからそれぞれ内部に向かって所定長だけ、平面視すると略長方形状で、上記抵抗体層３０ａ上に設けられ、しかも、上記抵抗体層３０ａの形成幅Ｆと略同一幅で、かつ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２の膜厚の略２倍の均一の膜厚で形成されている。なお、上記上面電極層２２ａの幅を、上記抵抗体層３０ａの形成幅Ｆと略同一幅としたが、必ずしも略同一幅としなくてもよい。
【００１８】
該側面電極層２４は、図１（ａ）に示すように、上記上面電極層２２ａの一部、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ、下面の一部及び上記抵抗体層３０ａの一部を、略均一の膜厚で覆っている。
以上のように、設けられている各電極上に、さらに、ニッケルメッキ層２６、ハンダメッキ層２８の順に略均一の膜厚で、電気メッキが施されている。
そして、２層のメッキがされた後の電極部２０ａの膜厚は、チップ抵抗器Ａ１の上面側において、図１（ａ）に示すように、頂線Ｈ１まで至っている。
【００１９】
該保護層４０ａは、第１ガラス層４２ａと、第２ガラス層４４ａとから構成されている。
該第１ガラス層４２ａは、ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラスペーストを、上記絶縁基板１０の上面側であって、図１（ａ）に示すように、上記一対の上面電極層２２ａの一部と、上記抵抗体層３０ａの一部とに重合するようにスクリーン印刷し、焼成して形成されている。
該第２ガラス層４４ａは、ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラスペーストを、上記絶縁基板１０の上面側であって、図１（ａ）に示すように、上記一対の上面電極層２２ａの一部と、上記第１ガラス層４２ａとに重合するようにスクリーン印刷し、焼成して形成されている。そして、上記保護層４０ａの頂面は、図１（ａ）に示すように、頂線Ｈ１まで至っている。
従って、チップ抵抗器Ａ１の上面側において、上記電極部２０ａの頂面と上記保護層４０ａの頂面とはほぼ同等の高さを有している。
【００２０】
次に、本第一具体例のチップ抵抗器Ａ１の製造方法について説明する。
上記構成の本第一具体例のチップ抵抗器Ａ１は、原則としてＡ〜Ｉまでの９工程により製造する。
まず、Ａ工程は、一次及び二次分割用スリットを有し、主にアルミナで構成された図示しない平板状の絶縁基板原板の上面側に、抵抗体層３０ａを設ける工程である。
すなわち、一次分割用スリット間を、図７（ａ）に示すように、形成幅Ｆで略均一に、かつ、図１（ａ）に示すように、略均一の膜厚で、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストを、スクリーン印刷し、焼成する。
【００２１】
次に、Ｂ工程は、上面電極層２２ａを設ける工程である。
すなわち、銀等の導電ペーストを、上面電極層２２ａとして、上記Ａ工程において設けられた抵抗体層３０ａ上に重合するように、該抵抗体層３０ａの形成幅Ｆと略同一幅で、かつ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２の膜厚の略２倍の膜厚で、スクリーン印刷し、焼成する。
なお、上記Ａ、Ｂ工程については、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストをスクリーン印刷した後、銀等の導電ペースト（電極）をスクリーン印刷し、そして、同時に焼成してもよい。
また、必要に応じて、図示しない平板状の絶縁基板原板の下面に、一対の下面電極層を設けてもよい。該一対の下面電極層を配設した場合は、後記するＧ工程において、側面電極層２４をその下面電極層の一部に重合し、かつ、該上面電極層２２ａと接続し、後記するＩ工程において、ニッケルメッキ層２６及びハンダメッキ層２８が、重合する下面電極層及び側面電極層２４を覆う形態となる。
【００２２】
次に、Ｃ工程は、上記した保護層４０ａのうち、第１ガラス層４２ａを形成する工程である。なお、本工程を省略してもよい。すなわち、第１ガラス層４２ａを形成せずに、後記するＥ工程で形成するところの第２ガラス層４４ａのみで保護層４０ａを構成してもよい。
すなわち、ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラスペーストを、上記Ｂ工程で設けた一対の上面電極層２２ａの一部と、上記Ａ工程で設けた抵抗体層３０ａであって、一対の上面電極層２２ａが重合している範囲を除く部分とを覆うように、平面視すると略長方形状に、スクリーン印刷し、焼成する。
ここで、「一対の上面電極層」とは、後記するＦ工程において、一次分割用スリットに沿って絶縁基板原板を短冊状に分割したときに、その分割した端部からそれぞれ内部に向かって設ける２個の上面電極層を指称する。以下同様である。
【００２３】
次に、Ｄ工程は、上記Ａ工程で設けた抵抗体層３０ａの抵抗値を修正する工程である。
すなわち、抵抗体層３０ａ及び該抵抗体層３０ａを覆っている上記Ｃ工程で形成した第１ガラス層４２ａの部分に、レーザートリミング技法等を使用してトリミング溝を形成し、抵抗値を修正する。従って、形成するトリミング溝の長さや条数により適切な抵抗値を得ることが可能となる。
次に、Ｅ工程は、上記した保護層４０ａのうち、第２ガラス層４４ａを形成する工程である。
すなわち、ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラスペーストを、上記Ｂ工程で設けた一対の上面電極層２２ａの一部と、上記Ｃ工程で形成した第１ガラス層４２ａとを覆うように、図１（ｂ）に示すように、平面視すると略長方形状に、スクリーン印刷し、焼成する。
なお、該ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラスペーストの代わりに、エポキシ、シリコン、ポリイミド系の樹脂ペーストを使用して印刷し、硬化させてもよい。
【００２４】
次に、Ｆ工程は、以上の工程を経た図示しない絶縁基板原板を、一次分割用スリットに沿って、分割する工程である。
次に、Ｇ工程は、側面電極層２４ａを形成する工程である。
すなわち、銀等の導電ペーストを、上面電極層２２の一部と、上記Ｆ工程において、一次分割用スリットに沿って分割した短冊状の絶縁基板原板の端部（絶縁基板１０の端部と同じ）及び下面の一部と、抵抗体層３０ａの一部とを覆うように、塗布し、焼成あるいは硬化させる。
【００２５】
次に、Ｈ工程は、上記Ｆ工程において、一次分割用スリットに沿って分割した短冊状の絶縁基板原板を、二次分割用スリットに沿ってさらに分割し、１個片ごとにする工程である。
次に、Ｉ工程は、上記Ｈ工程において、各個片に分割した絶縁基板１０に設けた電極、つまり、上面電極層２２ａの一部及び側面電極層２４ａに、ニッケルメッキ層２６及びハンダメッキ層２８を積層して施す最終工程である。
すなわち、各個片ごとに、ニッケルメッキ層２６、ハンダメッキ層２８の順で２層のメッキを施す。
以上、Ａ〜Ｉの９工程を経て、チップ抵抗器Ａ１を製造する。
【００２６】
次に、本第一具体例のチップ抵抗器Ａ１の使用状態について、図１（ｃ）を利用して説明する。
チップ抵抗器Ａ１は、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式においては、その上面側を、つまり、一対の上面電極層２２ａが設けられている側を、配線基板５０上に配設して使用される場合がある。
すなわち、該配線基板５０に有するランド電極５２と一対の電極部２０ａ（絶縁基板１０の上面側及び側面側）とにハンダ６０を付けて接続し、該チップ抵抗器Ａ１が上記配線基板５０上に固定される。
また、配線基板５０上に配設する場合に当たって、その上面側は、一対の電極部２０ａの頂面と保護層４０ａの頂面とはほぼ同等の高さ（頂線Ｈ１）を有しているので、バルク実装に適している。従って、該一対の電極部２０ａ（上面電極層２２ａが設けられている側）のうち、片側の電極部２０ａとランド電極５２との間で大きな隙間が生じたり（図１５参照）、セルフアライメント性を低下させたり（図１７〜図１９参照）、ツームストーン現象と呼ばれるいわゆるチップ立ち（図１６参照）を発生させるおそれはない。
【００２７】
上記構成のチップ抵抗器Ａ１によれば、キャリアテープによるワンバイワン方式においては、チップ抵抗器Ａ１を配線基板５０上に実装する場合に当たって、その上面側においては、一対の電極部２０ａの頂面と保護層４０ａの頂面とはほぼ同等の高さ（頂線Ｈ１）を有しているので、チップ抵抗器Ａ１の上面側全体がほぼ平滑状となり、該配線基板５０への実装時の吸着ノズルにおける吸着姿勢が安定して、落下やいわゆる立ち吸着が減少し、よって、チップ抵抗器Ａ１の上記配線基板５０への実装率を格段に向上させることができる。
また、上面電極層２２ａが抵抗体層３０ａ上に重合して形成されるので、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２と抵抗体層３０との配設形態では、段差が比較的大きいことによるクラックの発生や特性劣化のおそれがあるため、該上面電極層２２の膜厚の範囲を制限せざるを得なかったが、この場合は、該上面電極層２２ａの膜厚の範囲の制限はなく、自由に厚くすることができて、よって、電極部２０ａの頂面を容易に頂線Ｈ１にまですることができる。
【００２８】
さらに、絶縁基板１０上面上に、略平滑状に、略均一の膜厚で、該抵抗体層３０ａが設けられているため、抵抗値の分布が、従来（どうしても抵抗体層と上面電極層とがオーバーラップする部分があって、その段差により、抵抗値にバラツキが発生しやすかった）よりも良好となる。
また、とりわけ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂのように抵抗体層３０が上面電極層２２上に重合してしかも抵抗値が高い場合は、平面視したとき、保護層４０及び側面電極層２４の上面側の回り込み部よりも露出する抵抗体層３０には電流が流れ難く電気メッキができない場合があるが、絶縁基板１０上面上に抵抗体層３０ａが形成されるので、電気メッキを施す面には抵抗体層３０ａは露出せず、問題なく電気メッキをすることができる。
【００２９】
次に、第二具体例を図２及び図７（ｂ）を利用して説明する。
本第二具体例のチップ抵抗器Ａ２は、図２（ａ）に示すように、絶縁基板１０と、電極部２０ｂと、抵抗体層３０ｂと、保護層４０ａとを有している。
ここで、該絶縁基板１０は、上記第一具体例と同様に、主にアルミナで構成された略直方体形状であって、平面視すると、略長方形状を呈している。
該抵抗体層３０ｂは、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ間において、図７（ｂ）に示すように、上記絶縁基板１０上面上に設けられたその形成幅が、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ際の形成部分を除いて、上記第一具体例と同様の形成幅Ｆと略同一幅であるが、該端部Ｌ、Ｒ際の形成幅はＧと短く、上記端部Ｌ、Ｒへ向かってそれぞれ形成幅Ｆから段々にしぼった平面形状を呈している。そして、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストを、上記絶縁基板１０上面上で、図２（ａ）に示すように、略平滑状に、略均一の膜厚で、スクリーン印刷し、焼成されている。
【００３０】
該電極部２０ｂは、上記第一具体例と同様に、一対であり、銀等の導電ペーストを、上記絶縁基板１０等にスクリーン印刷又は塗布し、焼成したものであって、上面電極層２２ｂの一部と、側面電極層２４ｂと、各電極上に２層で形成されるニッケルメッキ層２６及びハンダメッキ層２８とから構成されている。
該上面電極層２２ｂは、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒからそれぞれ内部に向かって所定長だけ、平面視すると略長方形状で、上記抵抗体層３０ｂ上に設けられ、しかも、上記抵抗体層３０ｂの形成幅Ｆと略同一幅で、かつ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２の膜厚の略３倍の均一の膜厚で形成されている。なお、上記上面電極層２２ｂの幅を、上記抵抗体層３０ｂの形成幅Ｆと略同一幅としたが、必ずしも略同一幅としなくてもよい。
【００３１】
該側面電極層２４ｂは、図２（ａ）に示すように、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する側面電極層２４の膜厚の略２倍の均一の膜厚で形成され、上記上面電極層２２ｂの一部、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ、下面の一部及び上記抵抗体層３０ｂの一部を覆っている。
以上のように、設けられている各電極上に、上記第一具体例と同様、さらに、ニッケルメッキ層２６、ハンダメッキ層２８の順に略均一の膜厚で、メッキが施されている。
そして、２層のメッキがされた後の電極部２０ｂの膜厚は、チップ抵抗器Ａ２の上面側において、図２（ａ）に示すように、頂線Ｈ２まで至っている。
【００３２】
該保護層４０ａは、上記第一具体例と同様に、第１ガラス層４２ａと、第２ガラス層４４ａとから構成されている。
該第１ガラス層４２ａは、ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラスペーストを、上記絶縁基板１０の上面側であって、図２（ａ）に示すように、上記一対の上面電極層２２ｂの一部と、上記抵抗体層３０ｂの一部とに重合するようにスクリーン印刷し、焼成して形成されている。
該第２ガラス層４４ａは、ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラスペーストを、上記絶縁基板１０の上面側であって、図２（ａ）に示すように、上記一対の上面電極層２２ｂの一部と、上記第１ガラス層４２ａとに重合するようにスクリーン印刷し、焼成して形成されている。そして、上記保護層４０ａの頂面は、図１（ａ）に示したものと同様、頂線Ｈ１にすぎない。
従って、チップ抵抗器Ａ２の上面側において、上記電極部２０ｂの頂面は、上記保護層４０ａの頂面よりも高くなっている。
【００３３】
なお、上記構成の本第二具体例のチップ抵抗器Ａ２の製造方法については、上記第一具体例の製造方法と変わりがなく、すなわち、上記ＡからＩの９工程を経て製造するが、ただ、Ｂ工程においては、上面電極層２２ｂの膜厚を、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２の膜厚の略３倍にし、Ｇ工程においては、側面電極層２４ｂの膜厚を、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する側面電極層２４の膜厚の略２倍にする必要がある。
【００３４】
次に、本第二具体例のチップ抵抗器Ａ２の使用状態について、図２（ｂ）を利用して説明する。
チップ抵抗器Ａ２は、上記チップ抵抗器Ａ１と同様に、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式においては、その上面側を、つまり、一対の上面電極層２２ｂが設けられている側を、配線基板５０上に配設して使用される場合がある。
すなわち、該配線基板５０に有するランド電極５２と一対の電極部２０ｂ（絶縁基板１０の上面側及び側面側）とにハンダ６０を付けて接続し、該チップ抵抗器Ａ２が上記配線基板５０上に固定される。
【００３５】
上記構成のチップ抵抗器Ａ２によれば、上面電極層２２ｂが抵抗体層３０ｂ上に重合して形成されるので、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２と抵抗体層３０との配設形態では、段差が比較的大きいことによるクラックの発生や特性劣化のおそれがあるため、該上面電極層２２の膜厚の範囲を制限せざるを得なかったが、この場合は、該上面電極層２２ｂの膜厚の範囲の制限はなく、自由に厚くすることができるとともに、側面電極層２４ｂの膜厚も厚くすることによって、電極部２０ｂの頂面を容易に頂線Ｈ２にまですることができる。
また、配線基板５０上に配設する場合に当たって、その上面側は、一対の電極部２０ｂの頂面が保護層４０ａの頂面よりも高いので、バルク実装に適し、特に、配線パターン５６が設けられている場合でも該配線パターン５６には接触せず、確実に実装することができる。従って、該一対の電極部２０ｂ（上面電極層２２ｂが設けられている側）のうち、片側の電極部２０ｂとランド電極５２との間で大きな隙間が生じたり（図１５参照）、セルフアライメント性を低下させたり（図１７〜図１９参照）、ツームストーン現象と呼ばれるいわゆるチップ立ち（図１６参照）を発生させるおそれはない。
【００３６】
さらに、上記チップ抵抗器Ａ１と同様、絶縁基板１０上面上に、略平滑状に、略均一の膜厚で、該抵抗体層３０ｂが設けられているため、抵抗値の分布が、従来（どうしても抵抗体層と上面電極層とがオーバーラップする部分があって、その段差により、抵抗値にバラツキが発生しやすかった）よりも良好となる。
また、とりわけ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂのように抵抗体層３０が上面電極層２２上に重合してしかも抵抗値が高い場合は、平面視したとき、保護層４０及び側面電極層２４の上面側の回り込み部よりも露出する抵抗体層３０には電流が流れ難く電気メッキができない場合があるが、絶縁基板１０上面上に抵抗体層３０ｂが形成されるので、電気メッキを施す面には抵抗体層３０ｂは露出せず、問題なく電気メッキをすることができる。
また、抵抗体層３０ｂの形成に当たって、図７（ａ）に示す抵抗ペースト量に比し、図７（ｂ）に示すように、少ない抵抗ペースト量で済み、経済的である。
【００３７】
次に、第三具体例を図７（ｃ）を利用して説明する。なお、側断面は図１（ａ）と、使用状態は図１（ｃ）と同じとなるため、図示しない。
本第三具体例のチップ抵抗器Ａ３は、上記第一具体例と同様に、絶縁基板１０と、電極部２０ａと、抵抗体層３０ｃと、保護層４０ａとを有している（図１参照）。
すなわち、チップ抵抗器Ａ３は、略直方体形状の絶縁基板１０上面上に、略均一の膜厚で設けた抵抗体層３０ｃと、一対の電極部２０ａ、つまり、上面電極層２２ａと、該抵抗体層３０ｃ上に設けた該上面電極層２２ａの一部、該絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ、下面の一部及び上記抵抗体層３０ｃの一部を覆うように設けた側面電極層２４と、該側面電極層２４等をさらに外側から覆う２層のニッケルメッキ層２６及びハンダメッキ層２８とを有し、上記上面電極層２２ａの一部及び上記抵抗体層３０ｃの一部を覆う第１ガラス層４２ａと、上記上面電極層２２ａの一部及び該第１ガラス層４２ａを覆う第２ガラス層４４ａからなる保護層４０ａを備えている点で、上記第一具体例と同様である。
【００３８】
しかし、上記抵抗体層３０ｃは、図７（ｃ）に示すように、その平面形状は、上記絶縁基板１０上面上に設けられたその形成幅が、上記第一具体例の形成幅Ｆと略同一幅であるが、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ際のその形成部分は、略細長の長方形状を呈する切欠部３２をそれぞれ有しコ字状、逆コ字状を呈して形成されている点で相違している。
なお、上記構成の本第三具体例のチップ抵抗器Ａ３の製造方法については、上記第一具体例の製造方法と変わりがなく、すなわち、上記ＡからＩの９工程を経て製造するが、ただ、Ａ工程において、抵抗体層３０ｃを一次分割用スリット際では、略細長の長方形状を呈する切欠部３２を設けてそれぞれコ字状、逆コ字状の形にする必要がある。
【００３９】
次に、本第三具体例のチップ抵抗器Ａ３の使用状態について、上記図１（ｃ）に準じて説明する。
チップ抵抗器Ａ３は、上記チップ抵抗器Ａ１と同様に、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式においては、その上面側を、つまり、一対の上面電極層２２ａが設けられている側を、配線基板５０上に配設して使用される場合がある。
すなわち、該配線基板５０に有するランド電極５２と一対の電極部２０ａ（絶縁基板１０の上面側及び側面側）とにハンダ６０を付けて接続し、チップ抵抗器Ａ３が上記配線基板５０上に固定される。この配線基板５０上に配設する場合に当たって、その上面側は、一対の電極部２０ａの頂面と保護層４０ａの頂面とはほぼ同等の高さ（頂線Ｈ１）を有しているので、バルク実装に適している。
【００４０】
上記構成のチップ抵抗器Ａ３によれば、上記チップ抵抗器Ａ１と同様に、キャリアテープによるワンバイワン方式においては、チップ抵抗器Ａ３を配線基板５０上に実装する場合に当たって、その上面側においては、一対の電極部２０ａの頂面と保護層４０ａの頂面とはほぼ同等の高さ（頂線Ｈ１）を有しているので、チップ抵抗器Ａ３の上面側全体がほぼ平滑状となり、該配線基板５０への実装時の吸着ノズルにおける吸着姿勢が安定して、落下やいわゆる立ち吸着が減少し、よって、チップ抵抗器Ａ３の上記配線基板５０への実装率を格段に向上させることができる。
また、上面電極層２２ａが抵抗体層３０ｃ上に重合して形成されるので、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２と抵抗体層３０との配設形態では、段差が比較的大きいことによるクラックの発生や特性劣化のおそれがあるため、該上面電極層２２の膜厚の範囲を制限せざるを得なかったが、この場合は、該上面電極層２２ａの膜厚の範囲の制限はなく、自由に厚くすることができて、よって、電極部２０ａの頂面を容易に頂線Ｈ１にまですることができる。
【００４１】
また、絶縁基板１０上面上に、略平滑状に、略均一の膜厚で、該抵抗体層３０ｃが設けられているため、抵抗値の分布が、従来（どうしても抵抗体層と上面電極層とがオーバーラップする部分があって、その段差により、抵抗値にバラツキが発生しやすかった）よりも良好となる。
また、とりわけ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂのように抵抗体層３０が上面電極層２２上に重合してしかも抵抗値が高い場合は、平面視したとき、保護層４０及び側面電極層２４の上面側の回り込み部よりも露出する抵抗体層３０には電流が流れ難く電気メッキができない場合があるが、絶縁基板１０上面上に抵抗体層３０ｃが形成されるので、電気メッキを施す面には抵抗体層３０ｃは露出せず、問題なく電気メッキをすることができる。
さらに、製造上において、絶縁基板原板上面上に、上記抵抗体層３０ｃを上記のような平面形状とすることにより、上記Ａ工程において、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストの一次分割用スリットへの侵入を少なくすることができて、Ｆ工程での分割に際し、分割性を高めることができる。
また、抵抗体層３０ｃの形成に当たって、図７（ａ）に示す抵抗ペースト量に比し、図７（ｃ）に示すように、少ない抵抗ペースト量で済み、経済的である。
【００４２】
次に、第四具体例を図３及び図８（ａ）を利用して説明する。
本第四具体例のチップ抵抗器Ａ４は、図３に示すように、絶縁基板１０と、電極部２０ｃと、抵抗体層３０ｄと、保護層４０ａとを有している。
ここで、該絶縁基板１０は、上記第一具体例と同様に、主にアルミナで構成された略直方体形状であって、平面視すると、略長方形状を呈している。
該抵抗体層３０ｄは、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ間において、図８（ａ）に示すように平面視すると、上記絶縁基板１０上面上に設けられたその形成幅が、上記第一具体例の形成幅Ｆと略同一幅で、かつ、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ間の距離よりも形成長を短くして距離Ｄ１とした略長方形状を呈している。そして、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストを、上記絶縁基板１０上面上で、図３に示すように、略平滑状に略均一の膜厚でスクリーン印刷し、焼成されている。
【００４３】
該電極部２０ｃは、上記第一具体例と同様に、一対であり、銀等の導電ペーストを、上記絶縁基板１０等にスクリーン印刷又は塗布し、焼成したものであって、上面電極層２２ｂの一部と、側面電極層２４ｂと、各電極上に２層で形成されるニッケルメッキ層２６及びハンダメッキ層２８とから構成されている。
該上面電極層２２ｂは、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒからそれぞれ内部に向かって所定長だけ、平面視すると略長方形状で、上記抵抗体層３０ｄと一部重合しつつ上記絶縁基板１０上面上に設けられ、しかも、上記抵抗体層３０ｄの形成幅Ｆと略同一幅で、かつ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２の膜厚の略３倍の均一の膜厚で形成されている。なお、上記上面電極層２２ｂの幅を、上記抵抗体層３０ｄの形成幅Ｆと略同一幅としたが、必ずしも略同一幅としなくてもよい。
【００４４】
該側面電極層２４ｂは、図３に示すように、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する側面電極層２４の膜厚の略２倍の均一の膜厚で形成され、上記上面電極層２２ｂの一部、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ及び下面の一部を覆っている。
以上のように、設けられている各電極上に、上記第一具体例と同様、さらに、ニッケルメッキ層２６、ハンダメッキ層２８の順に略均一の膜厚で、メッキが施されている。そして、２層のメッキがされた後の電極部２０ｃの頂面の一部は、チップ抵抗器Ａ４の上面側において、図３に示すように、頂線Ｈ２まで至っている。
【００４５】
該保護層４０ａは、上記第一具体例と同様に、第１ガラス層４２ａと、第２ガラス層４４ａとから構成されている。
該第１ガラス層４２ａは、ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラスペーストを、上記絶縁基板１０の上面側であって、図３に示すように、上記一対の上面電極層２２ｂの一部と、上記抵抗体層３０ｄの一部とに重合するようにスクリーン印刷し、焼成して形成されている。
該第２ガラス層４４ａは、ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラスペーストを、上記絶縁基板１０の上面側であって、図３に示すように、上記一対の上面電極層２２ｂの一部と、上記第１ガラス層４２ａとに重合するようにスクリーン印刷し、焼成して形成されている。そして、上記保護層４０ａの頂面は、図１（ａ）に示したものと同様、頂線Ｈ１にすぎない。
従って、チップ抵抗器Ａ４の上面側において、上記電極部２０ｃの頂面は、上記保護層４０ａの頂面よりも高くなっている。
【００４６】
なお、上記構成の本第四具体例のチップ抵抗器Ａ４の製造方法については、上記第一具体例の製造方法と変わりがなく、すなわち、上記ＡからＩの９工程を経て製造するが、ただ、Ａ工程においては、抵抗体層３０ｄの形成長を一次分割用スリット間の距離よりも短くして距離Ｄ１として、Ｂ工程においては、上面電極層２２ｂの膜厚を、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２の膜厚の略３倍にし、Ｇ工程においては、側面電極層２４ｂの膜厚を、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する側面電極層２４の膜厚の略２倍にする必要がある。
【００４７】
次に、本第四具体例のチップ抵抗器Ａ４の使用状態について、上記図２（ｂ）に準じて説明する。
チップ抵抗器Ａ４は、上記チップ抵抗器Ａ２と同様に、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式においては、その上面側を、つまり、一対の上面電極層２２ｂが設けられている側を、配線基板５０上に配設して使用される場合がある。
すなわち、該配線基板５０に有するランド電極５２と一対の電極部２０ｃ（絶縁基板１０の上面側及び側面側）とにハンダ６０を付けて接続し、該チップ抵抗器Ａ４が上記配線基板５０上に固定される。
【００４８】
上記構成のチップ抵抗器Ａ４によれば、上記チップ抵抗器Ａ２と同様、上面電極層２２ｂが抵抗体層３０ｄ上に重合して形成されるので、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２と抵抗体層３０との配設形態では、段差が比較的大きいことによるクラックの発生や特性劣化のおそれがあるため、該上面電極層２２の膜厚の範囲を制限せざるを得なかったが、この場合は、該上面電極層２２ｂの膜厚の範囲の制限はなく、自由に厚くすることができるとともに、側面電極層２４ｂの膜厚も厚くすることによって、電極部２０ｃの頂面の一部を容易に頂線Ｈ２にまですることができる。
また、配線基板５０上に配設する場合に当たって、その上面側は、一対の電極部２０ｃの頂面が保護層４０ａの頂面よりも高いので、バルク実装に適し、特に、配線パターン５６が設けられている場合でも該配線パターン５６には接触せず、確実に実装することができる。従って、該一対の電極部２０ｃ（上面電極層２２ｂが設けられている側）のうち、片側の電極部２０ｃとランド電極５２との間で大きな隙間が生じたり（図１５参照）、セルフアライメント性を低下させたり（図１７〜図１９参照）、ツームストーン現象と呼ばれるいわゆるチップ立ち（図１６参照）を発生させるおそれはない。
【００４９】
また、上記チップ抵抗器Ａ１と同様、絶縁基板１０上面上に、略平滑状に略均一の膜厚で、該抵抗体層３０ｄが設けられているため、抵抗値の分布が、従来（どうしても抵抗体層と上面電極層とがオーバーラップする部分があって、その段差により、抵抗値にバラツキが発生しやすかった）よりも良好となる。
また、とりわけ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂのように抵抗体層３０が上面電極層２２上に重合してしかも抵抗値が高い場合は、平面視したとき、保護層４０及び側面電極層２４の上面側の回り込み部よりも露出する抵抗体層３０には電流が流れ難く電気メッキができない場合があるが、絶縁基板１０上面上に抵抗体層３０ｄが形成されるので、電気メッキを施す面には抵抗体層３０ｄは露出せず、問題なく電気メッキをすることができる。
さらに、製造上において、絶縁基板原板上面上に、上記抵抗体層３０ｄを上記のような平面形状とすることにより、上記Ａ工程において、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストの一次分割用スリットへの侵入を全くなくすることができて、Ｆ工程での分割に際し、その分割作業に支障がなくなる。
【００５０】
次に、第五具体例を図８（ｂ）を利用して説明する。なお、側断面は図３と同じとなるため、図示しない。
本第五具体例のチップ抵抗器Ａ５は、上記第四具体例と同様に、絶縁基板１０と、電極部２０ｃと、抵抗体層３０ｅと、保護層４０ａとを有している（図３参照）。
すなわち、チップ抵抗器Ａ５は、略直方体形状の絶縁基板１０上面上に、略均一の膜厚で設けた抵抗体層３０ｅと、一対の電極部２０ｃ、つまり、上面電極層２２ｂと、該抵抗体層３０ｅ上に設けた該上面電極層２２ｂの一部、該絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ及び下面の一部を覆うように設けた側面電極層２４ｂと、該側面電極層２４ｂ等をさらに外側から覆う２層のニッケルメッキ層２６及びハンダメッキ層２８とを有し、上記上面電極層２２ｂの一部及び上記抵抗体層３０ｅの一部を覆う第１ガラス層４２ａと、上記上面電極層２２ｂの一部及び該第１ガラス層４２ａを覆う第２ガラス層４４ａからなる保護層４０ａを備えている点で、上記第四具体例と同様である。
【００５１】
しかし、上記抵抗体層３０ｅは、図８（ｂ）に示すように、その平面形状は、上記絶縁基板１０上面上に設けられたその形成幅が、上記第一具体例の形成幅Ｆと略同一幅であるが、上記第四具体例と同様、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ間の距離よりも形成長を短くして距離Ｄ１とした略長方形状を呈し、さらに加えて、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ近傍のその形成部分は、略長方形状を呈する切欠部３４をそれぞれ有しコ字状、逆コ字状を呈して形成されている点で相違している。
なお、上記構成の本第五具体例のチップ抵抗器Ａ５の製造方法については、上記第一具体例の製造方法と変わりがなく、すなわち、上記ＡからＩの９工程を経て製造するが、ただ、Ａ工程において、抵抗体層３０ｅを一次分割用スリット近傍では、略長方形状を呈する切欠部３４を設けてそれぞれコ字状、逆コ字状の形にする必要がある。
【００５２】
次に、本第五具体例のチップ抵抗器Ａ５の使用状態について、上記図２（ｂ）を準じて説明する。
チップ抵抗器Ａ５は、上記チップ抵抗器Ａ２と同様に、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式においては、その上面側を、つまり、一対の上面電極層２２ｂが設けられている側を、配線基板５０上に配設して使用される場合がある。
すなわち、該配線基板５０に有するランド電極５２と一対の電極部２０ｃ（絶縁基板１０の上面側及び側面側）とにハンダ６０を付けて接続し、チップ抵抗器Ａ５が上記配線基板５０上に固定される。
【００５３】
上記構成のチップ抵抗器Ａ５によれば、上記チップ抵抗器Ａ２と同様、上面電極層２２ｂが抵抗体層３０ｅ上に重合して形成されるので、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２と抵抗体層３０との配設形態では、段差が比較的大きいことによるクラックの発生や特性劣化のおそれがあるため、該上面電極層２２の膜厚の範囲を制限せざるを得なかったが、この場合は、該上面電極層２２ｂの膜厚の範囲の制限はなく、自由に厚くすることができるとともに、側面電極層２４ｂの膜厚も厚くすることによって、電極部２０ｃの頂面の一部を容易に頂線Ｈ２にまですることができる。
また、配線基板５０上に配設する場合に当たって、その上面側は、一対の電極部２０ｃの頂面が保護層４０ａの頂面よりも高いので、バルク実装に適し、特に、配線パターン５６が設けられている場合でも該配線パターン５６には接触せず、確実に実装することができる。従って、該一対の電極部２０ｃ（上面電極層２２ｂが設けられている側）のうち、片側の電極部２０ｃとランド電極５２との間で大きな隙間が生じたり（図１５参照）、セルフアライメント性を低下させたり（図１７〜図１９参照）、ツームストーン現象と呼ばれるいわゆるチップ立ち（図１６参照）を発生させるおそれはない。
【００５４】
また、上記チップ抵抗器Ａ１と同様、絶縁基板１０上面上に、略平滑状に、略均一の膜厚で、該抵抗体層３０ｅが設けられているため、抵抗値の分布が、従来（どうしても抵抗体層と上面電極層とがオーバーラップする部分があって、その段差により、抵抗値にバラツキが発生しやすかった）よりも良好となる。
また、とりわけ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂのように抵抗体層３０が上面電極層２２上に重合してしかも抵抗値が高い場合は、平面視したとき、保護層４０及び側面電極層２４の上面側の回り込み部よりも露出する抵抗体層３０には電流が流れ難く電気メッキができない場合があるが、絶縁基板１０上面上に抵抗体層３０ｅが形成されるので、電気メッキを施す面には抵抗体層３０ｅは露出せず、問題なく電気メッキをすることができる。
さらに、製造上において、絶縁基板原板上面上に、上記抵抗体層３０ｅを上記のような平面形状とすることにより、上記Ａ工程において、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストの一次分割用スリットへの侵入を全くなくすることができて、Ｆ工程での分割に際し、その分割作業に支障がなくなる。
また、抵抗体層３０ｅの形成に当たって、図８（ａ）に示す抵抗ペースト量に比し、図８（ｂ）に示すように、少ない抵抗ペースト量で済み、経済的である。
【００５５】
次に、第六具体例を図４及び図９（ａ）を利用して説明する。
本第六具体例のチップ抵抗器Ａ６は、図４に示すように、絶縁基板１０と、電極部２０ｄと、抵抗体層３０ｆと、保護層４０ａとを有している。
ここで、該絶縁基板１０は、上記第一具体例と同様に、主にアルミナで構成された略直方体形状であって、平面視すると、略長方形状を呈している。
該抵抗体層３０ｆは、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ間において、図９（ａ）に示すように平面視すると、上記絶縁基板１０上面上に設けられたその形成幅が、上記第一具体例の形成幅Ｆと略同一幅で、かつ、上記第四具体例と同様の上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ間の距離よりも形成長を短くして距離Ｄ１を有した略長方形状のものを中心部分層ｐ、左部分層ｑ、右部分層ｒに三分割して形成されている。
中心部分層ｐは、形成長を距離Ｄ２とした略長方形状を呈して略中央に配置され、その両側に、ともに略同一サイズで略細長の長方形状を呈する左部分層ｑ及び右部分層ｒが配されている。そして、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストをこのような配置で、上記絶縁基板１０上面上に、図４に示すように、略平滑状に、略均一の膜厚で、スクリーン印刷し、焼成されている。
【００５６】
該電極部２０ｄは、上記第一具体例と同様に、一対であり、銀等の導電ペーストを、上記絶縁基板１０等にスクリーン印刷し、焼成したものであって、上面電極層２２ｂの一部と、側面電極層２４ｂと、各電極上に２層で形成されるニッケルメッキ層２６及びハンダメッキ層２８とから構成されている。
該上面電極層２２ｂは、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒからそれぞれ内部に向かって所定長だけ、平面視すると略長方形状で、上記抵抗体層３０ｆにおける中心部分層ｐの範囲の一部と重合し、左部分層ｑ及び右部分層ｒの範囲を完全に覆いつつ上記絶縁基板１０上面上に設けられ、しかも、上記抵抗体層３０ｆの形成幅Ｆと略同一幅で、かつ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２の膜厚の略３倍の均一の膜厚で形成されている。なお、上記上面電極層２２ｂの幅を、上記抵抗体層３０ｆの形成幅Ｆと略同一幅としたが、必ずしも略同一幅としなくてもよい。
【００５７】
該側面電極層２４ｂは、図４に示すように、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する側面電極層２４の膜厚の略２倍の均一の膜厚で形成され、上記上面電極層２２ｂの一部、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ及び下面の一部を覆っている。
以上のように、設けられている各電極上に、上記第一具体例と同様、さらに、ニッケルメッキ層２６、ハンダメッキ層２８の順に略均一の膜厚で、メッキが施されている。そして、２層のメッキがされた後の電極部２０ｄの頂面の一部は、チップ抵抗器Ａ６の上面側において、図４に示すように、頂線Ｈ２まで至っている。
【００５８】
該保護層４０ａは、上記第一具体例と同様に、第１ガラス層４２ａと、第２ガラス層４４ａとから構成されている。
該第１ガラス層４２ａは、ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラスペーストを、上記絶縁基板１０の上面側であって、図４に示すように、上記一対の上面電極層２２ｂの一部と、上記抵抗体層３０ｆの一部とに重合するようにスクリーン印刷し、焼成して形成されている。
該第２ガラス層４４ａは、ホウ硅酸鉛ガラス系等のガラスペーストを、上記絶縁基板１０の上面側であって、図４に示すように、上記一対の上面電極層２２ｂの一部と、上記第１ガラス層４２ａとに重合するようにスクリーン印刷し、焼成して形成されている。そして、上記保護層４０ａの頂面は、図１（ａ）に示したものと同様、頂線Ｈ１にすぎない。
従って、チップ抵抗器Ａ６の上面側において、上記電極部２０ｄの頂面は、上記保護層４０ａの頂面よりも高くなっている。
【００５９】
なお、上記構成の本第六具体例のチップ抵抗器Ａ６の製造方法については、上記第一具体例の製造方法と変わりがなく、すなわち、上記ＡからＩの９工程を経て製造するが、ただ、Ａ工程においては、抵抗体層３０ｆ全体の形成長を一次分割用スリット間の距離よりも短くして距離Ｄ１としつつ、上記中心部分層ｐ、上記左部分層ｑ、上記右部分層ｒのそれぞれに三分割して、Ｂ工程においては、上面電極層２２ｂの膜厚を、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２の膜厚の略３倍にし、Ｇ工程においては、側面電極層２４ｂの膜厚を、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する側面電極層２４の膜厚の略２倍にする必要がある。
【００６０】
次に、本第六具体例のチップ抵抗器Ａ６の使用状態について、上記図２（ｂ）に準じて説明する。
チップ抵抗器Ａ６は、上記チップ抵抗器Ａ２と同様に、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式においては、その上面側を、つまり、一対の上面電極層２２ｂが設けられている側を、配線基板５０上に配設して使用される場合がある。
すなわち、該配線基板５０に有するランド電極５２と一対の電極部２０ｄ（絶縁基板１０の上面側及び側面側）とにハンダ６０を付けて接続し、チップ抵抗器Ａ６が上記配線基板５０上に固定される。
【００６１】
上記構成のチップ抵抗器Ａ６によれば、上記チップ抵抗器Ａ２と同様、上面電極層２２ｂが抵抗体層３０ｆ上に重合して形成されるので、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２と抵抗体層３０との配設形態では、段差が比較的大きいことによるクラックの発生や特性劣化のおそれがあるため、該上面電極層２２の膜厚の範囲を制限せざるを得なかったが、この場合は、該上面電極層２２ｂの膜厚の範囲の制限はなく、自由に厚くすることができるとともに、側面電極層２４ｂの膜厚も厚くすることによって、電極部２０ｄの頂面の一部を容易に頂線Ｈ２にまですることができる。
また、配線基板５０上に配設する場合に当たって、その上面側は、一対の電極部２０ｄの頂面が保護層４０ａの頂面よりも高いので、バルク実装に適し、特に、配線パターン５６が設けられている場合でも該配線パターン５６には接触せず、確実に実装することができる。従って、該一対の電極部２０ｄ（上面電極層２２ｂが設けられている側）のうち、片側の電極部２０ｄとランド電極５２との間で大きな隙間が生じたり（図１５参照）、セルフアライメント性を低下させたり（図１７〜図１９参照）、ツームストーン現象と呼ばれるいわゆるチップ立ち（図１６参照）を発生させるおそれはない。
【００６２】
また、上記チップ抵抗器Ａ１と同様、絶縁基板１０上面上に、略平滑状に、略均一の膜厚で、該抵抗体層３０ｆが設けられているため、抵抗値の分布が、従来（どうしても抵抗体層と上面電極層とがオーバーラップする部分があって、その段差により、抵抗値にバラツキが発生しやすかった）よりも良好となる。
また、とりわけ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂのように抵抗体層３０が上面電極層２２上に重合してしかも抵抗値が高い場合は、平面視したとき、保護層４０及び側面電極層２４の上面側の回り込み部よりも露出する抵抗体層３０には電流が流れ難く電気メッキができない場合があるが、絶縁基板１０上面上に抵抗体層３０ｆが形成されるので、電気メッキを施す面には抵抗体層３０ｆは露出せず、問題なく電気メッキをすることができる。
さらに、製造上において、絶縁基板原板上面上に、上記抵抗体層３０ｆを上記のような平面形状とすることにより、上記Ａ工程において、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストの一次分割用スリットへの侵入を全くなくすることができて、Ｆ工程での分割に際し、その分割作業に支障がなくなる。
【００６３】
次に、第七具体例を図９（ｂ）を利用して説明する。なお、側断面は図４と同じとなるため、図示しない。
本第七具体例のチップ抵抗器Ａ７は、上記第六具体例と同様に、絶縁基板１０と、電極部２０ｄと、抵抗体層３０ｇと、保護層４０ａとを有している（図４参照）。
すなわち、チップ抵抗器Ａ７は、略直方体形状の絶縁基板１０上面上に、略均一の膜厚で設けた抵抗体層３０ｇと、一対の電極部２０ｄ、つまり、上面電極層２２ｂと、該抵抗体層３０ｇ上に設けた該上面電極層２２ｂの一部、該絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ及び下面の一部を覆うように設けた側面電極層２４ｂと、該側面電極層２４ｂ等をさらに外側から覆う２層のニッケルメッキ層２６及びハンダメッキ層２８とを有し、上記上面電極層２２ｂの一部及び上記抵抗体層３０ｇの一部を覆う第１ガラス層４２ａと、上記上面電極層２２ｂの一部及び該第１ガラス層４２ａを覆う第２ガラス層４４ａからなる保護層４０ａを備えている点で、上記第六具体例と同様である。
【００６４】
しかし、上記抵抗体層３０ｇは、図９（ｂ）に示すように、その平面形状は、上記絶縁基板１０上面上に設けられたその形成幅が、上記第一具体例の形成幅Ｆと略同一幅で、かつ、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ間の距離よりも形成長を短くして距離Ｄ２とした略長方形状を呈する中心部分層ｐと、これは上記第六具体例と同様であるが、その両側に、ともに略同一サイズの円形状を呈する左上部分層ｓ、左下部分層ｔ、右上部分層ｕ及び右下部分層ｖとが配置されて形成されている点で相違している。
なお、上記構成の本第七具体例のチップ抵抗器Ａ７の製造方法については、上記第一具体例の製造方法と変わりがなく、すなわち、上記ＡからＩの９工程を経て製造するが、ただ、Ａ工程においては、抵抗体層３０ｇを上記中心部分層ｐ、上記左上部分層ｓ、上記左下部分層ｔ、上記右上部分層ｕ、上記右下部分層ｖのそれぞれに配設して、Ｂ工程においては、上面電極層２２ｂの膜厚を、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２の膜厚の略３倍にし、Ｇ工程においては、側面電極層２４ｂの膜厚を、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する側面電極層２４の膜厚の略２倍にする必要がある。
【００６５】
次に、本第七具体例のチップ抵抗器Ａ７の使用状態について、上記図２（ｂ）を準じて説明する。
チップ抵抗器Ａ７は、上記チップ抵抗器Ａ２と同様に、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式においては、その上面側を、つまり、一対の上面電極層２２ｂが設けられている側を、配線基板５０上に配設して使用される場合がある。
すなわち、該配線基板５０に有するランド電極５２と一対の電極部２０ｄ（絶縁基板１０の上面側及び側面側）とにハンダ６０を付けて接続し、チップ抵抗器Ａ７が上記配線基板５０上に固定される。
【００６６】
上記構成のチップ抵抗器Ａ７によれば、上記チップ抵抗器Ａ２と同様、上面電極層２２ｂが抵抗体層３０ｇ上に重合して形成されるので、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２と抵抗体層３０との配設形態では、段差が比較的大きいことによるクラックの発生や特性劣化のおそれがあるため、該上面電極層２２の膜厚の範囲を制限せざるを得なかったが、この場合は、該上面電極層２２ｂの膜厚の範囲の制限はなく、自由に厚くすることができるとともに、側面電極層２４ｂの膜厚も厚くすることによって、電極部２０ｄの頂面の一部を容易に頂線Ｈ２にまですることができる。
また、配線基板５０上に配設する場合に当たって、その上面側は、一対の電極部２０ｄの頂面が保護層４０ａの頂面よりも高いので、バルク実装に適し、特に、配線パターン５６が設けられている場合でも該配線パターン５６には接触せず、確実に実装することができる。従って、該一対の電極部２０ｄ（上面電極層２２ｂが設けられている側）のうち、片側の電極部２０ｄとランド電極５２との間で大きな隙間が生じたり（図１５参照）、セルフアライメント性を低下させたり（図１７〜図１９参照）、ツームストーン現象と呼ばれるいわゆるチップ立ち（図１６参照）を発生させるおそれはない。
【００６７】
また、上記チップ抵抗器Ａ１と同様、絶縁基板１０上面上に、略平滑状に、略均一の膜厚で、該抵抗体層３０ｇが設けられているため、抵抗値の分布が、従来（どうしても抵抗体層と上面電極層とがオーバーラップする部分があって、その段差により、抵抗値にバラツキが発生しやすかった）よりも良好となる。
また、とりわけ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂのように抵抗体層３０が上面電極層２２上に重合してしかも抵抗値が高い場合は、平面視したとき、保護層４０及び側面電極層２４の上面側の回り込み部よりも露出する抵抗体層３０には電流が流れ難く電気メッキができない場合があるが、絶縁基板１０上面上に抵抗体層３０ｇが形成されるので、電気メッキを施す面には抵抗体層３０ｇは露出せず、問題なく電気メッキをすることができる。
さらに、製造上において、絶縁基板原板上面上に、上記抵抗体層３０ｇを上記のような平面形状とすることにより、上記Ａ工程において、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストの一次分割用スリットへの侵入を全くなくすることができて、Ｆ工程での分割に際し、その分割作業に支障がなくなる。
また、抵抗体層３０ｇの形成に当たって、図９（ａ）に示す抵抗ペースト量に比し、図９（ｂ）に示すように、少ない抵抗ペースト量で済み、経済的である。
【００６８】
次に、第八具体例を図５及び図７（ａ）を利用して説明する。
本第八具体例のチップ抵抗器Ａ８は、図５に示すように、絶縁基板１０と、電極部２０ｅと、抵抗体層３０ｈと、保護層４０ａとを有している。但し、上記第一具体例等とは異なり、抵抗体層と上面電極層の配設状態は、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂのように、上面電極層上にオーバーラップして抵抗体層が重合して形成されている。
すなわち、チップ抵抗器Ａ８は、上記第一具体例と同様の略直方体形状の絶縁基板１０上面上に、一対の電極部２０ｅのうちの図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂのものと同一に形成された一対の上面電極層２２と、図７（ａ）に示す上記抵抗体層３０ａの平面形状と同様に該上面電極層２２上に該絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ間を連結するべく、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストを略均一の膜厚でスクリーン印刷し焼成して設けた抵抗体層３０ｈと、上記絶縁基板１０上に設けた上記上面電極層２２の一部、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ、下面の一部及び該抵抗体層３０ｈの一部を覆うように、銀等の導電ペーストをスクリーン印刷し焼成して設けた側面電極層２４と、該側面電極層２４等をさらに外側から覆う略均一の膜厚の２層のニッケルメッキ層２６及びハンダメッキ層２８とを有し、上記抵抗体層３０ｈの一部を覆う第１ガラス層４２ａと、上記抵抗体層３０ｈの一部及び該第１ガラス層４２ａを覆う第２ガラス層４４ａからなる上記第一具体例と同様の保護層４０ａを備えている。
そして、該電極部２０ｅの頂面と該保護層４０ａの頂面は、チップ抵抗器Ａ８の上面側において、図５に示すように、ともに頂線Ｈ１まで至っている。つまり、略同等の高さを有している。
【００６９】
なお、上記構成の本第八具体例のチップ抵抗器Ａ８の製造方法については、基本的に上記第一具体例の製造方法と同じ上記ＡからＩの９工程を経て製造するものであるが、Ａ工程とＢ工程とが次のように変更したものとなる。
すなわち、Ａ工程は、一次及び二次分割用スリットを有し、主にアルミナで構成された図示しない平板状の絶縁基板原板の上面側に、上面電極層２２を設ける工程となる。銀等の導電ペーストを、形成幅Ｆで略均一に、かつ、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂに有する上面電極層２２の膜厚で、スクリーン印刷し、焼成する。
Ｂ工程は、抵抗体層３０ｈを設ける工程となる。一次分割用スリット間を連結するべく、上記Ａ工程において設けられた上面電極層２２上に、図７（ａ）に示すように該上面電極層２２の形成幅Ｆと略同一幅で、かつ、図５に示すように、略均一の膜厚で重合させるべく、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストを、スクリーン印刷し、焼成する。
【００７０】
次に、本第八具体例のチップ抵抗器Ａ８の使用状態について、上記図１（ｃ）に準じて説明する。
チップ抵抗器Ａ８は、上記チップ抵抗器Ａ１と同様に、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式においては、その上面側を、つまり、一対の上面電極層２２が設けられている側を、配線基板５０上に配設して使用される場合がある。
すなわち、該配線基板５０に有するランド電極５２と一対の電極部２０ｅ（絶縁基板１０の上面側及び側面側）とにハンダ６０を付けて接続し、チップ抵抗器Ａ８が上記配線基板５０上に固定される。この配線基板５０上に配設する場合に当たって、その上面側は、一対の電極部２０ｅの頂面と保護層４０ａの頂面とはほぼ同等の高さ（頂線Ｈ１）を有しているので、バルク実装に適している。
【００７１】
上記構成のチップ抵抗器Ａ８によれば、上記チップ抵抗器Ａ１と同様に、キャリアテープによるワンバイワン方式においては、チップ抵抗器Ａ８を配線基板５０上に実装する場合に当たって、その上面側においては、一対の電極部２０ｅの頂面と保護層４０ａの頂面とはほぼ同等の高さ（頂線Ｈ１）を有しているので、チップ抵抗器Ａ８の上面側全体がほぼ平滑状となり、該配線基板５０への実装時の吸着ノズルにおける吸着姿勢が安定して、落下やいわゆる立ち吸着が減少し、よって、チップ抵抗器Ａ８の上記配線基板５０への実装率を格段に向上させることができる。
また、上面電極層２２と抵抗体層３０ｈとの配設形態は、上記従来のチップ抵抗器Ｂと略同様であるが、段差が比較的小さいので、クラックの発生や特性劣化のおそれは低く、また、該抵抗体層３０ｈが絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ間を連結するべく配設されているので、各端部においては、抵抗値のバラツキは小さくなり、さらに、上記抵抗体層３０ｈを電極部２０ｅに積層することにより、容易に電極部２０ｅの頂面を容易に頂線Ｈ１にまですることができる。
【００７２】
次に、第九具体例を図６及び図９（ａ）を利用して説明する。
本第九具体例のチップ抵抗器Ａ９は、図６に示すように、絶縁基板１０と、電極部２０ｆと、抵抗体層３０ｉと、調整層３７と、保護層４０とを有している。なお、上記第八具体例と同様、抵抗体層と上面電極層の配設状態は、図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂのように、上面電極層上に一部がオーバーラップして抵抗体層が形成されている。
すなわち、チップ抵抗器Ａ９は、上記第一具体例と同様の略直方体形状の絶縁基板１０上面上に、一対の電極部２０ｆのうちの図１３に示す上記従来のチップ抵抗器Ｂのものと同一に形成された一対の上面電極層２２と、図９（ａ）に示す上記抵抗体層３０ｅの中心部分層ｐの平面形状と同様に、形成幅Ｆで、かつ、該絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ間の距離よりも形成長を短くして距離Ｄ２とした略長方形状を呈し、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストを略均一の膜厚でスクリーン印刷し焼成して設け、その左右両端近傍が該上面電極層２２上にオーバーラップして形成された抵抗体層３０ｉと、図９（ａ）に示す上記抵抗体層３０ｅの左部分層ｑ及び右部分層ｒの平面形状と同様に、該抵抗体層３０ｉの両側で、所定の間隔を開けて、形成幅Ｆで、上記抵抗体層３０ｉと同じ材料で、上記上面電極層２２上に上記抵抗体層３０ｉと同時に形成された調整層３７と、上記絶縁基板１０上に設けた上記上面電極層２２の一部、該調整層３７、上記絶縁基板１０の端部Ｌ、Ｒ、下面の一部を覆うように、銀等の導電ペーストをスクリーン印刷し焼成して設けた側面電極層２４と、該側面電極層２４等をさらに外側から覆う略均一の膜厚の２層のニッケルメッキ層２６及びハンダメッキ層２８とを有し、上記抵抗体層３０ｉ全体を覆う第１ガラス層４２と、上記上面電極層２２の一部及び該第１ガラス層４２を覆う第２ガラス層４４からなる上記従来のチップ抵抗器Ｂと同様の保護層４０を備えている。
【００７３】
そして、該電極部２０ｆの一部の頂面と該保護層４０の頂面は、チップ抵抗器Ａ９の上面側において、図６に示すように、ともに頂線Ｈ１まで至っている。つまり、略同等の高さを有している。
なお、上記調整層３７とは、実質的には抵抗体層に相当するものであるが、その配設位置により、抵抗体としての機能を果たさないものである。
また、上記構成の本第九具体例のチップ抵抗器Ａ９の製造方法については、上記第八具体例の製造方法と同様である。ただ、Ｂ工程においては、抵抗体層３０ｉ及び調整層３７全体の形成長を一次分割用スリット間の距離よりも短くして距離Ｄ１としつつ、距離Ｄ２の形成長を有する該抵抗体層３０ｉ、該調整層３７のそれぞれに三分割する必要がある。
【００７４】
次に、本第九具体例のチップ抵抗器Ａ９の使用状態について、上記図１（ｃ）に準じて説明する。
チップ抵抗器Ａ９は、上記チップ抵抗器Ａ１と同様に、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式においては、その上面側を、つまり、一対の上面電極層２２が設けられている側を、配線基板５０上に配設して使用される場合がある。
すなわち、該配線基板５０に有するランド電極５２と一対の電極部２０ｆ（絶縁基板１０の上面側及び側面側）とにハンダ６０を付けて接続し、チップ抵抗器Ａ９が上記配線基板５０上に固定される。この配線基板５０上に配設する場合に当たって、その上面側は、一対の電極部２０ｆの頂面と保護層４０の頂面とはほぼ同等の高さ（頂線Ｈ１）を有しているので、バルク実装に適している。
【００７５】
上記構成のチップ抵抗器Ａ９によれば、上記チップ抵抗器Ａ１と同様に、キャリアテープによるワンバイワン方式においては、チップ抵抗器Ａ９を配線基板５０上に実装する場合に当たって、その上面側においては、一対の電極部２０ｆの頂面と保護層４０の頂面とはほぼ同等の高さ（頂線Ｈ１）を有しているので、チップ抵抗器Ａ９の上面側全体がほぼ平滑状となり、該配線基板５０への実装時の吸着ノズルにおける吸着姿勢が安定して、落下やいわゆる立ち吸着が減少し、よって、チップ抵抗器Ａ９の上記配線基板５０への実装率を格段に向上させることができる。
また、上面電極層２２と抵抗体層３０ｉの配設形態は、上記従来のチップ抵抗器Ｂと略同様であるが、段差が比較的小さいので、クラックの発生や特性劣化のおそれは低く、また、調整層３７を電極部２０ｆに積層することにより、容易に電極部２０ｆの頂面を容易に頂線Ｈ１にまですることができる。さらに、製造上において、絶縁基板原板上面上に、抵抗体層３０ｉ及び調整層３７を上記のような平面形状とすることにより、上記Ｂ工程において、酸化ルテニウム系等の抵抗ペーストの一次分割用スリットへの侵入を全くなくすることができて、Ｆ工程での分割に際し、その分割作業に支障がなくなる。
また、抵抗体層３０ｉ及び調整層３７の形成に当たって、図８（ａ）に示す抵抗ペースト量に比し、図９（ａ）に示すように、少ない抵抗ペースト量で済み、経済的である。
【００７６】
次に、第十〜第十六具体例を順に図１０〜図１２を利用して説明するが、これらの具体例はすべて、上記第一〜第七具体例において説明した各抵抗体層の平面形状に、さらに、別個の複数の切欠部を設けた平面形状である点が相違するものであり、よって、抵抗ペースト量が比較的少なくて済み、一層経済的である。従って、この点を除けば、目的、発明特定事項、効果はそれぞれ上記第一〜第七具体例の各チップ抵抗器Ａ１〜Ａ７と同様である。よって、抵抗体層の平面形状以外の説明については、以下省略する。
【００７７】
まず、第十具体例を図１０（ａ）を利用して説明する。
本第八具体例のチップ抵抗器Ａ１０は、上記第一具体例のチップ抵抗器Ａ１に準じたものである。
抵抗体層３０ｊの平面形状は、図１０（ａ）に示すように、上記第一具体例のチップ抵抗器Ａ１に形成された抵抗体層３０ａの平面形状に、略長方形状を呈する切欠部３６を２個設けたものである。
次に、第十一具体例を図１０（ｂ）を利用して説明する。
本第十一具体例のチップ抵抗器Ａ１１は、上記第二具体例のチップ抵抗器Ａ２に準じたものである。
抵抗体層３０ｋの平面形状は、図１０（ｂ）に示すように、上記第二具体例のチップ抵抗器Ａ２に形成された抵抗体層３０ｂの平面形状に、略長方形状を呈する切欠部３６を２個設けたものである。
【００７８】
次に、第十二具体例を図１０（ｃ）を利用して説明する。
本第十二具体例のチップ抵抗器Ａ１２は、上記第三具体例のチップ抵抗器Ａ３に準じたものである。
抵抗体層３０ｌの平面形状は、図１０（ｃ）に示すように、上記第三具体例のチップ抵抗器Ａ３に形成された抵抗体層３０ｃの平面形状に、略長方形状を呈する切欠部３６を２個設けたものである。
次に、第十三具体例を図１１（ａ）を利用して説明する。
本第十三具体例のチップ抵抗器Ａ１３は、上記第四具体例のチップ抵抗器Ａ４に準じたものである。
抵抗体層３０ｍの平面形状は、図１１（ａ）に示すように、上記第四具体例のチップ抵抗器Ａ４に形成された抵抗体層３０ｄの平面形状に、略長方形状を呈する切欠部３６を２個設けたものである。
【００７９】
次に、第十四具体例を図１１（ｂ）を利用して説明する。
本第十四具体例のチップ抵抗器Ａ１４は、上記第五具体例のチップ抵抗器Ａ５に準じたものである。
抵抗体層３０ｎの平面形状は、図１１（ｂ）に示すように、上記第五具体例のチップ抵抗器Ａ５に形成された抵抗体層３０ｅの平面形状に、略長方形状を呈する切欠部３８を２個設けたものであって、結果的に、逆Ｔ字状を呈するｗと、略四角形状を呈するｘ、ｙとに分割された形状に形成されている。
次に、第十五具体例を図１２（ａ）を利用して説明する。
本第十五具体例のチップ抵抗器Ａ１５は、上記第六具体例のチップ抵抗器Ａ６に準じたものである。
抵抗体層３０ｚの平面形状は、図１２（ａ）に示すように、上記第六具体例のチップ抵抗器Ａ６に形成された抵抗体層３０ｆの平面形状のうち中心部分層ｐに相当する部分に、略長方形状を呈する切欠部３９を２個設けたものであって、結果的に、中心部分層ｐに相当した部分は逆Ｔ字状を呈している。
【００８０】
次に、第十六具体例を図１２（ｂ）を利用して説明する。
本第十六具体例のチップ抵抗器Ａ１６は、上記第七具体例のチップ抵抗器Ａ７に準じたものである。
抵抗体層３０αの平面形状は、図１２（ｂ）に示すように、上記第七具体例のチップ抵抗器Ａ７に形成された抵抗体層３０ｇの平面形状のうち中心部分層ｐに相当する部分に、略長方形状を呈する切欠部３９を２個設けたものであって、結果的に、中心部分層ｐに相当した部分は逆Ｔ字状を呈している。
【００８１】
なお、本具体例では、抵抗体層の形成形状を略均一の形成幅Ｆ、略均一の膜厚、形成幅Ｇ、形成長Ｄ１、Ｄ２と、電極部の頂面を頂線Ｈ１、Ｈ２と表示して説明しているが、ともに絶縁基板１０の形状、大きさ等により、その具体的な数値は変動する。従って、その態様が本具体例と同様であれば、同一のものと解することができる。
また、本第二、第四から第九、第十一、第十三から第十六具体例では、チップ抵抗器の上面側における電極部の頂面を保護層の頂面よりも高くしているが、第一具体例等のように、チップ抵抗器の上面側における電極部の頂面と保護層の頂面とを略同等としてもよい。
【００８２】
また、本具体例は、チップ抵抗器の実装方式として、キャリアテープによるワンバイワン方式、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式のいずれにも対応させることができる。
さらに、本具体例では、抵抗体層の平面形状について各種説明しているが、本具体例に限定するものではなく、特に、絶縁基板の両端部近傍の平面形状は、一次分割用スリットに沿って短冊状等に絶縁基板原板を分割する際に、抵抗ペーストの該一次分割用スリットへの侵入を極力防止できて、分割しやすくできればよいのであって、任意の形状を呈していてもよい。
【００８３】
【発明の効果】
本発明に基づく請求項１に記載のチップ抵抗器によれば、従来のチップ抵抗器に比し、電極部を構成する各層の厚さを全く変更することなく、上記電極部の頂面を比較的容易に高くすることができる。また、該抵抗体層を含めて各層の膜厚のわずかな変更により上記電極部の頂面を容易に制御することができる。よって、チップ抵抗器の製造も容易とすることができる。また、特に、製造上、絶縁基板上面において、最下層として抵抗体層が形成されるので、その後に上面電極層を形成するに際し、従来のチップ抵抗器のように、抵抗体層の配設を考慮する必要がなく、かつ、該上面電極層の膜厚を自由に設定することが可能となって、しかも、抵抗体層の膜厚も含めつつ、電極部の頂面を容易に制御することができる。よって、チップ抵抗器の製造も容易とすることができる。また、抵抗体層が、従来のチップ抵抗器のように、側面視すると、上面電極層の一部とオーバーラップして曲折部分を生ずることなく、絶縁基板上面に設けられるので、抵抗値のバラツキの要因が減少し、該抵抗値の分布が良好となる。さらに、とりわけ、従来のチップ抵抗器のように抵抗体層が上面電極層上に重合してしかも抵抗値が高い場合は、平面視したとき、保護層及び側面電極層の上面側の回り込み部よりも露出する抵抗体層には電流が流れ難く電気メッキができない場合があるが、絶縁基板上面において、最下層として抵抗体層が形成されるので、電気メッキを施す面には抵抗体層は露出せず、問題なく電気メッキをすることができる。
【００８４】
また、特に、請求項３に記載のチップ抵抗器によれば、絶縁基板原板（各個片のチップ抵抗器に分割する前の、すなわち、複数のチップ抵抗器が上下・左右方向に連結されているもの）に有する一次分割用スリットに上記抵抗体層が侵入することがないので、製造工程において、該絶縁基板原板を短冊状に分割するに際し、全く支障がなくなり、従って、チップ抵抗器の製造を容易とすることができる。
【００８５】
また、特に、請求項４に記載のチップ抵抗器によれば、調整層が平面視における該保護層が形成されていない領域に形成されているので、従来のチップ抵抗器に比し、電極部を構成する各層の厚さを全く変更することなく、上記電極部の頂面を比較的容易に高くすることができる。また、調整層を含めて各層の膜厚のわずかな変更により上記電極部の頂面を容易に制御することができる。よって、チップ抵抗器の製造も容易とすることができる。また、特に、製造上、絶縁基板上面において、最下層として抵抗体層が形成されるので、その後に上面電極層を形成するに際し、従来のチップ抵抗器のように、抵抗体層の配設を考慮する必要がなく、かつ、該上面電極層の膜厚を自由に設定することが可能となって、しかも、抵抗体層の膜厚も含めつつ、電極部の頂面を容易に制御することができる。よって、チップ抵抗器の製造も容易とすることができる。また、抵抗体層が、従来のチップ抵抗器のように、側面視すると、上面電極層の一部とオーバーラップして曲折部分を生ずることなく、絶縁基板上面に設けられるので、抵抗値のバラツキの要因が減少し、該抵抗値の分布が良好となる。さらに、とりわけ、従来のチップ抵抗器のように抵抗体層が上面電極層上に重合してしかも抵抗値が高い場合は、平面視したとき、保護層及び側面電極層の上面側の回り込み部よりも露出する抵抗体層には電流が流れ難く電気メッキができない場合があるが、絶縁基板上面において、最下層として抵抗体層や調整層が形成されるので、電気メッキを施す面には抵抗体層や調整層は露出せず、問題なく電気メッキをすることができる。
【００８６】
また、特に、請求項５に記載のチップ抵抗器によれば、キャリアテープによるワンバイワン方式においては、チップ抵抗器の配線基板への実装時の吸着ノズルにおける吸着姿勢が安定し、落下やいわゆる立ち吸着が減少して、従って、チップ抵抗器の配線基板への実装率を格段に向上させることができる。
【００８７】
また、特に、請求項６に記載のチップ抵抗器によれば、バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式においては、チップ抵抗器の上面側が下向きで配線基板に実装される場合には、保護層が配線基板と接触して、片側の電極部とランド電極との間に大きな隙間を生ずることもなく、また、ツームストーン現象と呼ばれるいわゆるチップ立ちが減少するとともに、良好なセルフアライメント効果を得ることができて、従って、チップ抵抗器の配線基板への実装率を格段に向上させることができる。また、特に、請求項７に記載のチップ抵抗器によれば、製造上、抵抗体層が切欠部を有しているので、絶縁基板原板（各個片のチップ抵抗器に分割する前の、すなわち、複数のチップ抵抗器が上下・左右方向に連結されているもの）に有する一次分割用スリットに該抵抗体層が侵入することが少なくなるので、製造工程において、該絶縁基板原板を短冊状に分割するに際し、その分割性が向上し、従って、チップ抵抗器の製造を容易とすることができる。さらに、製造上、該切欠部を有する分だけ抵抗ペーストの使用量を少なくすることができ、従って、製造コストを引き下げることができる。
【００８８】
また、特に、請求項８に記載のチップ抵抗器によれば、製造上、抵抗体層の平面形状を絶縁基板の左右両端部間の距離よりも短くなして、該抵抗体層が配設されているので、絶縁基板原板（各個片のチップ抵抗器に分割する前の、すなわち、複数のチップ抵抗器が上下・左右方向に連結されているもの）に有する一次分割用スリットに上記抵抗体層が侵入することがないので、製造工程において、該絶縁基板原板を短冊状に分割するに際し、全く支障がなくなり、従って、チップ抵抗器の製造を容易とすることができる。
さらに、特に、請求項９に記載のチップ抵抗器によれば、抵抗体層が、一対の上面電極層が配設される範囲内の少なくとも一箇所で、分割されて形成されるため、製造上の抵抗ペーストの使用量を少なくすることができ、従って、製造コストを引き下げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に基づく第一具体例のチップ抵抗器を示し、（ａ）は側断面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は使用状態を示す説明図である。
【図２】本発明に基づく第二具体例のチップ抵抗器を示し、（ａ）は側断面図、（ｂ）は使用状態を示す説明図である。
【図３】本発明に基づく第四具体例のチップ抵抗器を示す側断面図である。
【図４】本発明に基づく第六具体例のチップ抵抗器を示す側断面図である。
【図５】本発明に基づく第八具体例のチップ抵抗器を示す側断面図である。
【図６】本発明に基づく第九具体例のチップ抵抗器を示す側断面図である。
【図７】本発明に基づく第一から第三具体例のチップ抵抗器における抵抗体層の形成形状を示し、（ａ）は第一具体例に関する平面図、（ｂ）は第二具体例に関する平面図、（ｃ）は第三具体例に関する平面図である。
【図８】本発明に基づく第四又は第五具体例のチップ抵抗器における抵抗体層の形成形状を示し、（ａ）は第四具体例に関する平面図、（ｂ）は第五具体例に関する平面図である。
【図９】本発明に基づく第六又は第七具体例のチップ抵抗器における抵抗体層の形成形状を示し、（ａ）は第六具体例に関する平面図、（ｂ）は第七具体例に関する平面図である。
【図１０】本発明に基づく第八から第十具体例のチップ抵抗器における抵抗体層の形成形状を示し、（ａ）は第八具体例に関する平面図、（ｂ）は第九具体例に関する平面図、（ｃ）は第十具体例に関する平面図である。
【図１１】本発明に基づく第十一又は第十二具体例のチップ抵抗器における抵抗体層の形成形状を示し、（ａ）は第十一具体例に関する平面図、（ｂ）は第十二具体例に関する平面図である。
【図１２】本発明に基づく第十三又は第十四具体例のチップ抵抗器における抵抗体層の形成形状を示し、（ａ）は第十三具体例に関する平面図、（ｂ）は第十四具体例に関する平面図である。
【図１３】従来のチップ抵抗器を示す側断面図である。
【図１４】キャリアテープによるワンバイワン方式において、従来のチップ抵抗器を吸着ノズルにて吸着している状態を側面視して示す説明図である。
【図１５】バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式において、従来のチップ抵抗器の使用状態を側面視して示す説明図である。
【図１６】バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式において、従来のチップ抵抗器の使用状態を側面視して示す説明図である。
【図１７】バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式において、従来のチップ抵抗器の使用状態を平面視して示す説明図である。
【図１８】バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式において、従来のチップ抵抗器の使用状態を平面視して示す説明図である。
【図１９】バルクケースによるマルチマウント方式又はワンバイワン方式において、従来のチップ抵抗器の使用状態を平面視して示す説明図である。
【符号の説明】
１０ 絶縁基板
２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆ 電極部
２２、２２ａ、２２ｂ 上面電極層
２４、２４ａ、２４ｂ 側面電極層
２６ ニッケルメッキ層
２８ ハンダメッキ層
３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄ、３０ｅ、３０ｆ、３０ｇ、３０ｈ、３０ｉ、３０ｊ、３０ｋ、３０ｌ、３０ｍ、３０ｎ、３０ｚ、３０α 抵抗体層
３２、３４、３６、３８、３９ 切欠部
３７ 調整層
４０、４０ａ 保護層
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８、Ａ９、Ａ１０、Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３、Ａ１４、Ａ１５、Ａ１６ チップ抵抗器
Ｄ１、Ｄ２ 抵抗体層の形成長の距離
Ｈ１、Ｈ２ 頂線
Ｌ 端部
Ｒ 端部
Claims (7)
- チップ抵抗器であって、
絶縁基板と、
該絶縁基板の上面に接触して形成され、厚膜により形成された抵抗体層と、
該抵抗体層の両側に接続され、厚膜により形成された電極部で、該抵抗体層との接続領域において、該抵抗体層の上面に接触して形成された電極部と、
該抵抗体層を保護するための保護層と、
を有し、
少なくとも、平面視における該保護層が形成されていない領域において、該電極部が該抵抗体層の上面に接触して積層していることを特徴とするチップ抵抗器。 - 上記抵抗体層が、一対の電極部間の方向において、絶縁基板の一方の端位置から他方の端位置まで形成されていることを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
- 上記抵抗体層が、一対の電極部間の方向において、絶縁基板の長さよりも短く形成され、該方向の両側において、上記抵抗体層の端部と絶縁基板の端部間には、間隔が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
- チップ抵抗器であって、
絶縁基板と、
該絶縁基板の上面に接触して形成され、厚膜により形成された抵抗体層と、
該抵抗体層の両側に接続され、厚膜により形成された電極部で、該抵抗体層との接続領域において、該抵抗体層の上面に接触して形成された電極部と、
該抵抗体層を保護するための保護層と、
該絶縁基板の上面と該電極部の下面に接触して設けられ、厚膜により形成された調整層で、少なくとも、平面視における該保護層が形成されていない領域に形成されている調整層と、
を有することを特徴とするチップ抵抗器。 - 平面視において電極部が形成され保護層が形成されていない領域の頂面は、保護層の頂面と略同等の高さであることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４に記載のチップ抵抗器。
- 平面視において電極部が形成され保護層が形成されていない領域の頂面は、保護層の頂面よりも高いことを特徴とする請求項１又は２又は３又は４に記載のチップ抵抗器。
- 上記抵抗体層における一対の電極部間の方向の端部領域に、切欠部が形成されていることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６に記載のチップ抵抗器。
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