JPH0824215B2 - 厚膜回路装置の製造方法 - Google Patents
厚膜回路装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0824215B2 JPH0824215B2 JP62214374A JP21437487A JPH0824215B2 JP H0824215 B2 JPH0824215 B2 JP H0824215B2 JP 62214374 A JP62214374 A JP 62214374A JP 21437487 A JP21437487 A JP 21437487A JP H0824215 B2 JPH0824215 B2 JP H0824215B2
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- Japan
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- crossover
- electrode land
- region
- film
- soldering electrode
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- Expired - Lifetime
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- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、配線導体膜のクロスオーバ領域及び半田付
け電極ランドを有する厚膜回路装置の製造方法に関する
ものである。
け電極ランドを有する厚膜回路装置の製造方法に関する
ものである。
［従来の技術］ 混成集積回路装置の厚膜回路を製作する際には、ま
ず、アルミナ等の絶縁基板上に銀パラジウムペースト又
は銅ペースト等の導体ペーストを印刷し、乾燥し、焼成
することによって第１の配線導体膜を形成し、次にクロ
スオーバガラスペーストを印刷し、乾燥し、焼成するこ
とによってクロスオーバ絶縁層又は誘電体層を形成し、
次に、クロスオーバ配線のために導体ペーストを印刷
し、乾燥し、焼成することによって第２のクロスオーバ
配線導体膜を形成し、次に、抵抗ペーストを印刷し、乾
燥し、焼成することによって抵抗体を形成し、しかる
後、オーバコートガラスペーストを第１及び／又は第２
の配線導体膜に半田付け電極ランドが生じるように印刷
し、乾燥し、焼成することによってオーバコート即ち保
護絶縁膜を形成する。
ず、アルミナ等の絶縁基板上に銀パラジウムペースト又
は銅ペースト等の導体ペーストを印刷し、乾燥し、焼成
することによって第１の配線導体膜を形成し、次にクロ
スオーバガラスペーストを印刷し、乾燥し、焼成するこ
とによってクロスオーバ絶縁層又は誘電体層を形成し、
次に、クロスオーバ配線のために導体ペーストを印刷
し、乾燥し、焼成することによって第２のクロスオーバ
配線導体膜を形成し、次に、抵抗ペーストを印刷し、乾
燥し、焼成することによって抵抗体を形成し、しかる
後、オーバコートガラスペーストを第１及び／又は第２
の配線導体膜に半田付け電極ランドが生じるように印刷
し、乾燥し、焼成することによってオーバコート即ち保
護絶縁膜を形成する。
［発明が解決しようとする問題点］ ところで、混成集積回路装置の高密度化に伴い部品を
半田付けするための電極ランドをクロスオーバ領域の近
傍に設けなければならないことがあるが、電極ランドが
クロスオーバ領域に近接していると、保護絶縁膜によっ
て覆われない電極ランドを正確に形成することが困難で
ある。即ち、クロスオーバ領域は電極ランドに比べて絶
縁基板面から大幅に突出した領域となるため、オーバコ
ートガラスペーストを電極ランドの周辺に正確に印刷す
ることが困難になり、オーバコートガラスペーストのダ
レが生じ、所望形状の電極ランドを得ることが不可能に
なる。この様な状態が生じると、部品を半田付けするた
めの面積が減少し、信頼性の高い部品の接続を行うこと
が困難になる。また、クリーム半田が電極ランドのみで
なく、保護絶縁膜の上にも塗布され、半田による短絡の
発生が生じるおそれがある。
半田付けするための電極ランドをクロスオーバ領域の近
傍に設けなければならないことがあるが、電極ランドが
クロスオーバ領域に近接していると、保護絶縁膜によっ
て覆われない電極ランドを正確に形成することが困難で
ある。即ち、クロスオーバ領域は電極ランドに比べて絶
縁基板面から大幅に突出した領域となるため、オーバコ
ートガラスペーストを電極ランドの周辺に正確に印刷す
ることが困難になり、オーバコートガラスペーストのダ
レが生じ、所望形状の電極ランドを得ることが不可能に
なる。この様な状態が生じると、部品を半田付けするた
めの面積が減少し、信頼性の高い部品の接続を行うこと
が困難になる。また、クリーム半田が電極ランドのみで
なく、保護絶縁膜の上にも塗布され、半田による短絡の
発生が生じるおそれがある。
従来方法によれば、半田付け電極ランドがクロスオー
バ領域に0.9mm以内に近づくと上述の如き問題が顕著に
生じた。従って、半田付け電極ランドをクロスオーバ領
域から0.9mm以上離す必要があり、設計の自由度及び小
型化が制限された。
バ領域に0.9mm以内に近づくと上述の如き問題が顕著に
生じた。従って、半田付け電極ランドをクロスオーバ領
域から0.9mm以上離す必要があり、設計の自由度及び小
型化が制限された。
そこで、本発明の目的は、半田付け電極ランドを正確
に得ることができる厚膜回路装置の製造方法を提供する
ことにある。
に得ることができる厚膜回路装置の製造方法を提供する
ことにある。
［問題点を解決するための手段］ 上記問題点を解決し、上記目的を達成するための本発
明は、絶縁基板上に第１の配線導体膜と半田付け電極ラ
ンドとを設ける工程と、前記第１の配線導体膜に交差す
る第２の配線導体膜を設けるクロスオーバ領域及び少な
くともこのクロスオーバ領域に近接する前記半田付け電
極ランドの少なくとも前記クロスオーバ領域に近い周辺
領域にクロスオーバ絶縁層を設ける工程と、前記クロス
オーバ領域の前記クロスオーバ絶縁層の上に直接に又は
更に別のクロスオーバ絶縁層を介して前記第２の配線導
体膜を設ける工程と、前記第１及び第２の配線導体膜の
全部又は露出不要な部分を被覆すると共に、前記半田付
け電極ランドの少なくとも前記クロスオーバ絶縁膜が設
けられていない周辺領域は被覆するが、前記半田付け電
極ランドの周辺のクロスオーバ絶縁膜が設けられている
領域の全部又は一部は被覆しないように保護絶縁膜を設
ける工程とを有する厚膜回路装置の製造方法に係わるも
のである。
明は、絶縁基板上に第１の配線導体膜と半田付け電極ラ
ンドとを設ける工程と、前記第１の配線導体膜に交差す
る第２の配線導体膜を設けるクロスオーバ領域及び少な
くともこのクロスオーバ領域に近接する前記半田付け電
極ランドの少なくとも前記クロスオーバ領域に近い周辺
領域にクロスオーバ絶縁層を設ける工程と、前記クロス
オーバ領域の前記クロスオーバ絶縁層の上に直接に又は
更に別のクロスオーバ絶縁層を介して前記第２の配線導
体膜を設ける工程と、前記第１及び第２の配線導体膜の
全部又は露出不要な部分を被覆すると共に、前記半田付
け電極ランドの少なくとも前記クロスオーバ絶縁膜が設
けられていない周辺領域は被覆するが、前記半田付け電
極ランドの周辺のクロスオーバ絶縁膜が設けられている
領域の全部又は一部は被覆しないように保護絶縁膜を設
ける工程とを有する厚膜回路装置の製造方法に係わるも
のである。
［作用］ 本発明においては、少なくともクロスオーバ領域に近
接する半田付け電極ランドの少なくともクロスオーバ領
域に近い周辺領域に、クロスオーバ領域と同時に絶縁層
を形成する。この段階においてはクロスオーバ配線導体
膜がまだ設けられていないので、クロスオーバ領域と半
田付け電極ランドとの高低差が小さく、クロスオーバ絶
縁層を半田付け電極ランドの周辺に比較的正確に形成す
ることができる。
接する半田付け電極ランドの少なくともクロスオーバ領
域に近い周辺領域に、クロスオーバ領域と同時に絶縁層
を形成する。この段階においてはクロスオーバ配線導体
膜がまだ設けられていないので、クロスオーバ領域と半
田付け電極ランドとの高低差が小さく、クロスオーバ絶
縁層を半田付け電極ランドの周辺に比較的正確に形成す
ることができる。
［実施例］ 次に、第１図及び第２図を参照して本発明の実施例に
係わる厚膜回路を含む混成集積回路装置の製造方法を説
明する。
係わる厚膜回路を含む混成集積回路装置の製造方法を説
明する。
まず、第１図（Ａ）及び第２図（Ａ）に示す如く、ア
ルミナセラミック基板１の上に銀パラジウム導体ペース
トを印刷し、乾燥し、焼成（850℃、10分）することに
よって、膜厚14μｍの第１の配線導体膜２及び半田付け
電極ランド３を形成する。
ルミナセラミック基板１の上に銀パラジウム導体ペース
トを印刷し、乾燥し、焼成（850℃、10分）することに
よって、膜厚14μｍの第１の配線導体膜２及び半田付け
電極ランド３を形成する。
次に、第１図（Ｂ）及び第２図（Ｂ）に示す如く、配
線で示すクロスオーバ領域４及び半田付け電極ランド３
の周辺の一部に第１のクロスオーバガラスペーストを印
刷し、乾燥し、焼成（850℃、10分）して膜厚25μｍの
第１のクロスオーバ絶縁層５を斜線を付して示す領域に
形成する。この第１のクロスオーバ絶縁層５は第１の配
線導体膜２の一部を被覆していると共に、半田付け電極
ランド３のクロスオーバ領域４に近い領域の周辺も被覆
しているので、クロスオーバのためのみでなく、半田レ
ジスト層としても機能している。この第１のクロスオー
バ絶縁層５を形成するためのクロスオーバガラスペース
トの印刷時には、半田付け電極ランド３の近傍領域の凹
凸が少ないので、スキージが基板１に密着し、ダレの少
ない正確なパターンの印刷が達成され、半田付け電極ラ
ンド３上に対するクロスオーバガラスペーストの付着が
防止される。この実施例ではクロスオーバ領域４の中心
位置から半田付け電極ランド３の周縁までの距離Ｌが0.
9mm以下である。基板１上には図示されている半田付け
電極ランド３以外の半田付け電極ランドも勿論設けられ
ているが、これは0.9mm以上クロスオーバ領域４の中心
から離れているので、この周辺には第１のクロスオーバ
絶縁層５が設けられていない。しかし、必要に応じて0.
9mmよりも離れた半田付け電極ランドの周辺にも半田レ
ジスト層として第１のクロスオーバ絶縁層５と同一のも
のを同時に形成してもよい。
線で示すクロスオーバ領域４及び半田付け電極ランド３
の周辺の一部に第１のクロスオーバガラスペーストを印
刷し、乾燥し、焼成（850℃、10分）して膜厚25μｍの
第１のクロスオーバ絶縁層５を斜線を付して示す領域に
形成する。この第１のクロスオーバ絶縁層５は第１の配
線導体膜２の一部を被覆していると共に、半田付け電極
ランド３のクロスオーバ領域４に近い領域の周辺も被覆
しているので、クロスオーバのためのみでなく、半田レ
ジスト層としても機能している。この第１のクロスオー
バ絶縁層５を形成するためのクロスオーバガラスペース
トの印刷時には、半田付け電極ランド３の近傍領域の凹
凸が少ないので、スキージが基板１に密着し、ダレの少
ない正確なパターンの印刷が達成され、半田付け電極ラ
ンド３上に対するクロスオーバガラスペーストの付着が
防止される。この実施例ではクロスオーバ領域４の中心
位置から半田付け電極ランド３の周縁までの距離Ｌが0.
9mm以下である。基板１上には図示されている半田付け
電極ランド３以外の半田付け電極ランドも勿論設けられ
ているが、これは0.9mm以上クロスオーバ領域４の中心
から離れているので、この周辺には第１のクロスオーバ
絶縁層５が設けられていない。しかし、必要に応じて0.
9mmよりも離れた半田付け電極ランドの周辺にも半田レ
ジスト層として第１のクロスオーバ絶縁層５と同一のも
のを同時に形成してもよい。
次に、第１図（Ｃ）及び第２図（Ｃ）に示す如く、ク
ロスオーバ領域４の上には更に第２のクロスオーバガラ
スペーストを印刷し、乾燥し、焼成（850℃、10分）し
て膜厚20μｍの第２のクロスオーバ絶縁層６を形成す
る。
ロスオーバ領域４の上には更に第２のクロスオーバガラ
スペーストを印刷し、乾燥し、焼成（850℃、10分）し
て膜厚20μｍの第２のクロスオーバ絶縁層６を形成す
る。
次に、第１図（Ｄ）及び第２図（Ｄ）に示す如く、第
１及び第２のクロスオーバ絶縁層５、６の上に銀パラジ
ウム導体ペーストを印刷し、乾燥し、焼成（850℃、10
分）して第２の配線導体膜７を形成する。
１及び第２のクロスオーバ絶縁層５、６の上に銀パラジ
ウム導体ペーストを印刷し、乾燥し、焼成（850℃、10
分）して第２の配線導体膜７を形成する。
次に、第１図（Ｄ）及び第２図（Ｄ）に示す如く、抵
抗体ペーストを印刷し、乾燥し、焼成（850℃、10分）
することによって厚膜抵抗体８を形成する。
抗体ペーストを印刷し、乾燥し、焼成（850℃、10分）
することによって厚膜抵抗体８を形成する。
次に、第１図（Ｅ）及び第２図（Ｅ）に示す如く、オ
ーバコートガラスペーストを印刷し、乾燥し、焼成（53
0℃、３分）することによって膜厚12μｍの保護絶縁膜
９を形成する。なお、この保護絶縁膜９は、第１及び第
２の配線導体膜２、７及び抵抗体８を被覆すると共に、
半田付け電極ランド３の周辺の第１のクロスオーバ絶縁
層５で被覆されていない領域も被覆する。第１図（Ｅ）
では理解を容易にするために保護絶縁膜９の形成領域に
斜線が付されている。この保護絶縁膜９はクロスオーバ
領域４から0.9mm以内には設けられていないので、クロ
スオーバ領域４のために大きな凹凸にさほど妨害されず
に形成され、半田付け電極ランド３上に付着しない。
ーバコートガラスペーストを印刷し、乾燥し、焼成（53
0℃、３分）することによって膜厚12μｍの保護絶縁膜
９を形成する。なお、この保護絶縁膜９は、第１及び第
２の配線導体膜２、７及び抵抗体８を被覆すると共に、
半田付け電極ランド３の周辺の第１のクロスオーバ絶縁
層５で被覆されていない領域も被覆する。第１図（Ｅ）
では理解を容易にするために保護絶縁膜９の形成領域に
斜線が付されている。この保護絶縁膜９はクロスオーバ
領域４から0.9mm以内には設けられていないので、クロ
スオーバ領域４のために大きな凹凸にさほど妨害されず
に形成され、半田付け電極ランド３上に付着しない。
次に、厚膜抵抗体８のトリミングを行い、しかる後、
半田付け電極ランド３に半田合金粉末とフラックスとか
ら成るクリーム半田（半田ペースト）を印刷し、クリー
ム半田層（図示せず）を形成し、ここに部品（図示せ
ず）を仮接着し、クリーム半田を溶融し、固化すること
によって部品を半田付け電極ランド３に結合する。半田
付け電極ランド３が所望面積を有し、クリーム半田が所
望量塗布されることによって部品は確実に結合される。
半田付け電極ランド３に半田合金粉末とフラックスとか
ら成るクリーム半田（半田ペースト）を印刷し、クリー
ム半田層（図示せず）を形成し、ここに部品（図示せ
ず）を仮接着し、クリーム半田を溶融し、固化すること
によって部品を半田付け電極ランド３に結合する。半田
付け電極ランド３が所望面積を有し、クリーム半田が所
望量塗布されることによって部品は確実に結合される。
本実施例の効果を調べるために、半田付け電極ランド
３の周辺に第１のクロスオーバ絶縁層５を設ける代り
に、保護絶縁膜９を設けた従来構造の厚膜回路を作り、
半田付け電極ランド３上に対する保護絶縁膜９の付着を
調べたところ、1000個について52個の割合で付着が生じ
ていた。これに対して、本実施例では第１のクロスオー
バ絶縁層５及び保護絶縁膜９の半田付け電極ランド３に
対する付着は1000個について０個であった。
３の周辺に第１のクロスオーバ絶縁層５を設ける代り
に、保護絶縁膜９を設けた従来構造の厚膜回路を作り、
半田付け電極ランド３上に対する保護絶縁膜９の付着を
調べたところ、1000個について52個の割合で付着が生じ
ていた。これに対して、本実施例では第１のクロスオー
バ絶縁層５及び保護絶縁膜９の半田付け電極ランド３に
対する付着は1000個について０個であった。
［変形例］ 本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例え
ば次の変形が可能なものである。
ば次の変形が可能なものである。
（１）第２のクロスオーバ絶縁層６を設けないものにも
適用可能である。
適用可能である。
（２）第２のクロスオーバ絶縁層６も半田付け電極ラン
ド３の周辺まで延在させてもよい。また、第１のクロス
オーバ絶縁層５はクロスオーバ領域４又はこの近傍にの
み設け、第２のクロスオーバ絶縁層６のみを半田付け電
極ランド３の周辺まで延在させてもよい。
ド３の周辺まで延在させてもよい。また、第１のクロス
オーバ絶縁層５はクロスオーバ領域４又はこの近傍にの
み設け、第２のクロスオーバ絶縁層６のみを半田付け電
極ランド３の周辺まで延在させてもよい。
（３）クロスオーバ絶縁層５を、半田付け電極ランド３
の全周縁を囲むように設けてもよい。
の全周縁を囲むように設けてもよい。
（４）第１及び／又は第２のクロスオーバ絶縁層５、６
をクロスオーバ領域４及び半田付け電極ランド３の周辺
以外の領域に設けてもよい。
をクロスオーバ領域４及び半田付け電極ランド３の周辺
以外の領域に設けてもよい。
［発明の効果］ 上述から明らかな如く本発明によれば、絶縁層によっ
て囲まれた所望パターンの半田付け電極ランドを容易に
得ることができる。
て囲まれた所望パターンの半田付け電極ランドを容易に
得ることができる。
第１図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）（Ｅ）は、本発明の実
施例に従う混成集積回路装置を製造工程順に示す平面
図、 第２図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）（Ｅ）は、第１図
（Ａ）〜（Ｅ）の各断面を第１図（Ａ）のII−II線相当
部分で示す断面図である。 １……セラミック基板、２……配線導体膜、３……半田
付け電極ランド、４……クロスオーバ領域、５……第１
のクロスオーバ絶縁層、６……第２のクロスオーバ絶縁
層、７……第２の配線導体膜、８……抵抗体、９……保
護絶縁膜。
施例に従う混成集積回路装置を製造工程順に示す平面
図、 第２図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）（Ｅ）は、第１図
（Ａ）〜（Ｅ）の各断面を第１図（Ａ）のII−II線相当
部分で示す断面図である。 １……セラミック基板、２……配線導体膜、３……半田
付け電極ランド、４……クロスオーバ領域、５……第１
のクロスオーバ絶縁層、６……第２のクロスオーバ絶縁
層、７……第２の配線導体膜、８……抵抗体、９……保
護絶縁膜。
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁基板上に第１の配線導体膜と半田付け
電極ランドとを設ける工程と、 前記第１の配線導体膜に交差する第２の配線導体膜を設
けるクロスオーバ領域及び少なくともこのクロスオーバ
領域に近接する前記半田付け電極ランドの少なくとも前
記クロスオーバ領域に近い周辺領域にクロスオーバ絶縁
層を設ける工程と、 前記クロスオーバ領域の前記クロスオーバ絶縁層の上に
直接に又は更に別のクロスオーバ絶縁層を介して前記第
２の配線導体膜を設ける工程と、 前記第１及び第２の配線導体膜の全部又は露出不要な部
分を被覆すると共に、前記半田付け電極ランドの少なく
とも前記クロスオーバ絶縁膜が設けられていない周辺領
域は被覆するが、前記半田付け電極ランドの周辺のクロ
スオーバ絶縁膜が設けられている領域の全部又は一部は
被覆しないように保護絶縁膜を設ける工程と を有する厚膜回路装置の製造方法。 - 【請求項２】前記クロスオーバ領域に近接する前記半田
付け電極ランドは、前記クロスオーバ領域に最も近い周
縁が前記クロスオーバ領域の中心から0.9mmの範囲内に
位置するものである特許請求の範囲第１項記載の厚膜回
路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62214374A JPH0824215B2 (ja) | 1987-08-28 | 1987-08-28 | 厚膜回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62214374A JPH0824215B2 (ja) | 1987-08-28 | 1987-08-28 | 厚膜回路装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6457795A JPS6457795A (en) | 1989-03-06 |
| JPH0824215B2 true JPH0824215B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=16654729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62214374A Expired - Lifetime JPH0824215B2 (ja) | 1987-08-28 | 1987-08-28 | 厚膜回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0824215B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10227658B4 (de) | 2002-06-20 | 2012-03-08 | Curamik Electronics Gmbh | Metall-Keramik-Substrat für elektrische Schaltkreise -oder Module, Verfahren zum Herstellen eines solchen Substrates sowie Modul mit einem solchen Substrat |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5551029Y2 (ja) * | 1974-03-13 | 1980-11-27 | ||
| JPS51149558A (en) * | 1975-06-17 | 1976-12-22 | Tokyo Shibaura Electric Co | Multilayered printed board |
| JPS56132778U (ja) * | 1980-03-07 | 1981-10-08 | ||
| JPS61110490A (ja) * | 1984-11-02 | 1986-05-28 | 松下電器産業株式会社 | プリント基板へのレジスト膜形成方法 |
-
1987
- 1987-08-28 JP JP62214374A patent/JPH0824215B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6457795A (en) | 1989-03-06 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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