JP2002344137A - 厚膜多層基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】上下配線層間の導通不良のない厚膜多層基板お
よびその製造方法を提供する。 【解決手段】第１配線層形成工程において、接続パッド
６２が範囲Ａ内で一様な厚さ寸法となるように設けられ
た後、第１絶縁体層形成工程において、スクリーン１４
のビアホール５０に対応する非開口部１８の全体がその
平坦な範囲Ａ内に接した状態で第１絶縁体層４０が形成
される。そのため、非開口部１８の全体が接続パッド６
２に接した状態で厚膜絶縁ペーストが塗布されることか
ら、その非開口部１８の外周縁よりも内側に厚膜絶縁体
ペーストの入り込むことが抑制される。したがって、第
１絶縁体層４０内に設けられるビアホール５０は、その
非開口部１８の大きさに応じた所期の大きさに形成され
ることから、その第１絶縁体層４０の上に形成される第
２配線層４２と第１配線層３８とのその接続パッド６２
を介した接続状態が確保される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ビアホールを介し
て上下の配線が接続された厚膜多層基板およびその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、絶縁体層を介して複数の配線層
が積層された厚膜多層基板においては、全ての層を貫通
するスルーホールを備えた基板よりも配線密度延いては
実装密度を高める目的で、所望の一乃至複数層だけを貫
通してその上下或いはそれら複数層の配線を相互に接続
するビアホール(via hole)を設けることが行われてい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記のようなビアホー
ル基板では、基板上に設けられた一の配線層を覆うよう
に厚膜絶縁体ペーストを塗布して絶縁体層を設けた後、
その絶縁体層上に厚膜導体ペーストを所定パターンで塗
布して他の配線層が設けられる。下側の一の配線層に
は、上側の他の配線層と接続するための接続パッドが導
体パターンの所定位置に備えられており、絶縁体層は、
その接続パッド上に貫通穴(ビアホール)が位置する形状
となるように厚膜スクリーン印刷法で形成される。その
ため、この絶縁体層上に上記他の配線層を形成するため
の厚膜導体ペーストを塗布すると、その貫通穴内にその
導体ペーストが流れ込み、上下の配線層が接続される。

【０００４】しかしながら、一般に、厚膜多層基板の配
線層を構成する接続パッド１０は、図１に示されるよう
に頂部１２が凸曲面となる断面形状を備えている。一
方、この接続パッド１０上にビアホールを備えた絶縁体
層を形成する際に用いられるスクリーン１４には、その
ビアホールに対応する位置に乳剤１６で非開口部１８が
設けられているが、その乳剤１６の下面２０は略平坦で
ある。そのため、厚膜絶縁体ペーストを塗布するために
スクリーン１４が基板２２に向かって押圧された際に
も、接続パッド頂部１２と乳剤下面２０との間にはその
下面２０の周縁部側ほど大きくなる隙間２４が生じるこ
とから、その隙間２４に厚膜絶縁体ペーストが入り込ん
で、図２に示すように絶縁体層２６で接続パッド１０全
体或いはその大部分が覆われ、上側の配線層との導通不
良が生じる問題があった。

【０００５】本発明は、以上の事情を背景として為され
たものであって、その目的は、上下配線層間の導通不良
のない厚膜多層基板およびその製造方法を提供すること
にある。

【０００６】

【課題を解決するための第１の手段】斯かる目的を達成
するため、第１発明の厚膜多層基板の製造方法の要旨と
するところは、基板上に厚膜導体ペーストを塗布するこ
とにより所定の接続パッドを有する第１配線層を形成す
る第１配線層形成工程と、その第１配線層を覆うように
厚膜絶縁体ペーストを塗布することにより前記接続パッ
ド上にビアホールを備えた絶縁体層を形成する絶縁体層
形成工程と、その絶縁体層上に厚膜導体ペーストを塗布
することにより前記ビアホールを介して前記接続パッド
に接続される第２配線層を形成する第２配線層形成工程
とを含む厚膜スクリーン印刷法を用いた厚膜多層基板の
製造方法であって、(a)前記第１配線層形成工程におい
て、前記接続パッド内の所定範囲をその外周縁の厚さ寸
法が一様且つその内周部の厚さ寸法以上の値となるよう
に設けると共に、(b)前記絶縁体層形成工程において、
前記ビアホールに対応して厚膜印刷用スクリーンに設け
られた非開口部の外周縁全体が前記所定範囲の外周縁に
接した状態で前記絶縁体層を形成することにある。

【０００７】

【第１発明の効果】このようにすれば、第１配線層形成
工程において、接続パッドの所定範囲はその外周縁が一
様な厚さ寸法であってその内周部がそれよりも厚くなら
ないように設けられた後、絶縁体層形成工程において、
厚膜印刷用スクリーンの非開口部の外周縁全体が上記所
定範囲の外周縁に接した状態で絶縁体層が形成される。
すなわち、第１配線層の接続パッドのうち非開口部が接
することとなる所定範囲は、その非開口部の外周縁に対
応するその外周縁が一様な厚さ寸法で且つ最も厚くされ
る。そのため、非開口部の外周縁全体が接続パッドに接
した状態で、第１配線層の上に絶縁体層を形成するため
の厚膜絶縁体ペーストが塗布されることから、その非開
口部の外周縁よりも内側に厚膜絶縁体ペーストの入り込
むことが抑制される。したがって、絶縁体層内に設けら
れるビアホールは、その非開口部の大きさに応じた所期
の大きさに形成されることから、その絶縁体層の上に形
成される第２配線層と上記第１配線層とのその接続パッ
ドを介した接続状態が確保されるため、上下配線層間の
導通不良の無い厚膜多層基板が得られる。なお、上記の
説明から明らかなように、接続パッドの所定範囲は、形
成しようとするビアホールの開口の大きさに応じて定め
られるものである。

【０００８】

【課題を解決するための第２の手段】また、前記目的を
達成するための第２発明の厚膜多層基板の要旨とすると
ころは、所定の接続パッドを有する厚膜導体から成る第
１配線層と、その第１配線層を覆い且つその接続パッド
上にビアホールを有する絶縁体層と、その絶縁体層上に
設けられ且つそのビアホールを介して前記接続パッドに
接続された厚膜導体から成る第２配線層とを備えた厚膜
多層基板であって、(a)前記接続パッドは、前記ビアホ
ールの前記第１配線層側開口の外周縁に対応する位置に
おける厚さ寸法が一様且つその内周部における厚さ寸法
以上の値を有することにある。

【０００９】

【第２発明の効果】このような接続パッドを備えた厚膜
多層基板は、前記の第１発明のように厚膜印刷用スクリ
ーンの非開口部の外周縁全体が接続パッドに接した状態
で厚膜スクリーン印刷を施すことにより製造されるの
で、その接続パッド上のうち少なくともビアホール内側
となる位置には厚膜絶縁体が存在しない。そのため、そ
のビアホールを介した第１配線層と第２配線層との接続
が確保されているので、上下配線層間の導通不良の無い
厚膜多層基板が得られる。

【００１０】

【発明の他の態様】ここで、好適には、前記接続パッド
は、前記所定範囲の外周縁よりも内側および外側にそれ
ぞれ所定の幅寸法で広がる環状領域がその外周縁と同じ
厚さ寸法を有するものである。このようにすれば、接続
パッドと厚膜印刷用スクリーンの非開口部との相対位置
が設定された位置からずれた場合にも、上記所定の幅寸
法の範囲内での変化であれば、非開口部の外周縁全体が
接続パッドの頂部に接することになる。そのため、その
相対位置精度に応じて上記幅寸法を設定することによ
り、位置ずれが生じ得る場合にもビアホール内周への厚
膜絶縁体ペーストの滲み延いては導通不良が抑制できる
可能性が一層高められる。

【００１１】また、好適には、前記接続パッドは前記所
定範囲が平坦である。このようにすれば、厚膜絶縁体層
を形成するための厚膜スクリーン印刷時において、スク
リーンに設けられている非開口部の全体が接続パッドに
密着するので、その外周縁だけが接している場合に比較
して、厚膜絶縁体ペーストのビアホール内への滲み延い
ては導通不良が一層確実に防止される。また、厚膜スク
リーン印刷時の相対位置精度の考慮が不要になる利点も
ある。

【００１２】また、好適には、前記接続パッドは乾燥状
態では25(μm)以下、焼成後状態では15(μm)以下の膜厚
寸法を備え、且つ、差渡し寸法(矩形の場合には短辺の
長さ寸法、円形の場合には短径寸法)が400(μm)以上の
形状を備えたものである。すなわち、その差渡し寸法
は、乾燥状態で厚さ寸法の16倍以上の大きさに設定され
る。このようにすれば、膜厚に対して差渡し寸法が十分
に大きくされるので、その頂部が十分に広い範囲(すな
わち前記所定範囲)に亘って平坦になる。そのため、厚
膜スクリーン印刷時においてスクリーンの非開口部をそ
こに密着させ、延いては上下配線層間の導通不良を防止
することが一層容易になる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図面を
参照して詳細に説明する。

【００１４】図３は、本発明の製造方法を用いて製造し
た厚膜多層基板３０の全体を示す図である。多層基板３
０は、例えば、ガラス、セラミックス、或いは琺瑯等の
絶縁体材料製平板から成る基板本体３２の一面３４に、
複数のパターン領域３６を備えたものである。このパタ
ーン領域３６は、例えば多層基板３０を多数の回路基板
に分割する場合の個々の回路基板に相当する位置毎に設
けられている。

【００１５】また、上記の厚膜多層基板３０は、例え
ば、図４に断面構造を模式的に示すように、基板本体３
２の上記一面３４に複数の配線層および絶縁体層、すな
わち第１配線層３８、第１絶縁体層４０、第２配線層４
２、第２絶縁体層４４、および第３配線層４６が順次積
層されて成るものである。これら各層は、例えばAgやAg
-Pt系、Ag-Pd系、Cu等の厚膜導体、或いは硼珪酸ガラス
(例えばPbO-B₂O₃-SiO₂)等を主成分とする厚膜絶縁体か
ら成るものであり、例えば、厚膜導体は5〜30(μm)の範
囲内、例えば15(μm)程度以下の厚さ寸法に、厚膜絶縁
体は20〜60(μm)の範囲内、例えば45(μm)程度の厚さ寸
法にそれぞれ構成されている。

【００１６】上記第１絶縁体層４０および第２絶縁体層
４４は、第１配線層３８或いは第２配線層４２の厚膜導
体４８上の適宜の位置にビアホール５０を備えたもので
ある。そのビアホール５０上には、絶縁体層４０，４４
の上側に位置する配線層４２，４６の厚膜導体４８が位
置させられており、ビアホール５０を介して上下の厚膜
導体４８が相互に接続されている。本実施例において
は、第１配線層３８と第２配線層４２との関係では、第
１絶縁体層４０が請求の範囲に言う絶縁体層に相当する
が、第２配線層４２および第３配線層４６も請求の範囲
に言う第１配線層および第２配線層にそれぞれ相当し、
これらの関係では、第２絶縁体層４４が請求の範囲に言
う絶縁体層に相当する。

【００１７】図５は、前記のパターン領域３６にそれぞ
れ形成されている回路パターン５２の構成例を示した平
面図である。前述したように、多層基板３０には第１配
線層３８乃至第３配線層４６の３層の配線層が備えられ
ているが、図５に示されているのは、例えばそれらのう
ち最上部に位置する第３配線層４６である。回路パター
ン５２は、図示しない電子部品を実装するための複数の
ランド５４、多層基板３０を図示しない機械装置の所定
位置に電気的に接続した状態で取り付けるための複数の
端子５６、下側に位置する第２配線層４２と接続された
接続部５８、相互に離隔した位置にあるランド５４、端
子５６や接続部５８を接続するための配線６０等を備え
ている。

【００１８】一方、図５においては表面に現れていない
第１配線層３８および第２配線層４２は、第３配線層４
６のうち離隔して位置し且つ第３配線層４６内では接続
されていない接続部５８を相互に接続するための複数本
の配線を備えたものである。すなわち、第２配線層４２
には、図６に示されるように接続部５８等に接続される
接続パッド６２を両端に有する厚膜導体４８から成る複
数本の配線６４(一端側だけを示した)が備えられてお
り、第１配線層３８には、同様にして第２配線層４２の
接続パッド６２或いは配線６４を相互に接続するための
接続パッド６２を有する厚膜導体４８から成る複数本の
配線が備えられている。前記のビアホール５０は、絶縁
体層４０或いは４４を挟んで上下に位置するこれら接続
部５８および接続パッド６２間等に備えられており、絶
縁体層４０，４４上に厚膜導体４８を形成する際にその
ビアホール５０内に満たされた厚膜導体によってそれら
接続部５８および接続パッド６２等が相互に接続されて
いる。なお、第１配線層３８および第２配線層４２内に
は、配線６４等の他に厚膜抵抗体等の電子部品が適宜に
備えられる。

【００１９】上記の接続パッド６２は、例えば一辺が40
0(μm)程度の長さ寸法を備えたものであって、前記の図
４に示されるようにその頂部６６は略平坦である。ま
た、その図４に示されるように、絶縁体層４０，４４は
この接続パッド６２の周縁部を覆うように設けられてい
るため、その接続パッド６２上に備えられたビアホール
５０は、一辺の長さ寸法が接続パッド６２よりは小さい
100〜300(μm)の範囲内、例えば150(μm)程度の矩形に
形成されている。但し、この大きさは、配線層３８，４
２，４６相互間の導通確保に十分な大きさである。第１
絶縁体層４０および第２絶縁体層４４内において複数箇
所に設けられたビアホール５０は、何れも上記のような
十分な大きさを備えているため、多層基板３０におい
て、上下配線層間(すなわち第１配線層３８および第２
配線層４２相互間、或いは第２配線層４２および第３配
線層４６相互間)の導通不良は、何ら生じていない。

【００２０】図７は、上記のように構成された厚膜多層
基板３０の製造工程の要部を説明する工程図である。図
において、第１配線層形成工程６８では、基板本体３２
上に厚膜スクリーン印刷法を利用して厚膜導体ペースト
を所定パターンで塗布し、乾燥および焼成処理を施して
厚膜導体を生成することにより、前記の第１配線層３８
を形成する。このとき、厚膜導体ペーストは、例えば、
AgやAg-Pt、Ag-Pd、Cu等の金属粉、ガラスフリット、樹
脂、および溶剤等から成るものであって、焼成処理後の
残存率が50〜75(%)の範囲内、例えば60(%)程度以下のも
のが用いられ、その塗布厚みは例えば乾燥膜厚で25(μ
m)程度以下である。この結果、前記のように15(μm)程
度以下の膜厚の厚膜導体４８が形成されることになる。
また、接続パッド６２は、前記のように一辺が400(μm)
程度の大きな寸法で、且つ膜厚が上記のようにその面積
に比して十分に小さい寸法で、すなわち乾燥後膜厚に対
して一辺がその16倍程度の極めて大きな寸法で設けられ
ることから、その頂部６６は前記の図４に示されるよう
に略平坦になる。

【００２１】次いで、第１絶縁体層形成工程７０では、
厚膜スクリーン印刷法を利用して上記の第１配線層３８
上に厚膜絶縁体ペーストを所定パターンで塗布し、乾燥
および焼成処理を施して厚膜絶縁体を生成することによ
り、前記の第１絶縁体層４０を形成する。この厚膜絶縁
体ペーストは、例えば、セラミック粉のフィラー、ガラ
スフリット、樹脂、および溶剤等から成るものである。
この工程では、乾燥膜厚が例えば30(μm)程度になるよ
うに、一回の印刷厚みに応じて必要回数だけ印刷および
乾燥処理が繰り返される。

【００２２】このとき、図８(a)に印刷中における断面
を示すように、一辺が400(μm)程度の長さ寸法に形成さ
れた接続パッド６２の頂部６６が略平坦であることか
ら、一辺の長さ寸法がそれよりも十分に短い150(μm)程
度のビアホール５０を形成するためにスクリーン１４に
備えられている非開口部１８すなわち乳剤１６が残存さ
せられている部分は、その下面２０が頂部６６に略密着
する。そのため、厚膜絶縁体ペーストが非開口部１８の
下側まで回り込むことはなく、頂部６６は十分に大きい
面積で露出した状態に維持される。なお、非開口部１８
の図の断面における長さ寸法Ｂは、例えば150(μm)程度
である。

【００２３】この結果、図８(b)に焼成処理後の状態、
すなわち第１絶縁体層４０の生成後の状態を示すよう
に、接続パッド６２上にビアホール５０が十分に大きい
面積で頂部６６を露出させるように形成される。ビアホ
ール５０の底面の図の断面における長さ寸法Ｖは150(μ
m)程度である。すなわち、形成されたビアホール５０の
一辺の長さ寸法Ｖは、前記の非開口部１８の一辺の長さ
寸法Ｂに略一致する。本実施例においては、上記の第１
絶縁体層形成工程７０が絶縁体層形成工程に対応する。
また、図８(a)において非開口部１８が接触している範
囲よりも僅かに大きい範囲Ａが請求の範囲に言う「接続
パッドの所定範囲」に相当し、図から明らかなように、
その範囲Ａ内では外周縁と内周部の厚さ寸法が一様であ
る。すなわち、接続パッド６２は、一辺の長さ寸法Ｂの
非開口部１８が接触することとなる範囲と同じか或いは
それよりも大きい範囲Ａ内で、内周部がその範囲の外周
縁よりも厚くならないように設けられている。

【００２４】なお、上記の図８は、厚膜スクリーン印刷
の実施中において、スクリーン１４が図示しないスキー
ジで基板本体３２に向かって押し下げられることによ
り、非開口部１８が接続パッド６２に押し付けられた状
態、すなわちその接続パッド６２近傍に厚膜絶縁体ペー
ストを塗布中の状態を表している。非開口部１８は、こ
の際に一時的に接続パッド６２に密着させられるに過ぎ
ない。

【００２５】図７に戻って、第２配線層形成工程７２で
は、上記の第１絶縁体層４０上に第１配線層形成工程７
０と同様にして厚膜スクリーン印刷法を利用して厚膜導
体ペーストを所定パターンで塗布し、乾燥および焼成処
理を施すことにより、前記の第２配線層４２を形成す
る。図８(b)に示すように、この第２配線層４２の厚膜
導体４８は、前記の第１絶縁体層４０に備えられている
ビアホール５０を覆う位置にも形成されるが、前記のよ
うに接続パッド６２上にビアホール５０が十分に大きい
開口面積で形成されていることから、第１配線層３８と
第２配線層４２とのそのビアホール５０を介した導通が
確実に得られるのである。なお、上記の厚膜導体ペース
トは、例えば第１配線層３８の形成に用いたものと同様
なものを用いることができる。また、この工程において
も、接続パッド６２が一辺の長さ寸法が400(μm)程度の
十分に大きな面積で設けられることにより、その頂部６
６が平坦に形成される。

【００２６】そして、第２絶縁体層形成工程７４におい
て、上記第２配線層４２上に厚膜絶縁体ペーストを塗布
することにより、前記のビアホール５０をその第２配線
層４２内の厚膜導体４８上に備えた前記第２絶縁体層４
４を形成し、更に、第３配線層形成工程７６において、
その第２絶縁体層４４上にそのビアホール５０を介して
第２配線層４２と接続されるように前記第３配線層４６
を形成することにより、前記の厚膜多層基板３０が得ら
れる。上記の第２絶縁体層形成工程７４の際にも、ビア
ホール５０を形成するためにスクリーンに備えられる非
開口部が前記の図８(a)に示されるように接続パッド６
２の頂部６６に略密着させられることとなるため、その
ビアホール５０が十分に大きい面積でその接続パッド６
２を露出させるように形成される。したがって、本実施
例においては、第２配線層形成工程７２、第２絶縁体層
形成工程７４、および第３配線層形成工程７６も、請求
の範囲に言う第１配線層形成工程、絶縁体層形成工程、
および第２配線層形成工程にそれぞれ対応する。なお、
上記の第２絶縁体層形成工程７４は、前記の第１絶縁体
層形成工程７０と同様にして実施され、上記の第３配線
層形成工程７６は、前記の第１配線層形成工程６８およ
び第２配線層形成工程７２と同様にして実施される。

【００２７】要するに、本実施例においては、第１配線
層形成工程６８において、接続パッド６２が範囲Ａ内で
一様な厚さ寸法となるように設けられた後、第１絶縁体
層形成工程７０において、厚膜スクリーン印刷用スクリ
ーン１４のビアホール５０に対応する非開口部１８の全
体が、その平坦な範囲Ａ内に接した状態で第１絶縁体層
４０が形成される。そのため、非開口部１８の全体が接
続パッド６２に接した状態で厚膜絶縁体ペーストが塗布
されることから、その非開口部１８の外周縁よりも内側
に厚膜絶縁体ペーストの入り込むことが抑制される。し
たがって、第１絶縁体層４０内に設けられるビアホール
５０は、その非開口部１８の大きさに応じた所期の大き
さに形成されることから、その第１絶縁体層４０の上に
形成される第２配線層４２と上記の第１配線層３８との
その接続パッド６２を介した接続状態が確保されるた
め、上下配線層間の導通不良の無い厚膜多層基板３０が
得られる。

【００２８】また、本実施例においては、接続パッド６
２の一辺の長さ寸法が、乾燥状態における膜厚寸法25
(μm)程度の16倍程度すなわち400(μm)程度に設けられ
ることから、膜厚寸法に対して平面視における差渡し寸
法、本実施例では一辺の長さ寸法が十分に長くされるの
で、その頂部６６が十分に広い範囲に亘って平坦になる
利点がある。

【００２９】因みに、接続パッド６２の乾燥膜厚を種々
変更して、その一辺の長さ寸法と頂部６６の平坦性との
関係を調べたところ、下記の表１に示すような結果が得
られた。なお、何れも厚膜導体ペーストは前記の配線層
３８，４２，４６の形成に用いたものと同様なものを用
い、その粘度を調整することによって膜厚を調節した。
また、平坦性の評価は、接続パッド６２を介して接続さ
れている上下配線層間の導通を測定することで行った。
表において、「×」は導通不良が一部或いは全部に発生
したことを、「○」は全て良好な導通が得られたことを
それぞれ表している。

【００３０】

【００３１】上記の結果から、膜厚が20(μm)程度の場
合には一辺の長さ寸法を300(μm)程度以上、膜厚が25
(μm)程度の場合には一辺の長さ寸法を400(μm)以上、
膜厚が30(μm)程度の場合には一辺の長さ寸法を500(μ
m)以上とすることにより、十分な平坦性を確保できるこ
とが判る。前述した実施例において、25(μm)程度の膜
厚で設けられた接続パッド６２の一辺の長さ寸法が400
(μm)程度に設定されていたのは、このような実験結果
に基づくものである。なお、上記評価範囲では、膜厚が
35(μm)の場合に十分な大きさの平坦面を形成すること
ができなかったが、一辺の長さ寸法を更に長くすれば、
導通不良が生じないようにできるものと考えられる。す
なわち、膜厚が厚くなるほどその頂部に形成される平坦
面の大きさがその底面積に対して小さくなることから、
接続パッド６２の一辺の長さ寸法を膜厚に応じて適宜設
定することにより、十分な大きさの平坦面を形成して導
通を確保することが可能である。

【００３２】なお、焼成処理後の接続パッド６２の断面
形状を表面粗さ計で測定して、その結果から頂部６６の
平坦部の長さ寸法を求め、非開口部１８の長さ寸法およ
び導通不良の発生状態と対比したところ、平坦部の長さ
寸法が非開口部１８の長さ寸法と同等以上の場合には導
通不良が発生しないことが確かめられた。

【００３３】以上、本発明を図面を参照して詳細に説明
したが、本発明は更に別の態様でも実施できる。

【００３４】例えば、実施例においては、基板本体３２
上に設けられる配線層３８，４２，４６および絶縁体層
４０，４４の全体が厚膜スクリーン印刷法を利用して形
成される場合について説明したが、本発明は、少なくと
も接続しようとする上下配線層間に設けられる絶縁体層
が厚膜スクリーン印刷法を用いて形成されるものであれ
ば、他の層の形成方法に拘わらず適用される。

【００３５】また、実施例においては、接続パッド６２
の頂部６６が略平坦な場合について説明したが、非開口
部１８の外周縁全体が接続パッド６６に密着させられて
いれば、厚膜絶縁ペーストの滲みを防止できて本発明の
効果を享受できる。したがって、少なくとも頂部６６の
うち非開口部１８の外周縁が接触させられる部分が、一
様な厚さ寸法であって且つそれよりも内周側に対して同
等以上の厚さ寸法に形成されていればよい。すなわち、
その外周縁に対応する位置よりも内周側が厚さ寸法の小
さい中央部の凹んだ形状であっても差し支えなく、その
外周縁に対応する位置よりも外側は一様な高さ寸法でな
くとも差し支えない。但し、印刷時の位置ずれを考慮す
ると、厚さ寸法の一様な部分が非開口部１８の外周縁に
対応する位置を中心とした一定の幅寸法、例えば図８
(a)における範囲Ａの外周縁に沿った一定の幅寸法の帯
状に形成されていることが好ましい。

【００３６】また、実施例においては、厚膜多層基板３
０が２つの絶縁体層４０，４４で相互に絶縁させられた
３つの配線層３８，４２，４６を備えたものであった
が、本発明は、１つ以上の絶縁体層で絶縁させられた２
つ以上の配線層が備えられるものであれば、種々の層数
の厚膜多層基板に同様に適用される。

【００３７】また、実施例においては、配線層３８，４
２，４６がAg、Ag-Pt、Ag-Pd、Cu等で、絶縁体層４０，
４４が硼珪酸ガラス等で構成される場合について説明し
たが、その材質は厚膜多層基板３０の要求特性に応じて
適宜変更される。

【００３８】また、配線層３８，４２，４６を形成する
ための厚膜導体ペーストの調合組成や、絶縁体層４０，
４４を形成するための厚膜絶縁体ペーストの調合組成等
は、導体や絶縁体の主要構成要素の材質、必要な膜厚や
印刷精度等に応じて適宜変更される。

【００３９】その他、一々例示はしないが、本発明は、
その主旨を逸脱しない範囲で種々変更を加え得るもので
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の厚膜多層基板の製造方法の問題点を説明
する図である。

【図２】図１の製造方法により形成された絶縁体層の問
題点を説明する図である。

【図３】本発明の一実施例の厚膜多層基板の全体を示す
図である。

【図４】図３の厚膜多層基板の断面構造の要部を拡大し
て示す図である。

【図５】図３の厚膜多層基板の表面に備えられた回路パ
ターンを説明する図である。

【図６】接続パッドとビアホールとの位置関係を説明す
る図である。

【図７】図３の厚膜多層基板の製造方法の要部を説明す
る工程図である。

【図８】(a)、(b)は、図７の第１絶縁体層形成工程の実
施状態を説明する図である。

【符号の説明】

１４：厚膜印刷用スクリーン １８：非開口部 ３０：厚膜多層基板 ３２：基板本体 ３８：第１配線層 ４０：第１絶縁体層 ４２：第２配線層 ４８：厚膜導体 ５０：ビアホール ６２：接続パッド ６６：頂部

フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E346 AA02 AA12 AA15 AA32 AA43 AA51 DD03 DD13 DD34 EE23 EE28 EE30 EE32 EE38 EE39 FF18 FF22 GG06 GG07 GG19 HH07 HH11

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に厚膜導体ペーストを塗布するこ
   とにより所定の接続パッドを有する第１配線層を形成す
   る第１配線層形成工程と、その第１配線層を覆うように
   厚膜絶縁体ペーストを塗布することにより前記接続パッ
   ド上にビアホールを備えた絶縁体層を形成する絶縁体層
   形成工程と、その絶縁体層上に厚膜導体ペーストを塗布
   することにより前記ビアホールを介して前記接続パッド
   に接続される第２配線層を形成する第２配線層形成工程
   とを含む厚膜スクリーン印刷法を用いた厚膜多層基板の
   製造方法であって、 前記第１配線層形成工程において、前記接続パッド内の
   所定範囲をその外周縁の厚さ寸法が一様且つその内周部
   の厚さ寸法以上の値となるように設けると共に、 前記絶縁体層形成工程において、前記ビアホールに対応
   して厚膜印刷用スクリーンに設けられた非開口部の外周
   縁全体が前記所定範囲の外周縁に接した状態で前記絶縁
   体層を形成することを、特徴とする厚膜多層基板の製造
   方法。
2. 【請求項２】 所定の接続パッドを有する厚膜導体から
   成る第１配線層と、その第１配線層を覆い且つその接続
   パッド上にビアホールを有する絶縁体層と、その絶縁体
   層上に設けられ且つそのビアホールを介して前記接続パ
   ッドに接続された厚膜導体から成る第２配線層とを備え
   た厚膜多層基板であって、 前記接続パッドは、前記ビアホールの前記第１配線層側
   開口の外周縁に対応する位置における厚さ寸法が一様且
   つその内周部における厚さ寸法以上の値を有することを
   特徴とする厚膜多層基板。