JPS63144554A - 厚膜混成集積回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、厚膜混成集積回路基板の製造方法に係シ、
特に、セラミック基板上に厚膜導体と厚膜抵抗とを設け
た抵抗性の厚膜混成集積回路基板における抵抗の形成を
改善した厚膜混成集積回路基板の製造方法に関するもの
である。

〔従来の技術〕

従来、セラミック基板上に厚膜導体と厚膜抵抗とを設け
た抵抗性の厚膜混成集積回路基板の製造方法としては９
次のような方法が普通に用いられていた。

すなわち、セラミック基板の表面に、所定の回路を形成
する導体パターンとして、Ａｇ−Ｐｄ系ペーストをスク
リーン印刷によって印刷する。次に所定の温度で焼成し
、これに例えば、　ＲｕＯ２系の抵抗ペーストを印刷し
た後、焼成するものである。

しかしこのような従来のものでは、導体ノくターンがＡ
ｇ　−Ｐｄ系ペーストによって形成されている０そして
、とのＡｇ　−Ｐｄ系ペーストは電気抵抗が大きく、ま
た、Ａｇのマイグレーシランに対する対策を必要とする
等の問題があつた。さらに、上記導体パターンは、セラ
ミック基板の表面のみに形成されているため、上記導体
の配線密度の向上には限界がある等の欠点があった０ 上記の欠点を改善する方法としては１次のような方法が
知られている。例えば、配線密度を高めるために、導体
ペーストを印刷したグリーンシートを複数枚積層圧着し
て焼成し、多層セラミック基板とする方法であシ、また
。導体パターンの電気抵抗を小さくしたシ、上記のより
なＡｇのマイグレーシラン対策の改善をするために、セ
ラミック基板の表面に無電解メッキによって導体層を形
成した後、エツチングにより配線パターンを作り出す方
法が知られている。

さらに、上記欠点を改善すると共に、セラミック基板に
抵抗を形成する方法として２例えば、特開昭５８−１５
３３９４号公報に示されているような方法が知られてい
る。

この方法の概要について、第２図を参照しながら説明す
る。図において、１０はグリーンシートであり、このグ
リーンシート１０上に、Ｗ（タングステン）導体ペース
ト１１と、前記グリーンシートと同一成分の絶縁ペース
ト１２とを交互に印刷積層すると共に、スルーホール部
分１３にＷ導体ペーストを充填させながら４層の導体層
と３層の絶縁層を形成する。次に、グリーンシート１０
および絶縁ペースト１２の焼結と共に、Ｗ導体ペースト
１１を焼き付け９回路パターンを形成する。

そして最外層の回路パターン上にＮｉ　メッキ層１４を
形成した後、抵抗ペースト１５を印刷し。

加熱硬化させ、さらに、ワニス１６で被榎し、加熱硬化
させることにより、抵抗付の厚膜混成集積回路基板が得
られるものである。なお、導体ペーストとしてＷを使用
したのは、グリーンシートの焼成時の高温に耐えられる
導体材料として選定されたものであシ、また。Ｎｉ　メ
ッキ層を設けたのは、抵抗ペーストとの接続を容易にす
るためである０ 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記のような抵抗性の厚膜混成集積回路基板においては
、厚膜抵抗の接続される導体がメッキによって形成され
ているため９次のような欠点があった。すなわち、厚膜
抵抗体ペーストは９通常。

厚膜導体膜と接続導通させることを前提として設計され
ており、前記厚膜導体は１通常１．ガラス成分を含み、
焼成膜は緻密でなく、気孔を有した構造のものである。

これに対して、メッキにより形成した導体膜は、ガラス
成分を含有せず、緻密性は厚膜導体より高い性質をもっ
ている。このため。

ガラス成分を含む厚膜抵抗体とメッキによって形成され
た導体との接触は、不安定となり易く、焼成して得られ
た厚膜抵抗の抵抗値は、パラついたものとなる欠点があ
った０ この発明は、上記の欠点を解するためになされたもので
あシ、抵抗付の厚膜混成集積回路基板において、厚膜抵
抗体と、これを接続する導体との接触を安定なものとし
、焼成後に得られる厚膜抵抗の抵抗値のバラツキを減少
させることを目的としたものである。

〔問題点を解決するための手段〕

上記の目的を達成するため、この発明は、セラミック基
板の表面に形成された導体回路パターンに厚膜抵抗を接
続する時、前記厚膜抵抗と接触する前記導体回路パター
ンの導体をＣｕを主成分とする導体ペーストで形成子る
ことにょシ、厚膜抵抗と前記導体との接触を安定したも
のとするものである。

〔実施例〕

以下、この発明の実施例を第１図に基づいて説明する。

第１図はこの発明の実施例を示す厚膜混成集積回路基板
の製造方法を示した図である。第１回置において、１は
、絶縁ペースト２と導体ペースト３から成るセラミック
基板であシ２次のようにして製造されるものである。す
なわち、アルミナのようなセラミックのグリーンシート
、上に。

Ｗ（タングステン）　、　Ｍｏ　（モリブデン）等の高
融点金属を主成分とする導体ペースト３．及び上記グリ
ーンシートと同一成分の絶縁ペースト２とを交互に印刷
積層するか、または、導体ペースト３を印刷したグリー
ンシートを複数枚圧着積層した後焼成して上記セラミッ
ク基板１が得られるものである。なお１図では、多層セ
ラミック基板の一部を断面図として示したが、上記のセ
ラミック基板１は、グリーンシート上に導体ペーストを
印刷した後、焼成した単層のものでもよい。

次に、第１図の）に示したように、セラミック基板１の
最外層に露出した導体層表面にＮｉまたはＣｕのような
金属メッキ層４°を形成する。この金属メッキ層４は、
第１回置に示したセラミック基板１の表面に無電解によ
るＣｕメッキを行なった後、必要に応じて電解Ｃｕメッ
キを行ない、その後、エツチング処理により、所定の回
路パターンを形成するようにしてもよい。

次に第１図０に示したように、導体回路パターンを形成
する上記金属メッキ層４と電気的に接続するように、金
属メッキ層４の上層にＣｕを主成分とする導体ペースト
５を印刷した後２例えばＮ２ガスのような中性の雰囲気
で焼成する。

この処理の後、第１図倶に示したように、前記導体ペー
スト５と電気的に接続されるように、抵抗ペースト６を
印刷した後、中性の雰囲気で焼成する。この場合、抵抗
ペーストとしては、　ＬａＢ、系。

５ｎ０２系または８　ｒ　Ｒｕｂ、系等のペーストが使
用できる。

このようにして得られた厚膜混成集積回路基板における
厚膜抵抗の抵抗値を計測し１次の表に示すデータが得ら
れた。

第１表は、第２図に示したような従来の厚膜混成集積回
路における厚膜抵抗の抵抗値に関するデータを示したも
のであシ、第２表、第３表は、第１図に示したこの発明
の厚膜混成集積回路における厚膜抵抗の抵抗値に関する
データを示したものである。また、第４表は、参考例と
して示したものでアシ、第１図に示したＣｕを主成分と
する導体ペースト５のかわシとして、　　Ｃｕメッキを
施した場合の厚膜抵抗の抵抗値に関するデータを示した
ものである。

第２表は抵抗値の小さな場合を示し、抵抗体ペーストと
して米国のＤｕ　Ｐｏｎｔ社製抵抗ペースト品番６４０
４　（導電相としてＬａＢ−含有）を使用した。

第３表は抵抗値の大きな場合を示し、抵抗体ペーストと
して同じ（Ｄｕ　Ｐｏｎｔ社製抵抗ペースト品番６４１
５　（導電相としてＳｎ酸化物含有）を使用した。

なお、ペースト品番６４０４の公称シート抵抗値はＩＯ
ＫΩ／口、ペースト品番６４１５の公称シート抵抗値は
１００にΩ／口である。

以下余白 第１表 （至）　ｎ：テスト個数　　　　５ｃ：平均値σ：標準
偏差　　　　　Ｃｖ：変動係数ｅＶ　：　？＋ 第２表 に）抵抗ペースト材料： Ｄｕ　Ｐｏｎ　を社製抵抗ペースト品番６４０４第３表 ■　抵抗ペースト材料： 第４表 誓翁　　抵抗ペーストと接する導体として、従来のＮｉ
メッキ上に、さらにＣｕメッキ（Ｃｕペーストによる厚
膜導体ではない）を用いた例。

これらの表により明らかなように、第１表の従来例によ
れば、５回の実験の結果得られた抵抗体の抵抗値は公称
シート抵抗値より計算された値（目標値）よシも大きく
、かつバラツキも非常に大きいが、第２表、第３表によ
れば本発明では目標値に近い値が得られ、またバラツキ
も小さい。

抵抗値の目標値からのズレも抵抗体の形状による影響で
説明で色る範囲である。

また第４宍の参考例に示した高融点金属にＣｕメッキを
施した場合に比較してもバラツキの小さいことがわかる
。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明は、厚膜混成集積回路基
板における厚膜抵抗をＣｕを主成分とする導体ペースト
を印１１して形成した厚膜導体と接続するようにしたか
ら、その接触が安定なものとなる。このため、上記第１
表乃至第４表にデータを示したように、従来のものと比
較して、焼成後に得られた厚膜抵抗の抵抗値のバラツキ
が減少し。

良質の厚膜混成集積回路基板が得られる効果がある０

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例である厚膜混成集積回路基板
の製造方法を示す図、第２図は従来の厚膜混成集積回路
基板の製造方法を説明するための図である。 １・・・セラミック基板。 ２・・・絶縁ペースト。 ３・・・導体ペースト。 ４・・・金属メッキ層。 ５・・・Ｃｕを主成分とする導体ペースト。 ６・・・抵抗ペースト。 特許出願人　　ティーディーケイ株式会社代理人弁理士
　　山　谷−晧　榮 第１図（Ｂ） 第１図（Ｑ） 第１図（Ｄ）

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）セラミック基板の表面に導体回路パターンを金属
   メッキにより形成し、次いでこの金属メッキに接続して
   Ｃｕを主成分とする導体ペーストを印刷した後、中性雰
   囲気で焼成し、それから前記Ｃｕを主成分とする導体ペ
   ーストと接続するように、抵抗ペーストを印刷して形成
   した後、中性雰囲気で焼成することを特徴とする厚膜混
   成集積回路基板の製造方法。
2. （２）上記セラミック基板の表面に導体回路パターンを
   金属メッキにより形成する方法として、セラミックグリ
   ーンシート上に導体パターンを印刷した後、焼成して形
   成した単層基板または多層基板の最外層に露出した導体
   層表面に、ＮｉまたはＣｕのメッキを行なう方法を用い
   たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の厚膜混
   成集積回路基板の製造方法。
3. （３）上記セラミック基板の表面に導体回路パターンを
   金属メッキにより形成する方法として、セラミック基板
   の表面に、無電解によるＣｕメッキを行ない、必要に応
   じて電解Ｃｕメッキを施した後、エッチングにより回路
   パターンを形成する方法を用いたことを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の厚膜混成集積回路基板の製造方
   法。
4. （４）上記抵抗ペーストとして、ＬａＢ＿６系、ＳｎＯ
   ＿２系、またはＳｒＲｕＯ＿３系のペーストを用いたこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の厚膜混成集
   積回路基板の製造方法。