JPH04326702A - 電子部品 - Google Patents
電子部品Info
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- JPH04326702A JPH04326702A JP3124721A JP12472191A JPH04326702A JP H04326702 A JPH04326702 A JP H04326702A JP 3124721 A JP3124721 A JP 3124721A JP 12472191 A JP12472191 A JP 12472191A JP H04326702 A JPH04326702 A JP H04326702A
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［発明の目的］
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は導体膜間に抵抗体膜が設
けられこれら導体膜及び抵抗体膜の表面が絶縁体膜で覆
われた電子部品に関する。
けられこれら導体膜及び抵抗体膜の表面が絶縁体膜で覆
われた電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子部品の一種として図１０に示すよう
に、配線基板１の所望位置に複数の導体膜２Ａ，２Ｂ，
…を形成し、任意の導体膜２Ａ，２Ｂ間に端部が導体膜
の表面と重なるように抵抗体膜３を形成し、さらにこれ
ら導体膜２Ａ，２Ｂ及び抵抗体膜３の表面を絶縁体膜４
で覆った厚膜回路を有する構造が知られている。
に、配線基板１の所望位置に複数の導体膜２Ａ，２Ｂ，
…を形成し、任意の導体膜２Ａ，２Ｂ間に端部が導体膜
の表面と重なるように抵抗体膜３を形成し、さらにこれ
ら導体膜２Ａ，２Ｂ及び抵抗体膜３の表面を絶縁体膜４
で覆った厚膜回路を有する構造が知られている。
【０００３】この構造を製造するには、先ずアルミナ，
ガラスセラミックス等の配線基板１上にＡｕ，Ａｇ，Ｐ
ｔ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ等から選択される導体及び
ガラス等を含むペーストをスクリーン印刷法によって印
刷して、各導体膜２Ａ，２Ｂを形成した後焼成処理を施
す。次に各導体膜２Ａ，２Ｂ間にまたがるようにＡｇ−
Ｐｄ，ＲｕＯ２ 等の抵抗体及びガラスを含むペースト
を同様にスクリーン印刷して、抵抗体膜３を形成した後
焼成処理を施す。続いて各導体膜２Ａ，２Ｂ及び抵抗体
膜３の表面をＰｂＯ，Ｂ２ Ｏ３ ，ＳｉＯ２ 等の絶
縁体を含むペーストを同様にスクリーン印刷して、絶縁
体膜（通常オーバーグレーズ膜と称される）４を形成し
た後焼成処理を施す。
ガラスセラミックス等の配線基板１上にＡｕ，Ａｇ，Ｐ
ｔ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ等から選択される導体及び
ガラス等を含むペーストをスクリーン印刷法によって印
刷して、各導体膜２Ａ，２Ｂを形成した後焼成処理を施
す。次に各導体膜２Ａ，２Ｂ間にまたがるようにＡｇ−
Ｐｄ，ＲｕＯ２ 等の抵抗体及びガラスを含むペースト
を同様にスクリーン印刷して、抵抗体膜３を形成した後
焼成処理を施す。続いて各導体膜２Ａ，２Ｂ及び抵抗体
膜３の表面をＰｂＯ，Ｂ２ Ｏ３ ，ＳｉＯ２ 等の絶
縁体を含むペーストを同様にスクリーン印刷して、絶縁
体膜（通常オーバーグレーズ膜と称される）４を形成し
た後焼成処理を施す。
【０００４】導体膜２Ａ，２Ｂ及び抵抗体膜３のペース
ト材料に各々ガラスが用いられる理由は、前者にあって
は基板１との良好な接着強度を得るためであり、また後
者にあっては抵抗体膜３の電気的特性を制御するためで
ある。さらに絶縁体膜４で各導体膜２Ａ，２Ｂ及び抵抗
体膜３の表面を覆うのは、耐湿負荷試験の際に発生し易
い各導体膜２Ａ，２Ｂのマイグレーションを防止するた
めである。
ト材料に各々ガラスが用いられる理由は、前者にあって
は基板１との良好な接着強度を得るためであり、また後
者にあっては抵抗体膜３の電気的特性を制御するためで
ある。さらに絶縁体膜４で各導体膜２Ａ，２Ｂ及び抵抗
体膜３の表面を覆うのは、耐湿負荷試験の際に発生し易
い各導体膜２Ａ，２Ｂのマイグレーションを防止するた
めである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで従来のそのよ
うな厚膜回路を有する電子部品では、各導体膜の付近で
抵抗体膜及び絶縁体膜によって段差部が形成されるので
、この部分に応力が集中するようになって抵抗体膜及び
絶縁体膜にクラックが発生し易くなるという問題がある
。
うな厚膜回路を有する電子部品では、各導体膜の付近で
抵抗体膜及び絶縁体膜によって段差部が形成されるので
、この部分に応力が集中するようになって抵抗体膜及び
絶縁体膜にクラックが発生し易くなるという問題がある
。
【０００６】図１１はこの様子を説明するもので、図１
０の段差部５の拡大構造を示しており、段差６における
抵抗体膜３及び絶縁体膜４にクラック８が発生するよう
になる。このクラック８は、特にヒートサイクル試験時
に生じ易く、このクラック８を通して外部から有害な不
純物，水分等が侵入し易くなるので、抵抗体膜３の抵抗
値が変化し易くなる等の影響を受けるため、電子部品の
電気的特性に悪影響を与えるようになる。
０の段差部５の拡大構造を示しており、段差６における
抵抗体膜３及び絶縁体膜４にクラック８が発生するよう
になる。このクラック８は、特にヒートサイクル試験時
に生じ易く、このクラック８を通して外部から有害な不
純物，水分等が侵入し易くなるので、抵抗体膜３の抵抗
値が変化し易くなる等の影響を受けるため、電子部品の
電気的特性に悪影響を与えるようになる。
【０００７】本発明は以上のような問題に対処してなさ
れたもので、耐クラック性に優れた厚膜回路を有する電
子部品を提供することを目的とするものである。
れたもので、耐クラック性に優れた厚膜回路を有する電
子部品を提供することを目的とするものである。
【０００８】［発明の構成］
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、基板上に設けられた複数の導体膜間に端部
が導体膜の表面と重なるように抵抗体膜が設けられ、前
記導体膜及び抵抗体膜の表面が絶縁体膜で覆われた電子
部品において、前記基板に複数の溝部を形成しこれら溝
部に前記導体膜を設けたことを特徴とするものである。
に本発明は、基板上に設けられた複数の導体膜間に端部
が導体膜の表面と重なるように抵抗体膜が設けられ、前
記導体膜及び抵抗体膜の表面が絶縁体膜で覆われた電子
部品において、前記基板に複数の溝部を形成しこれら溝
部に前記導体膜を設けたことを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】各導体膜を設けるべき基板の当該位置に予め溝
部を形成し、この溝部に各導体膜を形成した後、抵抗体
膜及び絶縁体膜を順次形成するようにする。このような
厚膜回路の構造によれば、各導体膜の付近に形成される
段差部の段差の高さの程度は軽減されるので、この部分
に対する応力の集中は緩和されるようになって、クラッ
クの発生を抑制することができる。
部を形成し、この溝部に各導体膜を形成した後、抵抗体
膜及び絶縁体膜を順次形成するようにする。このような
厚膜回路の構造によれば、各導体膜の付近に形成される
段差部の段差の高さの程度は軽減されるので、この部分
に対する応力の集中は緩和されるようになって、クラッ
クの発生を抑制することができる。
【００１１】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００１２】図１は本発明の電子部品の第１の実施例を
示す断面図で、１はアルミナ，ガラスセラミックス等か
ら成る配線基板で、この配線基板１の導体膜を設けるべ
き位置には予め複数の溝部例えば７Ａ，７Ｂの２個が設
けられている。そしてこれら溝部７Ａ，７Ｂには各々導
体膜２Ａ，２Ｂが設けられ、各導体膜２Ａ，２Ｂ間には
端部が導体膜２Ａ，２Ｂの表面と重なるように、抵抗体
膜３が設けられている。さらに各導体膜２Ａ，２Ｂ及び
抵抗体膜３の表面にはこれを覆うように絶縁体膜４が設
けられている。
示す断面図で、１はアルミナ，ガラスセラミックス等か
ら成る配線基板で、この配線基板１の導体膜を設けるべ
き位置には予め複数の溝部例えば７Ａ，７Ｂの２個が設
けられている。そしてこれら溝部７Ａ，７Ｂには各々導
体膜２Ａ，２Ｂが設けられ、各導体膜２Ａ，２Ｂ間には
端部が導体膜２Ａ，２Ｂの表面と重なるように、抵抗体
膜３が設けられている。さらに各導体膜２Ａ，２Ｂ及び
抵抗体膜３の表面にはこれを覆うように絶縁体膜４が設
けられている。
【００１３】本実施例電子部品は図５乃至図９に示した
ような方法によって製造される。先ず図５のように、焼
成済みのアルミナ，ガラスセラミックス等から成る厚さ
Ｔの配線基板１を用意する。次に図６のように、周知の
微細加工技術例えばレーザ加工技術を利用して、導体膜
を設けるべき位置に深さｔの溝部７Ａ，７Ｂを形成する
。一例として溝部７Ａ，７Ｂの深さｔは前記基板１の厚
さＴに対して、１：８０程度の比となるように設定され
る。
ような方法によって製造される。先ず図５のように、焼
成済みのアルミナ，ガラスセラミックス等から成る厚さ
Ｔの配線基板１を用意する。次に図６のように、周知の
微細加工技術例えばレーザ加工技術を利用して、導体膜
を設けるべき位置に深さｔの溝部７Ａ，７Ｂを形成する
。一例として溝部７Ａ，７Ｂの深さｔは前記基板１の厚
さＴに対して、１：８０程度の比となるように設定され
る。
【００１４】次に図７のように、各溝部７Ａ，７Ｂを含
む基板１の表面に、スクリーン印刷法を利用してＡｕ，
Ａｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ等から選択される
導体及びガラスを含むペーストを印刷する。続いてレー
ザ照射によって溝部７Ａ，７Ｂ内のペーストのみを硬化
させた後、ケミカルエッチングによって不要部（未硬化
部）のペーストを除去する。続いて焼成処理を行って各
導体膜２Ａ，２Ｂを形成する。
む基板１の表面に、スクリーン印刷法を利用してＡｕ，
Ａｇ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ等から選択される
導体及びガラスを含むペーストを印刷する。続いてレー
ザ照射によって溝部７Ａ，７Ｂ内のペーストのみを硬化
させた後、ケミカルエッチングによって不要部（未硬化
部）のペーストを除去する。続いて焼成処理を行って各
導体膜２Ａ，２Ｂを形成する。
【００１５】次に図８のように、スクリーン印刷法を利
用して、各導体膜２Ａ，２Ｂ間にまたがるようにＡｇ−
Ｐｄ，ＲｕＯ２ 等の抵抗体及びガラスを含むペースト
を印刷した後、焼成処理を施すことにより抵抗体膜３を
形成する。
用して、各導体膜２Ａ，２Ｂ間にまたがるようにＡｇ−
Ｐｄ，ＲｕＯ２ 等の抵抗体及びガラスを含むペースト
を印刷した後、焼成処理を施すことにより抵抗体膜３を
形成する。
【００１６】続いて図９のように、スクリーン印刷法を
利用して、各導体膜２Ａ，２Ｂ及び抵抗体膜３の表面に
、ＰｂＯ，Ｂ２ Ｏ３ ，ＳｉＯ２ 等の絶縁体及びガ
ラスを含むペーストを印刷した後、焼成処理を施すこと
により絶縁体膜４を形成する。これによって図１のよう
な厚膜回路を有する電子部品を製造することができる。
利用して、各導体膜２Ａ，２Ｂ及び抵抗体膜３の表面に
、ＰｂＯ，Ｂ２ Ｏ３ ，ＳｉＯ２ 等の絶縁体及びガ
ラスを含むペーストを印刷した後、焼成処理を施すこと
により絶縁体膜４を形成する。これによって図１のよう
な厚膜回路を有する電子部品を製造することができる。
【００１７】このような本実施例によれば、図２に図１
の段差部５の拡大構造を示すように図１０の従来構造に
比較して段差６の高さの程度が軽減されるので、この部
分に対する応力の集中は緩和されるようになる。従って
抵抗体膜３及び絶縁体膜４におけるクラックの発生は抑
制されるようになるため、クラックを通して外部から有
害な不純物，水分等が侵入してくるのを防止することが
できる。よって電子部品の電気的特性に悪影響を及ぼす
のを避けることができる。
の段差部５の拡大構造を示すように図１０の従来構造に
比較して段差６の高さの程度が軽減されるので、この部
分に対する応力の集中は緩和されるようになる。従って
抵抗体膜３及び絶縁体膜４におけるクラックの発生は抑
制されるようになるため、クラックを通して外部から有
害な不純物，水分等が侵入してくるのを防止することが
できる。よって電子部品の電気的特性に悪影響を及ぼす
のを避けることができる。
【００１８】図３は本発明の第２の実施例を示すもので
、各導体膜２Ａ，２Ｂをその表面が基板表面に凸出する
ように形成した厚膜回路を示すものである。一例として
厚膜の１／３乃至１／４程度を各溝部７Ａ，７Ｂから突
出させることができる。この第２の実施例によっても段
差部５の段差６の高さの程度は実際的に前記第１の実施
例とはほとんど差のないように形成することができる。
、各導体膜２Ａ，２Ｂをその表面が基板表面に凸出する
ように形成した厚膜回路を示すものである。一例として
厚膜の１／３乃至１／４程度を各溝部７Ａ，７Ｂから突
出させることができる。この第２の実施例によっても段
差部５の段差６の高さの程度は実際的に前記第１の実施
例とはほとんど差のないように形成することができる。
【００１９】図４は本発明の第３の実施例を示すもので
、前記第２の実施例とは逆に、各導体膜２Ａ，２Ｂをそ
の表面が基板表面よりも低くなるように形成した厚膜回
路を示すものである。一例として厚膜の１／３乃至１／
４程度を各溝部７Ａ，７Ｂから低くすることができる。 この本実施例によっても段差部５の段差６の高さの程度
は、前記第１の実施例とほとんど差のないように形成す
ることができる。
、前記第２の実施例とは逆に、各導体膜２Ａ，２Ｂをそ
の表面が基板表面よりも低くなるように形成した厚膜回
路を示すものである。一例として厚膜の１／３乃至１／
４程度を各溝部７Ａ，７Ｂから低くすることができる。 この本実施例によっても段差部５の段差６の高さの程度
は、前記第１の実施例とほとんど差のないように形成す
ることができる。
【００２０】このような各実施例によって得られた厚膜
回路における絶縁体膜４上の残留応力を測定したところ
、次のような結果が得られた。なお残留応力が大きい程
クラックが発生し易いことを示している。
回路における絶縁体膜４上の残留応力を測定したところ
、次のような結果が得られた。なお残留応力が大きい程
クラックが発生し易いことを示している。
【００２１】第１の実施例 ６．０ｋｇ／ｍｍ２
第２の実施例 ７．９ｋｇ／ｍｍ２ 第３の実
施例 ほぼ第２の実施例に同じ従来例
９．２ｋｇ／ｍｍ２ この結果から明らかな
ように、本発明の各実施例によればいずれも従来例より
も小さな値の残留応力を得ることができ、クラックの発
生を抑制するのに効果的であることを示している。
第２の実施例 ７．９ｋｇ／ｍｍ２ 第３の実
施例 ほぼ第２の実施例に同じ従来例
９．２ｋｇ／ｍｍ２ この結果から明らかな
ように、本発明の各実施例によればいずれも従来例より
も小さな値の残留応力を得ることができ、クラックの発
生を抑制するのに効果的であることを示している。
【００２２】本実施例では２つの導体膜間に抵抗体膜を
設けた厚膜回路を絶縁体膜で覆った例で説明したが、何
らこれに限ることなく種々の変形が可能である。なお基
板に形成すべき溝部の深さ，幅等の値は目的，用途等に
応じて任意に設定することができる。
設けた厚膜回路を絶縁体膜で覆った例で説明したが、何
らこれに限ることなく種々の変形が可能である。なお基
板に形成すべき溝部の深さ，幅等の値は目的，用途等に
応じて任意に設定することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、基板
に予め溝部を形成し、この溝部に導体膜を設けた上で抵
抗体膜及び絶縁体膜を設けるようにしたので、各導体膜
の付近に形成される段差の高さの程度を軽減できるよう
になり、この部分への応力の集中は緩和されるためクラ
ックの発生を抑制することができる。
に予め溝部を形成し、この溝部に導体膜を設けた上で抵
抗体膜及び絶縁体膜を設けるようにしたので、各導体膜
の付近に形成される段差の高さの程度を軽減できるよう
になり、この部分への応力の集中は緩和されるためクラ
ックの発生を抑制することができる。
【図１】本発明の電子部品の第１の実施例を示す断面図
である。
である。
【図２】図１の主要部の拡大構造を示す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示す断面図である。
【図４】本発明の第３の実施例を示す断面図である。
【図５】本実施例電子部品の製造工程を示す断面図であ
る。
る。
【図６】本実施例電子部品の製造工程を示す断面図であ
る。
る。
【図７】本実施例電子部品の製造工程を示す断面図であ
る。
る。
【図８】本実施例電子部品の製造工程を示す断面図であ
る。
る。
【図９】本実施例電子部品の製造工程を示す断面図であ
る。
る。
【図１０】従来例を示す断面図である。
【図１１】図１０の主要部の拡大構造を示す断面図であ
る。
る。
１ 配線基板
２Ａ，２Ｂ 導体膜
３ 抵抗体膜
４ 絶縁体膜
５ 段差部
６ 段差
７Ａ，７Ｂ 溝部
８ クラック
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に設けられた複数の導体膜間に
端部が導体膜の表面と重なるように抵抗体膜が設けられ
、前記導体膜及び抵抗体膜の表面が絶縁体膜で覆われた
電子部品において、前記基板に複数の溝部を形成しこれ
ら溝部に前記導体膜を設けたことを特徴とする電子部品
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124721A JPH04326702A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3124721A JPH04326702A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04326702A true JPH04326702A (ja) | 1992-11-16 |
Family
ID=14892462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3124721A Withdrawn JPH04326702A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04326702A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11364363B2 (en) | 2016-12-08 | 2022-06-21 | Abiomed, Inc. | Overmold technique for peel-away introducer design |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP3124721A patent/JPH04326702A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11364363B2 (en) | 2016-12-08 | 2022-06-21 | Abiomed, Inc. | Overmold technique for peel-away introducer design |
| US11717640B2 (en) | 2016-12-08 | 2023-08-08 | Abiomed, Inc. | Overmold technique for peel-away introducer design |
| US12076497B2 (en) | 2016-12-08 | 2024-09-03 | Abiomed, Inc. | Overmold technique for peel-away introducer design |
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| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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