JPH04309286A - 厚膜多層配線基板の製造方法 - Google Patents
厚膜多層配線基板の製造方法Info
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- JPH04309286A JPH04309286A JP3075281A JP7528191A JPH04309286A JP H04309286 A JPH04309286 A JP H04309286A JP 3075281 A JP3075281 A JP 3075281A JP 7528191 A JP7528191 A JP 7528191A JP H04309286 A JPH04309286 A JP H04309286A
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- Pending
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ハイブリットＩＣ等
の厚膜多層配線基板の製造方法に関する。
の厚膜多層配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】アルミナ等の絶縁基板上に抵抗ペースト
や導電ペーストを用いて多層の厚膜配線基板を製造する
際、高周波用途では、配線抵抗を小さくして信号伝送速
度を速めるため、配線部には銅ペーストが用いられてい
る。配線部に銅ペーストを用いた従来の製造工程を図３
に示す。各工程での処理は次の通りである。
や導電ペーストを用いて多層の厚膜配線基板を製造する
際、高周波用途では、配線抵抗を小さくして信号伝送速
度を速めるため、配線部には銅ペーストが用いられてい
る。配線部に銅ペーストを用いた従来の製造工程を図３
に示す。各工程での処理は次の通りである。
【０００３】（ａ）絶縁性基板１の表面に抵抗ペースト
により抵抗パターンを印刷し乾燥させる。その後空気中
で焼成し抵抗パターン２を形成する。
により抵抗パターンを印刷し乾燥させる。その後空気中
で焼成し抵抗パターン２を形成する。
【０００４】（ｂ）銅ペーストにより基板１上の所定箇
所に配線パターンを印刷し乾燥させる。その後Ｎ２ 等
の不活性ガス雰囲気中で焼成することによって下層配線
パターン３ａ〜３ｅを形成する。ここで３ｃ，３ｄは抵
抗パターン２のターミネイト電極となる。
所に配線パターンを印刷し乾燥させる。その後Ｎ２ 等
の不活性ガス雰囲気中で焼成することによって下層配線
パターン３ａ〜３ｅを形成する。ここで３ｃ，３ｄは抵
抗パターン２のターミネイト電極となる。
【０００５】（ｃ）下層配線パターン上の一部（３ｂ上
）にクレーズにより絶縁層パターンを印刷し、乾燥後焼
成して１層目の絶縁層４を形成する。
）にクレーズにより絶縁層パターンを印刷し、乾燥後焼
成して１層目の絶縁層４を形成する。
【０００６】（ｄ）同様にして２層目の絶縁層５を形成
する。
する。
【０００７】（ｅ）銅ペーストにより上層配線パターン
を印刷し、乾燥後焼成することによって上層配線パター
ン６を形成する。
を印刷し、乾燥後焼成することによって上層配線パター
ン６を形成する。
【０００８】（ｆ）基板の全面にグレーズを印刷し、乾
燥後焼成することによって保護膜７を形成する。
燥後焼成することによって保護膜７を形成する。
【０００９】以上のように抵抗パターン形成工程、下層
配線パターン形成工程、絶縁層形成工程、上層配線パタ
ーン形成工程および保護膜形成工程を順次行うことによ
って厚膜多層配線基板を製造している。
配線パターン形成工程、絶縁層形成工程、上層配線パタ
ーン形成工程および保護膜形成工程を順次行うことによ
って厚膜多層配線基板を製造している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の厚膜多層配線基板では、下層配線パターン形成工
程で抵抗パターンの接続部にターミネイト電極が形成さ
れた後、これに続くクロスオーバー部の絶縁層形成工程
、上層配線パターン形成工程および保護膜形成工程によ
る４回にわたる不活性ガス雰囲気中での熱履歴により、
抵抗パターンとターミネイト電極との接続部の特性が変
化し、抵抗パターンの抵抗値が大きくシフトしてトリミ
ング精度にも支障をきたすことがあった。また、従来の
製造方法による厚膜抵抗の抵抗−温度係数（ＴＣＲ）が
大きくなるという問題があった。図４にその特性例を示
す。図４は、図３に示した厚膜多層配線基板のサンプル
を５個形成し、抵抗パターンのＴＣＲを測定した結果で
ある。このようにターミネイト電極形成後の熱履歴回数
が多いとＴＣＲ値が大きくなる。
従来の厚膜多層配線基板では、下層配線パターン形成工
程で抵抗パターンの接続部にターミネイト電極が形成さ
れた後、これに続くクロスオーバー部の絶縁層形成工程
、上層配線パターン形成工程および保護膜形成工程によ
る４回にわたる不活性ガス雰囲気中での熱履歴により、
抵抗パターンとターミネイト電極との接続部の特性が変
化し、抵抗パターンの抵抗値が大きくシフトしてトリミ
ング精度にも支障をきたすことがあった。また、従来の
製造方法による厚膜抵抗の抵抗−温度係数（ＴＣＲ）が
大きくなるという問題があった。図４にその特性例を示
す。図４は、図３に示した厚膜多層配線基板のサンプル
を５個形成し、抵抗パターンのＴＣＲを測定した結果で
ある。このようにターミネイト電極形成後の熱履歴回数
が多いとＴＣＲ値が大きくなる。
【００１１】この発明の目的は、抵抗パターン形成工程
に続く工程による抵抗値変化を防止してトリミング精度
を向上させるとともに、ＴＣＲ特性を改善した厚膜多層
配線基板の製造方法を提供することにある。
に続く工程による抵抗値変化を防止してトリミング精度
を向上させるとともに、ＴＣＲ特性を改善した厚膜多層
配線基板の製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明の厚膜多層配線
基板の製造方法は、絶縁性基板上に抵抗ペーストにより
抵抗パターンを印刷し、乾燥後焼成する抵抗パターン形
成工程と、前記絶縁性基板上の前記抵抗パターンの接続
部を含まない領域に銅ペーストにより下層配線パターン
を印刷し、乾燥後焼成する下層配線パターン形成工程と
、既に形成されている配線パターンの一部にクレーズに
より絶縁層パターンを印刷し、乾燥後焼成する絶縁層形
成工程と、前記抵抗パターンの接続部を含む領域に銅ペ
ーストにより上層配線パターンを印刷し、乾燥後焼成す
る上層配線パターン形成工程とからなる。
基板の製造方法は、絶縁性基板上に抵抗ペーストにより
抵抗パターンを印刷し、乾燥後焼成する抵抗パターン形
成工程と、前記絶縁性基板上の前記抵抗パターンの接続
部を含まない領域に銅ペーストにより下層配線パターン
を印刷し、乾燥後焼成する下層配線パターン形成工程と
、既に形成されている配線パターンの一部にクレーズに
より絶縁層パターンを印刷し、乾燥後焼成する絶縁層形
成工程と、前記抵抗パターンの接続部を含む領域に銅ペ
ーストにより上層配線パターンを印刷し、乾燥後焼成す
る上層配線パターン形成工程とからなる。
【００１３】
【作用】この発明の厚膜多層配線基板の製造方法では、
下層配線パターン形成工程で、絶縁性基板上に既に形成
されている抵抗パターンの接続部を含まない領域に銅ペ
ーストによる下層配線パターンが形成され、上層配線パ
ターン形成工程で、抵抗パターンの接続部を含む領域に
銅ペーストによる上層配線パターンが形成される。その
ため抵抗パターンの接続部に形成された上層配線パター
ン、即ちターミネイト電極はそれに続く例えば保護膜形
成工程による熱を受けるだけであり、抵抗パターンとタ
ーミネイト電極との接続部に加わる熱履歴は少なくなる
。したがって、抵抗値変化が少なくトリミング精度が向
上する。またＴＣＲ特性も改善される。本願発明による
ＴＣＲ特性改善効果を図２に示す。図２は、５個のサン
プルについてそれぞれ抵抗パターン形成→絶縁層形成→
ターミネイト電極形成を行って、抵抗パターンのＴＣＲ
を測定した結果であり、実線は絶縁層形成工程で１層の
絶縁層を形成した場合、破線は絶縁層形成工程で３層の
絶縁層を形成した場合、２点鎖線は絶縁層形成工程で５
層の絶縁層を形成した場合のＴＣＲ特性をそれぞれ示し
ている。このようにターミネイト電極形成前の熱履歴に
は無関係に小さなＴＣＲ値が得られる。
下層配線パターン形成工程で、絶縁性基板上に既に形成
されている抵抗パターンの接続部を含まない領域に銅ペ
ーストによる下層配線パターンが形成され、上層配線パ
ターン形成工程で、抵抗パターンの接続部を含む領域に
銅ペーストによる上層配線パターンが形成される。その
ため抵抗パターンの接続部に形成された上層配線パター
ン、即ちターミネイト電極はそれに続く例えば保護膜形
成工程による熱を受けるだけであり、抵抗パターンとタ
ーミネイト電極との接続部に加わる熱履歴は少なくなる
。したがって、抵抗値変化が少なくトリミング精度が向
上する。またＴＣＲ特性も改善される。本願発明による
ＴＣＲ特性改善効果を図２に示す。図２は、５個のサン
プルについてそれぞれ抵抗パターン形成→絶縁層形成→
ターミネイト電極形成を行って、抵抗パターンのＴＣＲ
を測定した結果であり、実線は絶縁層形成工程で１層の
絶縁層を形成した場合、破線は絶縁層形成工程で３層の
絶縁層を形成した場合、２点鎖線は絶縁層形成工程で５
層の絶縁層を形成した場合のＴＣＲ特性をそれぞれ示し
ている。このようにターミネイト電極形成前の熱履歴に
は無関係に小さなＴＣＲ値が得られる。
【００１４】
【実施例】この発明の実施例である厚膜多層配線基板の
製造方法の各工程を図１に示す。
製造方法の各工程を図１に示す。
【００１５】各工程での処理は次の通りである。
【００１６】（ａ）アルミナセラミクス基板等の絶縁性
基板１表面の所定箇所に酸化ルテニウム系抵抗ペースト
により抵抗パターンを印刷し、乾燥後空気中８５０℃で
焼成することによって抵抗パターン２を形成する。
基板１表面の所定箇所に酸化ルテニウム系抵抗ペースト
により抵抗パターンを印刷し、乾燥後空気中８５０℃で
焼成することによって抵抗パターン２を形成する。
【００１７】（ｂ）基板表面の所定箇所に銅ペーストに
より下層配線パターンを印刷し、乾燥後Ｎ２ 雰囲気中
６００℃で焼成することにより下層配線パターン３ａ，
３ｂ，３ｅを形成する。この時抵抗パターン２の接続部
にはターミネイト電極を形成しない。
より下層配線パターンを印刷し、乾燥後Ｎ２ 雰囲気中
６００℃で焼成することにより下層配線パターン３ａ，
３ｂ，３ｅを形成する。この時抵抗パターン２の接続部
にはターミネイト電極を形成しない。
【００１８】（ｃ）下層配線パターンの一部３ｂの上部
にグレーズ（ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリット）により
絶縁層パターンを印刷し、乾燥後Ｎ２ 雰囲気中６２０
℃で焼成することによって１層目の絶縁層４を形成する
。
にグレーズ（ホウケイ酸亜鉛系ガラスフリット）により
絶縁層パターンを印刷し、乾燥後Ｎ２ 雰囲気中６２０
℃で焼成することによって１層目の絶縁層４を形成する
。
【００１９】（ｄ）同様にして１層目の絶縁層４の上部
に２層目の絶縁層５を形成する。
に２層目の絶縁層５を形成する。
【００２０】（ｅ）抵抗パターン２の接続部を含む所定
領域に銅ペーストにより上層配線パターンを印刷し、乾
燥後Ｎ２ 雰囲気中６００℃で焼成する。これにより上
層配線パターン６を形成する。この時抵抗パターン２の
接続部に形成された上層配線パターン６ａ，６ｂがター
ミネイト電極となる。
領域に銅ペーストにより上層配線パターンを印刷し、乾
燥後Ｎ２ 雰囲気中６００℃で焼成する。これにより上
層配線パターン６を形成する。この時抵抗パターン２の
接続部に形成された上層配線パターン６ａ，６ｂがター
ミネイト電極となる。
【００２１】（ｆ）基板表面の全面にグレーズを印刷し
、乾燥後Ｎ２ 雰囲気中で焼成することによって保護膜
７を形成する。
、乾燥後Ｎ２ 雰囲気中で焼成することによって保護膜
７を形成する。
【００２２】以上の工程により厚膜多層配線基板を製造
することによって、抵抗パターンの接続部に形成したタ
ーミネイト電極６ａ，６ｂは（ｆ）で示した保護膜形成
工程で一回の熱履歴を受けるだけとなる。そのためター
ミネイト電極部６ａ，６ｂと抵抗パターンとの接続部間
の特性は安定しており、抵抗値変化も少なくなり、トリ
ミング精度を向上させることができる。また、前述のよ
うにＴＣＲ特性も改善される。
することによって、抵抗パターンの接続部に形成したタ
ーミネイト電極６ａ，６ｂは（ｆ）で示した保護膜形成
工程で一回の熱履歴を受けるだけとなる。そのためター
ミネイト電極部６ａ，６ｂと抵抗パターンとの接続部間
の特性は安定しており、抵抗値変化も少なくなり、トリ
ミング精度を向上させることができる。また、前述のよ
うにＴＣＲ特性も改善される。
【００２３】なお、実施例ではグレーズによる絶縁層４
および５を介して下層配線パターン３ｂの上部に上層配
線パターン６を形成することによって、配線パターンを
２層としたが、同様にして３層以上に多層化することが
できる。その場合には、最上層となる上層配線パターン
形成工程にて、抵抗パターンの接続部を含む領域に上層
配線パターンを形成することによって抵抗パターンの接
続部に加わる熱履歴を最小限に止めることができる。
および５を介して下層配線パターン３ｂの上部に上層配
線パターン６を形成することによって、配線パターンを
２層としたが、同様にして３層以上に多層化することが
できる。その場合には、最上層となる上層配線パターン
形成工程にて、抵抗パターンの接続部を含む領域に上層
配線パターンを形成することによって抵抗パターンの接
続部に加わる熱履歴を最小限に止めることができる。
【００２４】
【発明の効果】この発明によれば、抵抗パターンの接続
部に対するターミネイト電極の形成を上層配線パターン
形成工程にて行うようにしたため、抵抗パターンの接続
部にかかる熱履歴はその後の例えば保護膜形成工程のみ
となって、抵抗値変化を最小限に抑えることができ、こ
れによりトリミング精度が向上する。また、ＴＣＲ（抵
抗−温度係数）特性も向上する。
部に対するターミネイト電極の形成を上層配線パターン
形成工程にて行うようにしたため、抵抗パターンの接続
部にかかる熱履歴はその後の例えば保護膜形成工程のみ
となって、抵抗値変化を最小限に抑えることができ、こ
れによりトリミング精度が向上する。また、ＴＣＲ（抵
抗−温度係数）特性も向上する。
【図１】実施例に係る厚膜多層配線基板の製造方法の各
工程における基板の状態を示す断面図である。
工程における基板の状態を示す断面図である。
【図２】ターミネイト電極形成前の厚膜抵抗に加わる熱
履歴により変化するＴＣＲ特性を示す図である。
履歴により変化するＴＣＲ特性を示す図である。
【図３】従来の厚膜多層配線基板の製造方法の各工程に
おける基板の状態を示す断面図である。
おける基板の状態を示す断面図である。
【図４】従来の厚膜多層配線基板の製造方法による抵抗
パターンのＴＣＲ特性を示す図である。
パターンのＴＣＲ特性を示す図である。
１−絶縁性基板
２−抵抗パターン
３−下層配線パターン
４，５−絶縁層パターン
６−上層配線パターン
７−保護膜
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁性基板上に抵抗ペーストにより抵抗パ
ターンを印刷し、乾燥後焼成する抵抗パターン形成工程
と、前記絶縁性基板上の前記抵抗パターンの接続部を含
まない領域に銅ペーストにより下層配線パターンを印刷
し、乾燥後焼成する下層配線パターン形成工程と、既に
形成されている配線パターンの一部にグレーズにより絶
縁層パターンを印刷し、乾燥後焼成する絶縁層形成工程
と、前記抵抗パターンの接続部を含む領域に銅ペースト
により上層配線パターンを印刷し、乾燥後焼成する上層
配線パターン形成工程とからなる厚膜多層配線基板の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3075281A JPH04309286A (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | 厚膜多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3075281A JPH04309286A (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | 厚膜多層配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04309286A true JPH04309286A (ja) | 1992-10-30 |
Family
ID=13571692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3075281A Pending JPH04309286A (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | 厚膜多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04309286A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS624354A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-10 | Toshiba Corp | 厚膜多層基板の製造方法 |
| JPS63141387A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | 東芝ライテック株式会社 | 厚膜回路基板の製造方法 |
-
1991
- 1991-04-08 JP JP3075281A patent/JPH04309286A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS624354A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-10 | Toshiba Corp | 厚膜多層基板の製造方法 |
| JPS63141387A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | 東芝ライテック株式会社 | 厚膜回路基板の製造方法 |
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