JPS62265751A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- JPS62265751A JPS62265751A JP10982586A JP10982586A JPS62265751A JP S62265751 A JPS62265751 A JP S62265751A JP 10982586 A JP10982586 A JP 10982586A JP 10982586 A JP10982586 A JP 10982586A JP S62265751 A JPS62265751 A JP S62265751A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
不発甲は混成乗積回路に関し、特にその膜基板の構造に
関する。
関する。
第２図は従来混成集積回路装置の膜基板の断面構造図を
示すもので、通常、セラミック基板１上に銀パラヂウム
合金（ＡｇＰｄ ）からなる第１および第２の導体層２
および５を絶縁ガラス層４を介して積層し、−万厚膜抵
抗膜３を酸化ルテニウム（Ｒｕ Ｏ２）で形成してそれ
ぞれを保護ガラス６で被覆し保珈する構造のものが用い
られる。一般に、こ几らの導体層および抵抗膜はそ几ぞ
几ペースト印刷からの乾燥・焼成工程によって形成さｎ
；５゜〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし近年、混成集積回路に対してもその小型化を要求
する声は増々高１って来ているので配線密度の向上が不
可欠となジつつある。しかしながら、この従来の膜基板
の積層構造では抵抗膜３上に導体膜努よび抵抗膜を形成
するＯとができないので配線密度の向上に支障を与える
。丁なわち、抵抗膜３上にペースト印刷および乾燥・焼
成工程を加えると、抵抗膜３の抵抗値が犬きく変動する
のでこの方法全裸ることができない。
示すもので、通常、セラミック基板１上に銀パラヂウム
合金（ＡｇＰｄ ）からなる第１および第２の導体層２
および５を絶縁ガラス層４を介して積層し、−万厚膜抵
抗膜３を酸化ルテニウム（Ｒｕ Ｏ２）で形成してそれ
ぞれを保護ガラス６で被覆し保珈する構造のものが用い
られる。一般に、こ几らの導体層および抵抗膜はそ几ぞ
几ペースト印刷からの乾燥・焼成工程によって形成さｎ
；５゜〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし近年、混成集積回路に対してもその小型化を要求
する声は増々高１って来ているので配線密度の向上が不
可欠となジつつある。しかしながら、この従来の膜基板
の積層構造では抵抗膜３上に導体膜努よび抵抗膜を形成
するＯとができないので配線密度の向上に支障を与える
。丁なわち、抵抗膜３上にペースト印刷および乾燥・焼
成工程を加えると、抵抗膜３の抵抗値が犬きく変動する
のでこの方法全裸ることができない。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、セラミック基板上
の抵抗膜上にも導体膜および抵抗１［−積層し得る膜基
板構造を備えた混成集積回路装置を提供することである
。
の抵抗膜上にも導体膜および抵抗１［−積層し得る膜基
板構造を備えた混成集積回路装置を提供することである
。
Ｌ問題点を解決するための手段〕
本発明の混成集積回路装置はセラミック基板と、前記セ
ラミック基板上に形成さ几る銀パラヂウム合金から成る
第１導体層および酸化ルテニウムからなる第１厚膜抵抗
膜と、前記第１４体層および第１厚膜抵抗膜上に形成さ
九る絶縁樹脂膜と、前記絶縁樹脂膜上に形成されるエポ
キシ系銀ペースト焼成の第２導体層および有機カーボン
ペースト焼成の第２抵抗ざ膜と、基板全体を被覆する保
護樹脂膜とから成る膜基板を備えることを含む。
ラミック基板上に形成さ几る銀パラヂウム合金から成る
第１導体層および酸化ルテニウムからなる第１厚膜抵抗
膜と、前記第１４体層および第１厚膜抵抗膜上に形成さ
九る絶縁樹脂膜と、前記絶縁樹脂膜上に形成されるエポ
キシ系銀ペースト焼成の第２導体層および有機カーボン
ペースト焼成の第２抵抗ざ膜と、基板全体を被覆する保
護樹脂膜とから成る膜基板を備えることを含む。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す膜基板の断面構造図で
ある。本実施例によれば、本発明にかかる膜基板は、セ
ラミック基板１と、この上面に形番 成されたＡｇＰｄの第１４体層２およびＲｕ Ｏ２第１
厚膜抵抗ｙＡ３と、これらの上に形５ｇ、嘔几た絶縁樹
脂層７と、この絶縁樹脂層７上に形成されたエポキシ系
Ａｇペース）ｉｆＪｌ成の第２４体層８７および有機カ
ーボン第２抵抗体榎９と、こ几らの配線層上 および抵抗＃／）全て被覆する保護樹脂膜１０とを含ん
でおりつぎのようにして形成ζ几る。すなわち、第１導
体層２および厚膜抵抗膜３が従来の厚膜技術によｐＡｇ
Ｐｄおよび’ｋＬ ｕ ０２のペースト印刷・乾燥工程
でそｒ、それセラミック基板１上に形ｂｙ、され、更に
抵抗膜３が所望の抵抗ｆ１Ｍ’ｔ−もつように第２導体
層８がエポキシ系Ａｇペーストの印刷・焼成工程で形成
される。つぎに有機カーボン第２抵抗ＦＩ更Ｊ９が同じ
くペースト印刷の焼成で形成さｎ最後に保り樹脂膜１０
が印刷・焼成さｊ、る。
ある。本実施例によれば、本発明にかかる膜基板は、セ
ラミック基板１と、この上面に形番 成されたＡｇＰｄの第１４体層２およびＲｕ Ｏ２第１
厚膜抵抗ｙＡ３と、これらの上に形５ｇ、嘔几た絶縁樹
脂層７と、この絶縁樹脂層７上に形成されたエポキシ系
Ａｇペース）ｉｆＪｌ成の第２４体層８７および有機カ
ーボン第２抵抗体榎９と、こ几らの配線層上 および抵抗＃／）全て被覆する保護樹脂膜１０とを含ん
でおりつぎのようにして形成ζ几る。すなわち、第１導
体層２および厚膜抵抗膜３が従来の厚膜技術によｐＡｇ
Ｐｄおよび’ｋＬ ｕ ０２のペースト印刷・乾燥工程
でそｒ、それセラミック基板１上に形ｂｙ、され、更に
抵抗膜３が所望の抵抗ｆ１Ｍ’ｔ−もつように第２導体
層８がエポキシ系Ａｇペーストの印刷・焼成工程で形成
される。つぎに有機カーボン第２抵抗ＦＩ更Ｊ９が同じ
くペースト印刷の焼成で形成さｎ最後に保り樹脂膜１０
が印刷・焼成さｊ、る。
本発明の構造によれば多層部全全て低温下でそｎぞｎ形
成でき、下部層に形成した厚膜抵抗膜３の抵抗値に変動
を生じることがないので、この厚膜抵抗膜３上にも導体
Ｎ８および抵抗膜９を形放し高密度配線構造をとること
ができる。従って、混成集積回路装置の小型化を容易に
達成し得る効果を有する。
成でき、下部層に形成した厚膜抵抗膜３の抵抗値に変動
を生じることがないので、この厚膜抵抗膜３上にも導体
Ｎ８および抵抗膜９を形放し高密度配線構造をとること
ができる。従って、混成集積回路装置の小型化を容易に
達成し得る効果を有する。
第１図は本発明の一実施例を示す膜基板の断面構造囚、
第２図は従来混反集積回路装置の膜基板の断面構造図で
ある。 １・・・・・・セラミック基板、２・・・・・・第１４
体層（Ａｇｅｄ）３・・・・・・第１ ＋ｓ膜低抵抗膜
Ｒｕ０２）、４・・・・・・絶縁ガラス１，５・・・・
・・第２導体島（Ａｇｅｄ）、６・・−・・−保護ガラ
ス膜、７・・・・・・絶縁樹脂層、８・・・・・・エポ
キシ系Ａｇペースト焼成の第２導体層、９・・・・・・
有機カーボンペースト焼成の第２抵抗１１．１０・・・
・・・保護樹脂膜。 代理人 弁理士 内 原 ａｙ−””０゜一一′
・ 洒１０ 万２個
第２図は従来混反集積回路装置の膜基板の断面構造図で
ある。 １・・・・・・セラミック基板、２・・・・・・第１４
体層（Ａｇｅｄ）３・・・・・・第１ ＋ｓ膜低抵抗膜
Ｒｕ０２）、４・・・・・・絶縁ガラス１，５・・・・
・・第２導体島（Ａｇｅｄ）、６・・−・・−保護ガラ
ス膜、７・・・・・・絶縁樹脂層、８・・・・・・エポ
キシ系Ａｇペースト焼成の第２導体層、９・・・・・・
有機カーボンペースト焼成の第２抵抗１１．１０・・・
・・・保護樹脂膜。 代理人 弁理士 内 原 ａｙ−””０゜一一′
・ 洒１０ 万２個
Claims (1)
- セラミック基板と、前記セラミック基板上に形成され
る銀パラヂウム合金から成る第１導体層および酸化ルテ
ニウムからなる第１厚膜抵抗膜と、前記第１導体層およ
び第１厚膜抵抗膜上に形成される絶縁樹脂膜と、前記絶
縁樹射膜上に形成されるエポキシ系銀ペースト焼成の第
２導体層および有機カーボンペースト焼成の第２抵抗体
膜と、基板全体を被覆する保護樹脂膜とを含む膜基板を
備えることを特徴とする混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10982586A JPS62265751A (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10982586A JPS62265751A (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62265751A true JPS62265751A (ja) | 1987-11-18 |
Family
ID=14520166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10982586A Pending JPS62265751A (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62265751A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03283593A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Ngk Insulators Ltd | 厚膜多層基板 |
| WO2011147284A1 (zh) * | 2010-05-25 | 2011-12-01 | 方方 | 陶瓷印刷电路板结构 |
| CN117693088A (zh) * | 2023-12-29 | 2024-03-12 | 中山市成源光电科技有限公司 | 一种对cob光源调光调色的方法 |
-
1986
- 1986-05-13 JP JP10982586A patent/JPS62265751A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03283593A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Ngk Insulators Ltd | 厚膜多層基板 |
| WO2011147284A1 (zh) * | 2010-05-25 | 2011-12-01 | 方方 | 陶瓷印刷电路板结构 |
| CN117693088A (zh) * | 2023-12-29 | 2024-03-12 | 中山市成源光电科技有限公司 | 一种对cob光源调光调色的方法 |
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