JPS62265751A - 混成集積回路装置 - Google Patents

混成集積回路装置

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JPS62265751A
JPS62265751A JP10982586A JP10982586A JPS62265751A JP S62265751 A JPS62265751 A JP S62265751A JP 10982586 A JP10982586 A JP 10982586A JP 10982586 A JP10982586 A JP 10982586A JP S62265751 A JPS62265751 A JP S62265751A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
paste
layer
conductor layer
resistance
Prior art date
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Pending
Application number
JP10982586A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiromi Sakata
坂田 博美
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Publication of JPS62265751A publication Critical patent/JPS62265751A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 不発甲は混成乗積回路に関し、特にその膜基板の構造に
関する。
〔従来の技術〕
第2図は従来混成集積回路装置の膜基板の断面構造図を
示すもので、通常、セラミック基板1上に銀パラヂウム
合金(AgPd )からなる第1および第2の導体層2
および5を絶縁ガラス層4を介して積層し、−万厚膜抵
抗膜3を酸化ルテニウム(Ru O2)で形成してそれ
ぞれを保護ガラス6で被覆し保珈する構造のものが用い
られる。一般に、こ几らの導体層および抵抗膜はそ几ぞ
几ペースト印刷からの乾燥・焼成工程によって形成さn
;5゜〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし近年、混成集積回路に対してもその小型化を要求
する声は増々高1って来ているので配線密度の向上が不
可欠となジつつある。しかしながら、この従来の膜基板
の積層構造では抵抗膜3上に導体膜努よび抵抗膜を形成
するOとができないので配線密度の向上に支障を与える
。丁なわち、抵抗膜3上にペースト印刷および乾燥・焼
成工程を加えると、抵抗膜3の抵抗値が犬きく変動する
のでこの方法全裸ることができない。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、セラミック基板上
の抵抗膜上にも導体膜および抵抗1[−積層し得る膜基
板構造を備えた混成集積回路装置を提供することである
L問題点を解決するための手段〕 本発明の混成集積回路装置はセラミック基板と、前記セ
ラミック基板上に形成さ几る銀パラヂウム合金から成る
第1導体層および酸化ルテニウムからなる第1厚膜抵抗
膜と、前記第14体層および第1厚膜抵抗膜上に形成さ
九る絶縁樹脂膜と、前記絶縁樹脂膜上に形成されるエポ
キシ系銀ペースト焼成の第2導体層および有機カーボン
ペースト焼成の第2抵抗ざ膜と、基板全体を被覆する保
護樹脂膜とから成る膜基板を備えることを含む。
〔実施例〕
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す膜基板の断面構造図で
ある。本実施例によれば、本発明にかかる膜基板は、セ
ラミック基板1と、この上面に形番 成されたAgPdの第14体層2およびRu O2第1
厚膜抵抗yA3と、これらの上に形5g、嘔几た絶縁樹
脂層7と、この絶縁樹脂層7上に形成されたエポキシ系
Agペース)ifJl成の第24体層87および有機カ
ーボン第2抵抗体榎9と、こ几らの配線層上 および抵抗#/)全て被覆する保護樹脂膜10とを含ん
でおりつぎのようにして形成ζ几る。すなわち、第1導
体層2および厚膜抵抗膜3が従来の厚膜技術によpAg
Pdおよび’kL u 02のペースト印刷・乾燥工程
でそr、それセラミック基板1上に形by、され、更に
抵抗膜3が所望の抵抗f1M’t−もつように第2導体
層8がエポキシ系Agペーストの印刷・焼成工程で形成
される。つぎに有機カーボン第2抵抗FI更J9が同じ
くペースト印刷の焼成で形成さn最後に保り樹脂膜10
が印刷・焼成さj、る。
〔発明の効果〕
本発明の構造によれば多層部全全て低温下でそnぞn形
成でき、下部層に形成した厚膜抵抗膜3の抵抗値に変動
を生じることがないので、この厚膜抵抗膜3上にも導体
N8および抵抗膜9を形放し高密度配線構造をとること
ができる。従って、混成集積回路装置の小型化を容易に
達成し得る効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す膜基板の断面構造囚、
第2図は従来混反集積回路装置の膜基板の断面構造図で
ある。 1・・・・・・セラミック基板、2・・・・・・第14
体層(Aged)3・・・・・・第1 +s膜低抵抗膜
Ru02)、4・・・・・・絶縁ガラス1,5・・・・
・・第2導体島(Aged)、6・・−・・−保護ガラ
ス膜、7・・・・・・絶縁樹脂層、8・・・・・・エポ
キシ系Agペースト焼成の第2導体層、9・・・・・・
有機カーボンペースト焼成の第2抵抗11.10・・・
・・・保護樹脂膜。 代理人 弁理士  内 原   ay−””0゜一一′
・ 洒10 万2個

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  セラミック基板と、前記セラミック基板上に形成され
    る銀パラヂウム合金から成る第1導体層および酸化ルテ
    ニウムからなる第1厚膜抵抗膜と、前記第1導体層およ
    び第1厚膜抵抗膜上に形成される絶縁樹脂膜と、前記絶
    縁樹射膜上に形成されるエポキシ系銀ペースト焼成の第
    2導体層および有機カーボンペースト焼成の第2抵抗体
    膜と、基板全体を被覆する保護樹脂膜とを含む膜基板を
    備えることを特徴とする混成集積回路装置。
JP10982586A 1986-05-13 1986-05-13 混成集積回路装置 Pending JPS62265751A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03283593A (ja) * 1990-03-30 1991-12-13 Ngk Insulators Ltd 厚膜多層基板
WO2011147284A1 (zh) * 2010-05-25 2011-12-01 方方 陶瓷印刷电路板结构
CN117693088A (zh) * 2023-12-29 2024-03-12 中山市成源光电科技有限公司 一种对cob光源调光调色的方法

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