JPH0231798Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、導体や抵抗体が印刷されたセラミ
ツクシートが、多層に積層されたセラミツク多層
配線基板に関する。

〔従来の技術〕

セラミツク多層配線基板の一般的な構造を第２
図により説明すると、セラミツクシート１，１…
が多層に積層されると共に、これらの間にコンデ
ンサ部３等を形成する内部電極や配線パターン等
の層間導体２，２…が印刷されている。また、最
外層のセラミツクシート１，１の表面にボンデイ
ングランドや配線パターン等の外部導体４，４…
が印刷され、一部の外部導体４，４の上に抵抗体
５等が印刷されている。そして、これら層間導体
２，２…や外部導体４，４…は、スルーホール導
体６，６…を介して他の層の層間導体２，２…や
外部導体４，４…に接続されている。

上記層間導体２，２…やスルーホール導体６，
６…は、予め未焼結のセラミツクシート１，１…
に導電ペーストを用いて印刷または充填され、セ
ラミツクシート１，１…を積層した後、その焼成
時に焼き付けられる。このため、セラミツクシー
ト１，１…を酸化雰囲気で焼成するときは、上記
導体として貴金属系のものを使用する必要があ
る。しかも、今日では、材料費の低減等を目的と
して、Cu等の卑金属導体を使用し、セラミツク
シート１，１…を非酸化雰囲気中で焼成すること
が一般的になつている。

ところが、厚膜法によつて抵抗体を形成するの
に使用されているRuO₂を主成分とする抵抗ペー
ストは、酸化雰囲気中で焼きつける必要がある。
このため、卑金属導体を使用した従来のセラミツ
ク多層配線基板では、導体の酸化を防止すること
を目的として、上記外部導体４，４…の表面に
Au等の貴金属メツキ７，７…を施した後に、抵
抗ペーストを塗布して焼き付けるという手段がと
られていた。

〔考案が解決しようとする問題点〕

しかし、外部導体４，４…に貴金属メツキを施
すときは、予め外部電極４，４の表面にNiメツ
キを施した上に、貴金属メツキ７，７…を施さな
ければならず、製造工程が複雑となる。このた
め、材料のコストメリツトが製造工程のコストデ
メリツト分で減殺され、トータルなコストメリツ
トが小さくなる。

この考案は、従来の卑金属導体を使用したセラ
ミツク多層配線基板における上記の問題を解決す
るためになされたもので、外部導体への貴金属メ
ツキ工程を省くことができ、しかも確実な導体間
接続が実現できるセラミツク多層配線基板を提供
することを目的とする。

〔問題を解決するための手段〕

この考案の構成を第１図の符号を引用しながら
説明すると、この考案によるセラミツク多層配線
基板では、積層されたセラミツクシート１１ａ，
１１ａ…，１１ｂ，１１ｂ間の層間導体１２，１
２…及び中間層のセラミツクシート１１ａ，１１
ａ…のスルーホール導体１６ａ，１６ａ…が何れ
もCu系導体からなつている。また、少なくとも
最外層のセラミツクシート１１ｂ，１１ｂのスル
ーホール導体１６ｂ，１６ｂ…がNi系導体から
なつている。さらに、最外層のセラミツクシート
１１ｂ，１１ｂの表面に設けられた外部導体１
４，１４…は、貴金属系導体からなり、この外部
導体１４，１４…が上記Ni系導体からなるスル
ーホール導体１６ｂ，１６ｂ…を覆つている。

〔作用〕

上記セラミツク多層配線基板では、Cu系導体
やNi系導体等の卑金属導体で形成された層間導
体１２，１２…や中間層のスルーホール導体１６
ａ，１６ａ…，１６ｂ，１６ｂが貴金属導体で形
成された外部導体１４，１４…で覆われているた
め、RuO₂を主体とする抵抗ペーストを使用して、
抵抗体１５を焼き付ける際に、上記卑金属導体が
酸化されない。そして、上記外部導体１４，１４
…は、貴金属ペーストを使用し、通常のスクリー
ン印刷法等によつてセラミツクシート１１ｂ，１
１ｂの表面に印刷して設けることができ、従来の
ようなメツキ工程を必要としない。

さらに、層間導体１２，１２…やスルーホール
導体１６ａ，１６ａ…等のCu系導体と、外部導
体１４，１４…を形成する貴金属導体が、スルー
ホール導体１６ｂ，１６ｂ…を形成するNi系導
体で接続さるため、貴金属導体とNi系導体及び
Cu系導体とNi系導体とのいわゆる合金反応によ
つて、これら異種導体間に良好な電気的接続状態
が形成できる。

〔実施例〕

次に、第１図を参照しながら、この考案の実施
例について説明する。

Al₂O₃等を主体とするセラミツクシート１１
ａ，１１ａ…，１１ｂ，１１ｂが多層に積層さ
れ、これら各層間に、Cu系導体を用いて、コン
デンサ部１３を形成する内部電極や配線パターン
等の層間導体１２，１２…が形成されている。ま
た、最外層のセラミツクシート１１ｂ，１１ｂ…
の表面には、Pd−Ag等の貴金属導体を使用し
て、ボンデイングランドや配線パターン等の外部
導体１４，１４…が形成されている。さらに、一
部の外部導体１４，１４の間に、抵抗体１５が設
けられている。

これら各々のセラミツクシート１１ａ，１１ａ
…，１１ｂ，１１ｂにスルーホールが穿孔され、
これらにスルーホール導体１６ａ，１６ａ…，１
６ｂ，１６ｂ…が充填されている。このうち、中
間層のセラミツクシート１１ａ，１１ａ…，のス
ルーホール導体１６ａ，１６ａ…は、Cu系導体
で形成され、最外層のセラミツクシート１１ｂ，
１１ｂのスルーホール導体１６ｂ，１６ｂ…のみ
がNi系導体で形成されている。

このようなセラミツク多層配線基板は、常法に
よつて製造することができる。即ち、まず、中間
層となる厚み200μｍ程度の未焼結セラミツクシ
ート１１ａ，１１ａ…に、Cu系ペーストを使用
して層間導体１２，１２…を印刷する。これと同
時に、上記シート１１ａ，１１ａ…のスルーホー
ルにCu系ペーストを充填し、スルーホール導体
１６ａ，１６ａ…を形成する。また、最外層とな
る未焼結セラミツクシート１１ｂ，１１ｂに、貴
金属ペーストを使用して外部導体１４，１４…を
印刷すると共に、これらシート１１ｂ，１１ｂの
スルーホールに、Niペーストを充填し、スルー
ホール導体１６ｂ，１６ｂを形成する。

次いで、これら未焼結セラミツクシート１１
ａ，１１ａ…，１１ｂ，１１ｂに120℃前後の温
度を10分程与えて乾燥した後、これらを所定の順
序で積層して圧着し、所定の形状に裁断する。そ
の後、この積層体を600℃前後の温度で仮焼きし、
続いて２％のH₂ガスを含むN₂ガス雰囲気で、
1000℃前後の温度下に２時間程置き、焼成する。
これによつて、上記のようなセラミツク多層配線
基板が得られる。

なお、この方法で実際に製造されたセラミツク
多層配線基板を温度850℃の空気中に５回通した
ところ、その前後の配線抵抗値に変化は見られな
かつた。

〔考案の効果〕

以上説明した通り、この考案のセラミツク多層
基板では、外部導体１４，１４へのメツキ工程を
省くことができると共に、主に導体としてCu系
導体やNi系導体等の卑金属導体が使用できる。
このため、材料及び製造工程両面のコストメリツ
トが共に得られ、トータルなコストメリツトの高
いセラミツク多層基板が得られる。

しかも、貴金属導体とCu系導体との間に、Ni
系導体を介在させることにより、電気的接続状態
の良好なセラミツク多層配線基板が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この考案の実施例を示すセラミツク
多層配線基板の縦断面概念図、第２図は、セラミ
ツク多層配線基板の従来例を示す縦断面概念図で
ある。 １１ａ……中間層のセラミツクシート、１１ｂ
……最外層のセラミツクシート、１２……層間導
体、１４……外部導体、１６ａ……中間層のスル
ーホール導体、１６ｂ……最外層のスルーホール
導体。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 導体や抵抗体等が印刷されたセラミツクシート
   が、多層に積層されたセラミツク多層配線基板に
   おいて、セラミツクシート１１ａ，１１ａ…，１
   １ｂ，１１ｂ間の層間導体１２，１２…及び中間
   層のセラミツクシート１１ａ，１１ａ…のスルー
   ホール導体１６ａ，１６ａ…がCu系導体で形成
   され、少なくとも最外層のセラミツクシート１１
   ｂ，１１ｂのスルーホール導体１６ｂ，１６ｂ…
   がNi系導体で形成され、最外層のセラミツクシ
   ート１１ｂ，１１ｂの表面に設けられた外部導体
   １４，１４…が貴金属系導体で形成され、同シー
   ト１１ｂ，１１ｂのスルーホール導体１６ｂ，１
   ６ｂ…が上記外部導体１４，１４…で覆われてい
   ることを特徴とするセラミツク多層配線基板。