JPH0521635A - 多層基板 - Google Patents
多層基板Info
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- JPH0521635A JPH0521635A JP3177010A JP17701091A JPH0521635A JP H0521635 A JPH0521635 A JP H0521635A JP 3177010 A JP3177010 A JP 3177010A JP 17701091 A JP17701091 A JP 17701091A JP H0521635 A JPH0521635 A JP H0521635A
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- layer wiring
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 配線抵抗値の低減を図ることができる多層基
板を提供することにある。 【構成】 ハイブリッドＩＣは、５つのアルミナによる
絶縁層１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅを重ねて多層基板
２を形成している。多層基板２の絶縁層１ｂには層内配
線用貫通溝３ａが形成され、この層内配線用貫通溝３ａ
に層内配線材料４が充填されている。同様に、多層基板
２の絶縁層１ｃには層内配線用貫通溝３ｂが形成され、
この層内配線用貫通溝３ｂに層内配線材料４が充填され
ている。この層内配線用貫通溝３ａ，３ｂは帯状となっ
ている。
板を提供することにある。 【構成】 ハイブリッドＩＣは、５つのアルミナによる
絶縁層１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅを重ねて多層基板
２を形成している。多層基板２の絶縁層１ｂには層内配
線用貫通溝３ａが形成され、この層内配線用貫通溝３ａ
に層内配線材料４が充填されている。同様に、多層基板
２の絶縁層１ｃには層内配線用貫通溝３ｂが形成され、
この層内配線用貫通溝３ｂに層内配線材料４が充填され
ている。この層内配線用貫通溝３ａ，３ｂは帯状となっ
ている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ハイブリッドＩＣに
使用される多層基板に関するものである。
使用される多層基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、グリーンシート積層基板はグリー
ンシートに回路配線用材料を印刷形成し、これをラミネ
ート後焼成する工程で製造されている。このうち、アル
ミナ積層基板はアルミナグリーンシートに回路配線用材
料としてＷ（タングステン）やＭｏ（モリブデン）等の
高融点金属より成る配線材料を印刷形成し、これをラミ
ネート後、１６００℃程度の還元雰囲気（Ｈ2 やＮ2 の
混合ガス）中で焼成する工程で製造されている。
ンシートに回路配線用材料を印刷形成し、これをラミネ
ート後焼成する工程で製造されている。このうち、アル
ミナ積層基板はアルミナグリーンシートに回路配線用材
料としてＷ（タングステン）やＭｏ（モリブデン）等の
高融点金属より成る配線材料を印刷形成し、これをラミ
ネート後、１６００℃程度の還元雰囲気（Ｈ2 やＮ2 の
混合ガス）中で焼成する工程で製造されている。
【０００３】又、ガラスセラミック積層基板は、ガラス
セラミックグリーンシートに回路配線用材料としてＡｇ
（銀）やＣｕ（銅）を主構成材料とする配線材料を印刷
形成し、これをラミネート後、８００〜１０００℃程度
の空気あるいはＮ2 雰囲気中で焼成する工程で製造され
る。
セラミックグリーンシートに回路配線用材料としてＡｇ
（銀）やＣｕ（銅）を主構成材料とする配線材料を印刷
形成し、これをラミネート後、８００〜１０００℃程度
の空気あるいはＮ2 雰囲気中で焼成する工程で製造され
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アルミ
ナ積層基板の場合、配線材料であるタングステンやモリ
ブデンの電気抵抗率はそれぞれ５．５，５．７（μΩ・
ｃｍ）であり、他の一般的な厚膜基板に用いられるＡｇ
（１．６），Ｃｕ（１．６７）材料と比べて、電気抵抗
は約３倍大きな値を有する。このため、配線間の電気抵
抗値が小さいことが必要な用途（回路）には使用できな
い。さらに、ガラスセラミック基板はアルミナ積層基板
よりも低抵抗材料が使用されるが、通信、コンピュータ
等を中心とする用途においては、より低抵抗化が望まれ
ている。
ナ積層基板の場合、配線材料であるタングステンやモリ
ブデンの電気抵抗率はそれぞれ５．５，５．７（μΩ・
ｃｍ）であり、他の一般的な厚膜基板に用いられるＡｇ
（１．６），Ｃｕ（１．６７）材料と比べて、電気抵抗
は約３倍大きな値を有する。このため、配線間の電気抵
抗値が小さいことが必要な用途（回路）には使用できな
い。さらに、ガラスセラミック基板はアルミナ積層基板
よりも低抵抗材料が使用されるが、通信、コンピュータ
等を中心とする用途においては、より低抵抗化が望まれ
ている。
【０００５】この発明の目的は、配線抵抗値の低減を図
ることができる多層基板を提供することにある。
ることができる多層基板を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、基板の絶縁
層に、層内での平面方向への配線を行わせるための層内
配線用空間部を形成し、この層内配線用空間部に配線材
料を充填した多層基板をその要旨とする。
層に、層内での平面方向への配線を行わせるための層内
配線用空間部を形成し、この層内配線用空間部に配線材
料を充填した多層基板をその要旨とする。
【０００７】
【作用】絶縁層の層内配線用空間部に配線材料を充填し
た層内配線となり、従来の印刷による層内配線に比べ
て、電流の通路面積が大きくなり配線抵抗が小さくな
る。
た層内配線となり、従来の印刷による層内配線に比べ
て、電流の通路面積が大きくなり配線抵抗が小さくな
る。
【０００８】
【実施例】（第１実施例）以下、この発明を具体化した
一実施例を図面に従って説明する。
一実施例を図面に従って説明する。
【０００９】アルミナ積層基板を例にとり説明する。図
１には本実施例のハイブリッドＩＣの断面図を示し、こ
のハイブリッドＩＣは５つのアルミナによる絶縁層１
ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅを重ねて多層基板２を形成
している。多層基板２の絶縁層１ｂには層内配線用空間
部としての層内配線用貫通溝３ａが形成され、この層内
配線用貫通溝３ａに層内配線材料４が充填されている。
同様に、多層基板２の絶縁層１ｃには層内配線用空間部
としての層内配線用貫通溝３ｂが形成され、この層内配
線用貫通溝３ｂに層内配線材料４が充填されている。こ
の層内配線用貫通溝３ａ，３ｂは帯状となっている。
又、多層基板２の上面には表面導体５及びハンダ６を介
してチップ部品７，８が配置されるとともに、表面導体
９を介して印刷抵抗１０，１１が配置されている。尚、
図１において、符号１２は、スルーホール配線（層間配
線）を示す。
１には本実施例のハイブリッドＩＣの断面図を示し、こ
のハイブリッドＩＣは５つのアルミナによる絶縁層１
ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅを重ねて多層基板２を形成
している。多層基板２の絶縁層１ｂには層内配線用空間
部としての層内配線用貫通溝３ａが形成され、この層内
配線用貫通溝３ａに層内配線材料４が充填されている。
同様に、多層基板２の絶縁層１ｃには層内配線用空間部
としての層内配線用貫通溝３ｂが形成され、この層内配
線用貫通溝３ｂに層内配線材料４が充填されている。こ
の層内配線用貫通溝３ａ，３ｂは帯状となっている。
又、多層基板２の上面には表面導体５及びハンダ６を介
してチップ部品７，８が配置されるとともに、表面導体
９を介して印刷抵抗１０，１１が配置されている。尚、
図１において、符号１２は、スルーホール配線（層間配
線）を示す。
【００１０】次に、多層基板２の製造方法を図２，３，
４を用いて説明する。図２に示すように、平板状のアル
ミナグリーンシート１３を用意し、このアルミナグリー
ンシート１３に層内配線用貫通溝３を形成する。この成
形にはプレスによる打ち抜き加工法を用いる。即ち、図
５に示すように、穴１９を有する固定型材２０に対し突
起２１を有する可動型材２２が対向配置され、固定型材
２０上にアルミナグリーンシート１３を配置して、可動
型材２２を移動することにより層内配線用貫通溝３が形
成される。
４を用いて説明する。図２に示すように、平板状のアル
ミナグリーンシート１３を用意し、このアルミナグリー
ンシート１３に層内配線用貫通溝３を形成する。この成
形にはプレスによる打ち抜き加工法を用いる。即ち、図
５に示すように、穴１９を有する固定型材２０に対し突
起２１を有する可動型材２２が対向配置され、固定型材
２０上にアルミナグリーンシート１３を配置して、可動
型材２２を移動することにより層内配線用貫通溝３が形
成される。
【００１１】そして、図３に示すように、圧入法もしく
はスクリーンによる印刷法により、層内配線用貫通溝３
に層内配線材料４を充填する。配線材料としてはＷ（タ
ングステン）が使用され、さらに、Ａｌ2 Ｏ3 が０．１
〜３０％添加されている。ここで、Ａｌ2 Ｏ3 を添加し
たのは、アルミナとＷ（タングステン）との熱膨張率の
整合をとるとともに、アルミナ基板と同一材料を添加す
ることによりアルミナ基材と配線材料との接合性を向上
させるためである。又、Ａｌ2 Ｏ3 の添加率を０．１〜
３０％としたのは、この範囲より添加量が多いとＷ配線
の抵抗値が増大し、又、添加量が少ないと基材との接合
力が低下するためである。
はスクリーンによる印刷法により、層内配線用貫通溝３
に層内配線材料４を充填する。配線材料としてはＷ（タ
ングステン）が使用され、さらに、Ａｌ2 Ｏ3 が０．１
〜３０％添加されている。ここで、Ａｌ2 Ｏ3 を添加し
たのは、アルミナとＷ（タングステン）との熱膨張率の
整合をとるとともに、アルミナ基板と同一材料を添加す
ることによりアルミナ基材と配線材料との接合性を向上
させるためである。又、Ａｌ2 Ｏ3 の添加率を０．１〜
３０％としたのは、この範囲より添加量が多いとＷ配線
の抵抗値が増大し、又、添加量が少ないと基材との接合
力が低下するためである。
【００１２】そして、一般配線を印刷法により形成後、
図４に示すように、ラミネートする。つまり、各アルミ
ナグリーンシート１３を積層し加熱した状態で加圧成形
する。その後、焼成する。
図４に示すように、ラミネートする。つまり、各アルミ
ナグリーンシート１３を積層し加熱した状態で加圧成形
する。その後、焼成する。
【００１３】その結果、図１のハイブリッドＩＣが製造
される。このように本実施例では、多層基板２の絶縁層
１ｂ，１ｃに層内配線用貫通溝３ａ，３ｂ（層内配線用
空間部）を形成し、この層内配線用貫通溝３ａ，３ｂに
層内配線材料４を充填した。よって、絶縁層１ｂ，１ｃ
の層内配線用貫通溝３ａ，３ｂに配線材料４を充填した
層内配線となり、従来の印刷による層内配線に比べて、
電流の通路面積が大きくなり配線抵抗が小さくなる。
される。このように本実施例では、多層基板２の絶縁層
１ｂ，１ｃに層内配線用貫通溝３ａ，３ｂ（層内配線用
空間部）を形成し、この層内配線用貫通溝３ａ，３ｂに
層内配線材料４を充填した。よって、絶縁層１ｂ，１ｃ
の層内配線用貫通溝３ａ，３ｂに配線材料４を充填した
層内配線となり、従来の印刷による層内配線に比べて、
電流の通路面積が大きくなり配線抵抗が小さくなる。
【００１４】つまり、一般的に積層基板の層内の印刷に
よる配線厚さは１０〜１５μｍ程度であり、シート抵抗
は１０〜１５ｍΩ／□であるが、本実施例の構造を採用
することにより配線厚さを印刷による配線厚さに比べて
１０〜４０倍にすることができシート抵抗を１〜０．２
ｍΩ／□と小さくできる。
よる配線厚さは１０〜１５μｍ程度であり、シート抵抗
は１０〜１５ｍΩ／□であるが、本実施例の構造を採用
することにより配線厚さを印刷による配線厚さに比べて
１０〜４０倍にすることができシート抵抗を１〜０．２
ｍΩ／□と小さくできる。
【００１５】さらに、本実施例では、このような層内配
線用貫通溝３ａ，３ｂに層内配線材料４を配置すること
による配線の低抵抗化に加え、配線材料としてのＷ（タ
ングステン）には、Ａｕ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄが０〜３０
％程度添加されており、さらなる低抵抗化を図ってい
る。 （第２実施例）次に、第２実施例を第１実施例との相違
点のみ説明する。
線用貫通溝３ａ，３ｂに層内配線材料４を配置すること
による配線の低抵抗化に加え、配線材料としてのＷ（タ
ングステン）には、Ａｕ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄが０〜３０
％程度添加されており、さらなる低抵抗化を図ってい
る。 （第２実施例）次に、第２実施例を第１実施例との相違
点のみ説明する。
【００１６】図６に示すように、多層基板２の絶縁層１
ｂには層内配線用空間部としての層内配線用凹部１４ａ
が形成され、この層内配線用凹部１４ａに層内配線材料
４が充填されている。同様に、多層基板２の絶縁層１ｃ
には層内配線用空間部としての層内配線用凹部１４ｂが
形成され、この層内配線用凹部１４ｂに層内配線材料４
が充填されている。この層内配線用凹部１４ａ，１４ｂ
は帯状となっている。
ｂには層内配線用空間部としての層内配線用凹部１４ａ
が形成され、この層内配線用凹部１４ａに層内配線材料
４が充填されている。同様に、多層基板２の絶縁層１ｃ
には層内配線用空間部としての層内配線用凹部１４ｂが
形成され、この層内配線用凹部１４ｂに層内配線材料４
が充填されている。この層内配線用凹部１４ａ，１４ｂ
は帯状となっている。
【００１７】次に、多層基板２の製造方法を図７，８，
９を用いて説明する。図７に示すように、平板状のアル
ミナグリーンシート１３を用意し、このアルミナグリー
ンシート１３に層内配線用凹部１４を形成する。この成
形にはプレスによる押圧加工法を用いる。即ち、図１０
に示すように、固定型材２３に対し突起２４を有する可
動型材２５が対向配置され、固定型材２３上にアルミナ
グリーンシート１３を配置して、可動型材２５を移動す
ることにより層内配線用凹部１４が形成される。
９を用いて説明する。図７に示すように、平板状のアル
ミナグリーンシート１３を用意し、このアルミナグリー
ンシート１３に層内配線用凹部１４を形成する。この成
形にはプレスによる押圧加工法を用いる。即ち、図１０
に示すように、固定型材２３に対し突起２４を有する可
動型材２５が対向配置され、固定型材２３上にアルミナ
グリーンシート１３を配置して、可動型材２５を移動す
ることにより層内配線用凹部１４が形成される。
【００１８】そして、図８に示すように、圧入法もしく
はスクリーンによる印刷法により、層内配線用凹部１４
に層内配線材料４を充填する。さらに、一般配線を印刷
法により形成後、図９に示すように、ラミネートする。
その後、焼成する。
はスクリーンによる印刷法により、層内配線用凹部１４
に層内配線材料４を充填する。さらに、一般配線を印刷
法により形成後、図９に示すように、ラミネートする。
その後、焼成する。
【００１９】その結果、図６のハイブリッドＩＣが製造
される。このように本実施例では、多層基板２の絶縁層
１ｂ，１ｃに層内配線用凹部１４ａ，１４ｂ（層内配線
用空間部）を形成し、この層内配線用凹部１４ａ，１４
ｂに層内配線材料４を充填した。よって、絶縁層１ｂ，
１ｃの層内配線用凹部１４ａ，１４ｂに配線材料４を充
填した層内配線となり、従来の印刷による層内配線に比
べて、電流の通路面積が大きくなり配線抵抗が小さくな
る。 （第３実施例）次に、第３実施例を第１実施例との相違
点のみ説明する。
される。このように本実施例では、多層基板２の絶縁層
１ｂ，１ｃに層内配線用凹部１４ａ，１４ｂ（層内配線
用空間部）を形成し、この層内配線用凹部１４ａ，１４
ｂに層内配線材料４を充填した。よって、絶縁層１ｂ，
１ｃの層内配線用凹部１４ａ，１４ｂに配線材料４を充
填した層内配線となり、従来の印刷による層内配線に比
べて、電流の通路面積が大きくなり配線抵抗が小さくな
る。 （第３実施例）次に、第３実施例を第１実施例との相違
点のみ説明する。
【００２０】図１１に示すように、多層基板２の絶縁層
１ｆ，１ｇ，１ｈには層内配線用空間部としての層内配
線用貫通孔１５，１６，１７がそれぞれ多数形成され、
この層内配線用貫通孔１５，１６，１７に層内配線材料
４が充填されている。この層内配線用貫通孔１５，１
６，１７は円筒形となっている。層内配線用貫通孔１
５，１６，１７の径Ｄは０．２ｍｍφであり、層内配線
用貫通孔１５，１６，１７のピッチＰは０．３ｍｍ（＝
１．５・Ｄ）であり、積層した絶縁層１ｆ，１ｇ，１ｈ
の間において層内配線用貫通孔１５，１６，１７の重な
りＬは０．０５ｍｍ（＝０．２５・Ｄ）となっている。
１ｆ，１ｇ，１ｈには層内配線用空間部としての層内配
線用貫通孔１５，１６，１７がそれぞれ多数形成され、
この層内配線用貫通孔１５，１６，１７に層内配線材料
４が充填されている。この層内配線用貫通孔１５，１
６，１７は円筒形となっている。層内配線用貫通孔１
５，１６，１７の径Ｄは０．２ｍｍφであり、層内配線
用貫通孔１５，１６，１７のピッチＰは０．３ｍｍ（＝
１．５・Ｄ）であり、積層した絶縁層１ｆ，１ｇ，１ｈ
の間において層内配線用貫通孔１５，１６，１７の重な
りＬは０．０５ｍｍ（＝０．２５・Ｄ）となっている。
【００２１】次に、この多層基板２の製造方法を図１
２，１３，１４を用いて説明する。図１２に示すよう
に、平板状のアルミナグリーンシート１３を用意し、こ
のアルミナグリーンシート１３に層内配線用貫通孔１５
（１６，１７）を形成する。この成形にはプレスによる
打ち抜き加工法を用いる。即ち、図１５に示すように、
穴２６を有する固定型材２７に対し円柱状突起２８を有
する可動型材２９が対向配置され、固定型材２７上にア
ルミナグリーンシート１３を配置して、可動型材２９を
移動することにより層内配線用貫通孔１５（１６，１
７）が形成される。
２，１３，１４を用いて説明する。図１２に示すよう
に、平板状のアルミナグリーンシート１３を用意し、こ
のアルミナグリーンシート１３に層内配線用貫通孔１５
（１６，１７）を形成する。この成形にはプレスによる
打ち抜き加工法を用いる。即ち、図１５に示すように、
穴２６を有する固定型材２７に対し円柱状突起２８を有
する可動型材２９が対向配置され、固定型材２７上にア
ルミナグリーンシート１３を配置して、可動型材２９を
移動することにより層内配線用貫通孔１５（１６，１
７）が形成される。
【００２２】そして、図１３に示すように、圧入法もし
くはスクリーンによる印刷法により、層内配線用凹部１
５（１６，１７）に層内配線材料４を充填する。さら
に、一般配線を印刷法により形成後、図１４に示すよう
に、上下のアルミナグリーンシート１３の層内配線用貫
通孔１５，１６，１７を結果としてズレるようにラミネ
ートする。その後、焼成する。
くはスクリーンによる印刷法により、層内配線用凹部１
５（１６，１７）に層内配線材料４を充填する。さら
に、一般配線を印刷法により形成後、図１４に示すよう
に、上下のアルミナグリーンシート１３の層内配線用貫
通孔１５，１６，１７を結果としてズレるようにラミネ
ートする。その後、焼成する。
【００２３】その結果、図１１のハイブリッドＩＣが製
造される。このように本実施例では、多層基板２の絶縁
層１ｆ，１ｇ，１ｈに層内配線用貫通孔１５，１６，１
７（層内配線用空間部）を形成し、この層内配線用貫通
孔１５，１６，１７に層内配線材料４を充填した。よっ
て、絶縁層１ｆ，１ｇ，１ｈの層内配線用貫通孔１５，
１６，１７に配線材料４を充填した層内配線となり、従
来の印刷による層内配線に比べて、電流の通路面積が大
きくなり配線抵抗が小さくなる。
造される。このように本実施例では、多層基板２の絶縁
層１ｆ，１ｇ，１ｈに層内配線用貫通孔１５，１６，１
７（層内配線用空間部）を形成し、この層内配線用貫通
孔１５，１６，１７に層内配線材料４を充填した。よっ
て、絶縁層１ｆ，１ｇ，１ｈの層内配線用貫通孔１５，
１６，１７に配線材料４を充填した層内配線となり、従
来の印刷による層内配線に比べて、電流の通路面積が大
きくなり配線抵抗が小さくなる。
【００２４】つまり、図１１に示すように、上下の絶縁
層１ｆ，１ｇ，１ｈに対し層内配線用貫通孔１５，１
６，１７を０．０５ｍｍだけオーバーラップ（重ね合わ
せ）して配置している。その結果、層内（横方向）への
電流経路は最も狭い箇所でも０．０５ｍｍとなり、図１
６に示す従来の印刷による層内配線の厚さ０．０１ｍｍ
に比べて、電流の通路面積が大きくなり配線抵抗が小さ
くなる。
層１ｆ，１ｇ，１ｈに対し層内配線用貫通孔１５，１
６，１７を０．０５ｍｍだけオーバーラップ（重ね合わ
せ）して配置している。その結果、層内（横方向）への
電流経路は最も狭い箇所でも０．０５ｍｍとなり、図１
６に示す従来の印刷による層内配線の厚さ０．０１ｍｍ
に比べて、電流の通路面積が大きくなり配線抵抗が小さ
くなる。
【００２５】この第３実施例の応用例としては、図１７
に示すように、層内配線用貫通孔１５，１６，１７のピ
ッチＰを大きくして、上下の絶縁層での層内配線用貫通
孔１５，１６，１７を印刷による層内配線材１８にて電
気接続してもよい。又、図１８に示すように、径の異な
る層内配線用貫通孔１５，１６，１７を組み合わせて配
置してもよい。
に示すように、層内配線用貫通孔１５，１６，１７のピ
ッチＰを大きくして、上下の絶縁層での層内配線用貫通
孔１５，１６，１７を印刷による層内配線材１８にて電
気接続してもよい。又、図１８に示すように、径の異な
る層内配線用貫通孔１５，１６，１７を組み合わせて配
置してもよい。
【００２６】尚、この発明は上記各実施例に限定される
ものではなく、例えば、上記各実施例では平板状のグリ
ーンシートをプレス加工して層内配線用空間を形成した
が、他にもグリーンシートを作る際にグリーンシート形
成型内に層内配線用空間を形成するための突起を設けて
おき、グリーンシートの材料粉末を型内に入れて成形す
るときに層内配線用空間を形成してもよい。
ものではなく、例えば、上記各実施例では平板状のグリ
ーンシートをプレス加工して層内配線用空間を形成した
が、他にもグリーンシートを作る際にグリーンシート形
成型内に層内配線用空間を形成するための突起を設けて
おき、グリーンシートの材料粉末を型内に入れて成形す
るときに層内配線用空間を形成してもよい。
【００２７】又、上記各実施例ではセラミックグリーン
シートによる積層法にて基板を製造したが、ガラスグリ
ーンシート（ガラスセラミックグリーンシート）による
積層法にて基板を製造してもよい。さらに、印刷法を用
いて絶縁層を形成する印刷積層基板にも適用できる。つ
まり、ガラスペーストを用いた厚膜多層法にて製造した
り、セラミックペーストを用いた厚膜多層法にて製造し
てもよい。
シートによる積層法にて基板を製造したが、ガラスグリ
ーンシート（ガラスセラミックグリーンシート）による
積層法にて基板を製造してもよい。さらに、印刷法を用
いて絶縁層を形成する印刷積層基板にも適用できる。つ
まり、ガラスペーストを用いた厚膜多層法にて製造した
り、セラミックペーストを用いた厚膜多層法にて製造し
てもよい。
【００２８】又、配線材料としても、セラミックを使用
した場合にはＷ，Ｍｏを使用し、ガラス系を使用する場
合にはＡｇ，Ａｇ／Ｐｄ，Ｃｕ等を使用すればよい。
した場合にはＷ，Ｍｏを使用し、ガラス系を使用する場
合にはＡｇ，Ａｇ／Ｐｄ，Ｃｕ等を使用すればよい。
【００２９】
【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
配線抵抗値の低減を図ることができる優れた効果を発揮
する。
配線抵抗値の低減を図ることができる優れた効果を発揮
する。
【図１】第１実施例のハイブリッドＩＣの断面図であ
る。
る。
【図２】基板の製造工程を示す斜視図である。
【図３】基板の製造工程を示す斜視図である。
【図４】基板の製造工程を示す斜視図である。
【図５】基板の製造工程を説明するための図である。
【図６】第２実施例のハイブリッドＩＣの断面図であ
る。
る。
【図７】基板の製造工程を示す斜視図である。
【図８】基板の製造工程を示す斜視図である。
【図９】基板の製造工程を示す斜視図である。
【図１０】基板の製造工程を説明するための図である。
【図１１】第３実施例のハイブリッドＩＣの基板の断面
図である。
図である。
【図１２】基板の製造工程を示す斜視図である。
【図１３】基板の製造工程を示す斜視図である。
【図１４】基板の製造工程を示す斜視図である。
【図１５】基板の製造工程を説明するための図である。
【図１６】比較のための基板の断面図である。
【図１７】第３実施例の応用例の基板の断面図である。
【図１８】第３実施例の応用例の基板の断面図である。
１ｂ 絶縁層 １ｃ 絶縁層 １ｅ 絶縁層 １ｆ 絶縁層 １ｇ 絶縁層 ２ 多層基板 ３ａ 層内配線用空間部としての層内配線用貫通溝 ３ｂ 層内配線用空間部としての層内配線用貫通溝 ４ 層内配線材料 １４ａ 層内配線用空間部としての層内配線用凹部 １４ｂ 層内配線用空間部としての層内配線用凹部 １５ 層内配線用空間部としての層内配線用貫通孔 １６ 層内配線用空間部としての層内配線用貫通孔 １７ 層内配線用空間部としての層内配線用貫通孔
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 基板の絶縁層に、層内での平面方向への
配線を行わせるための層内配線用空間部を形成し、この
層内配線用空間部に配線材料を充填したことを特徴とす
る多層基板。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP3177010A JP2684877B2 (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | 多層基板 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3177010A JP2684877B2 (ja) | 1991-07-17 | 1991-07-17 | 多層基板 |
Related Child Applications (2)
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| JP2684877B2 JP2684877B2 (ja) | 1997-12-03 |
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