JP2555638B2 - 多層セラミック基板の製造方法 - Google Patents
多層セラミック基板の製造方法Info
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- JP2555638B2 JP2555638B2 JP62254013A JP25401387A JP2555638B2 JP 2555638 B2 JP2555638 B2 JP 2555638B2 JP 62254013 A JP62254013 A JP 62254013A JP 25401387 A JP25401387 A JP 25401387A JP 2555638 B2 JP2555638 B2 JP 2555638B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は多層セラミック基板の製造方法に関し、特
に、絶縁体基板間にたとえばコンデンサ，抵抗体などの
回路素子を有する多層セラミック基板の製造方法に関す
る。
に、絶縁体基板間にたとえばコンデンサ，抵抗体などの
回路素子を有する多層セラミック基板の製造方法に関す
る。
（従来技術） 一般に、電子機器の小型化が進むに伴って、セラミッ
ク基板もまた多層化，高密度化が図られている。このよ
うな多層セラミック基板として、たとえば特願昭62−56
204号に記載されているように、各セラミックグリーン
シート上に誘電体ペースト，抵抗体ペースト，導体ペー
ストなどを厚膜技術によって印刷した後、各セラミック
グリーンシートを圧着して焼成することによって、コン
デンサ，抵抗，インダクタなどの回路素子を有する多層
セラミック基板を構成したものがある。
ク基板もまた多層化，高密度化が図られている。このよ
うな多層セラミック基板として、たとえば特願昭62−56
204号に記載されているように、各セラミックグリーン
シート上に誘電体ペースト，抵抗体ペースト，導体ペー
ストなどを厚膜技術によって印刷した後、各セラミック
グリーンシートを圧着して焼成することによって、コン
デンサ，抵抗，インダクタなどの回路素子を有する多層
セラミック基板を構成したものがある。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、このような従来の多層セラミック基板
においては、ペーストを印刷した後のセラミックグリー
ンシートを積層圧着する場合、ペーストを印刷した部分
の側部に空隙が生じやすく、この空隙が原因となって、
焼成中にペースト印刷面においてデラミネーションを起
こしやすいだけでなく、ペースト印刷後のセラミックグ
リーシートの積層を繰り返すに従って、基板の平滑性が
悪くなり、焼成後の基板表面に電子素子を実装すること
が困難となる。
においては、ペーストを印刷した後のセラミックグリー
ンシートを積層圧着する場合、ペーストを印刷した部分
の側部に空隙が生じやすく、この空隙が原因となって、
焼成中にペースト印刷面においてデラミネーションを起
こしやすいだけでなく、ペースト印刷後のセラミックグ
リーシートの積層を繰り返すに従って、基板の平滑性が
悪くなり、焼成後の基板表面に電子素子を実装すること
が困難となる。
また、特開昭61−48996号公報には、セラミック多層
配線基板の製造方法が開示されている。このセラミック
多層配線基板の製造方法では、特に、複数枚のセラミッ
クグリーンシートに積層セラミックコンデンサの外形寸
法に相当する形状の穴部が形成され、それらのセラミッ
ググリーンシートを積層した積層体の穴部に積層セラミ
ックコンデンサが挿入され、さらにその積層体の上下両
面に複数枚のセラミックグリーンシートがそれぞれ積層
された後、全体が熱圧着され、積層セラミックコンデン
サの焼結温度より低い温度で焼成される。
配線基板の製造方法が開示されている。このセラミック
多層配線基板の製造方法では、特に、複数枚のセラミッ
クグリーンシートに積層セラミックコンデンサの外形寸
法に相当する形状の穴部が形成され、それらのセラミッ
ググリーンシートを積層した積層体の穴部に積層セラミ
ックコンデンサが挿入され、さらにその積層体の上下両
面に複数枚のセラミックグリーンシートがそれぞれ積層
された後、全体が熱圧着され、積層セラミックコンデン
サの焼結温度より低い温度で焼成される。
ところが、このセラミック多層配線基板の製造方法で
は、積層セラミックコンデンサの焼結温度より低い温度
でしか焼成できないため、焼結温度がかなり低いセラミ
ックグリーンシートしか用いることができず、用いられ
るセラミックグリーンシートの焼結温度の自由度が低
い。
は、積層セラミックコンデンサの焼結温度より低い温度
でしか焼成できないため、焼結温度がかなり低いセラミ
ックグリーンシートしか用いることができず、用いられ
るセラミックグリーンシートの焼結温度の自由度が低
い。
それゆえに、この発明の主たる目的は、用いられるセ
ラミックグリーンシートの焼結温度の自由度が高いとと
もに、焼成中にデラミネーションが生じ難くかつ平滑性
のよい、多層セラミック基板の製造方法を提供すること
にある。
ラミックグリーンシートの焼結温度の自由度が高いとと
もに、焼成中にデラミネーションが生じ難くかつ平滑性
のよい、多層セラミック基板の製造方法を提供すること
にある。
（問題点を解決するための手段） 第１の発明は、焼成することによって絶縁体基板とな
るセラミックグリーンシートを準備する工程と、セラミ
ックグリーンシートの一方主面の一部分上に、焼成する
ことによって回路素子となる回路素子ペースト層を形成
する工程と、セラミックグリーンシートの一方主面の他
の部分上に回路素子ペースト層とほぼ同じ厚みで、焼成
することによって絶縁体スペーサとなる絶縁体ペースト
層を形成する工程と、焼成することによって別の絶縁体
基板となる別のセラミックグリーンシートを準備する工
程と、別のセラミックグリーンシートを回路素子ペース
ト層および絶縁体ペースト層上に積層して積層物を形成
する工程と、積層物を圧着して焼成する工程とを含む、
多層セラミック基板の製造方法である。
るセラミックグリーンシートを準備する工程と、セラミ
ックグリーンシートの一方主面の一部分上に、焼成する
ことによって回路素子となる回路素子ペースト層を形成
する工程と、セラミックグリーンシートの一方主面の他
の部分上に回路素子ペースト層とほぼ同じ厚みで、焼成
することによって絶縁体スペーサとなる絶縁体ペースト
層を形成する工程と、焼成することによって別の絶縁体
基板となる別のセラミックグリーンシートを準備する工
程と、別のセラミックグリーンシートを回路素子ペース
ト層および絶縁体ペースト層上に積層して積層物を形成
する工程と、積層物を圧着して焼成する工程とを含む、
多層セラミック基板の製造方法である。
第２の発明は、焼成することによって絶縁体基板とな
るセラミックグリーンシートを準備する工程と、セラミ
ックグリーンシートの一方主面の一部分上に、焼成する
ことによって回路素子となる回路素子ペースト層を形成
する工程と、回路素子ペースト層とほぼ同じ厚みを有し
かつ回路素子ペースト層に対応した位置に貫通孔が形成
され、焼成することによって絶縁体スペーサとなるセラ
ミックグリーンシートを準備する工程と、セラミックグ
リーンシートの一方主面の他の部分上に絶縁体スペーサ
となるセラミックグリーンシートを積層する工程と、焼
成することによって別の絶縁体基板となる別のセラミッ
クグリーンシートを準備する工程と、別のセラミックグ
リーンシートを回路素子ペースト層および絶縁体スペー
サとなるセラミックグリーンシート上に積層して積層物
を形成する工程と、積層物を圧着して焼成する工程とを
含む、多層セラミック基板の製造方法である。
るセラミックグリーンシートを準備する工程と、セラミ
ックグリーンシートの一方主面の一部分上に、焼成する
ことによって回路素子となる回路素子ペースト層を形成
する工程と、回路素子ペースト層とほぼ同じ厚みを有し
かつ回路素子ペースト層に対応した位置に貫通孔が形成
され、焼成することによって絶縁体スペーサとなるセラ
ミックグリーンシートを準備する工程と、セラミックグ
リーンシートの一方主面の他の部分上に絶縁体スペーサ
となるセラミックグリーンシートを積層する工程と、焼
成することによって別の絶縁体基板となる別のセラミッ
クグリーンシートを準備する工程と、別のセラミックグ
リーンシートを回路素子ペースト層および絶縁体スペー
サとなるセラミックグリーンシート上に積層して積層物
を形成する工程と、積層物を圧着して焼成する工程とを
含む、多層セラミック基板の製造方法である。
（作用） この発明では、セラミックグリーンシートとともに回
路素子ペースト層などを焼成することによって、絶縁体
基板、回路素子および絶縁体スペーサが同時に形成され
る。
路素子ペースト層などを焼成することによって、絶縁体
基板、回路素子および絶縁体スペーサが同時に形成され
る。
この場合、絶縁体スペーサによって、絶縁体基板間で
回路素子の側部に空隙が形成されない。しかも、絶縁体
スペーサによって、絶縁体基板間の厚みがほぼ一定に形
成される。
回路素子の側部に空隙が形成されない。しかも、絶縁体
スペーサによって、絶縁体基板間の厚みがほぼ一定に形
成される。
（発明の効果） この発明によれば、セラミックグリーンシートととも
に回路素子ペースト層などを焼成して絶縁体基板ととも
に回路素子などが同時に形成されるので、セラミックグ
リーンシートとともに積層セラミックコンデンサなどを
焼成する従来の方法と比べて、焼結温度の高いセラミッ
クグリーンシートも用いることができ、用いられるセラ
ミックグリーンシートの焼結温度の自由度が高くなる。
に回路素子ペースト層などを焼成して絶縁体基板ととも
に回路素子などが同時に形成されるので、セラミックグ
リーンシートとともに積層セラミックコンデンサなどを
焼成する従来の方法と比べて、焼結温度の高いセラミッ
クグリーンシートも用いることができ、用いられるセラ
ミックグリーンシートの焼結温度の自由度が高くなる。
さらに、この発明によれば、回路素子の側部に空隙が
形成されないので、焼成中に層間のデラミネーションを
防止することができる。しかも、絶縁体基板間の厚みが
ほぼ一定に形成されるので、焼成後の多層セラミック基
板の平滑性が保たれる。そのため、この回路基板の電子
素子を実装しやすくなり、基板の多層化，高密度化をよ
り進めることができる。
形成されないので、焼成中に層間のデラミネーションを
防止することができる。しかも、絶縁体基板間の厚みが
ほぼ一定に形成されるので、焼成後の多層セラミック基
板の平滑性が保たれる。そのため、この回路基板の電子
素子を実装しやすくなり、基板の多層化，高密度化をよ
り進めることができる。
この発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利
点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。
点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。
（実施例） 第1A図ないし第1D図は、それぞれ、この発明が適用さ
れる多層セラミック基板の一例を示し、第1A図はその斜
視図であり、第1B図はその分解斜視図であり、第1C図は
第1A図の線IC−ICにおける断面図であり、第1D図は第1A
図の線ID−IDにおける断面図である。この多層セラミッ
ク基板10は、セラミックからなる絶縁体基板12を含む。
れる多層セラミック基板の一例を示し、第1A図はその斜
視図であり、第1B図はその分解斜視図であり、第1C図は
第1A図の線IC−ICにおける断面図であり、第1D図は第1A
図の線ID−IDにおける断面図である。この多層セラミッ
ク基板10は、セラミックからなる絶縁体基板12を含む。
絶縁体基板12の一方主面の一部分上には、第1B図に示
すように、回路素子としてのコンデンサ14および抵抗16
が間隔を隔てて形成される。
すように、回路素子としてのコンデンサ14および抵抗16
が間隔を隔てて形成される。
このコンデンサ14は、たとえば円板状の誘電体14aを
含み、誘電体14aの両主面には、それぞれ、引出部を有
する電極14bおよび14cが形成される。そして、このコン
デンサ14の電極14b,誘電体14aおよび電極14cは、この順
に絶縁体基板12上に形成される。この場合、電極14cの
引出部は、絶縁体基板12の一方主面上に伸びて形成され
る。
含み、誘電体14aの両主面には、それぞれ、引出部を有
する電極14bおよび14cが形成される。そして、このコン
デンサ14の電極14b,誘電体14aおよび電極14cは、この順
に絶縁体基板12上に形成される。この場合、電極14cの
引出部は、絶縁体基板12の一方主面上に伸びて形成され
る。
また、抵抗16は、たとえば円板状の抵抗体16aを含
み、抵抗体16aの両主面にも、それぞれ、引出部を有す
る電極16bおよび16cが形成される。そして、これらの電
極16b,抵抗体16aおよび電極16cは、この順に絶縁体基板
12上に形成される。この場合、電極16cの引出部も、絶
縁体基板12の一方主面に延びて形成される。
み、抵抗体16aの両主面にも、それぞれ、引出部を有す
る電極16bおよび16cが形成される。そして、これらの電
極16b,抵抗体16aおよび電極16cは、この順に絶縁体基板
12上に形成される。この場合、電極16cの引出部も、絶
縁体基板12の一方主面に延びて形成される。
さらに、誘電体基板12の一方主面の他の部分上には、
誘電体基板12と同じ材料のセラミックで絶縁体スペーサ
18が形成される。この場合、絶縁体スペーサ18は、特に
第1C図に示すように、コンデンサ14および抵抗16とほぼ
同じ厚みを有し、その表面がコンデンサ14および抵抗16
の表面とほぼ面一になるように、コンデンサ14および抵
抗16の側部に形成される。また、この絶縁体スペーサ18
には、特に第1D図に示すように、コンデンサ14および抵
抗16の電極14b,14c,14bおよび16cの引出部に対向する部
分に、スルーホール18a,18b,18cおよび18dがそれぞれ形
成される。
誘電体基板12と同じ材料のセラミックで絶縁体スペーサ
18が形成される。この場合、絶縁体スペーサ18は、特に
第1C図に示すように、コンデンサ14および抵抗16とほぼ
同じ厚みを有し、その表面がコンデンサ14および抵抗16
の表面とほぼ面一になるように、コンデンサ14および抵
抗16の側部に形成される。また、この絶縁体スペーサ18
には、特に第1D図に示すように、コンデンサ14および抵
抗16の電極14b,14c,14bおよび16cの引出部に対向する部
分に、スルーホール18a,18b,18cおよび18dがそれぞれ形
成される。
さらに、コンデンサ14,抵抗16および絶縁体スペーサ1
8上には、絶縁体基板12と同じ材料のセラミックで別の
絶縁体基板20が形成される。この絶縁体基板20には、第
1D図に示すように、スルーホール20a,20b,20cおよび20d
が、絶縁体スペーサ18のスルーホール18a,18b,18cおよ
び18dに連通するようにそれぞれ形成される。さらに、
この絶縁体基板20の表面には、スルーホール20bの周囲
部分からスルーホール20cの周囲部分にわたって、接続
電極22が形成され、スルーホール20aおよび20dの周囲部
分には、それぞれ、外部電極24aおよび24bが形成され
る。
8上には、絶縁体基板12と同じ材料のセラミックで別の
絶縁体基板20が形成される。この絶縁体基板20には、第
1D図に示すように、スルーホール20a,20b,20cおよび20d
が、絶縁体スペーサ18のスルーホール18a,18b,18cおよ
び18dに連通するようにそれぞれ形成される。さらに、
この絶縁体基板20の表面には、スルーホール20bの周囲
部分からスルーホール20cの周囲部分にわたって、接続
電極22が形成され、スルーホール20aおよび20dの周囲部
分には、それぞれ、外部電極24aおよび24bが形成され
る。
そして、コンデンサ14の電極14cの引出部と接続電極2
2の一端とが、絶縁体スペーサ18のスルーホール18bおよ
び絶縁体基板20のスルーホール20b内の導体26bによっ
て、電気的に接続される。これと同様に、スルーホール
18cおよび20c内の導体26cによって、抵抗16の電極16bが
接続電極22の他端に接続される。したがって、コンデン
サ14の一端と抵抗16の一端とは、電気的に接続される。
2の一端とが、絶縁体スペーサ18のスルーホール18bおよ
び絶縁体基板20のスルーホール20b内の導体26bによっ
て、電気的に接続される。これと同様に、スルーホール
18cおよび20c内の導体26cによって、抵抗16の電極16bが
接続電極22の他端に接続される。したがって、コンデン
サ14の一端と抵抗16の一端とは、電気的に接続される。
さらに、スルーホール18aおよび20a内の導体26aによ
って、コンデンサ14の電極14bと外部電極24aとが接続さ
れ、スルーホール18dおよび20d内の導体26dによって、
抵抗16の電極16cと外部電極24bとが接続される。
って、コンデンサ14の電極14bと外部電極24aとが接続さ
れ、スルーホール18dおよび20d内の導体26dによって、
抵抗16の電極16cと外部電極24bとが接続される。
したがって、この多層セラミック基板10は、第２図に
示すように、１つのコンデンサ14と１つの抵抗16とが直
列に接続された回路構成となる。
示すように、１つのコンデンサ14と１つの抵抗16とが直
列に接続された回路構成となる。
この多層セラミック基板10は、絶縁体基板12となるセ
ラミックグリーンシートと別の絶縁体基板20となる別の
セラミックグリーンシートとでコンデンサ14および抵抗
16などの材料を圧着した状態で全体を焼成することによ
って製造されるが、絶縁体基板12および20となるセラミ
ックグリーンシート間には、絶縁体スペーサ18となる材
料も圧着され回路素子となる材料の側部に空隙が生じな
い。そのため、その焼成中に層間のデラミネーションが
生じにくい。しかも、この多層セラミック基板10は、絶
縁体基板12および20間でコンデンサ14,抵抗16および絶
縁体スペーサ18がほぼ一定の厚みに形成されるので、そ
の表面の平滑性がよい。そのため、この多層セラミック
基板10の表面には、電子素子を実装しやすい。
ラミックグリーンシートと別の絶縁体基板20となる別の
セラミックグリーンシートとでコンデンサ14および抵抗
16などの材料を圧着した状態で全体を焼成することによ
って製造されるが、絶縁体基板12および20となるセラミ
ックグリーンシート間には、絶縁体スペーサ18となる材
料も圧着され回路素子となる材料の側部に空隙が生じな
い。そのため、その焼成中に層間のデラミネーションが
生じにくい。しかも、この多層セラミック基板10は、絶
縁体基板12および20間でコンデンサ14,抵抗16および絶
縁体スペーサ18がほぼ一定の厚みに形成されるので、そ
の表面の平滑性がよい。そのため、この多層セラミック
基板10の表面には、電子素子を実装しやすい。
なお、電極14cの引出部は、第1E図に示す構成にして
もよい。この第1E図は第1A図の線IE−IEにおける断面図
に相当する図であり、第1E図に示す構成では、電極14c
の引出部が絶縁体基板20の一方主面の一部分上に形成さ
れている。そして、この引出部は、絶縁体基板20に形成
したスルーホール20b内の導体26bによって絶縁体基板20
の表面の接続電極22に接続される。同様に、図示しない
が、電極16cの引出部も、電極14cの引出部の上述の例に
従って、絶縁体基板20の一方主面の一部分上に形成さ
れ、かつ、絶縁体基板20に形成したスルーホール20d内
の導体26dによって外部電極24bに接続されてもよい。
もよい。この第1E図は第1A図の線IE−IEにおける断面図
に相当する図であり、第1E図に示す構成では、電極14c
の引出部が絶縁体基板20の一方主面の一部分上に形成さ
れている。そして、この引出部は、絶縁体基板20に形成
したスルーホール20b内の導体26bによって絶縁体基板20
の表面の接続電極22に接続される。同様に、図示しない
が、電極16cの引出部も、電極14cの引出部の上述の例に
従って、絶縁体基板20の一方主面の一部分上に形成さ
れ、かつ、絶縁体基板20に形成したスルーホール20d内
の導体26dによって外部電極24bに接続されてもよい。
次に、この多層セラミック基板10の製造方法の一例に
ついて説明する。
ついて説明する。
まず、第3A図に示すように、焼成することによって絶
縁体基板12となるセラミックグリーンシート12′が準備
される。このセラミックグリーンシート12′としては、
たとえば「エレクトロニク・セラミクス」1985年３月号
第18〜19頁に開示されているようなAl2O3,CaO,SiO2,Mg
O,B2O3および微量の添加物からなるセラミック粉末とバ
インダとを混合したものを、たとえばドクタブレード法
によって、シート状に成形したものが利用できる。この
ようなセラミックグリーンシートは、たとえば窒素など
の還元雰囲気中で焼成しても特性の劣化が少なく、しか
も、たとえば900〜1000℃の比較的低温で焼成すること
ができる。
縁体基板12となるセラミックグリーンシート12′が準備
される。このセラミックグリーンシート12′としては、
たとえば「エレクトロニク・セラミクス」1985年３月号
第18〜19頁に開示されているようなAl2O3,CaO,SiO2,Mg
O,B2O3および微量の添加物からなるセラミック粉末とバ
インダとを混合したものを、たとえばドクタブレード法
によって、シート状に成形したものが利用できる。この
ようなセラミックグリーンシートは、たとえば窒素など
の還元雰囲気中で焼成しても特性の劣化が少なく、しか
も、たとえば900〜1000℃の比較的低温で焼成すること
ができる。
次に、セラミックグリーンシート12′の一方主面上に
は、焼成することによってコンデンサ14の電極14bおよ
び抵抗16の電極16bとなる導電ペースト層14b′および16
b′が、導電ペーストを印刷，塗布することによってそ
れぞれ形成される。この導電ペーストとしては、セラミ
ックグリーンシート12′が900〜1000℃の還元雰囲気中
で焼成することができるので、たとえばCu,Ni,Feなどの
卑金属からなるものが利用できる。
は、焼成することによってコンデンサ14の電極14bおよ
び抵抗16の電極16bとなる導電ペースト層14b′および16
b′が、導電ペーストを印刷，塗布することによってそ
れぞれ形成される。この導電ペーストとしては、セラミ
ックグリーンシート12′が900〜1000℃の還元雰囲気中
で焼成することができるので、たとえばCu,Ni,Feなどの
卑金属からなるものが利用できる。
さらに、導電ペースト層14b′の一端部を含むセラミ
ックグリーンシート12′の一方主面上には、焼成するこ
とによって誘電体14aとなる誘電体ペースト層14a′が、
誘電体ペーストを印刷，塗布することによって形成され
る。この誘電体ペーストとしては、たとえば特開昭62−
56204号公報に開示されているようなチタン酸バリウム
系の非還元性誘電体ペーストが利用できる。このような
誘電体ペーストは、それをセラミックグリーンシート中
に収納して還元雰囲気中で焼成しても特性の劣化が少な
い。
ックグリーンシート12′の一方主面上には、焼成するこ
とによって誘電体14aとなる誘電体ペースト層14a′が、
誘電体ペーストを印刷，塗布することによって形成され
る。この誘電体ペーストとしては、たとえば特開昭62−
56204号公報に開示されているようなチタン酸バリウム
系の非還元性誘電体ペーストが利用できる。このような
誘電体ペーストは、それをセラミックグリーンシート中
に収納して還元雰囲気中で焼成しても特性の劣化が少な
い。
また、導電ペースト層16b′の一端部を含むセラミッ
クグリーンシート12′の一方主面上には、焼成すること
によって抵抗体16aとなる抵抗体ペースト層16a′が、抵
抗体ペーストを印刷，塗布することによって形成され
る。この抵抗体ペーストとしては、たとえば特開昭55−
27700号公報，特開昭55−29199号公報に開示されている
ような硼化ランタン，硼化イットリウムなどの抵抗物質
と非還元性ガラスとからなる非還元性抵抗組成物が利用
できる。このような抵抗体ペーストを用いれば、抵抗体
ペーストをセラミックグリーンシート中に収納して還元
雰囲気中で焼成しても特性の劣化が少ない。
クグリーンシート12′の一方主面上には、焼成すること
によって抵抗体16aとなる抵抗体ペースト層16a′が、抵
抗体ペーストを印刷，塗布することによって形成され
る。この抵抗体ペーストとしては、たとえば特開昭55−
27700号公報，特開昭55−29199号公報に開示されている
ような硼化ランタン，硼化イットリウムなどの抵抗物質
と非還元性ガラスとからなる非還元性抵抗組成物が利用
できる。このような抵抗体ペーストを用いれば、抵抗体
ペーストをセラミックグリーンシート中に収納して還元
雰囲気中で焼成しても特性の劣化が少ない。
さらに、誘電体ペースト層14a′および抵抗体ペース
ト層16a′の表面を含むとセラミッククリーンシート1
2′の一方主面上には、焼成することによって電極14cお
よび16cとなる導電ペースト層14c′および16c′が、導
電ペーストを印刷，塗布することによってそれぞれ形成
される。
ト層16a′の表面を含むとセラミッククリーンシート1
2′の一方主面上には、焼成することによって電極14cお
よび16cとなる導電ペースト層14c′および16c′が、導
電ペーストを印刷，塗布することによってそれぞれ形成
される。
次に、セラミックグリーンシート12′の一方主面上に
は、第3B図および第3C図に示すように、焼成することに
よって絶縁体スペーサ18となる絶縁体ペースト層18′
が、セラミックグリーンシート12′と同様な材料からな
る絶縁体ペーストを印刷，塗布することによって形成さ
れる。
は、第3B図および第3C図に示すように、焼成することに
よって絶縁体スペーサ18となる絶縁体ペースト層18′
が、セラミックグリーンシート12′と同様な材料からな
る絶縁体ペーストを印刷，塗布することによって形成さ
れる。
なお、上述の導電ペースト層，誘電体ペースト層，抵
抗体ペースト層および絶縁体ペースト層は、圧膜技術を
用いて各ペーストを印刷，塗布することによって形成さ
れる。
抗体ペースト層および絶縁体ペースト層は、圧膜技術を
用いて各ペーストを印刷，塗布することによって形成さ
れる。
さらに、第3D図に示すように、焼成することによって
別の絶縁体基板20となる別のセラミックグリーンシート
20′が準備される。このセラミックグリーンシート20′
の材料は、上述のセラミックグリーンシート12′と同様
な材料が利用できる。そして、このセラミッグーリンシ
ート20′の表面には、焼成することによって接続電極2
2,外部電極22aおよび22bとなる導電ペースト層22′24
a′および24b′が、導電ペーストを印刷，塗布すること
によってそれぞれ形成される。
別の絶縁体基板20となる別のセラミックグリーンシート
20′が準備される。このセラミックグリーンシート20′
の材料は、上述のセラミックグリーンシート12′と同様
な材料が利用できる。そして、このセラミッグーリンシ
ート20′の表面には、焼成することによって接続電極2
2,外部電極22aおよび22bとなる導電ペースト層22′24
a′および24b′が、導電ペーストを印刷，塗布すること
によってそれぞれ形成される。
それから、このセラミックグリーンシート20′が絶縁
体ペースト層18′などの上に積層される。なお、この積
層前には、第3B図ないし第3D図に図示していないが、絶
縁体ペースト層18′およびセラミックグリーンシート2
0′には、スルーホール18a〜18dおよび20a〜20dがそれ
ぞれ形成され、それらのスルーホール内には、導体26a
〜26dとなる導電ペーストが詰められている。
体ペースト層18′などの上に積層される。なお、この積
層前には、第3B図ないし第3D図に図示していないが、絶
縁体ペースト層18′およびセラミックグリーンシート2
0′には、スルーホール18a〜18dおよび20a〜20dがそれ
ぞれ形成され、それらのスルーホール内には、導体26a
〜26dとなる導電ペーストが詰められている。
そして、全体を圧着しながら焼成することによって、
第1A図ないし第1D図に示す多層セラミック基板10が作ら
れる。
第1A図ないし第1D図に示す多層セラミック基板10が作ら
れる。
次に、この多層セラミック基板10の製造方法の他の例
について説明する。
について説明する。
この製造方法では、第3A図ないし第3D図に示す上述の
製造方法に比べて、特に、絶縁体スペーサ18を形成する
点で次のように異なる。
製造方法に比べて、特に、絶縁体スペーサ18を形成する
点で次のように異なる。
すなわち、この製造方法では、絶縁体スペーサ18とな
る層がセラミックグリーンシート19で準備される。この
セラミックグリーンシート19は、第4A図に示すように、
誘電体ペースト層14a′および抵抗体ペースト層16a′と
ほぼ同じ厚みを有し、誘電体ペースト層14a′および抵
抗体ペースト層16a′に対応してそられとほぼ同じ大き
さの貫通孔19aおよび19bが形成されている。
る層がセラミックグリーンシート19で準備される。この
セラミックグリーンシート19は、第4A図に示すように、
誘電体ペースト層14a′および抵抗体ペースト層16a′と
ほぼ同じ厚みを有し、誘電体ペースト層14a′および抵
抗体ペースト層16a′に対応してそられとほぼ同じ大き
さの貫通孔19aおよび19bが形成されている。
そして、このセラミックウグリーンシート19が、第4B
図および第4C図に示すように、セラミッググリーンシー
ト12′上に積層される。
図および第4C図に示すように、セラミッググリーンシー
ト12′上に積層される。
その後は、上述を製造方法と同様に、セラミックグリ
ーンシート19上にセラミックグリーンシート20′が積
層，圧着され、全体が焼成され、それによって、多層セ
ラミック基板10が作られる。
ーンシート19上にセラミックグリーンシート20′が積
層，圧着され、全体が焼成され、それによって、多層セ
ラミック基板10が作られる。
（実験例） まず、この発明の実施例として、第3A図ないし第3D図
に示す製造方法Ａおよび第4A図ないし第4C図に示す構造
方法Ｂで、それぞれ、200個のサンプルを作った。この
場合、セラミックグリーンシートとして、SiO2,Al2O3,B
aO,B2O3およびバインダからなる厚さ100μｍの低温焼結
セラミックグリーンシートを用いた。さらに、誘電体ペ
ーストとして非還元性誘電体ペーストを用いた。抵抗体
ペーストとして、LaB6を主成分とする非還元性抵抗体ペ
ーストを用いた。また、導電ペーストとしてCu系の導体
ペーストを用いた。そして、各ペースト層をスクリーン
印刷法によって形成した。また、全体を圧着し窒素雰囲
気中950℃で焼成した。
に示す製造方法Ａおよび第4A図ないし第4C図に示す構造
方法Ｂで、それぞれ、200個のサンプルを作った。この
場合、セラミックグリーンシートとして、SiO2,Al2O3,B
aO,B2O3およびバインダからなる厚さ100μｍの低温焼結
セラミックグリーンシートを用いた。さらに、誘電体ペ
ーストとして非還元性誘電体ペーストを用いた。抵抗体
ペーストとして、LaB6を主成分とする非還元性抵抗体ペ
ーストを用いた。また、導電ペーストとしてCu系の導体
ペーストを用いた。そして、各ペースト層をスクリーン
印刷法によって形成した。また、全体を圧着し窒素雰囲
気中950℃で焼成した。
そして、各サンプルについて、その容量および抵抗を
LCRメータで測定したところ、設計通りの値が得られ
た。
LCRメータで測定したところ、設計通りの値が得られ
た。
また、従来例として、上述の方法に比べて絶縁体スペ
ーサを形成しない方法で、サンプルを200個作った。
ーサを形成しない方法で、サンプルを200個作った。
そして、それらのすべてのサンプルについて、焼成中
のデラミネーションの発生率および焼成後の表面の平滑
性を調べた。この場合、表面の平滑性については、触針
式表面粗さ計でJISB0610規格（高域カットオフ値0.8mm,
基準長さ25mm）により表面の最大うねりを測定した。そ
の結果を表に示す。
のデラミネーションの発生率および焼成後の表面の平滑
性を調べた。この場合、表面の平滑性については、触針
式表面粗さ計でJISB0610規格（高域カットオフ値0.8mm,
基準長さ25mm）により表面の最大うねりを測定した。そ
の結果を表に示す。
表の結果より、この発明の実施例によれば、従来例に
比べて、焼成中のデラミネーションの発生率が著しく減
少し、しかも焼成後の表面の平滑性が著しく向上するこ
とがわかる。
比べて、焼成中のデラミネーションの発生率が著しく減
少し、しかも焼成後の表面の平滑性が著しく向上するこ
とがわかる。
なお、上述の各実施例では、還元雰囲気中で焼成可能
な増量を用いた多層セラミック基板の製造方法について
説明したが、この発明では、還元雰囲気中で焼成可能な
材料に限らず、たとえば酸化雰囲気中で焼成できる材料
で多層セラミック基板を構成してもよい。
な増量を用いた多層セラミック基板の製造方法について
説明したが、この発明では、還元雰囲気中で焼成可能な
材料に限らず、たとえば酸化雰囲気中で焼成できる材料
で多層セラミック基板を構成してもよい。
また、上述の各実施例では、１つのコンデンサと１つ
の抵抗とが内臓された多層セラミック基板の製造方法を
例にして説明したが、この発明では、そのような構造の
多層セラミック基板に限らず他の構造の多層セラミック
基板の製造方法にも当然適用できる。
の抵抗とが内臓された多層セラミック基板の製造方法を
例にして説明したが、この発明では、そのような構造の
多層セラミック基板に限らず他の構造の多層セラミック
基板の製造方法にも当然適用できる。
第1A図ないし第1D図は、それぞれ、この発明が適用され
る多層セラミック基板の一例を示し、第1A図はその斜視
図であり、第1B図はその分解斜視図であり、第1C図は第
1A図の線IC−ICにおける断面図であり、第1D図は第1A図
の線ID−IDにおける断面図である。 第1E図は第1A図ないし第1D図に示す多層セラミック基板
の電極の引出部の変形例を示し、第1A図の線IE−IEにお
ける断面図に相当する図である。 第２図は第1A図ないし第1D図に示す多層セラミック基板
の回路図である。 第3Aないし第3D図は、それぞれ、第1A図ないし第1D図に
示す多層セラミック基板を製造するための工程の一例を
示し、第3A図，第3B図および第3D図はそれぞれその平面
図であり、第3C図は第3B図の線III C−III Cにおける断
面図である。 第4A図ないし第4C図は、第1A図ないし第1D図に示す多層
セラミック基板を製造する工程の他の例を示し、第4A図
および第4B図はそれぞれその平面図であり、第4C図は第
4B図の線IV C−IV Cにおける断面図である。 図において、10は多層セラミック基板、12は絶縁体基
板、14はコンデンサ、16は抵抗、18は絶縁体スペーサ、
20は別の絶縁体基板を示す。
る多層セラミック基板の一例を示し、第1A図はその斜視
図であり、第1B図はその分解斜視図であり、第1C図は第
1A図の線IC−ICにおける断面図であり、第1D図は第1A図
の線ID−IDにおける断面図である。 第1E図は第1A図ないし第1D図に示す多層セラミック基板
の電極の引出部の変形例を示し、第1A図の線IE−IEにお
ける断面図に相当する図である。 第２図は第1A図ないし第1D図に示す多層セラミック基板
の回路図である。 第3Aないし第3D図は、それぞれ、第1A図ないし第1D図に
示す多層セラミック基板を製造するための工程の一例を
示し、第3A図，第3B図および第3D図はそれぞれその平面
図であり、第3C図は第3B図の線III C−III Cにおける断
面図である。 第4A図ないし第4C図は、第1A図ないし第1D図に示す多層
セラミック基板を製造する工程の他の例を示し、第4A図
および第4B図はそれぞれその平面図であり、第4C図は第
4B図の線IV C−IV Cにおける断面図である。 図において、10は多層セラミック基板、12は絶縁体基
板、14はコンデンサ、16は抵抗、18は絶縁体スペーサ、
20は別の絶縁体基板を示す。
Claims (3)
- 【請求項１】焼成することによって絶縁体基板となるセ
ラミックグリーンシートを準備する工程、 前記セラミックグリーンシートの一方主面の一部分上
に、焼成することによって回路素子となる回路素子ペー
スト層を形成する工程、 前記セラミックグリーンシートの一方主面の他の部分上
に前記回路素子ペースト層とほぼ同じ厚みで、焼成する
ことによって絶縁体スペーサとなる絶縁体ペースト層を
形成する工程、 焼成することによって別の絶縁体基板となる別のセラミ
ックグリーンシートを準備する工程、 前記別のセラミックグリーンシートを前記回路素子ペー
スト層および前記絶縁体ペースト層上に積層して積層物
を形成する工程、および 前記積層物を圧着して焼成する工程を含む、多層セラミ
ック基板の製造方法。 - 【請求項２】前記絶縁体ペースト層を形成する工程は前
記セラミックグリーンシートの一方主面の他の部分上に
絶縁体ペーストを印刷する工程を含む、特許請求の範囲
第１項記載の多層セラミック基板の製造方法。 - 【請求項３】焼成することによって絶縁体基板となるセ
ラミックグリーンシートを準備する工程、 前記セラミックグリーンシートの一方主面の一部分上
に、焼成することによって回路素子となる回路素子ペー
スト層を形成する工程、 前記回路素子ペースト層とほぼ同じ厚みを有しかつ前記
回路素子にペースト層に対応した位置に貫通孔が形成さ
れ、焼成することによって絶縁体スペーサとなるセラミ
ックグリーンシートを準備する工程、 前記セラミックグリーンシートの一方主面の他の部分上
に前記絶縁体スペーサとなるセラミックグリーンシート
を積層する工程、 焼成することによって別の絶縁体基板となる別のセラミ
ックグリーンシートを準備する工程、 前記別のセラミックグリーンシートを前記回路素子ペー
スト層および前記絶縁体スペーサとなるセラミックグリ
ーンシート上に積層して積層物を形成する工程、および 前記積層物を圧着して焼成する工程を含む、多層セラミ
ック基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62254013A JP2555638B2 (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 多層セラミック基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62254013A JP2555638B2 (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 多層セラミック基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0195591A JPH0195591A (ja) | 1989-04-13 |
| JP2555638B2 true JP2555638B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=17259045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62254013A Expired - Lifetime JP2555638B2 (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 多層セラミック基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2555638B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02270396A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-05 | Nippon Cement Co Ltd | コンデンサ内蔵多層セラミック基板の製造方法 |
| JP2700920B2 (ja) * | 1989-05-19 | 1998-01-21 | 京セラ株式会社 | コンデンサー内蔵複合回路基板 |
| JPH03191596A (ja) * | 1989-12-21 | 1991-08-21 | Nippon Cement Co Ltd | コンデンサ内蔵多層セラミック基板の製造方法 |
| JP2743115B2 (ja) * | 1990-09-29 | 1998-04-22 | 京セラ株式会社 | コンデンサー内蔵複合回路基板 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6148996A (ja) * | 1984-08-16 | 1986-03-10 | 日本電気株式会社 | セラミツク多層配線基板の製造方法 |
-
1987
- 1987-10-07 JP JP62254013A patent/JP2555638B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0195591A (ja) | 1989-04-13 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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