JP2001168406A - 積層型圧電セラミック電子部品及びその製造方法 - Google Patents
積層型圧電セラミック電子部品及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温，高湿の環境下で長時間使用しても、絶
縁抵抗の劣化が殆ど生じないよう構成する。 【解決手段】 内部電極１０，１１，１２と圧電セラミ
ック層１３とを交互に複数積層して焼成した圧電セラミ
ック燒結体を部品本体とし、その内部電極１０，１１，
１２と電気的に導通する端子電極１４を圧電セラミック
燒結体の端部に設け、更に、ガラス絶縁材の被膜１５を
圧電セラミック燒結体の表面に設ける。
縁抵抗の劣化が殆ど生じないよう構成する。 【解決手段】 内部電極１０，１１，１２と圧電セラミ
ック層１３とを交互に複数積層して焼成した圧電セラミ
ック燒結体を部品本体とし、その内部電極１０，１１，
１２と電気的に導通する端子電極１４を圧電セラミック
燒結体の端部に設け、更に、ガラス絶縁材の被膜１５を
圧電セラミック燒結体の表面に設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層型圧電セラミ
ック電子部品及びその製造方法に関するものである。
ック電子部品及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、積層型圧電セラミック電子部品
は、銀（Ａｇ）または銀−パラジュウム（Ａｇ-Ｐｄ）
の内部電極を印刷形成した圧電セラミックグリーンシー
トを内部電極と交互に複数積層させて圧電セラミック積
層体を作製し、その圧電セラミック積層体を焼成した
後、図５で示すように銀を主成分とする導電性ペースト
を積層セラミック燒結体１の端部に塗布して外部電極２
ａ，２ｂ，２ｃを形成することにより構成されている。
は、銀（Ａｇ）または銀−パラジュウム（Ａｇ-Ｐｄ）
の内部電極を印刷形成した圧電セラミックグリーンシー
トを内部電極と交互に複数積層させて圧電セラミック積
層体を作製し、その圧電セラミック積層体を焼成した
後、図５で示すように銀を主成分とする導電性ペースト
を積層セラミック燒結体１の端部に塗布して外部電極２
ａ，２ｂ，２ｃを形成することにより構成されている。
【０００３】また、図６に示すような圧電セラミック層
３と交互に積層する内部電極４を圧電セラミック燒結体
１の側面に露出させて構成するものもある。
３と交互に積層する内部電極４を圧電セラミック燒結体
１の側面に露出させて構成するものもある。
【０００４】その積層型圧電セラミック電子部品におい
ては、微細な気孔が焼成により圧電セラミック燒結体の
層内に多数生じ、このため、高温高湿の環境下で長時間
使用すると、水分が気孔内に浸透し、内部電極間の絶縁
不良が発生する虞れがある。
ては、微細な気孔が焼成により圧電セラミック燒結体の
層内に多数生じ、このため、高温高湿の環境下で長時間
使用すると、水分が気孔内に浸透し、内部電極間の絶縁
不良が発生する虞れがある。
【０００５】その対策として、図７で示すように有機物
系樹脂による外装被膜５を圧電セラミック燒結体１の表
面に形成し、水分の侵入，透過を防止することが行われ
ている。然し、有機物系樹脂による外装被膜５では水分
の侵入を完全に防ぐことは困難であり、長時間の使用に
伴って電極材料である銀のマイグレーション等により絶
縁性が低下し、短絡状態に至るのを避けられない。
系樹脂による外装被膜５を圧電セラミック燒結体１の表
面に形成し、水分の侵入，透過を防止することが行われ
ている。然し、有機物系樹脂による外装被膜５では水分
の侵入を完全に防ぐことは困難であり、長時間の使用に
伴って電極材料である銀のマイグレーション等により絶
縁性が低下し、短絡状態に至るのを避けられない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、高温，高湿
の環境下で長時間使用しても、絶縁抵抗の劣化が殆ど生
じないよう構成可能な積層型圧電セラミック電子部品及
びその製造方法を提供することを目的とする。
の環境下で長時間使用しても、絶縁抵抗の劣化が殆ど生
じないよう構成可能な積層型圧電セラミック電子部品及
びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】また、本発明は変位特性を良好に保ち、絶
縁抵抗の劣化が殆ど生じないよう構成可能な積層型圧電
セラミック電子部品及びその製造方法を提供することを
目的とする。
縁抵抗の劣化が殆ど生じないよう構成可能な積層型圧電
セラミック電子部品及びその製造方法を提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
積層型圧電セラミック電子部品においては、内部電極と
圧電セラミック層とを交互に複数積層して焼成した圧電
セラミック燒結体を部品本体とし、その内部電極と電気
的に導通する端子電極を圧電セラミック燒結体の端部に
設け、更に、ガラス絶縁材の被膜を圧電セラミック燒結
体の表面に設けることにより構成されている。
積層型圧電セラミック電子部品においては、内部電極と
圧電セラミック層とを交互に複数積層して焼成した圧電
セラミック燒結体を部品本体とし、その内部電極と電気
的に導通する端子電極を圧電セラミック燒結体の端部に
設け、更に、ガラス絶縁材の被膜を圧電セラミック燒結
体の表面に設けることにより構成されている。
【０００９】本発明の請求項２に係る積層型圧電セラミ
ック電子部品においては、酸化鉛(ＰｂＯ)、酸化ケイ素
(ＳｉＯ2)、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）及び圧電セラミック
燒結体の全部或いは一部を構成する元素から選択される
セラミック化合物のいずれか２つ以上の組成物でなるガ
ラス絶縁材の被膜を圧電セラミック燒結体の表面に設け
ることにより構成されている。
ック電子部品においては、酸化鉛(ＰｂＯ)、酸化ケイ素
(ＳｉＯ2)、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）及び圧電セラミック
燒結体の全部或いは一部を構成する元素から選択される
セラミック化合物のいずれか２つ以上の組成物でなるガ
ラス絶縁材の被膜を圧電セラミック燒結体の表面に設け
ることにより構成されている。
【００１０】本発明の請求項３に係る積層型圧電セラミ
ック電子部品においては、０．５〜７．０μｍの膜厚み
を有するガラス絶縁材の被膜を圧電セラミック燒結体の
表面に設けることにより構成されている。
ック電子部品においては、０．５〜７．０μｍの膜厚み
を有するガラス絶縁材の被膜を圧電セラミック燒結体の
表面に設けることにより構成されている。
【００１１】本発明の請求項４に係る積層型圧電セラミ
ック電子部品の製造方法においては、圧電セラミック粉
末をバインダー溶液に混合してスラリーを作製し、この
スラリーから圧電セラミックスグリーンシートを作製
し、その圧電セラミックグリーンシートと内部電極とを
交互に複数積層して圧電セラミック積層体を作製し、こ
の圧電セラミック積層体を燒結した後、圧電セラミック
燒結体の内部電極と電気的に導通する端子電極をセラミ
ック燒結体の端部に形成するのに加えて、圧電セラミッ
ク積層体の燒結後に、ガラス絶縁ペーストを圧電セラミ
ック燒結体の表面にコーテイングし、それを焼成してガ
ラス絶縁材の被膜を作製するようにされている。
ック電子部品の製造方法においては、圧電セラミック粉
末をバインダー溶液に混合してスラリーを作製し、この
スラリーから圧電セラミックスグリーンシートを作製
し、その圧電セラミックグリーンシートと内部電極とを
交互に複数積層して圧電セラミック積層体を作製し、こ
の圧電セラミック積層体を燒結した後、圧電セラミック
燒結体の内部電極と電気的に導通する端子電極をセラミ
ック燒結体の端部に形成するのに加えて、圧電セラミッ
ク積層体の燒結後に、ガラス絶縁ペーストを圧電セラミ
ック燒結体の表面にコーテイングし、それを焼成してガ
ラス絶縁材の被膜を作製するようにされている。
【００１２】本発明の請求項５に係る積層型圧電セラミ
ック電子部品の製造方法においては、酸化鉛(ＰｂＯ)、
酸化ケイ素(ＳｉＯ2)、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）及び圧電
セラミック燒結体の全部或いは一部を構成する元素から
選択されるセラミック化合物のいずれか２つ以上の組成
物でなるガラス絶縁ペーストを圧電セラミック燒結体の
表面にコーテングするようにされている。
ック電子部品の製造方法においては、酸化鉛(ＰｂＯ)、
酸化ケイ素(ＳｉＯ2)、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）及び圧電
セラミック燒結体の全部或いは一部を構成する元素から
選択されるセラミック化合物のいずれか２つ以上の組成
物でなるガラス絶縁ペーストを圧電セラミック燒結体の
表面にコーテングするようにされている。
【００１３】本発明の請求項６に係る積層型圧電セラミ
ック電子部品の製造方法においては、ガラス絶縁ペース
トを０．５〜７．０μｍの膜厚みで圧電セラミック燒結
体の表面にコーテングするようにされている。
ック電子部品の製造方法においては、ガラス絶縁ペース
トを０．５〜７．０μｍの膜厚みで圧電セラミック燒結
体の表面にコーテングするようにされている。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図４を参照して説明
すると、図示の積層型圧電セラミック電子部品は、図１
で示すように銀（Ａｇ）または銀−パラジュウム（Ａｇ
-Ｐｄ）の導電性ペーストから引出し電極の位置を違え
て内部電極１０，１１，１２を圧電セラミックグリーン
シート１３の面内に印刷形成し、その圧電セラミックグ
リーンシート１３を内部電極１０，１１，１２と交互に
複数積層して圧電セラミック積層体を作製し、この圧電
セラミック積層体を焼成した積層セラミック燒結体によ
り構成されている。
すると、図示の積層型圧電セラミック電子部品は、図１
で示すように銀（Ａｇ）または銀−パラジュウム（Ａｇ
-Ｐｄ）の導電性ペーストから引出し電極の位置を違え
て内部電極１０，１１，１２を圧電セラミックグリーン
シート１３の面内に印刷形成し、その圧電セラミックグ
リーンシート１３を内部電極１０，１１，１２と交互に
複数積層して圧電セラミック積層体を作製し、この圧電
セラミック積層体を焼成した積層セラミック燒結体によ
り構成されている。
【００１５】その積層セラミック燒結体には、図２で示
すように銀を主成分とする導電性ペーストを積層セラミ
ック燒結体１の端部に塗布して内部電極１０，１１，１
２と電気的に導通する外部電極１４を形成する。更に、
酸化鉛(ＰｂＯ)、酸化ケイ素(ＳｉＯ2)、アルミナ（Ａ
ｌ2Ｏ3）及び圧電セラミック燒結体の全部或いは一部を
構成する元素から選択されるセラミック化合物のいずれ
か２つ以上の組成物でなるガラス絶縁材の被膜１５を圧
電セラミック燒結体の表面に設けることにより積層型圧
電セラミック電子部品として構成されている。
すように銀を主成分とする導電性ペーストを積層セラミ
ック燒結体１の端部に塗布して内部電極１０，１１，１
２と電気的に導通する外部電極１４を形成する。更に、
酸化鉛(ＰｂＯ)、酸化ケイ素(ＳｉＯ2)、アルミナ（Ａ
ｌ2Ｏ3）及び圧電セラミック燒結体の全部或いは一部を
構成する元素から選択されるセラミック化合物のいずれ
か２つ以上の組成物でなるガラス絶縁材の被膜１５を圧
電セラミック燒結体の表面に設けることにより積層型圧
電セラミック電子部品として構成されている。
【００１６】このように構成する積層型圧電セラミック
電子部品では、圧電セラミック燒結体の表面を非透水性
の緻密なガラス絶縁材の被膜１５で覆うため、水分の浸
透による内部電極間の絶縁不良及びマイグレーションに
よる絶縁不良の発生を防げ、高温，高湿環境下で長時間
の稼動が可能で変位量も確保できるところから信頼性，
耐久性の高いものに構成できる。
電子部品では、圧電セラミック燒結体の表面を非透水性
の緻密なガラス絶縁材の被膜１５で覆うため、水分の浸
透による内部電極間の絶縁不良及びマイグレーションに
よる絶縁不良の発生を防げ、高温，高湿環境下で長時間
の稼動が可能で変位量も確保できるところから信頼性，
耐久性の高いものに構成できる。
【００１７】その積層型圧電セラミック電子部品として
は、図１並びに図２で示すような内部電極を露出させな
いものの他に、図３で示すように圧電セラミックグリー
ンシート１３の長手方向両端寄りを除いて内部電極１
０’，１１’，１２’を全面に印刷形成し、図４で示す
ような内部電極１０’，１１’，１２’が端面に露出す
る圧電セラミック燒結体により構成することもできる。
は、図１並びに図２で示すような内部電極を露出させな
いものの他に、図３で示すように圧電セラミックグリー
ンシート１３の長手方向両端寄りを除いて内部電極１
０’，１１’，１２’を全面に印刷形成し、図４で示す
ような内部電極１０’，１１’，１２’が端面に露出す
る圧電セラミック燒結体により構成することもできる。
【００１８】その積層型圧電セラミック電子部品を製造
するには、まず、圧電セラミックの原料粉末を主成分と
して有機バインダーを所定量添加し、更に、溶剤を加え
てボールミルにより十分に混合し、圧電セラミック磁器
材料のスラリーを作製する。次いで、このスラリーから
ロールコーターにより薄膜をポリエステルフィルム上に
形成し、その薄膜をポリエステルフィルム上で８０〜１
００℃に加熱して乾燥させて所定幅に打ち抜くことによ
り厚さ２０μｍの圧電セラミックグリーンシートを得
る。
するには、まず、圧電セラミックの原料粉末を主成分と
して有機バインダーを所定量添加し、更に、溶剤を加え
てボールミルにより十分に混合し、圧電セラミック磁器
材料のスラリーを作製する。次いで、このスラリーから
ロールコーターにより薄膜をポリエステルフィルム上に
形成し、その薄膜をポリエステルフィルム上で８０〜１
００℃に加熱して乾燥させて所定幅に打ち抜くことによ
り厚さ２０μｍの圧電セラミックグリーンシートを得
る。
【００１９】内部電極の形成用としては、Ａｇ粉末及び
Ｐｄ粉末とエチルセルロースとをブチルカルビトール及
びターピネオールに溶解させて攪拌混合することにより
導電性ペーストを作製する。その導電性ペーストを用い
ては、所定のパターンを有するスクリーンにより圧電セ
ラミックグリーンシートの片面に印刷し、乾燥させて内
部電極を形成する。
Ｐｄ粉末とエチルセルロースとをブチルカルビトール及
びターピネオールに溶解させて攪拌混合することにより
導電性ペーストを作製する。その導電性ペーストを用い
ては、所定のパターンを有するスクリーンにより圧電セ
ラミックグリーンシートの片面に印刷し、乾燥させて内
部電極を形成する。
【００２０】次に、圧電セラミックグリーンシートを内
部電極と交互に複数枚積層し、上下の最外層には内部電
極の印刷されていないセラミックグリーンシートを２０
層（シート厚み：１５μｍ）積層する。次いで、この圧
電セラミック積層体を約６０℃の温度で加熱しながら圧
力を積層方向に加えて圧着させる。
部電極と交互に複数枚積層し、上下の最外層には内部電
極の印刷されていないセラミックグリーンシートを２０
層（シート厚み：１５μｍ）積層する。次いで、この圧
電セラミック積層体を約６０℃の温度で加熱しながら圧
力を積層方向に加えて圧着させる。
【００２１】その圧電セラミック積層体は、焼成炉に入
れて有機バインダーを除去し、加熱温度を１０６０℃に
保って２時間焼成する。この後、２００℃/時の速度で
６００℃まで降温し、室温まで冷却して圧電セラミック
焼成体を得る。その工程により、有機バインダーが除去
され、気孔が圧電セラミック燒結体の層内に点在してい
る。
れて有機バインダーを除去し、加熱温度を１０６０℃に
保って２時間焼成する。この後、２００℃/時の速度で
６００℃まで降温し、室温まで冷却して圧電セラミック
焼成体を得る。その工程により、有機バインダーが除去
され、気孔が圧電セラミック燒結体の層内に点在してい
る。
【００２２】その圧電セラミック燒結体の被膜形成用と
しては、酸化鉛(ＰｂＯ)、酸化ケイ素(ＳｉＯ2)、アル
ミナ（Ａｌ2Ｏ3）及び積層圧電セラミック体の全部或い
は一部を構成する元素から選択されるセラミック化合物
（以下、「共材」という。）のいずれか２つ以上の組成物
粉末をエチルセルロースやアクリル等の合成樹脂とメチ
ルエチルケトン（ＭＥＫ）等の溶剤を用いて分散させる
ことにより適度な粘度に調整したガラス絶縁ペーストを
作製する。
しては、酸化鉛(ＰｂＯ)、酸化ケイ素(ＳｉＯ2)、アル
ミナ（Ａｌ2Ｏ3）及び積層圧電セラミック体の全部或い
は一部を構成する元素から選択されるセラミック化合物
（以下、「共材」という。）のいずれか２つ以上の組成物
粉末をエチルセルロースやアクリル等の合成樹脂とメチ
ルエチルケトン（ＭＥＫ）等の溶剤を用いて分散させる
ことにより適度な粘度に調整したガラス絶縁ペーストを
作製する。
【００２３】そのガラス絶縁ペーストは、ディップ，ス
ピンコート等で均一になるよう圧電セラミック燒結体の
表面に塗布，乾燥させた後、炉内を大気中雰囲気として
約８００℃の温度で２０分焼成する。この工程により、
圧電セラミック燒結体の表面にはガラス絶縁材の被膜を
形成できると共に、ガラス成分が圧電セラミック燒結体
の層内に浸透，拡散して気孔に充填される。
ピンコート等で均一になるよう圧電セラミック燒結体の
表面に塗布，乾燥させた後、炉内を大気中雰囲気として
約８００℃の温度で２０分焼成する。この工程により、
圧電セラミック燒結体の表面にはガラス絶縁材の被膜を
形成できると共に、ガラス成分が圧電セラミック燒結体
の層内に浸透，拡散して気孔に充填される。
【００２４】その後、圧電セラミック燒結体を所定の部
品寸法にダイシング加工し、圧電セラミックチップ素体
を作製し、最後に、内部電極が露出する圧電セラミック
チップ素体の端面にはＡｇ粉末，Ｐｄ粉末とガラスフリ
ット，ビヒクルからなる導電性ペーストを塗布して乾燥
させてから、炉内を大気中雰囲気として約７２０℃の温
度で２０分間焼成することにより外部電極を形成する。
品寸法にダイシング加工し、圧電セラミックチップ素体
を作製し、最後に、内部電極が露出する圧電セラミック
チップ素体の端面にはＡｇ粉末，Ｐｄ粉末とガラスフリ
ット，ビヒクルからなる導電性ペーストを塗布して乾燥
させてから、炉内を大気中雰囲気として約７２０℃の温
度で２０分間焼成することにより外部電極を形成する。
【００２５】内部電極が側面に露出しない構造のもの
で、上述した工程でＰｂＯ：３０ｗｔ％，ＳｉＯ：１０
ｗｔ％，Ａｌ2Ｏ3：１０ｗｔ％，共材（７２Ａ材）：５
０ｗｔ％の組成物からガラス絶縁材の被膜を設けた本発
明品と従来品の１００個分について、高温高湿試験（試
験条件：温度：８５℃、相対湿度：８５％ＲＨ）による
比較評価を行った。その結果は、表1に示す通りであ
る。
で、上述した工程でＰｂＯ：３０ｗｔ％，ＳｉＯ：１０
ｗｔ％，Ａｌ2Ｏ3：１０ｗｔ％，共材（７２Ａ材）：５
０ｗｔ％の組成物からガラス絶縁材の被膜を設けた本発
明品と従来品の１００個分について、高温高湿試験（試
験条件：温度：８５℃、相対湿度：８５％ＲＨ）による
比較評価を行った。その結果は、表1に示す通りであ
る。
【００２６】
【表１】
【００２７】本発明品では、０．５〜７．０μｍの膜厚
みを有するガラス絶縁材の被膜を圧電セラミック燒結体
の表面に設けることにより水分の浸透を防止でき、絶縁
不良の発生を低減できて信頼性，耐久性の高いものに構
成できる。なお、ガラス絶縁材の被膜厚みが０．３μｍ
程度では膜厚みとして薄いところから、１０００時間程
度の高温高湿試験にしか耐えられない。また、ガラス絶
縁材の被膜厚みが１０μｍ程度になると、膜厚みとして
厚いため、圧電セラミック燒結体の変位特性に影響を与
えるところから好ましくない。
みを有するガラス絶縁材の被膜を圧電セラミック燒結体
の表面に設けることにより水分の浸透を防止でき、絶縁
不良の発生を低減できて信頼性，耐久性の高いものに構
成できる。なお、ガラス絶縁材の被膜厚みが０．３μｍ
程度では膜厚みとして薄いところから、１０００時間程
度の高温高湿試験にしか耐えられない。また、ガラス絶
縁材の被膜厚みが１０μｍ程度になると、膜厚みとして
厚いため、圧電セラミック燒結体の変位特性に影響を与
えるところから好ましくない。
【００２８】これに対し、従来品の有機物系樹脂による
外装被膜では水分の侵入を完全に防げず、１０時間程度
の高温高湿試験にしか耐えられなかった。
外装被膜では水分の侵入を完全に防げず、１０時間程度
の高温高湿試験にしか耐えられなかった。
【００２９】その他に、内部電極が側面に露出した構造
のものについても、上述したものと同じ組成物からガラ
ス絶縁材の被膜を設けた本発明品と従来品との高温高湿
試験（試験条件：温度：８５℃、相対湿度：８５％Ｒ
Ｈ）の比較評価を行った。その結果は、表２に示す通り
である。
のものについても、上述したものと同じ組成物からガラ
ス絶縁材の被膜を設けた本発明品と従来品との高温高湿
試験（試験条件：温度：８５℃、相対湿度：８５％Ｒ
Ｈ）の比較評価を行った。その結果は、表２に示す通り
である。
【００３０】
【表２】
【００３１】内部電極が側面に露出した構造の本発明品
でも、０．５〜７．０μｍの膜厚みを有するガラス絶縁
材の被膜を圧電セラミック燒結体の表面に設けることに
より水分の浸透を防止でき、絶縁不良の発生を低減でき
て信頼性，耐久性の高いものに構成できる。但し、ガラ
ス絶縁材の被膜０．３μｍ程度では１０時間程度の高温
高湿試験にしか耐えられない。また、ガラス絶縁材の被
膜厚みが１０μｍ程度になると、内部電極を側面に露出
させない構造のものと同様に、圧電セラミック燒結体の
変位特性に影響を与えるところから好ましくない。
でも、０．５〜７．０μｍの膜厚みを有するガラス絶縁
材の被膜を圧電セラミック燒結体の表面に設けることに
より水分の浸透を防止でき、絶縁不良の発生を低減でき
て信頼性，耐久性の高いものに構成できる。但し、ガラ
ス絶縁材の被膜０．３μｍ程度では１０時間程度の高温
高湿試験にしか耐えられない。また、ガラス絶縁材の被
膜厚みが１０μｍ程度になると、内部電極を側面に露出
させない構造のものと同様に、圧電セラミック燒結体の
変位特性に影響を与えるところから好ましくない。
【００３２】これに対し、従来品の有機物系樹脂による
外装被膜では水分の侵入を防げず、１０時間程度の高温
高湿試験にも耐えられなかった。
外装被膜では水分の侵入を防げず、１０時間程度の高温
高湿試験にも耐えられなかった。
【００３３】
【発明の効果】以上の如く、本発明に係る積層型圧電セ
ラミック電子部品及びその製造方法に依れば、所定の膜
厚みを有するガラス絶縁材の被膜を圧電セラミック燒結
体の表面に設けることにより、水分の浸透を防止できる
ため、水分の浸透による内部電極間の絶縁不良及びマイ
グレーションによる絶縁不良の発生を防げ、高温，高湿
環境下で長時間の稼動が可能で変位量も確保できるとこ
ろから信頼性，耐久性の高いものとして構成できる。
ラミック電子部品及びその製造方法に依れば、所定の膜
厚みを有するガラス絶縁材の被膜を圧電セラミック燒結
体の表面に設けることにより、水分の浸透を防止できる
ため、水分の浸透による内部電極間の絶縁不良及びマイ
グレーションによる絶縁不良の発生を防げ、高温，高湿
環境下で長時間の稼動が可能で変位量も確保できるとこ
ろから信頼性，耐久性の高いものとして構成できる。
【図１】本発明に係る内部電極の露出しない積層型圧電
セラミック電子部品を構成する内部電極並びにセラミッ
クグリーンシートを示す斜視図である。
セラミック電子部品を構成する内部電極並びにセラミッ
クグリーンシートを示す斜視図である。
【図２】図１のものによる積層型圧電セラミック電子部
品を示す断面図である。
品を示す断面図である。
【図３】本発明に係る内部電極の露出した積層圧電セラ
ミック電子部品を構成する内部電極並びにセラミックグ
リーンシートを示す斜視図である。
ミック電子部品を構成する内部電極並びにセラミックグ
リーンシートを示す斜視図である。
【図４】図３のものによる積層型圧電セラミック電子部
品を示す断面図である。
品を示す断面図である。
【図５】従来例に係る内部電極の露出しない積層型圧電
セラミック電子部品を示す斜視図である。
セラミック電子部品を示す斜視図である。
【図６】従来例に係る内部電極の露出した積層型圧電セ
ラミック電子部品を示す斜視図である。
ラミック電子部品を示す斜視図である。
【図７】従来例に係る絶縁樹脂の被膜を設けた積層型圧
電セラミック電子部品を示す断面図である。
電セラミック電子部品を示す断面図である。
１０，１１，１２ 内部電極 １３ 圧電セラミック層（圧電セラミックグリーンシ
ート） １４ 外部電極 １５ ガラス絶縁材の被膜
ート） １４ 外部電極 １５ ガラス絶縁材の被膜
Claims (6)
- 【請求項１】 内部電極と圧電セラミック層とを交互に
複数積層して焼成した圧電セラミック燒結体を部品本体
とし、その内部電極と電気的に導通する端子電極を圧電
セラミック燒結体の端部に設け、更に、ガラス絶縁材の
被膜を圧電セラミック燒結体の表面に設けてなることを
特徴とする積層型圧電セラミック電子部品。 - 【請求項２】 酸化鉛(ＰｂＯ)、酸化ケイ素(Ｓｉ
Ｏ2)、アルミナ（Ａｌ2Ｏ 3）及び圧電セラミック燒結体
の全部或いは一部を構成する元素から選択されるセラミ
ック化合物のいずれか２つ以上の組成物でなるガラス絶
縁材の被膜を圧電セラミック燒結体の表面に設けてなる
ことを特徴とする請求項１に記載の積層型圧電セラミッ
ク電子部品。 - 【請求項３】 ０．５〜７．０μｍの膜厚みを有するガ
ラス絶縁材の被膜を圧電セラミック燒結体の表面に設け
てなることを特徴とする請求項１または２に記載の積層
型圧電セラミック電子部品。 - 【請求項４】 圧電セラミック粉末をバインダー溶液に
混合してスラリーを作製し、このスラリーから圧電セラ
ミックスグリーンシートを作製し、その圧電セラミック
グリーンシートと内部電極とを交互に複数積層して圧電
セラミック積層体を作製し、この圧電セラミック積層体
を燒結した後、圧電セラミック燒結体の内部電極と電気
的に導通する端子電極をセラミック燒結体の端部に形成
するするのに加えて、圧電セラミック積層体の燒結後
に、ガラス絶縁ペーストを圧電セラミック燒結体の表面
にコーテイングし、それを焼成してガラス絶縁材による
被膜を作製する工程を含むことを特徴とする積層型圧電
セラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項５】 酸化鉛(ＰｂＯ)、酸化ケイ素(Ｓｉ
Ｏ2)、アルミナ（Ａｌ2Ｏ 3）及び圧電セラミック燒結体
の全部或いは一部を構成する元素から選択されるセラミ
ック化合物のいずれか２つ以上の組成物でなるガラス絶
縁ペーストを圧電セラミック燒結体の表面にコーテング
するようにしたことを特徴とする請求項４に記載の積層
型圧電セラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項６】 ガラス絶縁ペーストを０．５〜７．０μ
ｍの膜厚みで圧電セラミック燒結体の表面にコーテング
するようにしたことを特徴とする請求項４または５記載
の積層型圧電セラミック電子部品の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34873299A JP4802353B2 (ja) | 1999-12-08 | 1999-12-08 | 積層型圧電セラミック電子部品及びその製造方法 |
| US09/730,596 US6411012B2 (en) | 1999-12-08 | 2000-12-07 | Multilayer piezoelectric element and method of producing the same |
| DE60038276T DE60038276T2 (de) | 1999-12-08 | 2000-12-08 | Vielschicht-Piezoelement und dessen Herstellungsverfahren |
| EP00126964A EP1107325B1 (en) | 1999-12-08 | 2000-12-08 | Multilayer piezoelectric element and method of producing the same |
| CNB001352393A CN1197179C (zh) | 1999-12-08 | 2000-12-08 | 多层压电元件及其制造方法 |
| HK01107949A HK1037424A1 (en) | 1999-12-08 | 2001-11-12 | Laminated piezoelectric body and method fo producing the same. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34873299A JP4802353B2 (ja) | 1999-12-08 | 1999-12-08 | 積層型圧電セラミック電子部品及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001168406A true JP2001168406A (ja) | 2001-06-22 |
| JP4802353B2 JP4802353B2 (ja) | 2011-10-26 |
Family
ID=18399001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34873299A Expired - Fee Related JP4802353B2 (ja) | 1999-12-08 | 1999-12-08 | 積層型圧電セラミック電子部品及びその製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4802353B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005050837A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-02-24 | Kyocera Corp | 積層型電子部品とその製造方法 |
| WO2006025456A1 (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-09 | Advantest Corporation | バイモルフ素子、バイモルフスイッチ、ミラー素子及びこれらの製造方法 |
| JP2009194146A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Ngk Insulators Ltd | 圧電／電歪素子及び圧電／電歪素子の製造方法 |
| CN106920599A (zh) * | 2017-03-22 | 2017-07-04 | 合肥仁德电子科技有限公司 | 一种电子元件的制备方法 |
| JP2020167368A (ja) * | 2018-10-30 | 2020-10-08 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
| JP2020167367A (ja) * | 2018-10-30 | 2020-10-08 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
Citations (6)
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| JPH11340089A (ja) * | 1998-05-21 | 1999-12-10 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品の製造方法及び積層セラミック電子部品 |
-
1999
- 1999-12-08 JP JP34873299A patent/JP4802353B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
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| US7477003B2 (en) | 2004-09-01 | 2009-01-13 | Advantest Corporation | Bimorph element, bimorph switch, mirror element, and method for manufacturing these |
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| JP2020167368A (ja) * | 2018-10-30 | 2020-10-08 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
| JP2020167367A (ja) * | 2018-10-30 | 2020-10-08 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
| JP7495785B2 (ja) | 2018-10-30 | 2024-06-05 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
| JP7514069B2 (ja) | 2018-10-30 | 2024-07-10 | Tdk株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
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|---|---|
| JP4802353B2 (ja) | 2011-10-26 |
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