JP2945529B2 - 積層磁器コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
積層磁器コンデンサ及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は信頼性の高い積層磁器コ
ンデンサ及びその製造方法に関する。
ンデンサ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３に示すようにチタン酸バリウム系等
の誘電体磁器層１の中に第１及び第２の内部電極層２、
３を設け、これ等に接続された第１及び第２の外部電極
層４、５を設けた構造の積層磁器コンデンサは広く使用
されている。
の誘電体磁器層１の中に第１及び第２の内部電極層２、
３を設け、これ等に接続された第１及び第２の外部電極
層４、５を設けた構造の積層磁器コンデンサは広く使用
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、積層磁器コ
ンデンサを回路基板に取り付ける時には第１及び第２の
外部電極層４、５を半田によって配線導体に接続する。
この半田付け工程で第１及び第２の外部電極層４、５に
高温の半田が接触すると、磁器層１に熱衝撃が加わり、
外部電極層４、５と磁器層１との境界近傍にクラック６
が発生することがある。この種のクラックは静電容量に
は直接に影響しないが、機械的強度の低下、及び信頼性
の低下を招くおそれがある。
ンデンサを回路基板に取り付ける時には第１及び第２の
外部電極層４、５を半田によって配線導体に接続する。
この半田付け工程で第１及び第２の外部電極層４、５に
高温の半田が接触すると、磁器層１に熱衝撃が加わり、
外部電極層４、５と磁器層１との境界近傍にクラック６
が発生することがある。この種のクラックは静電容量に
は直接に影響しないが、機械的強度の低下、及び信頼性
の低下を招くおそれがある。
【０００４】そこで、本発明の第１の目的は信頼性の高
い積層磁器コンデンサを提供することにある。本発明の
第２の目的は信頼性の高い積層磁器コンデンサを容易に
製造する方法を提供することにある。
い積層磁器コンデンサを提供することにある。本発明の
第２の目的は信頼性の高い積層磁器コンデンサを容易に
製造する方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の第１の目的を達成
するための本発明は、誘電体磁器と、前記磁器に埋設さ
れた第１の内部電極層と、前記磁器に埋設され且つ前記
第１の内部電極層に対向する領域を有している第２の内
部電極層と、前記磁器の外周面に設けられ且つ前記第１
の内部電極層に接続された第１の外部電極層と、前記磁
器の外周面に設けられ且つ前記第２の内部電極層に接続
された第２の外部電極層とから成る積層磁器コンデンサ
において、前記磁器の前記第１及び第２の外部電極層に
隣接する領域の結晶粒子の径がこれ以外の領域の結晶粒
子の径よりも小さい積層磁器コンデンサに係わるもので
ある。上記の第２の目的を達成するための本発明は、未
焼成の誘電体磁器と、前記未焼成の誘電体磁器に埋設さ
れた第１の未焼成の内部電極層と、前記未焼成の誘電体
磁器に埋設され且つ前記第１の未焼成の内部電極層に対
向する領域を有している第２の未焼成の内部電極層とを
備えた積層生チップを形成する工程と、導電性物質の粉
末と粒成長抑制物質と有機バインダとを含む導電性ペー
ストを前記第１及び未焼成の内部電極層に接続されるよ
うに前記積層生チップの外周面の第１及び第２の領域に
塗布して第１及び第２の未焼成の外部電極層を形成する
工程と、前記第１及び第２の未焼成の外部電極層を有す
る前記積層生チップを焼成する工程とを有する積層磁器
コンデンサの製造方法に係わるものである。
するための本発明は、誘電体磁器と、前記磁器に埋設さ
れた第１の内部電極層と、前記磁器に埋設され且つ前記
第１の内部電極層に対向する領域を有している第２の内
部電極層と、前記磁器の外周面に設けられ且つ前記第１
の内部電極層に接続された第１の外部電極層と、前記磁
器の外周面に設けられ且つ前記第２の内部電極層に接続
された第２の外部電極層とから成る積層磁器コンデンサ
において、前記磁器の前記第１及び第２の外部電極層に
隣接する領域の結晶粒子の径がこれ以外の領域の結晶粒
子の径よりも小さい積層磁器コンデンサに係わるもので
ある。上記の第２の目的を達成するための本発明は、未
焼成の誘電体磁器と、前記未焼成の誘電体磁器に埋設さ
れた第１の未焼成の内部電極層と、前記未焼成の誘電体
磁器に埋設され且つ前記第１の未焼成の内部電極層に対
向する領域を有している第２の未焼成の内部電極層とを
備えた積層生チップを形成する工程と、導電性物質の粉
末と粒成長抑制物質と有機バインダとを含む導電性ペー
ストを前記第１及び未焼成の内部電極層に接続されるよ
うに前記積層生チップの外周面の第１及び第２の領域に
塗布して第１及び第２の未焼成の外部電極層を形成する
工程と、前記第１及び第２の未焼成の外部電極層を有す
る前記積層生チップを焼成する工程とを有する積層磁器
コンデンサの製造方法に係わるものである。
【０００６】
【作用及び効果】第１番目の発明における第１及び第２
の外部電極層の近傍の結晶粒子の小さい領域は、比較的
大きな機械的強度を有する。従って、第１及び第２の外
部電極層に半田等による熱衝撃が加わってもクラックが
発生するおそれが少ない。第１及び第２の内部電極層の
相互間領域は比較的大きな結晶粒子であるので、比較的
大きな静電容量を得ることができる。第２番目の発明に
おいては、粒成長抑制物質は焼成時に磁器層に拡散し、
外部電極層の近傍の結晶の径が大きくなることを抑制す
る。これにより、第１番目の発明で特定された積層磁器
コンデンサが容易に得られる。
の外部電極層の近傍の結晶粒子の小さい領域は、比較的
大きな機械的強度を有する。従って、第１及び第２の外
部電極層に半田等による熱衝撃が加わってもクラックが
発生するおそれが少ない。第１及び第２の内部電極層の
相互間領域は比較的大きな結晶粒子であるので、比較的
大きな静電容量を得ることができる。第２番目の発明に
おいては、粒成長抑制物質は焼成時に磁器層に拡散し、
外部電極層の近傍の結晶の径が大きくなることを抑制す
る。これにより、第１番目の発明で特定された積層磁器
コンデンサが容易に得られる。
【０００７】
【第１の実施例】まず、（Ｂａ0.90 Ｃａ0.06 Ｓｒ
0.04）（Ｔｉ0.82 Ｚｒ0.18）Ｏ3で示される磁器主成
分９９重量％に対してＬｉ2 Ｏ−ＢａＯ−ＣａＯ−Ｓｒ
Ｏ−ＳｉＯ2 から成るガラス成分を１重量％添加した誘
電体磁器材料を用意した。
0.04）（Ｔｉ0.82 Ｚｒ0.18）Ｏ3で示される磁器主成
分９９重量％に対してＬｉ2 Ｏ−ＢａＯ−ＣａＯ−Ｓｒ
Ｏ−ＳｉＯ2 から成るガラス成分を１重量％添加した誘
電体磁器材料を用意した。
【０００８】次に、この誘電体磁器材料に、有機バイン
ダ、分散剤、消泡剤を混合してスラリを作製した。次
に、このスラリを使用してドクターブレード法で厚さ４
０μｍのグリーンシート（未焼成磁器シート即ち磁器生
シ−ト）を複数枚作製した。
ダ、分散剤、消泡剤を混合してスラリを作製した。次
に、このスラリを使用してドクターブレード法で厚さ４
０μｍのグリーンシート（未焼成磁器シート即ち磁器生
シ−ト）を複数枚作製した。
【０００９】次に、Ｎｉ（ニッケル）粒子と有機バイン
ダとを含む導電性ペーストを複数のグリーンシート上に
所定パターンに印刷した。次に、互いに対向する第１及
び第２の内部電極層が生じるように４０枚のグリーンシ
ートを積層し、更に、この上下に導電性ペーストが塗布
されていないグリーンシートを５枚ずつ積層し、熱圧着
し、所望形状に切断することによって図１に示すような
積層生チップ１０を得た。この積層生チップ１０は未焼
成磁器１１と、未焼成磁器１１に埋設された第１及び第
２の未焼成内部電極層１２、１３とから成る。
ダとを含む導電性ペーストを複数のグリーンシート上に
所定パターンに印刷した。次に、互いに対向する第１及
び第２の内部電極層が生じるように４０枚のグリーンシ
ートを積層し、更に、この上下に導電性ペーストが塗布
されていないグリーンシートを５枚ずつ積層し、熱圧着
し、所望形状に切断することによって図１に示すような
積層生チップ１０を得た。この積層生チップ１０は未焼
成磁器１１と、未焼成磁器１１に埋設された第１及び第
２の未焼成内部電極層１２、１３とから成る。
【００１０】次に、外部電極層を形成するために、Ｎｉ
（ニッケル）粉末１００重量部と、Ｄｙ2 Ｏ3 （酸化ジ
スプロシウム）１０重量部と、有機バインダ３０重量部
から成る外部電極用導電性ペーストを用意した。次に、
積層生チップ１０の両端面に外部電極用導電性ペースト
をディップ法で塗布して図１に示す第１及び第２の未焼
成外部電極層１４、１５を形成した。なお、第１及び第
２の未焼成外部電極層１４、１５は第１及び第２の未焼
成内部電極層１２、１３に夫々接続されている。
（ニッケル）粉末１００重量部と、Ｄｙ2 Ｏ3 （酸化ジ
スプロシウム）１０重量部と、有機バインダ３０重量部
から成る外部電極用導電性ペーストを用意した。次に、
積層生チップ１０の両端面に外部電極用導電性ペースト
をディップ法で塗布して図１に示す第１及び第２の未焼
成外部電極層１４、１５を形成した。なお、第１及び第
２の未焼成外部電極層１４、１５は第１及び第２の未焼
成内部電極層１２、１３に夫々接続されている。
【００１１】次に、図１に示すものを還元性雰囲気中１
１５０℃で２時間焼成し、図２に示す焼結した磁器２１
と、この磁器２１の中に埋設された第１及び第２の内部
電極層２２、２３と、磁器２１の外周面の第１及び第２
の外部電極層２４、２５とから成る積層磁器コンデンサ
を得た。なお、図２の磁器２１、第１及び第２の内部電
極層２２、２３、第１及び第２の外部電極層２４、２５
は図１の未焼成磁器１１、第１及び第２の未焼成内部電
極層１２、１３、第１及び第２の未焼成外部電極層１
４、１５に基づいて形成されたものである。
１５０℃で２時間焼成し、図２に示す焼結した磁器２１
と、この磁器２１の中に埋設された第１及び第２の内部
電極層２２、２３と、磁器２１の外周面の第１及び第２
の外部電極層２４、２５とから成る積層磁器コンデンサ
を得た。なお、図２の磁器２１、第１及び第２の内部電
極層２２、２３、第１及び第２の外部電極層２４、２５
は図１の未焼成磁器１１、第１及び第２の未焼成内部電
極層１２、１３、第１及び第２の未焼成外部電極層１
４、１５に基づいて形成されたものである。
【００１２】この焼成工程において、未焼成の第１及び
第２の外部電極層１４、１５の中に含まれている粒成長
抑制物質としてのＤｙ2 Ｏ3 は磁器１１の中に拡散す
る。この結果、図２に模式的に示すように第１及び第２
の未焼成外部電極層１４、１５を焼付けたものから成る
第１及び第２の外部電極層２４、２５の近傍に小粒径磁
器領域２１ａが夫々生じる。この小粒径磁器領域２１ａ
の結晶粒子の径は、電子顕微鏡で観測したところ１〜２
μｍであり、第１及び第２の内部電極層２２、２３の相
互間等の他の領域２１ｂの結晶粒子の径（約５μｍ）よ
りも小さかった。また、小粒径磁器領域２１ａの表面か
らの深さは約２０μｍであった。第１及び第２の外部電
極層２４、２５の近傍の小粒径磁器領域２１ａは比較的
高い機械的安定性を有し、熱衝撃に強い。一方、内部領
域２１ｂは従来と同様に比較的大きな粒径（約５μｍ）
を有するので、大きな静電容量を得るために有利であ
る。
第２の外部電極層１４、１５の中に含まれている粒成長
抑制物質としてのＤｙ2 Ｏ3 は磁器１１の中に拡散す
る。この結果、図２に模式的に示すように第１及び第２
の未焼成外部電極層１４、１５を焼付けたものから成る
第１及び第２の外部電極層２４、２５の近傍に小粒径磁
器領域２１ａが夫々生じる。この小粒径磁器領域２１ａ
の結晶粒子の径は、電子顕微鏡で観測したところ１〜２
μｍであり、第１及び第２の内部電極層２２、２３の相
互間等の他の領域２１ｂの結晶粒子の径（約５μｍ）よ
りも小さかった。また、小粒径磁器領域２１ａの表面か
らの深さは約２０μｍであった。第１及び第２の外部電
極層２４、２５の近傍の小粒径磁器領域２１ａは比較的
高い機械的安定性を有し、熱衝撃に強い。一方、内部領
域２１ｂは従来と同様に比較的大きな粒径（約５μｍ）
を有するので、大きな静電容量を得るために有利であ
る。
【００１３】図２の積層磁器コンデンサが熱衝撃に対し
て強いことを確認するために、ガラスエポキシ基板上に
積層磁器コンデンサを接着したものを、３５０℃の半田
槽に予熱なしで５秒間浸漬して引き上げた後に磁器２１
の表面を研磨して磁器２１のクラックの有無を確認し
た。この耐半田試験を５０個の積層磁器コンデンサにつ
いて行ったところ、クラックの発生個数は零であった。
比較のために、第１及び第２の未焼成外部電極層１４、
１５にＤｙ2 Ｏ3 を含めない外は実施例と同一の方法で
積層磁器コンデンサを作製し、同一の方法でクラックの
発生を確認したところ、５０個中の５個にクラックが認
められた。半田槽の温度を４００℃にして同様な試験を
行ったところ、本実施例では５０個中の１個にクラック
が認められ、従来例では５０個中の３２個にクラックが
認められた。また、半田槽の温度を３００℃にして同様
な試験を行ったところ、本実施例と従来例のいずれにお
いてもクラックは認められなかった。なお、静電容量、
tan δ等の電気的特性においては、本実施例と従来例と
の間に実質的な差が生じなかった。
て強いことを確認するために、ガラスエポキシ基板上に
積層磁器コンデンサを接着したものを、３５０℃の半田
槽に予熱なしで５秒間浸漬して引き上げた後に磁器２１
の表面を研磨して磁器２１のクラックの有無を確認し
た。この耐半田試験を５０個の積層磁器コンデンサにつ
いて行ったところ、クラックの発生個数は零であった。
比較のために、第１及び第２の未焼成外部電極層１４、
１５にＤｙ2 Ｏ3 を含めない外は実施例と同一の方法で
積層磁器コンデンサを作製し、同一の方法でクラックの
発生を確認したところ、５０個中の５個にクラックが認
められた。半田槽の温度を４００℃にして同様な試験を
行ったところ、本実施例では５０個中の１個にクラック
が認められ、従来例では５０個中の３２個にクラックが
認められた。また、半田槽の温度を３００℃にして同様
な試験を行ったところ、本実施例と従来例のいずれにお
いてもクラックは認められなかった。なお、静電容量、
tan δ等の電気的特性においては、本実施例と従来例と
の間に実質的な差が生じなかった。
【００１４】
【第２の実施例】次に、第１及び第２の未焼成外部電極
層１４、１５に対するＤｙ2 Ｏ3 の添加量を変えること
ができることを確認するために、Ｄｙ2 Ｏ3 の添加量を
５重量部、２０重量部に変えた他は第１の実施例と同一
の方法で積層磁器コンデンサを作製し、同様な方法で半
田によるクラックの発生を調べたところ、５重量部の場
合には、３００℃及び３５０℃の半田槽への浸漬による
クラックの発生は５０個中で０個であった。また、４０
０℃の場合には５０個中の６個にクラックが発生した。
２０重量部の場合には、３００℃、３５０℃、４００
℃のいずれにおいても５０個中のクラック発生は０個で
あった。なお、粒成長抑制物質が５重量部未満になる
と、粒成長抑制の効果が顕著に得られなくなり、２０重
量部を越えると、電極の抵抗が増大する。従って、粒成
長抑制物質を２０重量部以下に制限することが望まし
い。
層１４、１５に対するＤｙ2 Ｏ3 の添加量を変えること
ができることを確認するために、Ｄｙ2 Ｏ3 の添加量を
５重量部、２０重量部に変えた他は第１の実施例と同一
の方法で積層磁器コンデンサを作製し、同様な方法で半
田によるクラックの発生を調べたところ、５重量部の場
合には、３００℃及び３５０℃の半田槽への浸漬による
クラックの発生は５０個中で０個であった。また、４０
０℃の場合には５０個中の６個にクラックが発生した。
２０重量部の場合には、３００℃、３５０℃、４００
℃のいずれにおいても５０個中のクラック発生は０個で
あった。なお、粒成長抑制物質が５重量部未満になる
と、粒成長抑制の効果が顕著に得られなくなり、２０重
量部を越えると、電極の抵抗が増大する。従って、粒成
長抑制物質を２０重量部以下に制限することが望まし
い。
【００１５】
【第３の実施例】次に、Ｄｙ2 Ｏ3 以外の粒成長抑制物
質を使用することができることを確認するために、第１
の実施例におけるＤｙ2 Ｏ3 の代りに、５重量部のＹ2
Ｏ3 （酸化イットリウム）、５重量部のＮｄ2 Ｏ3 （酸
化ネオジム）、１０重量部のＳｍ2 Ｏ3 （酸化サマリウ
ム）、１０重量部のＥｒ2 Ｏ3 （酸化エルビウム）、１
０重量部のＹｂ2 Ｏ3 （酸化イッテルビウム）、及び１
０重量部のＧｄ2 Ｏ3 （酸化ガドリニウム）を添加した
他は第１の実施例と同一の方法で６種類の積層磁器コン
デンサを作り、第１の実施例と同様に３００℃、３５０
℃、４００℃の半田槽に夫々５０個ずつ浸漬してクラッ
クの発生を調べた。この結果、３００℃、３５０℃にお
いては、６種類の積層磁器コンデンサのいずれにおいて
もクラックの発生個数は０であった。４００℃の場合に
は、Ｙ2 Ｏ3 で４個、Ｎｄ2 Ｏ3 で５個、Ｓｍ2 Ｏ3 で
２個、Ｅｒ2 Ｏ3 で０個、Ｙｂ2 Ｏ3 で１個、Ｇｄ2 Ｏ
3 で２個であった。
質を使用することができることを確認するために、第１
の実施例におけるＤｙ2 Ｏ3 の代りに、５重量部のＹ2
Ｏ3 （酸化イットリウム）、５重量部のＮｄ2 Ｏ3 （酸
化ネオジム）、１０重量部のＳｍ2 Ｏ3 （酸化サマリウ
ム）、１０重量部のＥｒ2 Ｏ3 （酸化エルビウム）、１
０重量部のＹｂ2 Ｏ3 （酸化イッテルビウム）、及び１
０重量部のＧｄ2 Ｏ3 （酸化ガドリニウム）を添加した
他は第１の実施例と同一の方法で６種類の積層磁器コン
デンサを作り、第１の実施例と同様に３００℃、３５０
℃、４００℃の半田槽に夫々５０個ずつ浸漬してクラッ
クの発生を調べた。この結果、３００℃、３５０℃にお
いては、６種類の積層磁器コンデンサのいずれにおいて
もクラックの発生個数は０であった。４００℃の場合に
は、Ｙ2 Ｏ3 で４個、Ｎｄ2 Ｏ3 で５個、Ｓｍ2 Ｏ3 で
２個、Ｅｒ2 Ｏ3 で０個、Ｙｂ2 Ｏ3 で１個、Ｇｄ2 Ｏ
3 で２個であった。
【００１６】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 第１及び第２の内部電極２２、２３、及び第１
及び第２の外部電極２４、２５を、Ｎｉ等の卑金属ペー
ストで形成すれば、コストの低減を図ることができる
が、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ又はこれ等の組み合わせ等から成
る別の導電性ペーストで形成することもできる。貴金属
ペーストを使用する場合には、酸化性雰囲気での焼成が
可能になるので、磁器材料も酸化性雰囲気で焼成するも
のに変えることができる。 （２） 粒成長抑制物質を第１〜第３の実施例で示した
物質以外の希土類酸化物又は他の金属酸化物（例えば酸
化ジルコニウム）とすることができる。 （３） 磁器の組成を実施例以外の種々の組成にするこ
とができる。例えば、実施例では主成分のＡサイトにバ
リウムとカルシウムとストロンチウムを含み、Ｂサイト
にチタンとジリコニウムを含むが、Ａサイトを３つの内
の１つ又は任意の２つにし、Ｂサイトをチタンにするこ
とができる。焼成温度も磁器材料の組成の変化に応じて
例えば１１００〜１４００℃のようにかえることができ
る。又、ガラス成分の組成を変えることもできる。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 第１及び第２の内部電極２２、２３、及び第１
及び第２の外部電極２４、２５を、Ｎｉ等の卑金属ペー
ストで形成すれば、コストの低減を図ることができる
が、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕ又はこれ等の組み合わせ等から成
る別の導電性ペーストで形成することもできる。貴金属
ペーストを使用する場合には、酸化性雰囲気での焼成が
可能になるので、磁器材料も酸化性雰囲気で焼成するも
のに変えることができる。 （２） 粒成長抑制物質を第１〜第３の実施例で示した
物質以外の希土類酸化物又は他の金属酸化物（例えば酸
化ジルコニウム）とすることができる。 （３） 磁器の組成を実施例以外の種々の組成にするこ
とができる。例えば、実施例では主成分のＡサイトにバ
リウムとカルシウムとストロンチウムを含み、Ｂサイト
にチタンとジリコニウムを含むが、Ａサイトを３つの内
の１つ又は任意の２つにし、Ｂサイトをチタンにするこ
とができる。焼成温度も磁器材料の組成の変化に応じて
例えば１１００〜１４００℃のようにかえることができ
る。又、ガラス成分の組成を変えることもできる。
【図１】本発明の実施例に従う積層生チップの一部を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】実施例の積層磁器コンデンサの一部を模式的に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】従来の積層磁器コンデンサの一部を示す断面図
である。
である。
２１ａ 小粒径領域 ２１ｂ 大粒径領域 ２２，２３ 第１及び第２の内部電極 ２４，２５ 第１及び第２の外部電極
Claims (2)
- 【請求項１】 誘電体磁器と、前記磁器に埋設された第
１の内部電極層と、前記磁器に埋設され且つ前記第１の
内部電極層に対向する領域を有している第２の内部電極
層と、前記磁器の外周面に設けられ且つ前記第１の内部
電極層に接続された第１の外部電極層と、前記磁器の外
周面に設けられ且つ前記第２の内部電極層に接続された
第２の外部電極層とから成る積層磁器コンデンサにおい
て、 前記磁器の前記第１及び第２の外部電極層に隣接する領
域の結晶粒子の径がこれ以外の領域の結晶粒子の径より
も小さいことを特徴とする積層磁器コンデンサ。 - 【請求項２】 未焼成の誘電体磁器と、前記未焼成の誘
電体磁器に埋設された第１の未焼成の内部電極層と、前
記未焼成の誘電体磁器に埋設され且つ前記第１の未焼成
の内部電極層に対向する領域を有している第２の未焼成
の内部電極層とを備えた積層生チップを形成する工程
と、 導電性物質の粉末と粒成長抑制物質と有機バインダとを
含む導電性ペーストを前記第１及び未焼成の内部電極層
に接続されるように前記積層生チップの外周面の第１及
び第２の領域に塗布して第１及び第２の未焼成の外部電
極層を形成する工程と、 前記第１及び第２の未焼成の外部電極層を有する前記積
層生チップを焼成する工程とを有する積層磁器コンデン
サの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31408991A JP2945529B2 (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 積層磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31408991A JP2945529B2 (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | 積層磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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