JPH1070012A - バリスタの製造方法 - Google Patents
バリスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH1070012A JPH1070012A JP9120603A JP12060397A JPH1070012A JP H1070012 A JPH1070012 A JP H1070012A JP 9120603 A JP9120603 A JP 9120603A JP 12060397 A JP12060397 A JP 12060397A JP H1070012 A JPH1070012 A JP H1070012A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- manufacturing
- varistor element
- mixture
- alkaline earth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistors with envelope or housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/102—Varistor boundary, e.g. surface layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/105—Varistor cores
- H01C7/108—Metal oxide
- H01C7/112—ZnO type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
- Y10T29/49085—Thermally variable
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
- Y10T29/49087—Resistor making with envelope or housing
- Y10T29/49089—Filling with powdered insulation
Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐メッキ性、耐湿性に優れたバリスタを提供
することを目的とする。 【解決手段】 酸化亜鉛を主成分とする原料を用いてセ
ラミックシート１ａを作製した。次にこのセラミックシ
ート１ａと内部電極２とを交互に積層し、内部電極２が
交互に相対向する端面に導出されるよう所定の大きさに
切断し、バリスタ素子１を得た。次いで、バリスタ素子
１の両端面に外部電極３を形成した後、熱処理してバリ
スタ素子１を焼結させる。その後、ＳｉＯ2あるいはそ
の混合物５中にバリスタ素子１を埋設させ、空気中ある
いは酸素雰囲気中で熱処理して、バリスタ素子１表面上
に高抵抗層４ａ，４ｂを形成した。
することを目的とする。 【解決手段】 酸化亜鉛を主成分とする原料を用いてセ
ラミックシート１ａを作製した。次にこのセラミックシ
ート１ａと内部電極２とを交互に積層し、内部電極２が
交互に相対向する端面に導出されるよう所定の大きさに
切断し、バリスタ素子１を得た。次いで、バリスタ素子
１の両端面に外部電極３を形成した後、熱処理してバリ
スタ素子１を焼結させる。その後、ＳｉＯ2あるいはそ
の混合物５中にバリスタ素子１を埋設させ、空気中ある
いは酸素雰囲気中で熱処理して、バリスタ素子１表面上
に高抵抗層４ａ，４ｂを形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バリスタの製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＺｎＯを主成分とするバリスタ素
子の表面に電極を形成した後、バリスタ素子表面にガラ
スよりなる高抵抗層を形成し、次いで電極の表面にメッ
キを行いバリスタを得ていた。
子の表面に電極を形成した後、バリスタ素子表面にガラ
スよりなる高抵抗層を形成し、次いで電極の表面にメッ
キを行いバリスタを得ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ガラスによる
高抵抗層は、選択的にバリスタ素子表面だけに形成する
ことができず、また均一な厚さにすることが困難であっ
た。このため、メッキを行う際にメッキ流れを起こして
ショートしたり、水分等がバリスタ素子内部に浸入して
バリスタの電気特性を劣化させたりするという問題点を
有していた。
高抵抗層は、選択的にバリスタ素子表面だけに形成する
ことができず、また均一な厚さにすることが困難であっ
た。このため、メッキを行う際にメッキ流れを起こして
ショートしたり、水分等がバリスタ素子内部に浸入して
バリスタの電気特性を劣化させたりするという問題点を
有していた。
【０００４】そこで本発明は、緻密で均一な厚みを有
し、選択的にバリスタ素子表面に高抵抗層を形成するこ
とにより、耐メッキ性、耐湿性に優れたバリスタを提供
することを目的とするものである。
し、選択的にバリスタ素子表面に高抵抗層を形成するこ
とにより、耐メッキ性、耐湿性に優れたバリスタを提供
することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明のバリスタの製造方法は、ＺｎＯを主成分と
するバリスタ素子の外表面に少なくとも２つの第１の電
極を所定間隔を設けて形成する第１の工程と、次いで前
記バリスタ素子を第１の熱処理を行う第２の工程と、そ
の後前記バリスタ素子外表面にＳｉ粉末を配して第２の
熱処理を行う第３の工程とを備えたことを特徴とするも
のであり、この方法により上記目的が達成できる。
に、本発明のバリスタの製造方法は、ＺｎＯを主成分と
するバリスタ素子の外表面に少なくとも２つの第１の電
極を所定間隔を設けて形成する第１の工程と、次いで前
記バリスタ素子を第１の熱処理を行う第２の工程と、そ
の後前記バリスタ素子外表面にＳｉ粉末を配して第２の
熱処理を行う第３の工程とを備えたことを特徴とするも
のであり、この方法により上記目的が達成できる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、ＺｎＯを主成分とするバリスタ素子の外表面に少な
くとも２つの第１の電極を所定間隔を設けて形成する第
１の工程と、次いで前記バリスタ素子を第１の熱処理を
行う第２の工程と、その後前記バリスタ素子外表面にＳ
ｉ粉末を配して第２の熱処理を行う第３の工程とを備え
たことを特徴とするバリスタの製造方法であり、緻密で
均一な厚みを有する高抵抗層を形成できるので、耐湿
性、耐メッキ性に優れたバリスタを得ることができる。
は、ＺｎＯを主成分とするバリスタ素子の外表面に少な
くとも２つの第１の電極を所定間隔を設けて形成する第
１の工程と、次いで前記バリスタ素子を第１の熱処理を
行う第２の工程と、その後前記バリスタ素子外表面にＳ
ｉ粉末を配して第２の熱処理を行う第３の工程とを備え
たことを特徴とするバリスタの製造方法であり、緻密で
均一な厚みを有する高抵抗層を形成できるので、耐湿
性、耐メッキ性に優れたバリスタを得ることができる。
【０００７】請求項２に記載の発明は、第３の工程にお
いて、バリスタ素子とＳｉ粉末とを回転させながら熱処
理を行うことを特徴とする請求項１に記載のバリスタの
製造方法であり、より均一な高抵抗層を有するバリスタ
を得ることができる。
いて、バリスタ素子とＳｉ粉末とを回転させながら熱処
理を行うことを特徴とする請求項１に記載のバリスタの
製造方法であり、より均一な高抵抗層を有するバリスタ
を得ることができる。
【０００８】請求項３に記載の発明は、第３の工程にお
いて、Ｓｉ粉末に替えて、Ｓｉを主成分とし、副成分と
してＰｂ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｂｉ、Ａｇ、
アルカリ金属、アルカリ土類金属の化合物、ガラスフリ
ットのうち少なくとも一種類以上（Ｐｂ、アルカリ金
属、アルカリ土類金属を単独で用いる場合を除く）を有
する混合物を用いることを特徴とする請求項１に記載の
バリスタの製造方法であり、緻密で均一な厚みを有する
高抵抗層を形成できるので、耐湿性、耐メッキ性に優れ
たバリスタを得ることができる。
いて、Ｓｉ粉末に替えて、Ｓｉを主成分とし、副成分と
してＰｂ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｂｉ、Ａｇ、
アルカリ金属、アルカリ土類金属の化合物、ガラスフリ
ットのうち少なくとも一種類以上（Ｐｂ、アルカリ金
属、アルカリ土類金属を単独で用いる場合を除く）を有
する混合物を用いることを特徴とする請求項１に記載の
バリスタの製造方法であり、緻密で均一な厚みを有する
高抵抗層を形成できるので、耐湿性、耐メッキ性に優れ
たバリスタを得ることができる。
【０００９】請求項４に記載の発明は、第３の工程にお
いて、バリスタ素子と混合物とを回転させながら熱処理
を行うことを特徴とする請求項３に記載のバリスタの製
造方法であり、より均一な高抵抗層を有するバリスタを
得ることができる。
いて、バリスタ素子と混合物とを回転させながら熱処理
を行うことを特徴とする請求項３に記載のバリスタの製
造方法であり、より均一な高抵抗層を有するバリスタを
得ることができる。
【００１０】請求項５に記載の発明は、第３の工程後、
第１の電極上に第２の電極を形成することを特徴とする
請求項１に記載のバリスタの製造方法であり、表面に付
着物のない電極を有するバリスタを得ることができる。
第１の電極上に第２の電極を形成することを特徴とする
請求項１に記載のバリスタの製造方法であり、表面に付
着物のない電極を有するバリスタを得ることができる。
【００１１】請求項６に記載の発明は、第２の工程後、
バリスタ素子をＳｉ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、
Ｂ、Ｂｉ、Ａｇ、アルカリ金属、アルカリ土類金属の有
機金属化合物のうち少なくとも一種類以上を含む液体に
浸漬することを特徴とする請求項１に記載のバリスタの
製造方法であり、さらに緻密で均一な厚みを有する高抵
抗層を形成することができる。
バリスタ素子をＳｉ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、
Ｂ、Ｂｉ、Ａｇ、アルカリ金属、アルカリ土類金属の有
機金属化合物のうち少なくとも一種類以上を含む液体に
浸漬することを特徴とする請求項１に記載のバリスタの
製造方法であり、さらに緻密で均一な厚みを有する高抵
抗層を形成することができる。
【００１２】請求項７に記載の発明は、ＺｎＯを主成分
とするバリスタ素子の外表面に少なくとも２つの第１の
電極を所定の間隔を設けて形成する第１の工程と、次い
で前記バリスタ素子外表面にＳｉを主成分とし、副成分
としてＰｂ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、アルカリ金属、
アルカリ土類金属の化合物、ガラスフリットのうち少な
くとも一種類以上（Ｓｉ、Ｐｂ、アルカリ金属、アルカ
リ土類金属を単独で用いる場合は除く）を有する混合物
を配して熱処理する第２の工程とを有することを特徴と
するバリスタの製造方法であり、緻密で均一な厚みを有
する高抵抗層を形成できるので、耐湿性、耐メッキ性に
優れたバリスタを得ることができる。
とするバリスタ素子の外表面に少なくとも２つの第１の
電極を所定の間隔を設けて形成する第１の工程と、次い
で前記バリスタ素子外表面にＳｉを主成分とし、副成分
としてＰｂ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、アルカリ金属、
アルカリ土類金属の化合物、ガラスフリットのうち少な
くとも一種類以上（Ｓｉ、Ｐｂ、アルカリ金属、アルカ
リ土類金属を単独で用いる場合は除く）を有する混合物
を配して熱処理する第２の工程とを有することを特徴と
するバリスタの製造方法であり、緻密で均一な厚みを有
する高抵抗層を形成できるので、耐湿性、耐メッキ性に
優れたバリスタを得ることができる。
【００１３】請求項８に記載の発明は、第２の工程後、
第１の電極上に第２の電極を形成することを特徴とする
請求項７に記載のバリスタの製造方法であり、表面に付
着物のない電極を有するバリスタを得ることができる。
第１の電極上に第２の電極を形成することを特徴とする
請求項７に記載のバリスタの製造方法であり、表面に付
着物のない電極を有するバリスタを得ることができる。
【００１４】請求項９に記載の発明は、第１の工程後、
バリスタ素子をＳｉ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、
Ｂ、Ｂｉ、Ａｇ、アルカリ金属、アルカリ土類金属の有
機金属化合物のうち少なくとも一種類以上を含む液体に
浸漬することを特徴とする請求項７に記載のバリスタの
製造方法であり、さらに緻密で均一な厚みを有する高抵
抗層を形成することができる。
バリスタ素子をＳｉ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、
Ｂ、Ｂｉ、Ａｇ、アルカリ金属、アルカリ土類金属の有
機金属化合物のうち少なくとも一種類以上を含む液体に
浸漬することを特徴とする請求項７に記載のバリスタの
製造方法であり、さらに緻密で均一な厚みを有する高抵
抗層を形成することができる。
【００１５】請求項１０に記載の発明は、第２の工程に
おいて、バリスタ素子と混合物とを回転させながら熱処
理を行うことを特徴とする請求項７に記載のバリスタの
製造方法であり、より均一な高抵抗層を有するバリスタ
を得ることができる。
おいて、バリスタ素子と混合物とを回転させながら熱処
理を行うことを特徴とする請求項７に記載のバリスタの
製造方法であり、より均一な高抵抗層を有するバリスタ
を得ることができる。
【００１６】請求項１１に記載の発明は、ＺｎＯを主成
分とするバリスタ素子表面にＳｉを主成分とし、副成分
としてＰｂ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｂｉ、Ａ
ｇ、アルカリ金属、アルカリ土類金属の化合物、ガラス
フリットのうち少なくとも一種類以上（Ｓｉ、Ｐｂ、ア
ルカリ金属、アルカリ土類金属を単独で用いる場合は除
く）を有する混合物を配して熱処理する第１の工程と、
次に前記バリスタ素子外表面に少なくとも２つの電極を
形成する第２の工程とを有することを特徴とするバリス
タの製造方法であり、緻密で均一な厚みを有する高抵抗
層を形成できるので、耐湿性、耐メッキ性に優れたバリ
スタを得ることができる。
分とするバリスタ素子表面にＳｉを主成分とし、副成分
としてＰｂ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｂｉ、Ａ
ｇ、アルカリ金属、アルカリ土類金属の化合物、ガラス
フリットのうち少なくとも一種類以上（Ｓｉ、Ｐｂ、ア
ルカリ金属、アルカリ土類金属を単独で用いる場合は除
く）を有する混合物を配して熱処理する第１の工程と、
次に前記バリスタ素子外表面に少なくとも２つの電極を
形成する第２の工程とを有することを特徴とするバリス
タの製造方法であり、緻密で均一な厚みを有する高抵抗
層を形成できるので、耐湿性、耐メッキ性に優れたバリ
スタを得ることができる。
【００１７】請求項１２に記載の発明は、第１の工程の
前に、バリスタ素子を熱処理してから第１の工程を行う
ことを特徴とする請求項１１に記載のバリスタの製造方
法であり、バリスタ素子の焼結反応と高抵抗層形成反応
とを個別に行うことによりさらにバリスタの電気特性、
磁器特性の安定性が向上する。
前に、バリスタ素子を熱処理してから第１の工程を行う
ことを特徴とする請求項１１に記載のバリスタの製造方
法であり、バリスタ素子の焼結反応と高抵抗層形成反応
とを個別に行うことによりさらにバリスタの電気特性、
磁器特性の安定性が向上する。
【００１８】請求項１３に記載の発明は、第１の工程の
前に、バリスタ素子をＳｉ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｔｉ、
Ａｌ、Ｂ、Ｂｉ、Ａｇ、アルカリ金属、アルカリ土類金
属の有機金属化合物のうち少なくとも一種類以上を含む
液体に浸漬することを特徴とする請求項１１に記載のバ
リスタの製造方法であり、さらに緻密で均一な厚みを有
する高抵抗層を形成することができる。
前に、バリスタ素子をＳｉ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｔｉ、
Ａｌ、Ｂ、Ｂｉ、Ａｇ、アルカリ金属、アルカリ土類金
属の有機金属化合物のうち少なくとも一種類以上を含む
液体に浸漬することを特徴とする請求項１１に記載のバ
リスタの製造方法であり、さらに緻密で均一な厚みを有
する高抵抗層を形成することができる。
【００１９】請求項１４に記載の発明は、第１の工程に
おいて、バリスタ素子と混合物とを回転させながら熱処
理を行うことを特徴とする請求項１１に記載のバリスタ
の製造方法であり、より均一な高抵抗層を有するバリス
タを得ることができる。
おいて、バリスタ素子と混合物とを回転させながら熱処
理を行うことを特徴とする請求項１１に記載のバリスタ
の製造方法であり、より均一な高抵抗層を有するバリス
タを得ることができる。
【００２０】以下本発明の一実施の形態について図面を
参照しながら説明する。 （実施の形態１）図１は本実施の形態におけるバリスタ
素子の断面図を示し、１はバリスタ素子で、その内部に
はＡｇを主成分とする内部電極２が複数設けられてい
る。これらの内部電極２は、交互にバリスタ素子１の両
端に引き出され、その両端において、外部電極３とそれ
ぞれ電気的に接続されている。また内部電極２間、及び
その外側に積層されたセラミックシート１ａはＺｎＯを
主成分とし、副成分としてＢｉ2Ｏ3，Ｃｏ2Ｏ3，ＭｎＯ
2，Ｓｂ2Ｏ3等を含んでいる。４ａ，４ｂはそれぞれＳ
ｉＯ2あるいはその混合物５とともに焼成した際に形成
される高抵抗層を示している。図２は本発明の一実施の
形態における焼成工程の説明図であり、バリスタ素子１
表面に高抵抗層４ａ，４ｂを形成する際に、アルミナの
るつぼ６中でＳｉＯ2粉末あるいはＳｉＯ2を主成分と
し、副成分として少なくともＦｅ2Ｏ3，Ｓｂ2Ｏ3，Ｔｉ
Ｏ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，Ｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，Ｎａ2ＣＯ
3，Ｋ2ＣＯ 3，ＭｇＯ，ＣａＣＯ3，ＡｇＯの中から一種
類以上を添加した粉末状の混合物（以下ＳｉＯ2あるい
はその混合物５という）とともに熱処理する状態を示し
ている。
参照しながら説明する。 （実施の形態１）図１は本実施の形態におけるバリスタ
素子の断面図を示し、１はバリスタ素子で、その内部に
はＡｇを主成分とする内部電極２が複数設けられてい
る。これらの内部電極２は、交互にバリスタ素子１の両
端に引き出され、その両端において、外部電極３とそれ
ぞれ電気的に接続されている。また内部電極２間、及び
その外側に積層されたセラミックシート１ａはＺｎＯを
主成分とし、副成分としてＢｉ2Ｏ3，Ｃｏ2Ｏ3，ＭｎＯ
2，Ｓｂ2Ｏ3等を含んでいる。４ａ，４ｂはそれぞれＳ
ｉＯ2あるいはその混合物５とともに焼成した際に形成
される高抵抗層を示している。図２は本発明の一実施の
形態における焼成工程の説明図であり、バリスタ素子１
表面に高抵抗層４ａ，４ｂを形成する際に、アルミナの
るつぼ６中でＳｉＯ2粉末あるいはＳｉＯ2を主成分と
し、副成分として少なくともＦｅ2Ｏ3，Ｓｂ2Ｏ3，Ｔｉ
Ｏ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，Ｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，Ｎａ2ＣＯ
3，Ｋ2ＣＯ 3，ＭｇＯ，ＣａＣＯ3，ＡｇＯの中から一種
類以上を添加した粉末状の混合物（以下ＳｉＯ2あるい
はその混合物５という）とともに熱処理する状態を示し
ている。
【００２１】以下本実施の形態におけるバリスタの製造
方法について説明する。まず酸化亜鉛を主成分とする原
料と、可塑剤と、バインダーなどの混合、粉砕、スラリ
ー化、シート成形を行いセラミックシート１ａを作製し
た。次にこのセラミックシート１ａと、銀を主成分とす
る内部電極２とを交互に積層し、内部電極２が交互に相
対向する端面に導出されるよう所定の大きさに切断しバ
リスタ素子１を得た。次いで、バリスタ素子１を１００
〜３００℃で５分から１０時間熱処理してバリスタ素子
１中の可塑剤を除去した後、バリスタ素子１表面の面取
を行った。次に、バリスタ素子１の両端面に外部電極３
となるＡｇ電極ペーストを塗布し、６００〜９５０℃で
５分〜１０時間熱処理してバリスタ素子１を焼結させた
後、図２に示すようにアルミナ製のるつぼ６を用いて、
ＳｉＯ2あるいはその混合物５中にバリスタ素子１を埋
設させ、空気中あるいは酸素雰囲気中、６００〜９５０
℃で５分〜１０時間熱処理した。この熱処理により、バ
リスタ素子１の主成分であるＺｎＯとＳｉＯ2とが反応
して、主にＺｎ2ＳｉＯ4からなる高抵抗層４ａがバリス
タ素子１表面上に形成される。また、バリスタ素子１に
副成分としてＢｉ2Ｏ3を添加した場合、Ｂｉ2Ｏ3がＺｎ
Ｏ，ＳｉＯ2と反応してＺｎ2ＳｉＯ4の生成を促進する
とともに、主にＢｉ4（ＳｉＯ4）3からなる高抵抗層４
ｂが高抵抗層４ａとバリスタ素子１の表面の間に形成さ
れる。これらは、バリスタの電気特性が発現しない部位
において反応、生成するため、バリスタの電気特性には
悪影響を与えず、バリスタとして極めて耐メッキ性およ
び耐湿性に優れたものが得られる。ここで重要なこと
は、図２に示すように個々のバリスタ素子１の外表面を
全てＳｉＯ2あるいはその混合物５に接触する形で埋設
させておくことである。そのために、まずアルミナ製の
るつぼ６に所定の厚さにＳｉＯ2あるいはその混合物５
を敷きつめ、その上に、バリスタ素子１同士が接触しな
いように所定の個数並べ、その状態でＳｉＯ2あるいは
その混合物５を覆いかぶせた後、熱処理を行う。なお、
ＳｉＯ2あるいはその混合物５の組成によっては、外部
電極３上にアンカー効果でＳｉＯ2あるいはその混合物
５が接着する場合があるが、その場合には研磨等で除去
することで導通を確保する必要がある。さらにアンカー
効果の影響が大きく、研磨等で除去不可能な場合、また
は研磨によりバリスタ素子１表面の高抵抗層４ａ，４ｂ
そのものが研磨される場合は、外部電極３上にさらに外
部電極ペーストを塗布、焼付けして外部電極を形成する
ことにより導通を確保する。その後、外部電極３の表面
に電解Ｎｉメッキ、電解半田メッキを行い、バリスタを
得た。得られたバリスタのメッキの厚みは、Ｎｉメッキ
が２μｍ、半田メッキが２μｍであった。
方法について説明する。まず酸化亜鉛を主成分とする原
料と、可塑剤と、バインダーなどの混合、粉砕、スラリ
ー化、シート成形を行いセラミックシート１ａを作製し
た。次にこのセラミックシート１ａと、銀を主成分とす
る内部電極２とを交互に積層し、内部電極２が交互に相
対向する端面に導出されるよう所定の大きさに切断しバ
リスタ素子１を得た。次いで、バリスタ素子１を１００
〜３００℃で５分から１０時間熱処理してバリスタ素子
１中の可塑剤を除去した後、バリスタ素子１表面の面取
を行った。次に、バリスタ素子１の両端面に外部電極３
となるＡｇ電極ペーストを塗布し、６００〜９５０℃で
５分〜１０時間熱処理してバリスタ素子１を焼結させた
後、図２に示すようにアルミナ製のるつぼ６を用いて、
ＳｉＯ2あるいはその混合物５中にバリスタ素子１を埋
設させ、空気中あるいは酸素雰囲気中、６００〜９５０
℃で５分〜１０時間熱処理した。この熱処理により、バ
リスタ素子１の主成分であるＺｎＯとＳｉＯ2とが反応
して、主にＺｎ2ＳｉＯ4からなる高抵抗層４ａがバリス
タ素子１表面上に形成される。また、バリスタ素子１に
副成分としてＢｉ2Ｏ3を添加した場合、Ｂｉ2Ｏ3がＺｎ
Ｏ，ＳｉＯ2と反応してＺｎ2ＳｉＯ4の生成を促進する
とともに、主にＢｉ4（ＳｉＯ4）3からなる高抵抗層４
ｂが高抵抗層４ａとバリスタ素子１の表面の間に形成さ
れる。これらは、バリスタの電気特性が発現しない部位
において反応、生成するため、バリスタの電気特性には
悪影響を与えず、バリスタとして極めて耐メッキ性およ
び耐湿性に優れたものが得られる。ここで重要なこと
は、図２に示すように個々のバリスタ素子１の外表面を
全てＳｉＯ2あるいはその混合物５に接触する形で埋設
させておくことである。そのために、まずアルミナ製の
るつぼ６に所定の厚さにＳｉＯ2あるいはその混合物５
を敷きつめ、その上に、バリスタ素子１同士が接触しな
いように所定の個数並べ、その状態でＳｉＯ2あるいは
その混合物５を覆いかぶせた後、熱処理を行う。なお、
ＳｉＯ2あるいはその混合物５の組成によっては、外部
電極３上にアンカー効果でＳｉＯ2あるいはその混合物
５が接着する場合があるが、その場合には研磨等で除去
することで導通を確保する必要がある。さらにアンカー
効果の影響が大きく、研磨等で除去不可能な場合、また
は研磨によりバリスタ素子１表面の高抵抗層４ａ，４ｂ
そのものが研磨される場合は、外部電極３上にさらに外
部電極ペーストを塗布、焼付けして外部電極を形成する
ことにより導通を確保する。その後、外部電極３の表面
に電解Ｎｉメッキ、電解半田メッキを行い、バリスタを
得た。得られたバリスタのメッキの厚みは、Ｎｉメッキ
が２μｍ、半田メッキが２μｍであった。
【００２２】（表１）にこのバリスタの耐メッキ性につ
いての結果を示す。
いての結果を示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】（表１）に示すように、高抵抗層４ａ，４
ｂを有していないバリスタ素子１にメッキを行うと、外
部電極３以外のバリスタ素子１の表面もメッキされてし
まう。またＳｉＯ2のみではなく、ＳｉＯ2に副成分とし
てＦｅ2Ｏ3，Ｓｂ2Ｏ3，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｂｉ
2Ｏ3，Ｂ2Ｏ3を含むガラスフリット等を添加したものを
用いた場合には、さらにメッキ流れが少なくなってお
り、より均一な高抵抗層４ａ，４ｂが形成できると思わ
れる。
ｂを有していないバリスタ素子１にメッキを行うと、外
部電極３以外のバリスタ素子１の表面もメッキされてし
まう。またＳｉＯ2のみではなく、ＳｉＯ2に副成分とし
てＦｅ2Ｏ3，Ｓｂ2Ｏ3，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｂｉ
2Ｏ3，Ｂ2Ｏ3を含むガラスフリット等を添加したものを
用いた場合には、さらにメッキ流れが少なくなってお
り、より均一な高抵抗層４ａ，４ｂが形成できると思わ
れる。
【００２５】次に（表２）にＳｉＯ2あるいはその混合
物５中にて焼成を行った後の（外１）を示す。
物５中にて焼成を行った後の（外１）を示す。
【００２６】
【外１】
【００２７】
【表２】
【００２８】（表２）に示すように、ＳｉＯ2粉末のみ
ではなく、ＳｉＯ2を主成分とし、ＰｂＯ，Ｎａ2Ｃ
Ｏ3，Ｋ2ＣＯ3，ＭｇＯ，ＣａＣＯ3，Ａｇ2Ｏを添加し
た場合の方が電圧比が小さくなっており、低電流領域の
非直線性が向上している。これは、上記添加物を加える
ことによって、非直線性を大きく左右すると考えられる
粒界層を安定化させているためと考えられる。
ではなく、ＳｉＯ2を主成分とし、ＰｂＯ，Ｎａ2Ｃ
Ｏ3，Ｋ2ＣＯ3，ＭｇＯ，ＣａＣＯ3，Ａｇ2Ｏを添加し
た場合の方が電圧比が小さくなっており、低電流領域の
非直線性が向上している。これは、上記添加物を加える
ことによって、非直線性を大きく左右すると考えられる
粒界層を安定化させているためと考えられる。
【００２９】本実施の形態のバリスタは、表面を高抵抗
化するとともに、緻密化も同時に行っているため、メッ
キ時のメッキ液の浸入を防ぐといった効果も同時に見ら
れるものである。
化するとともに、緻密化も同時に行っているため、メッ
キ時のメッキ液の浸入を防ぐといった効果も同時に見ら
れるものである。
【００３０】なお、本発明において重要と思われること
を以下に記載する。 （１）ＳｉＯ2あるいはその混合物５にバリスタ素子１
を埋設させる場合、図２のように埋め込むだけでも高抵
抗層４ａ，４ｂは形成されるが、反応性を考えた場合、
図２におけるＳｉＯ2あるいはその混合物５上に重しな
どをして圧力をかけてＳｉＯ2あるいはその混合物５と
バリスタ素子１との緻密性を上げた方が効果的である。
を以下に記載する。 （１）ＳｉＯ2あるいはその混合物５にバリスタ素子１
を埋設させる場合、図２のように埋め込むだけでも高抵
抗層４ａ，４ｂは形成されるが、反応性を考えた場合、
図２におけるＳｉＯ2あるいはその混合物５上に重しな
どをして圧力をかけてＳｉＯ2あるいはその混合物５と
バリスタ素子１との緻密性を上げた方が効果的である。
【００３１】（２）高抵抗層４ａ，４ｂを形成するため
の熱処理は、円筒形などのサヤに所定数のバリスタ素子
１とＳｉＯ2あるいはその混合物５とを入れて回転させ
ながら行うと、より均一な高抵抗層４ａ，４ｂを形成す
ることができる。また回転させながら熱処理を行うこと
により、るつぼ６を用いる場合よりも、少量のＳｉＯ 2
あるいはその混合物５で高抵抗層４ａ，４ｂを形成する
ことができるだけでなく、バリスタ素子１の温度バラツ
キが小さくなるのでバリスタ電圧をはじめとするバリス
タ特性のバラツキの小さいバリスタを得ることができ
る。
の熱処理は、円筒形などのサヤに所定数のバリスタ素子
１とＳｉＯ2あるいはその混合物５とを入れて回転させ
ながら行うと、より均一な高抵抗層４ａ，４ｂを形成す
ることができる。また回転させながら熱処理を行うこと
により、るつぼ６を用いる場合よりも、少量のＳｉＯ 2
あるいはその混合物５で高抵抗層４ａ，４ｂを形成する
ことができるだけでなく、バリスタ素子１の温度バラツ
キが小さくなるのでバリスタ電圧をはじめとするバリス
タ特性のバラツキの小さいバリスタを得ることができ
る。
【００３２】（３）バリスタ素子１をＳｉ、Ｐｂ、Ｆ
ｅ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｂｉ、Ａｇ、アルカリ金
属、アルカリ土類金属の有機金属化合物のうち少なくと
も一種類以上を含む液体に浸漬した後、ＳｉＯ2あるい
はその混合物５に埋設して、熱処理を行うと、さらに均
一な厚みを有する緻密な高抵抗層４ａ，４ｂを形成する
ことが可能になる。
ｅ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｂｉ、Ａｇ、アルカリ金
属、アルカリ土類金属の有機金属化合物のうち少なくと
も一種類以上を含む液体に浸漬した後、ＳｉＯ2あるい
はその混合物５に埋設して、熱処理を行うと、さらに均
一な厚みを有する緻密な高抵抗層４ａ，４ｂを形成する
ことが可能になる。
【００３３】（４）本実施の形態では、バリスタ素子１
を熱処理して焼結させた後、ＳｉＯ 2あるいはその混合
物５中で熱処理を行うことによって高抵抗層４ａ，４ｂ
を形成したが、これはバリスタの電気特性、磁器特性の
安定性を考えた場合、焼結反応と高抵抗層形成反応とを
個別に行った方が良好な結果になるからである。しかし
ながらバリスタ素子１の焼結反応と高抵抗層形成反応と
を同時に行っても、高抵抗層４ａ，４ｂを形成すること
ができる。このときバリスタ素子１は外部電極３の形成
前でも形成後でもどちらでも構わないが、使用の際外部
と導通のとれるように外部電極３を形成することが必要
である。
を熱処理して焼結させた後、ＳｉＯ 2あるいはその混合
物５中で熱処理を行うことによって高抵抗層４ａ，４ｂ
を形成したが、これはバリスタの電気特性、磁器特性の
安定性を考えた場合、焼結反応と高抵抗層形成反応とを
個別に行った方が良好な結果になるからである。しかし
ながらバリスタ素子１の焼結反応と高抵抗層形成反応と
を同時に行っても、高抵抗層４ａ，４ｂを形成すること
ができる。このときバリスタ素子１は外部電極３の形成
前でも形成後でもどちらでも構わないが、使用の際外部
と導通のとれるように外部電極３を形成することが必要
である。
【００３４】（５）本実施の形態では、ＳｉＯ2あるい
はその混合物５中の添加物は酸化物の形で添加したが反
応温度範囲（６００〜９５０℃）で酸化物となるもので
あれば、酸化物にこだわらずどのような化合物を用いて
も構わない。
はその混合物５中の添加物は酸化物の形で添加したが反
応温度範囲（６００〜９５０℃）で酸化物となるもので
あれば、酸化物にこだわらずどのような化合物を用いて
も構わない。
【００３５】（６）ＳｉＯ2あるいはその混合物５にお
いては主成分ＳｉＯ2が８０ｗｔ％以上となるようにす
ることにより、高抵抗層４ａ，４ｂの形成を容易に行う
ことができる。
いては主成分ＳｉＯ2が８０ｗｔ％以上となるようにす
ることにより、高抵抗層４ａ，４ｂの形成を容易に行う
ことができる。
【００３６】（７）ＳｉＯ2あるいはその混合物５にＦ
ｅ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｂｉ、Ｂ、ガラスフリットの化
合物を添加することにより、さらに高抵抗化の傾向が見
られ、Ａｇ、Ｐｂ、アルカリ金属、アルカリ土類金属の
化合物を添加することにより、バリスタの非直線性の向
上が見られる。
ｅ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｂｉ、Ｂ、ガラスフリットの化
合物を添加することにより、さらに高抵抗化の傾向が見
られ、Ａｇ、Ｐｂ、アルカリ金属、アルカリ土類金属の
化合物を添加することにより、バリスタの非直線性の向
上が見られる。
【００３７】（８）本実施の形態においては、ＳｉＯ2
あるいはその混合物５にＦｅ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｂ
ｉ、Ｂ、ガラスフリット、Ａｇ、Ｐｂ、アルカリ金属、
アルカリ土類金属の酸化物をそれぞれ単独で添加した場
合についてのみ説明したが、これらの中から２種類以上
の化合物を添加したとしても上記と同様の効果が得られ
ることはいうまでもない。
あるいはその混合物５にＦｅ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｂ
ｉ、Ｂ、ガラスフリット、Ａｇ、Ｐｂ、アルカリ金属、
アルカリ土類金属の酸化物をそれぞれ単独で添加した場
合についてのみ説明したが、これらの中から２種類以上
の化合物を添加したとしても上記と同様の効果が得られ
ることはいうまでもない。
【００３８】（９）本実施の形態において用いたガラス
フリットはＢｉ2Ｏ3 ６０ｗｔ％、Ｂ2Ｏ3 ２０ｗｔ
％、ＳｉＯ2 １０ｗｔ％、Ａｇ2Ｏ １０ｗｔ％のもの
を用いたが、Ｂが含まれているガラスフリットであれば
軟化点が低いので、高抵抗層４ａ，４ｂの形成を行いや
すい。
フリットはＢｉ2Ｏ3 ６０ｗｔ％、Ｂ2Ｏ3 ２０ｗｔ
％、ＳｉＯ2 １０ｗｔ％、Ａｇ2Ｏ １０ｗｔ％のもの
を用いたが、Ｂが含まれているガラスフリットであれば
軟化点が低いので、高抵抗層４ａ，４ｂの形成を行いや
すい。
【００３９】（１０）均一な高抵抗層４ａ，４ｂを形成
しようとするならば、ＳｉＯ2あるいはその混合物５の
粒子径はできるだけそろえるようにすることが好まし
い。
しようとするならば、ＳｉＯ2あるいはその混合物５の
粒子径はできるだけそろえるようにすることが好まし
い。
【００４０】（１１）本実施の形態においては積層型バ
リスタについて説明したが、ディスク型など他の形状の
バリスタについても同様の効果が得られるものである。
リスタについて説明したが、ディスク型など他の形状の
バリスタについても同様の効果が得られるものである。
【００４１】
【発明の効果】以上のように本発明は、バリスタ素子表
面の電極に覆われていない部分に、主成分がＺｎ2Ｓｉ
Ｏ4、Ｂｉ4（ＳｉＯ4）3といったＺｎ−Ｓｉ−Ｏ系、Ｂ
ｉ−Ｓｉ−Ｏ系の高抵抗層を形成するものである。この
高抵抗層は緻密で均一な厚みを有するので不要な水分な
どがバリスタ素子内に浸入するのを防ぎ、バリスタ特性
を劣化させることがない。またメッキ時にバリスタ素子
表面の電極部分以外がメッキされてショートするといっ
た不良の発生を防ぐことができる。さらに積層バリスタ
の場合、無効層の厚みを従来よりも薄くすることができ
るので、小型化を図ることができる。
面の電極に覆われていない部分に、主成分がＺｎ2Ｓｉ
Ｏ4、Ｂｉ4（ＳｉＯ4）3といったＺｎ−Ｓｉ−Ｏ系、Ｂ
ｉ−Ｓｉ−Ｏ系の高抵抗層を形成するものである。この
高抵抗層は緻密で均一な厚みを有するので不要な水分な
どがバリスタ素子内に浸入するのを防ぎ、バリスタ特性
を劣化させることがない。またメッキ時にバリスタ素子
表面の電極部分以外がメッキされてショートするといっ
た不良の発生を防ぐことができる。さらに積層バリスタ
の場合、無効層の厚みを従来よりも薄くすることができ
るので、小型化を図ることができる。
【図１】本発明の一実施の形態におけるバリスタの断面
図
図
【図２】本発明の一実施の形態における焼成工程の説明
図
図
１ バリスタ素子 ３ 外部電極 ４ａ 高抵抗層 ４ｂ 高抵抗層 ５ ＳｉＯ2あるいはその混合物
Claims (14)
- 【請求項１】 ＺｎＯを主成分とするバリスタ素子の外
表面に少なくとも２つの第１の電極を所定間隔を設けて
形成する第１の工程と、次いで前記バリスタ素子を第１
の熱処理を行う第２の工程と、その後前記バリスタ素子
外表面にＳｉ粉末を配して第２の熱処理を行う第３の工
程とを備えたことを特徴とするバリスタの製造方法。 - 【請求項２】 第３の工程において、バリスタ素子とＳ
ｉ粉末とを回転させながら熱処理を行うことを特徴とす
る請求項１に記載のバリスタの製造方法。 - 【請求項３】 第３の工程において、Ｓｉ粉末に替え
て、Ｓｉを主成分とし、副成分としてＰｂ、Ｆｅ、Ｓ
ｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｂｉ、Ａｇ、アルカリ金属、アル
カリ土類金属の化合物、ガラスフリットのうち少なくと
も一種類以上（Ｐｂ、アルカリ金属、アルカリ土類金属
を単独で用いる場合を除く）を有する混合物を用いるこ
とを特徴とする請求項１に記載のバリスタの製造方法。 - 【請求項４】 第３の工程において、バリスタ素子と混
合物とを回転させながら熱処理を行うことを特徴とする
請求項３に記載のバリスタの製造方法。 - 【請求項５】 第３の工程後、第１の電極上に第２の電
極を形成することを特徴とする請求項１に記載のバリス
タの製造方法。 - 【請求項６】 第２の工程後、バリスタ素子をＳｉ、Ｐ
ｂ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｂｉ、Ａｇ、アルカ
リ金属、アルカリ土類金属の有機金属化合物のうち少な
くとも一種類以上を含む液体に浸漬することを特徴とす
る請求項１に記載のバリスタの製造方法。 - 【請求項７】 ＺｎＯを主成分とするバリスタ素子の外
表面に少なくとも２つの第１の電極を所定の間隔を設け
て形成する第１の工程と、次いで前記バリスタ素子外表
面にＳｉを主成分とし、副成分としてＰｂ、Ｆｅ、Ｓ
ｂ、Ｔｉ、Ａｌ、アルカリ金属、アルカリ土類金属の化
合物、ガラスフリットのうち少なくとも一種類以上（Ｓ
ｉ、Ｐｂ、アルカリ金属、アルカリ土類金属を単独で用
いる場合は除く）を有する混合物を配して熱処理する第
２の工程とを有することを特徴とするバリスタの製造方
法。 - 【請求項８】 第２の工程後、第１の電極上に第２の電
極を形成することを特徴とする請求項７に記載のバリス
タの製造方法。 - 【請求項９】 第１の工程後、バリスタ素子をＳｉ、Ｐ
ｂ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｂｉ、Ａｇ、アルカ
リ金属、アルカリ土類金属の有機金属化合物のうち少な
くとも一種類以上を含む液体に浸漬することを特徴とす
る請求項７に記載のバリスタの製造方法。 - 【請求項１０】 第２の工程において、バリスタ素子と
混合物とを回転させながら熱処理を行うことを特徴とす
る請求項７に記載のバリスタの製造方法。 - 【請求項１１】 ＺｎＯを主成分とするバリスタ素子表
面にＳｉを主成分とし、副成分としてＰｂ、Ｆｅ、Ｓ
ｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｂｉ、Ａｇ、アルカリ金属、アル
カリ土類金属の化合物、ガラスフリットのうち少なくと
も一種類以上（Ｓｉ、Ｐｂ、アルカリ金属、アルカリ土
類金属を単独で用いる場合は除く）を有する混合物を配
して熱処理する第１の工程と、次に前記バリスタ素子外
表面に少なくとも２つの電極を形成する第２の工程とを
有することを特徴とするバリスタの製造方法。 - 【請求項１２】 第１の工程の前に、バリスタ素子を熱
処理してから第１の工程を行うことを特徴とする請求項
１１に記載のバリスタの製造方法。 - 【請求項１３】 第１の工程の前に、バリスタ素子をＳ
ｉ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｂｉ、Ａｇ、
アルカリ金属、アルカリ土類金属の有機金属化合物のう
ち少なくとも一種類以上を含む液体に浸漬することを特
徴とする請求項１１に記載のバリスタの製造方法。 - 【請求項１４】 第１の工程において、バリスタ素子と
混合物とを回転させながら熱処理を行うことを特徴とす
る請求項１１に記載のバリスタの製造方法。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9120603A JPH1070012A (ja) | 1996-06-03 | 1997-05-12 | バリスタの製造方法 |
| PCT/JP1997/001787 WO1997047017A1 (fr) | 1996-06-03 | 1997-05-27 | Procede de fabrication de varistor |
| US09/180,418 US6260258B1 (en) | 1996-06-03 | 1997-05-27 | Method for manufacturing varistor |
| CA002255853A CA2255853C (en) | 1996-06-03 | 1997-05-27 | Method for manufacturing varistor |
| CN97195189.6A CN1133180C (zh) | 1996-06-03 | 1997-05-27 | 可变电阻的制造方法 |
| IN988CA1997 IN190410B (ja) | 1996-06-03 | 1997-05-28 | |
| IDP971822A ID17026A (id) | 1996-06-03 | 1997-05-28 | Metode pembuatan varistor |
| TW086107308A TW355800B (en) | 1996-06-03 | 1997-05-29 | A method for making a varistor |
| HK99106077A HK1021066A1 (en) | 1996-06-03 | 1999-12-23 | Method for manufacturing varistor |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-139876 | 1996-06-03 | ||
| JP13987696 | 1996-06-03 | ||
| JP9120603A JPH1070012A (ja) | 1996-06-03 | 1997-05-12 | バリスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1070012A true JPH1070012A (ja) | 1998-03-10 |
Family
ID=26458147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9120603A Pending JPH1070012A (ja) | 1996-06-03 | 1997-05-12 | バリスタの製造方法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6260258B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1070012A (ja) |
| CN (1) | CN1133180C (ja) |
| CA (1) | CA2255853C (ja) |
| HK (1) | HK1021066A1 (ja) |
| ID (1) | ID17026A (ja) |
| IN (1) | IN190410B (ja) |
| TW (1) | TW355800B (ja) |
| WO (1) | WO1997047017A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001168406A (ja) * | 1999-12-08 | 2001-06-22 | Tdk Corp | 積層型圧電セラミック電子部品及びその製造方法 |
| JP2002043105A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化亜鉛型バリスタ及びその製造方法 |
| JP2004015016A (ja) * | 2002-06-11 | 2004-01-15 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型電子部品及びチップ型電子部品の製造方法 |
| JP2004128488A (ja) * | 2002-09-10 | 2004-04-22 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型電子部品 |
| US7075405B2 (en) | 2002-12-17 | 2006-07-11 | Tdk Corporation | Multilayer chip varistor and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19931056B4 (de) * | 1999-07-06 | 2005-05-19 | Epcos Ag | Vielschichtvaristor niedriger Kapazität |
| JP3460683B2 (ja) * | 2000-07-21 | 2003-10-27 | 株式会社村田製作所 | チップ型電子部品及びその製造方法 |
| EP1288971B1 (en) * | 2001-08-29 | 2012-06-20 | Panasonic Corporation | Method of manufacturing zinc oxide varistor |
| US20030043012A1 (en) * | 2001-08-30 | 2003-03-06 | Kaori Shiraishi | Zinc oxide varistor and method of manufacturing same |
| JP4292901B2 (ja) * | 2002-08-20 | 2009-07-08 | 株式会社村田製作所 | バリスタ |
| JP5429067B2 (ja) * | 2010-06-17 | 2014-02-26 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
| TW201221501A (en) * | 2010-11-26 | 2012-06-01 | Sfi Electronics Technology Inc | Process for producing ZnO varistor particularly having internal electrode composed of pure silver and sintered at a lower sintering temperature |
| CN103971866B (zh) * | 2014-05-20 | 2017-04-12 | 立昌先进科技股份有限公司 | 一种具滤波结构的变阻器 |
| CN107659215A (zh) * | 2015-01-05 | 2018-02-02 | 湖南轻创科技有限公司 | 旋转液体可变电阻器、电机启动器 |
| DE102015120640A1 (de) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | Epcos Ag | Vielschichtbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtbauelements |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5823921B2 (ja) * | 1978-02-10 | 1983-05-18 | 日本電気株式会社 | 電圧非直線抵抗器 |
| EP0159820B1 (en) * | 1984-03-29 | 1988-12-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Zinc oxide voltage - non-linear resistor |
| JPS62122103A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-03 | 松下電器産業株式会社 | 積層型チツプバリスタの製造方法 |
| US5070326A (en) * | 1988-04-13 | 1991-12-03 | Ube Industries Ltd. | Liquid crystal display device |
| JPH03173402A (ja) | 1989-12-02 | 1991-07-26 | Murata Mfg Co Ltd | チップバリスタ |
| JPH0536501A (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-12 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型正特性サーミスタ |
| JPH08222411A (ja) * | 1995-02-10 | 1996-08-30 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型セラミック電子部品の製造方法 |
| JP3173402B2 (ja) | 1996-12-26 | 2001-06-04 | スタンレー電気株式会社 | 半導体基板の液相成長装置 |
-
1997
- 1997-05-12 JP JP9120603A patent/JPH1070012A/ja active Pending
- 1997-05-27 WO PCT/JP1997/001787 patent/WO1997047017A1/ja active Application Filing
- 1997-05-27 CN CN97195189.6A patent/CN1133180C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-27 US US09/180,418 patent/US6260258B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-27 CA CA002255853A patent/CA2255853C/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-28 IN IN988CA1997 patent/IN190410B/en unknown
- 1997-05-28 ID IDP971822A patent/ID17026A/id unknown
- 1997-05-29 TW TW086107308A patent/TW355800B/zh not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-12-23 HK HK99106077A patent/HK1021066A1/xx not_active IP Right Cessation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001168406A (ja) * | 1999-12-08 | 2001-06-22 | Tdk Corp | 積層型圧電セラミック電子部品及びその製造方法 |
| JP2002043105A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化亜鉛型バリスタ及びその製造方法 |
| JP2004015016A (ja) * | 2002-06-11 | 2004-01-15 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型電子部品及びチップ型電子部品の製造方法 |
| JP2004128488A (ja) * | 2002-09-10 | 2004-04-22 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型電子部品 |
| US7075405B2 (en) | 2002-12-17 | 2006-07-11 | Tdk Corporation | Multilayer chip varistor and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1133180C (zh) | 2003-12-31 |
| WO1997047017A1 (fr) | 1997-12-11 |
| ID17026A (id) | 1997-12-04 |
| HK1021066A1 (en) | 2000-05-26 |
| TW355800B (en) | 1999-04-11 |
| IN190410B (ja) | 2003-07-26 |
| CA2255853A1 (en) | 1997-12-11 |
| CA2255853C (en) | 2004-08-10 |
| CN1220763A (zh) | 1999-06-23 |
| US6260258B1 (en) | 2001-07-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3555563B2 (ja) | 積層チップバリスタの製造方法および積層チップバリスタ | |
| US5866196A (en) | Electronic component and method for fabricating the same | |
| JPH1070012A (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JP5344179B2 (ja) | チップ型ｐｔｃサーミスタ | |
| TWI537992B (zh) | Ceramic electronic parts and manufacturing method thereof | |
| JPWO2004075216A1 (ja) | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JP2007242995A (ja) | 積層セラミック電子部品とその製造方法 | |
| JP2006344820A (ja) | セラミック電子部品の製造方法 | |
| JP2006229178A (ja) | 絶縁コーティング層を有する半導性チップ素子及びその製造方法 | |
| US6749891B2 (en) | Zinc oxide varistor and method of manufacturing same | |
| JP2008251630A (ja) | 電子部品の製造方法及び電子部品 | |
| JP4710560B2 (ja) | 積層型チップバリスタの製造方法 | |
| JPH11340090A (ja) | 粒界絶縁型積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP3396973B2 (ja) | 積層型バリスタの製造方法 | |
| JPH05121211A (ja) | 積層形電圧非直線抵抗器の製造方法 | |
| JP2002043105A (ja) | 酸化亜鉛型バリスタ及びその製造方法 | |
| JP2008244119A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| JP4710654B2 (ja) | 積層型チップバリスタの製造方法 | |
| JPH0714702A (ja) | 正の抵抗温度特性を有する積層型半導体磁器 | |
| JP2003151805A (ja) | チップ型電子部品およびその製造方法 | |
| EP1288971B1 (en) | Method of manufacturing zinc oxide varistor | |
| JP4167459B2 (ja) | チップ状バリスタの製造方法 | |
| JP2023035178A (ja) | バリスタ及びその製造方法 | |
| JP2005051052A (ja) | バリスタおよびその製造方法 | |
| JP2001023805A (ja) | バリスタの製造方法 |