JPH04288854A - 半導体装置実装用セラミックス基板およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置実装用セラミックス基板およびその製造方法Info
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- JPH04288854A JPH04288854A JP3078459A JP7845991A JPH04288854A JP H04288854 A JPH04288854 A JP H04288854A JP 3078459 A JP3078459 A JP 3078459A JP 7845991 A JP7845991 A JP 7845991A JP H04288854 A JPH04288854 A JP H04288854A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 127
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 52
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 64
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 12
- 239000002335 surface treatment layer Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical group [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- -1 silicon alkoxide Chemical class 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、窒化アルミニウム基板
上に低温焼成多層基板を接合した半導体装置実装用セラ
ミックス基板、および、その半導体装置実装用セラミッ
クス基板の製造方法に関する。
上に低温焼成多層基板を接合した半導体装置実装用セラ
ミックス基板、および、その半導体装置実装用セラミッ
クス基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置実装用のセラミックス
基板、例えばハイブリッドＩＣ等の半導体装置実装用の
セラミックス基板およびその製造方法としては、特開平
２−２３８６４２号公報に記載されたようなものが知ら
れている。
基板、例えばハイブリッドＩＣ等の半導体装置実装用の
セラミックス基板およびその製造方法としては、特開平
２−２３８６４２号公報に記載されたようなものが知ら
れている。
【０００３】この製造方法は、アルミナ粉末と硼硅酸ガ
ラス粉末とを主構成材とし、ガラス・セラミックス複合
材料よりなるグリーンシートを形成し、このグリーンシ
ートを所定の大きさに切断した後、ビア用ホールと半導
体チップ搭載用の穴を打ち抜き、切断した個々のグリー
ンシートに銅ペーストを印刷して導体回路を作り、この
複数のグリーンシートを位置合わせして積層し、この積
層体をこのグリーンシートと同形で半導体チップ搭載用
の穴を備えない窒化アルミニウム基板上に置き、重しを
載せて不活性ガス雰囲気中で焼成して一体化するもので
ある。
ラス粉末とを主構成材とし、ガラス・セラミックス複合
材料よりなるグリーンシートを形成し、このグリーンシ
ートを所定の大きさに切断した後、ビア用ホールと半導
体チップ搭載用の穴を打ち抜き、切断した個々のグリー
ンシートに銅ペーストを印刷して導体回路を作り、この
複数のグリーンシートを位置合わせして積層し、この積
層体をこのグリーンシートと同形で半導体チップ搭載用
の穴を備えない窒化アルミニウム基板上に置き、重しを
載せて不活性ガス雰囲気中で焼成して一体化するもので
ある。
【０００４】すなわち、このセラミックス基板は、窒化
アルミニウム基板上に、グリーンシートからなる多層配
線基板を積層するとともに、半導体チップをも搭載して
いる。そして、この半導体チップと多層配線基板とはワ
イヤボンディングされて結線されている。
アルミニウム基板上に、グリーンシートからなる多層配
線基板を積層するとともに、半導体チップをも搭載して
いる。そして、この半導体チップと多層配線基板とはワ
イヤボンディングされて結線されている。
【０００５】したがって、このセラミックス基板にあっ
ては、窒化アルミニウム基板により高周波特性を向上さ
せるとともに、放熱性も向上させている。
ては、窒化アルミニウム基板により高周波特性を向上さ
せるとともに、放熱性も向上させている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の半導体装置実装用セラミックス基板の製造方
法にあっては、グリーンシートの積層体を窒化アルミニ
ウム基板上に載置して加熱、焼成するようにしていたた
め、窒化アルミニウム基板に比較してグリーンシートの
積層体が大幅に収縮することとなり、グリーンシートが
窒化アルミニウム基板に接合しないという課題があった
。すなわち、従来の接合はグリーンシートのガラス成分
をバインダとして融着させようとしていたが、熱収縮率
の差が大きいため、接合ができなかったものである。
うな従来の半導体装置実装用セラミックス基板の製造方
法にあっては、グリーンシートの積層体を窒化アルミニ
ウム基板上に載置して加熱、焼成するようにしていたた
め、窒化アルミニウム基板に比較してグリーンシートの
積層体が大幅に収縮することとなり、グリーンシートが
窒化アルミニウム基板に接合しないという課題があった
。すなわち、従来の接合はグリーンシートのガラス成分
をバインダとして融着させようとしていたが、熱収縮率
の差が大きいため、接合ができなかったものである。
【０００７】
【発明の目的】本発明の目的は、低誘電率で信号伝達速
度の高速度化、多層配線による高密度化、放熱性の改善
を達成した半導体装置実装用セラミックス基板を提供す
ることである。
度の高速度化、多層配線による高密度化、放熱性の改善
を達成した半導体装置実装用セラミックス基板を提供す
ることである。
【０００８】また、本発明の目的は、窒化アルミニウム
基板と低温焼成多層基板との接合、一体化を達成した半
導体装置実装用セラミックス基板の製造方法を提供する
ことである。
基板と低温焼成多層基板との接合、一体化を達成した半
導体装置実装用セラミックス基板の製造方法を提供する
ことである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明は
、窒化アルミニウム基板と、この窒化アルミニウム基板
に積層された低温焼成多層基板と、これらの両基板の間
に介在して、これらの両基板を接合する接合層と、を有
する半導体装置実装用セラミックス基板である。
、窒化アルミニウム基板と、この窒化アルミニウム基板
に積層された低温焼成多層基板と、これらの両基板の間
に介在して、これらの両基板を接合する接合層と、を有
する半導体装置実装用セラミックス基板である。
【００１０】また、請求項２に記載の発明は、上記接合
層は、酸化物で形成した半導体装置実装用セラミックス
基板である。
層は、酸化物で形成した半導体装置実装用セラミックス
基板である。
【００１１】また、請求項３に記載の発明は、上記接合
層は、その熱膨張係数が、上記窒化アルミニウム基板の
熱膨張係数よりも大きく、かつ、上記低温焼成多層基板
の熱膨張係数よりも小さい材料で形成した半導体装置実
装用セラミックス基板である。
層は、その熱膨張係数が、上記窒化アルミニウム基板の
熱膨張係数よりも大きく、かつ、上記低温焼成多層基板
の熱膨張係数よりも小さい材料で形成した半導体装置実
装用セラミックス基板である。
【００１２】また、請求項４に記載の発明は、上記接合
層は、その軟化点温度が３００〜１，０００℃の範囲に
ある材料で形成した半導体装置実装用セラミックス基板
である。
層は、その軟化点温度が３００〜１，０００℃の範囲に
ある材料で形成した半導体装置実装用セラミックス基板
である。
【００１３】また、請求項５に記載の発明は、上記接合
層は、上記両基板間に順次積層されて形成された複数層
を有し、これらの各層の軟化点温度が異なる半導体装置
実装用セラミックス基板である。
層は、上記両基板間に順次積層されて形成された複数層
を有し、これらの各層の軟化点温度が異なる半導体装置
実装用セラミックス基板である。
【００１４】また、請求項６に記載の発明は、上記接合
層は、上記両基板間に順次積層されて形成された複数層
を有し、これらの各層の熱膨張係数が上記窒化アルミニ
ウム基板側の層が小さく上記低温焼成多層基板側に向か
って順番に大きくなるように構成した半導体装置実装用
セラミックス基板である。
層は、上記両基板間に順次積層されて形成された複数層
を有し、これらの各層の熱膨張係数が上記窒化アルミニ
ウム基板側の層が小さく上記低温焼成多層基板側に向か
って順番に大きくなるように構成した半導体装置実装用
セラミックス基板である。
【００１５】また、請求項７に記載の発明は、上記窒化
アルミニウム基板は、上記接合層と接触する側に表面処
理層を有する半導体装置実装用セラミックス基板である
。この表面処理層としては窒化アルミニウムを酸化して
アルミナ層を形成したものとさらにＳｉＯ２層が形成さ
れたものがある。この結果、接着剤としてガラスペース
トを使用した場合にも、窒化アルミニウムがガラスと反
応してバブルを生じることなく、接合は強固になされて
いる。
アルミニウム基板は、上記接合層と接触する側に表面処
理層を有する半導体装置実装用セラミックス基板である
。この表面処理層としては窒化アルミニウムを酸化して
アルミナ層を形成したものとさらにＳｉＯ２層が形成さ
れたものがある。この結果、接着剤としてガラスペース
トを使用した場合にも、窒化アルミニウムがガラスと反
応してバブルを生じることなく、接合は強固になされて
いる。
【００１６】また、請求項８に記載の発明は、内部配線
が施されたグリーンシートを複数層積層して仮焼するこ
とにより、低温焼成多層基板を形成する工程と、この低
温焼成多層基板を接合層を介して窒化アルミニウム基板
に積層し、積層体を形成する工程と、この積層体を焼成
する工程と、を備えた半導体装置実装用セラミックス基
板の製造方法である。
が施されたグリーンシートを複数層積層して仮焼するこ
とにより、低温焼成多層基板を形成する工程と、この低
温焼成多層基板を接合層を介して窒化アルミニウム基板
に積層し、積層体を形成する工程と、この積層体を焼成
する工程と、を備えた半導体装置実装用セラミックス基
板の製造方法である。
【００１７】
【作用】本発明に係る半導体装置実装用セラミックス基
板は、内部配線を例えば印刷により形成したグリーンシ
ートを複数用意する。内部配線としては例えば銅ペース
トの印刷による。また、グリーンシートはアルミナ粉末
と硼硅酸ガラス粉末とを主成分としたガラス・セラミッ
クス複合材料により形成している。そして、このグリー
ンシートに半導体チップ搭載用の穴等を形成する。さら
に、この複数のグリーンシートを積層して、この積層体
を例えば７００〜８００℃で仮焼する。この結果、複数
層の内部配線を有する低温焼成多層基板が形成される。
板は、内部配線を例えば印刷により形成したグリーンシ
ートを複数用意する。内部配線としては例えば銅ペース
トの印刷による。また、グリーンシートはアルミナ粉末
と硼硅酸ガラス粉末とを主成分としたガラス・セラミッ
クス複合材料により形成している。そして、このグリー
ンシートに半導体チップ搭載用の穴等を形成する。さら
に、この複数のグリーンシートを積層して、この積層体
を例えば７００〜８００℃で仮焼する。この結果、複数
層の内部配線を有する低温焼成多層基板が形成される。
【００１８】そして、この低温焼成多層基板を窒化アル
ミニウム基板の上に接合層を介して積層する。接合層と
しては、例えばガラスペースト等の無機物の接着剤を使
用し、このガラスペーストを低温焼成多層基板の一面に
塗布する。このガラスペーストの塗布面に窒化アルミニ
ウム基板を接触させる。このようにして窒化アルミニウ
ム基板の上にグリーンシートの積層体を載置、積層した
後、例えば８００〜９００℃で加熱、焼成する。この結
果、低温焼成基板は窒化アルミニウム基板と接合されて
一体化される。さらに、この後、半導体チップが穴に搭
載され、ワイヤボンディングにより低温焼成基板の内部
配線と接続される。半導体チップを穴に搭載することに
よりワイヤボンディングの距離が短くなっている。また
、低温焼成多層基板を使用することにより配線を高密度
にすることができる。
ミニウム基板の上に接合層を介して積層する。接合層と
しては、例えばガラスペースト等の無機物の接着剤を使
用し、このガラスペーストを低温焼成多層基板の一面に
塗布する。このガラスペーストの塗布面に窒化アルミニ
ウム基板を接触させる。このようにして窒化アルミニウ
ム基板の上にグリーンシートの積層体を載置、積層した
後、例えば８００〜９００℃で加熱、焼成する。この結
果、低温焼成基板は窒化アルミニウム基板と接合されて
一体化される。さらに、この後、半導体チップが穴に搭
載され、ワイヤボンディングにより低温焼成基板の内部
配線と接続される。半導体チップを穴に搭載することに
よりワイヤボンディングの距離が短くなっている。また
、低温焼成多層基板を使用することにより配線を高密度
にすることができる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明に係る半導体装置実装用セラミ
ックス基板の一実施例を図１、図２に基づいて説明する
。
ックス基板の一実施例を図１、図２に基づいて説明する
。
【００２０】これらの図に示すように、半導体装置実装
用セラミックス基板１１は、窒化アルミニウム基板（窒
化アルミニウムＡｌＮ系焼結体であって助剤等を含んで
いる）１２と、この窒化アルミニウム基板１２上に積層
された低温焼成多層基板１３と、これらの両基板１２、
１３の間に介在して、これらの両基板１２、１３を接合
する接合層１４と、を有している。
用セラミックス基板１１は、窒化アルミニウム基板（窒
化アルミニウムＡｌＮ系焼結体であって助剤等を含んで
いる）１２と、この窒化アルミニウム基板１２上に積層
された低温焼成多層基板１３と、これらの両基板１２、
１３の間に介在して、これらの両基板１２、１３を接合
する接合層１４と、を有している。
【００２１】そして、この低温焼成多層基板１３には、
複数の素子を搭載した半導体チップ１５を実装するため
の矩形の穴１６が形成されている。半導体チップ１５は
、図２に示すように、導体１７を介して窒化アルミニウ
ム基板１２上に装着されている。１８はこの半導体チッ
プ１５に搭載された素子と低温焼成多層基板１３の内部
配線とを接続するボンディングワイヤである。また、低
温焼成多層基板１３は、グリーンシートに銅ペーストを
パターン印刷して配線を形成した複数の層により構成さ
れ、各層の内部配線はスルーホールを介して相互に接続
されている。
複数の素子を搭載した半導体チップ１５を実装するため
の矩形の穴１６が形成されている。半導体チップ１５は
、図２に示すように、導体１７を介して窒化アルミニウ
ム基板１２上に装着されている。１８はこの半導体チッ
プ１５に搭載された素子と低温焼成多層基板１３の内部
配線とを接続するボンディングワイヤである。また、低
温焼成多層基板１３は、グリーンシートに銅ペーストを
パターン印刷して配線を形成した複数の層により構成さ
れ、各層の内部配線はスルーホールを介して相互に接続
されている。
【００２２】ここで、上記接合層１４は酸化物、例えば
ガラスペースト等の無機物の接着剤で形成されており、
その熱膨張係数αは、窒化アルミニウム基板１２のそれ
よりも大きく低温焼成多層基板１３のそれよりも小さい
値のものとしている。これにより熱応力の発生を低減す
るものである。また、接合層１４は、上記両基板間に順
次積層されて形成された複数層を有し、これらの各層の
熱膨張係数が上記窒化アルミニウム基板１２側の層が小
さく上記低温焼成多層基板１３側の層となるにしたがっ
て順番に大きくなるように構成してもよい。
ガラスペースト等の無機物の接着剤で形成されており、
その熱膨張係数αは、窒化アルミニウム基板１２のそれ
よりも大きく低温焼成多層基板１３のそれよりも小さい
値のものとしている。これにより熱応力の発生を低減す
るものである。また、接合層１４は、上記両基板間に順
次積層されて形成された複数層を有し、これらの各層の
熱膨張係数が上記窒化アルミニウム基板１２側の層が小
さく上記低温焼成多層基板１３側の層となるにしたがっ
て順番に大きくなるように構成してもよい。
【００２３】また、この接合層１４は、その軟化点温度
が３００〜１，０００℃である材料で形成している。こ
の軟化点温度はワイヤボンディング等におけるはんだに
より軟化せず、溶けない温度であればよい。なお、この
接合層１４を複数層で形成した場合、上記温度範囲内で
これらの各層の軟化点温度が異なる構成としてもよい。
が３００〜１，０００℃である材料で形成している。こ
の軟化点温度はワイヤボンディング等におけるはんだに
より軟化せず、溶けない温度であればよい。なお、この
接合層１４を複数層で形成した場合、上記温度範囲内で
これらの各層の軟化点温度が異なる構成としてもよい。
【００２４】上記窒化アルミニウム基板１２は、上記接
合層１４と接触する側に表面処理層１２Ａを有する。こ
の表面処理層１２Ａとは、窒化アルミニウム基板１２の
表面を酸化してアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）とし、このアル
ミナ層の表面にさらに二酸化珪素（ＳｉＯ２）の層を形
成したものである。この表面処理層１２Ａは、焼成時、
接合層１４を構成するガラスペースト中のフリットが窒
化アルミニウム基板１２中の窒化アルミニウム（ＡｌＮ
）と反応することを防止する。これは、この反応により
生じるバブルは接合強度を低下させるからである。
合層１４と接触する側に表面処理層１２Ａを有する。こ
の表面処理層１２Ａとは、窒化アルミニウム基板１２の
表面を酸化してアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）とし、このアル
ミナ層の表面にさらに二酸化珪素（ＳｉＯ２）の層を形
成したものである。この表面処理層１２Ａは、焼成時、
接合層１４を構成するガラスペースト中のフリットが窒
化アルミニウム基板１２中の窒化アルミニウム（ＡｌＮ
）と反応することを防止する。これは、この反応により
生じるバブルは接合強度を低下させるからである。
【００２５】上記半導体装置実装用セラミックス基板１
１は以下の手順によって製造する。
１は以下の手順によって製造する。
【００２６】まず、低温焼成多層基板１３を形成する。
すなわち、アルミナ粉末と硼硅酸ガラス粉末とを主構成
材料としたグリーンシートにスルーホールと半導体チッ
プ１５搭載用の穴１６を打ち抜いて、その上に配線用導
体としての銅ペーストまたは銀ペースト等を所定パター
ンでスクリーン印刷する。このようにして内部配線が施
されたグリーンシートを複数層準備し、これらを積層す
る。そして、この積層したグリーンシートを仮焼する。 仮焼温度は例えば７００〜８００℃とする。この結果、
低温焼成多層基板１３が形成されることとなる。なお、
このグリーンシートは焼成により収縮するが、積層した
グリーンシートの全体としては収縮による歪等は生じて
いないものである。
材料としたグリーンシートにスルーホールと半導体チッ
プ１５搭載用の穴１６を打ち抜いて、その上に配線用導
体としての銅ペーストまたは銀ペースト等を所定パター
ンでスクリーン印刷する。このようにして内部配線が施
されたグリーンシートを複数層準備し、これらを積層す
る。そして、この積層したグリーンシートを仮焼する。 仮焼温度は例えば７００〜８００℃とする。この結果、
低温焼成多層基板１３が形成されることとなる。なお、
このグリーンシートは焼成により収縮するが、積層した
グリーンシートの全体としては収縮による歪等は生じて
いないものである。
【００２７】次に、窒化アルミニウム基板１２について
は上記穴１６を明けることなく使用し、その表面に表面
処理層１２Ａを形成する。すなわち、窒化アルミニウム
基板１２の表面を酸化させて表面に酸化アルミニウム（
Ａｌ２Ｏ３）の層を形成する。そして、シリコンアルコ
キシド溶液を使用してディッピングを行い、この酸化ア
ルミニウム層の上に酸化珪素（ＳｉＯ２）の層を形成す
る。この酸化アルミニウム層は例えば０．２〜２０μｍ
の厚さとし、酸化珪素の層は０．０５〜５μｍの厚さと
する。これらの層の厚さは放熱性と接合強度とを勘案し
て定められる。なお、上記窒化アルミニウム基板１２は
イットリア等の助剤を含むものである。
は上記穴１６を明けることなく使用し、その表面に表面
処理層１２Ａを形成する。すなわち、窒化アルミニウム
基板１２の表面を酸化させて表面に酸化アルミニウム（
Ａｌ２Ｏ３）の層を形成する。そして、シリコンアルコ
キシド溶液を使用してディッピングを行い、この酸化ア
ルミニウム層の上に酸化珪素（ＳｉＯ２）の層を形成す
る。この酸化アルミニウム層は例えば０．２〜２０μｍ
の厚さとし、酸化珪素の層は０．０５〜５μｍの厚さと
する。これらの層の厚さは放熱性と接合強度とを勘案し
て定められる。なお、上記窒化アルミニウム基板１２は
イットリア等の助剤を含むものである。
【００２８】次に、この窒化アルミニウム基板１２の表
面処理層１２Ａの上に、半導体チップ１５の搭載部分を
除いて接合層１４を形成するガラスペーストを所定の厚
さにスクリーン印刷する。この接合層１４の熱膨張率は
例えば４．０×１０−５／ｃｍで、軟化点温度は８００
〜９００℃とする。なお、低温焼成多層基板１３の熱膨
張率は５．０×１０−５／ｃｍで、窒化アルミニウム基
板１２の熱膨張率は４．０×１０−５／ｃｍとする。ま
た、このガラスペーストは上記低温焼成多層基板１３の
側に塗布することもできる。
面処理層１２Ａの上に、半導体チップ１５の搭載部分を
除いて接合層１４を形成するガラスペーストを所定の厚
さにスクリーン印刷する。この接合層１４の熱膨張率は
例えば４．０×１０−５／ｃｍで、軟化点温度は８００
〜９００℃とする。なお、低温焼成多層基板１３の熱膨
張率は５．０×１０−５／ｃｍで、窒化アルミニウム基
板１２の熱膨張率は４．０×１０−５／ｃｍとする。ま
た、このガラスペーストは上記低温焼成多層基板１３の
側に塗布することもできる。
【００２９】そして、低温焼成多層基板１３を接合層１
４を介して窒化アルミニウム基板１２の表面処理層１２
Ａの上に積層する。この結果、積層体が形成される。さ
らに、この積層体を８００〜９００℃で焼成する。この
結果、低温焼成多層基板１３は窒化アルミニウム基板１
２と一体化され、その穴１６に導体１７を介して半導体
チップ１５を搭載し、ワイヤボンディングしてセラミッ
クス基板１１上に半導体装置が実装される。
４を介して窒化アルミニウム基板１２の表面処理層１２
Ａの上に積層する。この結果、積層体が形成される。さ
らに、この積層体を８００〜９００℃で焼成する。この
結果、低温焼成多層基板１３は窒化アルミニウム基板１
２と一体化され、その穴１６に導体１７を介して半導体
チップ１５を搭載し、ワイヤボンディングしてセラミッ
クス基板１１上に半導体装置が実装される。
【００３０】また、接合層１４を複数層で形成する場合
は、低温焼成多層基板１３の一面に第１層として所定の
組成のガラスペーストをスクリーン印刷し、例えば低温
焼成基板１３の内部配線に悪影響を与えない温度にて焼
成する。ついで、第１層の上に組成の異なる例えば熱膨
張係数のより低い第２層を印刷、焼成する。これを所望
の層だけ繰り返して接合層１４を形成する。その後は上
記工程と同じようにして窒化アルミニウム基板１２上に
積層して焼成する。
は、低温焼成多層基板１３の一面に第１層として所定の
組成のガラスペーストをスクリーン印刷し、例えば低温
焼成基板１３の内部配線に悪影響を与えない温度にて焼
成する。ついで、第１層の上に組成の異なる例えば熱膨
張係数のより低い第２層を印刷、焼成する。これを所望
の層だけ繰り返して接合層１４を形成する。その後は上
記工程と同じようにして窒化アルミニウム基板１２上に
積層して焼成する。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、放熱性と高周波特性と
に優れ、高密度化を達成した半導体装置実装用セラミッ
クス基板を得ることができる。また、このセラミックス
基板の製造に際して窒化アルミニウム基板と低温焼成多
層基板との接合を強固に行うことができる。
に優れ、高密度化を達成した半導体装置実装用セラミッ
クス基板を得ることができる。また、このセラミックス
基板の製造に際して窒化アルミニウム基板と低温焼成多
層基板との接合を強固に行うことができる。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体装置実装用セラ
ミックス基板を示す斜視図である。
ミックス基板を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施例に係る半導体装置実装用セラ
ミックス基板を示すその縦断面図である。
ミックス基板を示すその縦断面図である。
１１ セラミックス基板
１２ 窒化アルミニウム基板
１２Ａ 表面処理層
１３ 低温焼成多層基板
１４ 接合層
Claims (8)
- 【請求項１】 窒化アルミニウム基板と、この窒化ア
ルミニウム基板に積層された低温焼成多層基板と、これ
らの両基板の間に介在して、これらの両基板を接合する
接合層と、を有することを特徴とする半導体装置実装用
セラミックス基板。 - 【請求項２】 上記接合層は、酸化物で形成した請求
項１に記載の半導体装置実装用セラミックス基板。 - 【請求項３】 上記接合層は、その熱膨張係数が、上
記窒化アルミニウム基板の熱膨張係数よりも大きく、か
つ、上記低温焼成多層基板の熱膨張係数よりも小さい材
料で形成した請求項１または請求項２に記載の半導体装
置実装用セラミックス基板。 - 【請求項４】 上記接合層は、その軟化点温度が３０
０〜１，０００℃の範囲にある材料で形成した請求項１
または請求項２に記載の半導体装置実装用セラミックス
基板。 - 【請求項５】 上記接合層は、上記両基板間に順次積
層されて形成された複数層を有し、これらの各層の軟化
点温度が異なる請求項１または請求項２に記載の半導体
装置実装用セラミックス基板。 - 【請求項６】 上記接合層は、上記両基板間に順次積
層されて形成された複数層を有し、これらの各層の熱膨
張係数が上記窒化アルミニウム基板側の層が小さく上記
低温焼成多層基板側に向かって順番に大きくなるように
構成した請求項３に記載の半導体装置実装用セラミック
ス基板。 - 【請求項７】 上記窒化アルミニウム基板は、上記接
合層と接触する側に表面処理層を有する請求項１〜請求
項７のうちのいずれか１項に記載の半導体装置実装用セ
ラミックス基板。 - 【請求項８】 内部配線が施されたグリーンシートを
複数層積層して仮焼することにより、低温焼成多層基板
を形成する工程と、この低温焼成多層基板を接合層を介
して窒化アルミニウム基板の表面に積層し、積層体を形
成する工程と、この積層体を焼成する工程と、を備えた
ことを特徴とする半導体装置実装用セラミックス基板の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3078459A JPH04288854A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 半導体装置実装用セラミックス基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3078459A JPH04288854A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 半導体装置実装用セラミックス基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04288854A true JPH04288854A (ja) | 1992-10-13 |
Family
ID=13662614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3078459A Pending JPH04288854A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 半導体装置実装用セラミックス基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04288854A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1189495A1 (en) * | 2000-03-15 | 2002-03-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing multilayer ceramic substrate, and conductor paste |
| US7618843B2 (en) | 2001-11-22 | 2009-11-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Method of fabricating multilayer ceramic substrate |
| WO2018179538A1 (ja) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | 株式会社村田製作所 | パワーモジュール及びパワーモジュールの製造方法 |
-
1991
- 1991-03-18 JP JP3078459A patent/JPH04288854A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1189495A1 (en) * | 2000-03-15 | 2002-03-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing multilayer ceramic substrate, and conductor paste |
| EP1189495A4 (en) * | 2000-03-15 | 2007-07-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | PROCESS FOR MANUFACTURING MULTI-LAYER CERAMIC SUBSTRATE, AND CONDUCTIVE PASTE |
| US7618843B2 (en) | 2001-11-22 | 2009-11-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Method of fabricating multilayer ceramic substrate |
| WO2018179538A1 (ja) * | 2017-03-29 | 2018-10-04 | 株式会社村田製作所 | パワーモジュール及びパワーモジュールの製造方法 |
| JPWO2018179538A1 (ja) * | 2017-03-29 | 2019-11-07 | 株式会社村田製作所 | パワーモジュール及びパワーモジュールの製造方法 |
| US11114355B2 (en) | 2017-03-29 | 2021-09-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Power module and method for manufacturing power module |
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