JPS59217392A - 多層配線回路板 - Google Patents
多層配線回路板Info
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- JPS59217392A JPS59217392A JP9070383A JP9070383A JPS59217392A JP S59217392 A JPS59217392 A JP S59217392A JP 9070383 A JP9070383 A JP 9070383A JP 9070383 A JP9070383 A JP 9070383A JP S59217392 A JPS59217392 A JP S59217392A
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- Japan
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- circuit board
- multilayer wiring
- wiring circuit
- mullite
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は多層配線回路板に関する。
電子回路の高密度化に伴い、多層配線回路板に半導体素
子を搭載したモジュールが多用されるようになった。
子を搭載したモジュールが多用されるようになった。
従来、この多層配線回路板としては、絶縁材がアルミナ
材料よりなるものが用いられている。
材料よりなるものが用いられている。
しかし、アルミナ材料は比誘電率が9前後と太きい。比
誘電率は電気回路の信号の伝送遅れに影響し、両者の関
係は次式で表わされる。
誘電率は電気回路の信号の伝送遅れに影響し、両者の関
係は次式で表わされる。
j a ”’ V/’ r・t/C
(ここで、tdは電気信号の伝送遅れ、trは比誘電率
、tは信号の伝送距離、Cは光の速度をそれぞれ示す。
、tは信号の伝送距離、Cは光の速度をそれぞれ示す。
)
それ故、比誘電率の大きなアルミナ材料よシなる絶縁材
を用いた多層配線回路板には、信号の伝送速度が遅いと
いう欠点があった。
を用いた多層配線回路板には、信号の伝送速度が遅いと
いう欠点があった。
また、アルミナ材料の熱膨張係数は65〜・80X 1
0 ”/Cであシ、導体として熱膨張係数が45X10
−7/CのWlもしくは54X10−’/CのMOを使
用すると、絶縁材と導体との間に熱応力が生ずる。特に
、各層間の配線を接続するだめのスルーホールが密にな
ると、スルーホール間に熱応力のためのクラックが生ず
る。これは、スルーホール間隔が密になるほど、すなわ
ち、配線が高密度化するほど顕著になる。従って、従来
の多層配線回路板では配線の尚密度化の点において不利
であった。
0 ”/Cであシ、導体として熱膨張係数が45X10
−7/CのWlもしくは54X10−’/CのMOを使
用すると、絶縁材と導体との間に熱応力が生ずる。特に
、各層間の配線を接続するだめのスルーホールが密にな
ると、スルーホール間に熱応力のためのクラックが生ず
る。これは、スルーホール間隔が密になるほど、すなわ
ち、配線が高密度化するほど顕著になる。従って、従来
の多層配線回路板では配線の尚密度化の点において不利
であった。
また、アルミナAA、+OaとシリカS 102どを出
発原料とし、これらの混合物を1800tl;’以上に
加熱することによシ、ムライトからなる絶縁材を作成し
、その絶縁相を用いた多層配線回路板が試みられている
。しかし、この種の多層配線回路板では、絶縁材がち密
さに欠は多孔質であること、絶縁材の製造に際し焼成条
件を十分にコントロールしないと未反応のアルミナが残
ってしまうことのため、絶縁材の熱膨張係数と誘導率が
大きくなり、アルミナ材料よシなる絶縁材を用いたとき
と同様の欠点が生ずる。
発原料とし、これらの混合物を1800tl;’以上に
加熱することによシ、ムライトからなる絶縁材を作成し
、その絶縁相を用いた多層配線回路板が試みられている
。しかし、この種の多層配線回路板では、絶縁材がち密
さに欠は多孔質であること、絶縁材の製造に際し焼成条
件を十分にコントロールしないと未反応のアルミナが残
ってしまうことのため、絶縁材の熱膨張係数と誘導率が
大きくなり、アルミナ材料よシなる絶縁材を用いたとき
と同様の欠点が生ずる。
本発明は、前述した従来の多層配線回路板の欠点を改良
し、信号の高速度化及び配線の高密度化が可能な多層配
線回路板を提供することを目的と1 する
。
し、信号の高速度化及び配線の高密度化が可能な多層配
線回路板を提供することを目的と1 する
。
本発明は、絶縁材と配線導体とが交互に積層され、各層
の配線導体がスルーホール中の充填導体によ多接続され
ている多層配線回路板において、該絶縁相が、ムライト
とムライトを結合するカラスとからなシ、かつ、熱膨張
係数が35〜55×10 ”/Cであることを特徴とす
る多層配線回路板である。
の配線導体がスルーホール中の充填導体によ多接続され
ている多層配線回路板において、該絶縁相が、ムライト
とムライトを結合するカラスとからなシ、かつ、熱膨張
係数が35〜55×10 ”/Cであることを特徴とす
る多層配線回路板である。
ムライトとしては、たとえば、電融法などによシ作成さ
れるムライト粉が用いられる。
れるムライト粉が用いられる。
ガラスはムライトの融点以下の軟化点を有していること
が必要であシ、たとえば、けい酸アルミニウムを主成分
としたガラス、けい酸アルミニウムマグネシウムを主成
分としたガラス等が用いられる。特に望ましいのはムラ
イトと同程度の熱膨張係数をもつガラスである。ガラス
の使用量はムライトに対して5〜100wt%が適当で
ある。
が必要であシ、たとえば、けい酸アルミニウムを主成分
としたガラス、けい酸アルミニウムマグネシウムを主成
分としたガラス等が用いられる。特に望ましいのはムラ
イトと同程度の熱膨張係数をもつガラスである。ガラス
の使用量はムライトに対して5〜100wt%が適当で
ある。
よシ好ましくは10〜30w t%である。多すぎると
比誘電率、熱膨張係数などの特性を悪くする方向になる
と共に、焼成する際に用いる焼成台に接着したシ、形状
が著しく変形するおそれがある。
比誘電率、熱膨張係数などの特性を悪くする方向になる
と共に、焼成する際に用いる焼成台に接着したシ、形状
が著しく変形するおそれがある。
次に本発明の多層配線回路板の一製造方法例を示す。
ムライト粉末と、ガラス粉末またはガラスを生成する粉
末とをjツ1定の割合で混合し、更に、結合剤、可塑剤
、溶剤を混合してスラリーを作成する。
末とをjツ1定の割合で混合し、更に、結合剤、可塑剤
、溶剤を混合してスラリーを作成する。
結合剤としては、たとえば、ポリビニルブチラール樹脂
、ポリメククリル酸樹脂などが用いられ、可塑剤として
は、たとえば、フタル「;17ジオクチルなどが用いら
れる。また、溶剤としては、たとえば、メタノール、ト
リクロルエチ1/ンなどが用いられる。このようにして
作成したスラリーを、樹脂フィルム上にドクターブレー
ド法により適当な厚さのシートにのばす。次いで、この
シートを加熱し、シート中の溶剤を除去する。これによ
ジグリーンシートが得られる。このグリーンシートに、
パンチ法などにより所定の位置に、所定の径で、穴(ス
ルーホール)をあける。さらに、このスルーホールに、
WもしくはMoのペーストを印刷法により詰めるととも
に、グリーンシート表面にWもしくは捌0のペーストを
所定のパターンに従って印刷する。表面にパターンが印
刷され、スルーホールにペーストが冗填されたグリーン
シートを多層に’R層した後、焼成する。、焼成時の雰
囲気は、車床に水素を混合した7オーミングガス雰囲気
が採用される。該ガス中には、結合剤および可塑剤など
の酸化源として、水分が加えられる。焼成温度は、ムラ
イト及びガラスの組成、原料の粒度などにより変えられ
るが、導体としての)■もしくはMoの焼結が可能な1
400〜165011.’が望ましく、理想的には1.
500〜1600tTが望ましい。焼成は、最高温度で
数分間から2時間程度で冗了する。このようにして、本
発明に係る多層配線回路板が製造される。
、ポリメククリル酸樹脂などが用いられ、可塑剤として
は、たとえば、フタル「;17ジオクチルなどが用いら
れる。また、溶剤としては、たとえば、メタノール、ト
リクロルエチ1/ンなどが用いられる。このようにして
作成したスラリーを、樹脂フィルム上にドクターブレー
ド法により適当な厚さのシートにのばす。次いで、この
シートを加熱し、シート中の溶剤を除去する。これによ
ジグリーンシートが得られる。このグリーンシートに、
パンチ法などにより所定の位置に、所定の径で、穴(ス
ルーホール)をあける。さらに、このスルーホールに、
WもしくはMoのペーストを印刷法により詰めるととも
に、グリーンシート表面にWもしくは捌0のペーストを
所定のパターンに従って印刷する。表面にパターンが印
刷され、スルーホールにペーストが冗填されたグリーン
シートを多層に’R層した後、焼成する。、焼成時の雰
囲気は、車床に水素を混合した7オーミングガス雰囲気
が採用される。該ガス中には、結合剤および可塑剤など
の酸化源として、水分が加えられる。焼成温度は、ムラ
イト及びガラスの組成、原料の粒度などにより変えられ
るが、導体としての)■もしくはMoの焼結が可能な1
400〜165011.’が望ましく、理想的には1.
500〜1600tTが望ましい。焼成は、最高温度で
数分間から2時間程度で冗了する。このようにして、本
発明に係る多層配線回路板が製造される。
次に本発明を実施例によって説明する。なお、以下の各
例中に部とあるのは重量部を、−とあるのはM景チを意
味する。
例中に部とあるのは重量部を、−とあるのはM景チを意
味する。
実施例1
第2図は、本実施例に係る多層配線回路板のモデル概要
説明図である。
説明図である。
絶縁材5と配線導体3とが交互に積層され、各層の配線
導体3がスルーホール中の充填導体2によ#)接続され
ている。
導体3がスルーホール中の充填導体2によ#)接続され
ている。
本実施例を、その製造方法例を通して更に詳細に説明す
る。
る。
最大粒子径10μm、平均粒子径3μmのムライト粉7
0部と、各々最大粒子径10μmn以下の酸化ケイ素粉
15.4部、酸化アルミニウム10.5部、炭酸マグネ
シウム4.5部をボールミルに入れて24時間混合する
。さらに、ポリビニルブチラール樹脂5.9部、フタル
酸ジオクチル2.4部、トリクロールエチレン2340
部、パークロルエチレン9.0部及びブチルアルコール
6.0部をボールミルに入れ5時間混合する。これによ
シ混合物はスラリーになる。該スラリー中には気泡が巻
き込まれているので真空容器中で脱気する。該スラIJ
−を、ドクターブレード法を用いて、シリコーンでi
離型処理したポリエステルフィルム上に0
.251m厚さに塗布し、かつ、赤外線ランプを用いて
加熱し、溶剤を、揮散させ、ポリエステルフィルム上に
グリーンシート(焼成前の絶縁材5)を作成する。
0部と、各々最大粒子径10μmn以下の酸化ケイ素粉
15.4部、酸化アルミニウム10.5部、炭酸マグネ
シウム4.5部をボールミルに入れて24時間混合する
。さらに、ポリビニルブチラール樹脂5.9部、フタル
酸ジオクチル2.4部、トリクロールエチレン2340
部、パークロルエチレン9.0部及びブチルアルコール
6.0部をボールミルに入れ5時間混合する。これによ
シ混合物はスラリーになる。該スラリー中には気泡が巻
き込まれているので真空容器中で脱気する。該スラIJ
−を、ドクターブレード法を用いて、シリコーンでi
離型処理したポリエステルフィルム上に0
.251m厚さに塗布し、かつ、赤外線ランプを用いて
加熱し、溶剤を、揮散させ、ポリエステルフィルム上に
グリーンシート(焼成前の絶縁材5)を作成する。
このグリーンシートを200mmX200πmの大キさ
に切断し、パンチ法によりφ0.15mmの穴(スルー
ホール)を0.5wn間隔で形成する。穴あけ部分は1
1(hnm’とし、その外側4角に径5調のガイド穴4
個を形成する。径0.15mの穴にはタングステン粉二
二トロセルローズ:エチルセルローズ:ボリビニルブチ
ラール:トリクレン−100:3:1:2:23の導体
ペーストを印刷法によシ穴埋めする。これが多層化した
ときの各層間を接続するための充填導体2になる。さら
に、該穴埋め印刷したグリーンシートに同じタングステ
ンペーストを所定のパターンにスクリーン印刷法を用い
て印刷する。このペーストが焼成後、配線導体3となる
。
に切断し、パンチ法によりφ0.15mmの穴(スルー
ホール)を0.5wn間隔で形成する。穴あけ部分は1
1(hnm’とし、その外側4角に径5調のガイド穴4
個を形成する。径0.15mの穴にはタングステン粉二
二トロセルローズ:エチルセルローズ:ボリビニルブチ
ラール:トリクレン−100:3:1:2:23の導体
ペーストを印刷法によシ穴埋めする。これが多層化した
ときの各層間を接続するための充填導体2になる。さら
に、該穴埋め印刷したグリーンシートに同じタングステ
ンペーストを所定のパターンにスクリーン印刷法を用い
て印刷する。このペーストが焼成後、配線導体3となる
。
以上の工程により得られた導体、印刷されたグリーンシ
ートを、ガイド穴を用いて20枚積層する。温度120
Cで、圧力20 kgf/crrI’ 、20分間の加
圧加熱処理により強固に積層される。次に、122mm
’に切断し、形を整える。積1脅されたシートを焼成炉
の中に入れ、水素を5〜20%を含み、かつ、水蒸気を
含む窒素雰囲気中で最高温度1580Cで1時間保持し
て焼成する。焼結晶は、収縮して100m”の焼結体に
なり、ムライトとkl、zos 5i02 MgO
ガラスから々る絶縁材5と、Wからムる配線導体3と充
填導体2とによ多構成される回路板になる。絶縁材5は
、ムライトの粉末がガラスでとり囲まれた均質の焼結体
であった。まだ、得られた多層配線回路板の熱ボ(シ張
係数は、25〜300′Cの温度範囲で4.3X10−
7/Cである。スルーホール付近に、シラツクは認めら
れない。
ートを、ガイド穴を用いて20枚積層する。温度120
Cで、圧力20 kgf/crrI’ 、20分間の加
圧加熱処理により強固に積層される。次に、122mm
’に切断し、形を整える。積1脅されたシートを焼成炉
の中に入れ、水素を5〜20%を含み、かつ、水蒸気を
含む窒素雰囲気中で最高温度1580Cで1時間保持し
て焼成する。焼結晶は、収縮して100m”の焼結体に
なり、ムライトとkl、zos 5i02 MgO
ガラスから々る絶縁材5と、Wからムる配線導体3と充
填導体2とによ多構成される回路板になる。絶縁材5は
、ムライトの粉末がガラスでとり囲まれた均質の焼結体
であった。まだ、得られた多層配線回路板の熱ボ(シ張
係数は、25〜300′Cの温度範囲で4.3X10−
7/Cである。スルーホール付近に、シラツクは認めら
れない。
また、同杼な方法により作製した、アルミナを主成分と
した多層配線回路板の特性をみると、熱膨張係数は65
X10”/’t:l’であり、スルーホールの周辺には
円弧状のクラックが観察された。第1図は、配線の幅と
信号の伝送遅れとの関係を示す図である。Aがアルミナ
系多層配線回路板についての図であり、Bが本実施例の
多層配線回路板についての図であろうアルミナ系多層配
線回路板は10.5ns/rnであるのに対し、本実施
例の多層配線回路板では7.Ons/mであシ、信号の
高速度化がはかれていることがわかる。尚、とのときの
セラミックス材料の比誘電率はアルミナ系でε、=9、
本発明のムライト系でε、=5.8である。
した多層配線回路板の特性をみると、熱膨張係数は65
X10”/’t:l’であり、スルーホールの周辺には
円弧状のクラックが観察された。第1図は、配線の幅と
信号の伝送遅れとの関係を示す図である。Aがアルミナ
系多層配線回路板についての図であり、Bが本実施例の
多層配線回路板についての図であろうアルミナ系多層配
線回路板は10.5ns/rnであるのに対し、本実施
例の多層配線回路板では7.Ons/mであシ、信号の
高速度化がはかれていることがわかる。尚、とのときの
セラミックス材料の比誘電率はアルミナ系でε、=9、
本発明のムライト系でε、=5.8である。
実施例2
セラミックス材料:
ムライト粉80部、8+Oz粉11部、A1.zOs粉
6部、MgC0a 2部、CaCO31,5部導体ペー
スト: 平均粒子径2.0μmのモリブデン粉100部、ニトロ
セルローズ3部、エチルセルローズ1部、ポリビニルブ
チラール2部、トリクロルエチレン23部 グリーンシートの厚さ:0.25mm グリーンシートの積層数=20枚 焼成条件: 1550C,1時間 上記の点の通シに変更した以外は前記実施例1と同じ要
領にてセラミック多層配線回路板を作製した。
6部、MgC0a 2部、CaCO31,5部導体ペー
スト: 平均粒子径2.0μmのモリブデン粉100部、ニトロ
セルローズ3部、エチルセルローズ1部、ポリビニルブ
チラール2部、トリクロルエチレン23部 グリーンシートの厚さ:0.25mm グリーンシートの積層数=20枚 焼成条件: 1550C,1時間 上記の点の通シに変更した以外は前記実施例1と同じ要
領にてセラミック多層配線回路板を作製した。
得られた回路板はムライトとそれをとり囲むAtxOs
5j02 MgOCaOからなるガラス、導体の
モリブデンとから成シ立っている。熱膨張係数は45X
10−7/ll’、セラミック回路内罠はクラックなど
の欠損はみられなかった。さらに、電気的な特性の測定
結果では回路内の信号の伝送遅れは7.lns/mであ
シ、アルミナ系多層配線回路板の約68%である。
5j02 MgOCaOからなるガラス、導体の
モリブデンとから成シ立っている。熱膨張係数は45X
10−7/ll’、セラミック回路内罠はクラックなど
の欠損はみられなかった。さらに、電気的な特性の測定
結果では回路内の信号の伝送遅れは7.lns/mであ
シ、アルミナ系多層配線回路板の約68%である。
実施例3
セラミックス材料の比率をかえ、実施例1と同様に多層
配線回路板を作製した。第1表に材料の組成、導体の種
類、焼結体の熱膨張係数、信号の伝送遅れ、セラミック
内部のクラックの有無を示す。
配線回路板を作製した。第1表に材料の組成、導体の種
類、焼結体の熱膨張係数、信号の伝送遅れ、セラミック
内部のクラックの有無を示す。
セラミックスの熱膨張係数が35X10−’/Cと小さ
くなるとスルーホールの周辺に円弧状のクラj
ツクが発生し、熱膨張係数が55X10””/l
:’以上と大きくなるとスルーホール間を継ぐ形の線状
クラックを生ずる。
くなるとスルーホールの周辺に円弧状のクラj
ツクが発生し、熱膨張係数が55X10””/l
:’以上と大きくなるとスルーホール間を継ぐ形の線状
クラックを生ずる。
第1表において、本発明の実施例は、A3,4゜5.6
,7,9.10及び11であわ、クラックもなく、伝送
遅れも6.9〜7.3ns/mの間にある。AI、2,
8.12は比較例であシ、前2者は熱膨張係数が小さく
線状のクラックを生ずる例であシ、後2者は、スルーホ
ール周辺に円弧状のクラックを生ずる例である。
,7,9.10及び11であわ、クラックもなく、伝送
遅れも6.9〜7.3ns/mの間にある。AI、2,
8.12は比較例であシ、前2者は熱膨張係数が小さく
線状のクラックを生ずる例であシ、後2者は、スルーホ
ール周辺に円弧状のクラックを生ずる例である。
本発明は以上のように構成したので、絶縁材と導体との
間の熱応力が小さく、スルーポール周辺にクラックがな
く、また比誘電率が小さく電気信号の伝送速度が早い多
層配線回路板を提供することが可能である。
間の熱応力が小さく、スルーポール周辺にクラックがな
く、また比誘電率が小さく電気信号の伝送速度が早い多
層配線回路板を提供することが可能である。
また、ガラスを用いてムライトを結合するために、製造
に際しては液相焼結が行なわれる。従って導体と絶縁材
との焼結を同時に促進でき製造が容易であるという利点
もある。
に際しては液相焼結が行なわれる。従って導体と絶縁材
との焼結を同時に促進でき製造が容易であるという利点
もある。
第1図は、導体の配線幅と電気信号の伝送遅れとの関係
を、本発明の一実施例と従来例とを対比させて示す図で
ある。第2図は、本発明の一実施例の多層配線回路板の
モデル概要説明図である。
を、本発明の一実施例と従来例とを対比させて示す図で
ある。第2図は、本発明の一実施例の多層配線回路板の
モデル概要説明図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、絶縁材と配線導体とが交互に積層され、各層の配線
導体がスルーホール中の充填導体によシ接続されている
多層配線回路板において、該絶縁材が、ムライト及びム
ライトを結合するガラスとからなシ、かつ熱膨張係数が
35〜55 X 1(1”/ tZ’であることを特徴
とする多層配線回路板。 2、配線導体及び充填導体がW又はMOを含む金属から
なる特許請求の範囲第1項記載の多層配線回路板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9070383A JPS59217392A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 多層配線回路板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9070383A JPS59217392A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 多層配線回路板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59217392A true JPS59217392A (ja) | 1984-12-07 |
Family
ID=14005883
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9070383A Pending JPS59217392A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 多層配線回路板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59217392A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60240135A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置実装用多層基板 |
JPS61230204A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-14 | 株式会社日立製作所 | セラミック基板の製造方法 |
JPS63107095A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-12 | 富士通株式会社 | 多層セラミツク回路基板 |
US4891344A (en) * | 1985-12-20 | 1990-01-02 | Fujitsu Limited | Low dielectric constant ceramic substrate |
JPH0250829A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Matsushita Electric Works Ltd | 電気積層板の製造方法 |
-
1983
- 1983-05-25 JP JP9070383A patent/JPS59217392A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60240135A (ja) * | 1984-05-14 | 1985-11-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置実装用多層基板 |
JPH0337758B2 (ja) * | 1984-05-14 | 1991-06-06 | Fujitsu Ltd | |
JPS61230204A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-14 | 株式会社日立製作所 | セラミック基板の製造方法 |
US4891344A (en) * | 1985-12-20 | 1990-01-02 | Fujitsu Limited | Low dielectric constant ceramic substrate |
JPS63107095A (ja) * | 1986-10-23 | 1988-05-12 | 富士通株式会社 | 多層セラミツク回路基板 |
JPH0458198B2 (ja) * | 1986-10-23 | 1992-09-16 | Fujitsu Ltd | |
JPH0250829A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Matsushita Electric Works Ltd | 電気積層板の製造方法 |
JPH0466181B2 (ja) * | 1988-08-12 | 1992-10-22 | Matsushita Electric Works Ltd |
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