JP3226280B2 - 多層回路板の製造方法 - Google Patents

多層回路板の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、米国陸軍省によって認定された契約第DAAB
07−94−Ｃ−C009号に基づき米国政府の援助を受けてな
されたものである。政府は、本発明において一定の権利
を有している。
本発明は、高密度同時焼成セラミック多層回路板（hi
gh density co−fired ceramic multilayer circuit bo
ard）の製造に関し、特に、熱伝導性支持基板の両面に
接続された前記同時焼成多層回路板の製造に関する。
多層化された同時焼成セラミック回路板は周知であ
る。この回路板は、グリーンテープとして知られるセラ
ミック絶縁テープの積層体から形成される。この積層体
の各層は、回路を形成するプリントメタルパターンを含
んでいても良い。各層には、種々の回路層が互いに電気
接触するように導電性金属で満たすことの可能な複数の
小さな穴、すなわちバイア、が打ち抜かれている。グリ
ーンテープは、適当な有機質結合材又は樹脂、溶剤、可
塑剤、及び表面活性剤と混合されたセラミック及び／又
はガラスの粉末を含んでいる。高密度同時焼成セラミッ
ク多層回路板の製造工程には、予め製造しておいた複数
のグリーンテープ層を積層する工程と、これらのテープ
層を一つの重ね合せにプレス加工することにより積層す
る工程と、が含まれる。ここで、グリーンテープ層は、
このテープ層に打ち抜かれたバイアホールと、導電イン
ク、すなわち導電性金属粉末とガラス粉末の混合物、を
溶剤混合物中に加えてバイアを満たすことによりグリー
ンテープ層上に印刷された回路パターンと、を有してい
る。この重ね合わされた層は、この後、700℃以上の高
温で焼成される。この焼成により有機材料が焼失し、グ
リーンテープを作成するのに使用したガラス及び／又は
セラミックがち密化する。
この焼成されたガラス又はセラミックの回路板はもろ
いので、適当な支持基板、すなわちコア、の片面又は両
面にこの回路板を取り付けて、このプリント回路板の機
械強度を高めることができる。両面セラミックオンメタ
ル支持基板の場合、多層セラミック基板内の回路バイア
に連絡するように絶縁電気フィードスルーをメタルコア
内に設けて、回路密度を更に高めることができる。
このような補強多層基板を形成する好適な方法は、グ
リーンテープと導電性金属含有インクを用いて普通に多
層積層板を形成し、用意した適切な支持基板の片面又は
両面にこの積層板を置き、この複合構造を、グリーンテ
ープ及び導電インクの有機材料を取り除くのに必要な温
度に焼成して、グリーンテープ組成物のガラス粒子及び
導電インクの金属粒子を焼結又はち密化し、その結果得
られる多層セラミック基板を支持基板に密着させるとい
う方法である。
通常、グリーンテープからの有機材料の除去とその後
のち密化は、結果的にｘ、ｙ及びｚ次元におけるセラミ
ックの最大約20％の大幅な体積収縮を引き起こす。しか
しながら、上述の補強プリンと回路板における支持基板
では何らち密化収縮が起きないため、特にｘ次元および
ｙ次元におけるグリーンテープの大幅な収縮は、支持基
板への非密着や、互いに連絡すべき多層セラミック層内
のバイアと支持基板上の電気フィードスルーとの間の深
刻な位置ずれといった重大な問題につながる。従って、
グリーンテープ層の収縮を少なくともｘ、ｙ水平次元に
おいて抑制する方法が必要である。
支持基板上に焼成されたグリーンテープ積層板の水平
収縮を抑制する一つの方法としては、積層板のち密化収
縮が開始する前に積層板を支持基板に張り付けることが
可能なボンディング層を支持基板と支持板との間に設け
る方法がある。特定の一組のメタルコア及びセラミック
組成物に関してこの方法を実現するためのガラスボンデ
ィング層が提案されている。これは、プラブー（Prabh
u）に与えられた米国特許第5,277,724号に開示されてい
る。このガラスボンディング層は、支持基板に対して密
着性を有するとともに、積層板のセラミック又はガラス
に対しても密着性を有することが必要である。従って、
ボンディングガラス層上に配置されたグリーンテープ積
層板が焼成される時、ガラスボンディング層によりｘ、
ｙ水平方向での収縮が抑えられ、その結果グリーンテー
プ層での収縮は殆ど全て厚さ次元、すなわちｚ次元、で
生じることになる。このため、多層セラミック積層体中
のバイアと支持基板中のコンタクトは、焼成の間、互い
に位置合わせされた状態を維持する。チェルクリ（Cher
ukuri）らによる米国特許第5,256,469号では、種々の支
持基板に適したボンディングガラスとしてPb−Zn−Baホ
ウケイ酸塩ガラスが開示されており、また、Mg0−B2O3
−SiO2系のマグネシウム含有グリーンテープセラミック
スが開示されている。これらのセラミックスは、焼成セ
ラミックとして90〜130×10-7/℃の熱膨張係数を有して
いる。
回路板上のデバイス密度を更に高めるためにグリーン
テープ積層体がセラミック又はメタル支持基板の両面に
積層されようになっていると、収縮の問題は致命的とな
る。支持基板の両面の多層回路は、支持基板内のバイア
ホール及び支持基板上のコンタクトパッドを介して接続
されるが、これらの多層回路は、バイアホール及びコン
タクトパッドの位置合わせを維持する必要がある。セラ
ミック又はメタルの支持体又はコアは焼成中に顕著な収
縮を起こさないため、種々の層と支持基板内のバイアと
の位置合わせを維持できるようにｘ、ｙ方向で許容でき
るガラス／セラミックグリーンテープの収縮量は約１％
以下でしかない。
このように、フォルステライト−コージェライト系ガ
ラス／セラミックをセラミック又はメタル支持基板、例
えばニッケルめっきCu/Mo/Cu（13/74/13）基板やコバー
ル基板、に接合するボンディング層を設置することが望
ましい。これにより、最大約950℃の温度でグリーンテ
ープを焼結する間に支持基板とガラス／セラミックとの
間で１％を超えるｘ−ｙ収縮が発生することを防止する
ことができる。
本発明者は、950℃以下の温度で焼成を行う間にセラ
ミック又はメタル支持基板とこの支持基板を覆うフォル
ステライト−コージェライト系ガラス／セラミックグリ
ーンテープ組成物との間の収縮を１％以下に抑えるボン
ディングガラスを確認した。好適なボンディングガラス
は、セラミック又はメタル支持基板よりも高い熱膨張係
数を有しており、また、高い軟化点を有する必要があ
る。このガラスは、75〜110×10-7/℃の範囲内の膨張係
数を有している。
特に、ガラス／セラミックスは、本発明のボンディン
グガラスを用いて低収縮で焼成することが可能なCu/Mo/
Cuという銅張メタル基板に接合することが可能である。
このボンディングガラスはメタル基板にスクリーン印刷
されてパターニングされ、グリーンテープ層内の回路と
メタル基板内のコンタクト又はバイアとの間の接続が可
能となるように多層グリーンテープ層がメタル基板に位
置合わせされた状態で焼成される。このボンディングガ
ラス層により、グリーンテープ層のｘ及びｙ水平方向の
収縮が１％未満に低減される。
本発明の内容は、以下の詳細な説明を添付図面ととも
に考慮することによって容易に理解することができる。
ここで、図１は、本発明のボンディングガラス層を用い
た電子パッケージの横断面図である。
焼結中における同時焼成セラミック（co−fired cera
mic）とセラミック又はメタル支持基板との間の収縮を
非常に低いものに維持するため、同時焼成セラミックグ
リーンテープ組成物及び支持基板に極めて特化したボン
ディングガラス層が必要である。このとき、支持基板の
表面、セラミックの化学組成、セラミックグリーンテー
プの軟化点および焼結特性、ならびに支持基板およびセ
ラミックの材料の双方の熱膨張特性、を考慮しなければ
ならない。このボンディングガラス層は、約800℃以下
の軟化点であって、グリーンテープのガラスセラミック
の軟化点以下の軟化点を有しており、また、支持基板及
びその上のグリーンテープ層の双方に対して良好な密着
性を有している必要がある。このボンディングガラス
は、焼成中における被覆セラミックの収縮を防止あるい
は抑制するため、グリーンテープを作製するのに使用さ
れるガラスの焼結温度より約25〜250℃低い焼結温度を
有することが好ましい。このボンディングガラスは、ガ
ラス／セラミック、あるいは支持基板よりも高い膨張係
数を有していても良い。
酸化マグネシウム−アルミノケイ酸塩ガラスは、その
高強度および低熱膨張係数特性のため、セラミック多層
プリント回路板の製造に広く使われている。本出願で
は、セラミック又はメタル支持基板により高強度が付与
されるため高強度は必要ではない。先行技術では、今日
の半導体デバイスのほとんどを製造するために使用され
る材料であるシリコンと整合した熱膨張係数が望まれて
いた。しかし、ここでは、低損失、低誘電率といったコ
ージェライト系ガラスの他の特性が重要である。
ここでの回路板製造に有用なガラスは、コージェライ
トより高い熱膨張係数を有するフォルステライト結晶相
場（forsterite crystal phase field）の酸化マグネシ
ウム−アルミノケイ酸塩ガラスである。このように、フ
ォルステライドガラスは、ここで重要な低誘電率、低損
失等の特性を有する。しかし、フォルステライトガラス
は、比較的高い熱膨張係数を示す。シリコンは、約22〜
23×10-7/℃の熱膨張係数を有するが、セラミック又は
メタル支持基板は、一般に、約45〜55×10-7/℃とい
う、より高い熱膨張係数を有している。
支持基板として現在好まれているメタル基板は、（約
25ミクロン以下の厚さで）ニッケルめっきされた銅／モ
リブデン／銅（13/74/13）メタル基板である。これは、
クライマックスメタル（Climax Metals）社から市販さ
れている。しかしながら、コバール（Kovar）やインバ
ール（Invar）や、Cu/W/Cu、Cu/インバール/Cu又はCu/
コバール/Cu等の複合材料を含む他の基板材料も使用可
能である。窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ダイアモン
ド等のセラミック基板も使用することができる。これら
は、全て良好な熱伝導率を示す。これらのメタル基板の
主要面は洗浄することができ、また、例えば、従来のニ
ッケルめっき技術を用いてニッケル等により0.5〜25ミ
クロンの厚さまでめっきすることが可能である。
本願で重要なセラミックグリーンテープ組成物は、フ
ォルステライト−コージェライト系の特定のガラス、す
なわち少量の他の金属酸化物を含有するMgO−Al2O3−Si
O2系ガラス、から構成されている。
例えば、グリーンテープガラスは、以下の酸化物組成
物から適切に形成される。
ガラスＡ ガラスＢ 成分 重量、％ 重量、％ SiO2 45 45 Al2O3 22 22 MgO 29 26 P2O5 1.5 1.5 B2O3 1.0 1.5 PbO 4 ZrO2 1.5 上記のガラスは、どのような量で混合しても使用する
ことができる。上記ガラスには、少量（50重量％未満）
の他のガラスが含まれていても良い。このようなガラス
としては、20重量％以下の結晶コージェライトや、40重
量％以下のニケイ酸鉛や、25重量％以下のCaO（26.8
％）−MgO（4.6％）−ZnO（12.2％）−Al2O3（15.4％）
−SiO2（41.0％）ガラスや、35重量％以下のCaO（8.6
％）−ZnO（17.1％）−MgO（20.9％）−Al2O3（8.9％）
−SiO2（40.5％）−P2O5（2.0％）−ZrSiO4（2.0％）ガ
ラスを挙げることができる。また、他にも同様のガラス
を加えることができる。
グリーンテープ組成物を形成するため、粉末状の上記
ガラス又は上記ガラスの混合物が、可塑剤、有機質結合
材、界面活性剤および溶剤混合物と混合される。適切な
可塑剤としては、モンサント（Monsanto）社からサンチ
サイザ（Santicizer）160として市販されているアルキ
ルベンジルフタレートとアルキルエステルの混合物が挙
げられる。適切な樹脂結合材には、モンサント社製のバ
ットバー（Butvar）Ｂ−98、すなわちポリビニルブチラ
ールや、メンハーデン（Menhaden）魚油等の界面活性剤
または解こう剤や、メチルエチルケトン、イソプロパノ
ール、トルエン、アセトン、酢酸エチル、エチルアルコ
ール等を含む溶剤混合物が含まれる。上記のガラスや樹
脂等を用いたグリーンテープ組成物の製造方法は従来通
りであり、他の公知の材料を代わりに用いることも可能
である。上記の材料からスラリーが形成される。これら
の材料は、均一のスラリーを形成するためにボールミル
粉砕される。このスラリーは、型に入れられるか、或い
はポリエステルテープ上でドクターブレードをかけるこ
とによりテープ状に成形され、乾燥される。この後、こ
のテープは、所望の回路パターンを形成するように、導
体インクを用いてスクリーン印刷が施される。
導体インクは、金、銀、銅、並びにこれらの混合物お
よび合金等の導電性金属粉末を、樹脂結合材、溶剤、表
面活性剤を含む有機ビヒクルと混合させることにより作
られる。これらの組成物もまたよく知られているもので
ある。セラミック層間のバイアを埋めるために使用され
るバイア充填インク（via fill ink）は、ガラス粉末を
幾分多く含有することができるが、本質的に同様の方法
で作られる。
上記のスクリーン印刷済みグリーンテープは、約950
℃以下の温度で適切に焼成される。
しかしながら、このグリーンテープ組成物は、この焼
成工程中に、全ての方向で最大約20％収縮するため、こ
のグリーンテープ組成物をセラミック又はメタル支持基
板上で使用する場合、特に基板の両面で使用する場合、
焼成後に回路ならびにバイアホール及びコンタクトの全
てが位置合わせされた状態を維持するように、ボンディ
ングガラス層を用いてｘ及びｙ水平次元での収縮を制限
または防止しなければならない。このボンディングガラ
スの存在により、二方向における収縮が抑制され、全て
の収縮がｚ方向、すなわち厚さ方向でしか生じないよう
になる。
このボンディング層は、支持基板のニッケルめっきさ
れた表面上にスクリーン印刷またはコーティングされた
くすり掛けインク（glazing ink）を用いて形成された
後、インク中の有機材料を取り除き、かつ、ガラス及び
他の無機成分を溶融してくすり掛けされた支持面を得る
のに十分な温度まで加熱される。このくすり掛けボンデ
ィング層の組成は、金属とセラミック誘電体混合物との
特定の組合せに対して固有であるが、この組成は、セラ
ミック多層積層構造が水平次元、すなわちｘ及びｙ次元
の収縮を起こさず、支持基板とセラミック多層構造とが
互いに良好に密着して、この複合体の製造、組立て、使
用中に加わる機械応力および熱応力に耐えるように支持
基板−セラミック多層複合体を製造するために最も重要
である。
我々は、上記のグリーンテープ組成物をニッケルめっ
きされたCu/Mo/Cu複合体、Cu/コバール/Cu複合体又はCu
/インバール/Cu複合体、あるいはインバール又はコバー
ルの支持基板又はコアに接合し、かつ、グリーンテープ
積層板の収縮を１％未満に制限する２系統のガラスを発
見した。更に、我々は、これらのガラスは、単独で使用
されるか、あるいは混合物重量比で３分の１以下の量の
三酸化ビスマスとの混合で使用されると、上述のアルミ
ノケイ酸マグネシウムうからなるグリーンテープ積層板
においてx,y次元収縮の所望の抑制を実現し、良好な機
械的および熱的一体性を有する補強セラミック複合体を
形成することの可能なボンディング用うわぐすり（bond
ing glaze）を形成することを発見した。
この第１の系統のガラスは、他の改質用酸化物（modi
fying oxide）を少量含有するホウ酸亜鉛ガラスとして
分類することができる。ボンディング用うわぐすりとし
て適切なガラス有用な組成範囲は、重量パーセントで言
えば、酸化亜鉛ZnOが45〜55％、酸化ホウ素B2O3が30〜4
0％、酸化カルシウムCaOが３〜７％、酸化アルミニウム
Al2O3が３〜７％である。特に有用なガラス（No.1）
は、50重量％のZnO、39重量％のB2O3,5重量％のCaO、お
よび６重量％のAl2O3という組成を有する。
ここで使用されるボンディング用うわぐすり組成物に
適した第２の系統のガラスは、バリウム、亜鉛およびア
ルミニウムの酸化物ならびに他の酸化物により改質され
たホウケイ酸塩ガラスである。ボンディング用うわぐす
りとして適切なガラスの有用な組成範囲は、重量パーセ
ントで言えば、酸化バリウムBaOが20〜45％、酸化カル
シウムが５〜15％、酸化亜鉛が15〜22％、酸化ケイ素Si
O2が15〜25％、酸化ホウ素が15〜25％である。この第２
系統ガラスの２つの適切な例を示すと、次の通りであ
る。
No.2 No.3 酸化物 重量％ 重量％ BaO 42.7 20.4 CaO 6.25 14.9 ZnO 13.6 21.6 SiO2 16.7 25.0 B2O3 19.4 23.1 Sb2O3 0.25 CeO2 1.0 必要であれば、上記ボンディングガラス組成物の30重
量％以下の量まで酸化ビスマス融剤を加えることが可能
である。酸化ビスマスにより、これらのガラスの流動性
および密着性が向上する。
このガラスボンディング層は、使用される支持基板よ
りも大きな熱膨張係数を有する。このボンディング層
は、メタル基板の主要面の一方または双方にスラリーと
して塗布される。スラリーは、スクリーン印刷、吹き付
け、スピンコーティング、カーテンコーティング、流動
層被覆、電気泳動塗装、または他の同等の方法により塗
布することができる。ここで、スクリーン印刷は、多層
回路板を用意する際に選択される方法である。ボンディ
ングガラス組成物は、支持基板上に均一な厚さの薄い
層、例えば10〜50ミクロンの層、が形成されるように、
支持基板に塗布されて、その流れ温度以上に加熱される
ことが好ましい。
このボンディングガラスは、標準的な厚膜インクスク
リーン印刷法によってセラミック又はメタル基板に塗布
されることが好ましい。適切なインクは、ボンディング
ガラス粉末を、デュポン・ド・ネモアーズ（duPont de
Nemours）社製のエルバサイト（Elvacite）2045等の樹
脂結合材、あるいはエチルセルロース、ポリアクリレー
ト、ポリメタクリレート、ポリエステル、ポリオレフィ
ン等、及び適切な溶剤と混合することによって作製する
ことができる。この適切な溶剤には、パイン油、テルピ
ネオール、酢酸ブチルカルビトール、テキサノールTM、
テキサスイーストマン（Texas Eastman）社製の2,2,4−
トリメチル−1,3−ペンタンジオールモノイソブチレー
ト等が含まれる。一般に、ビヒクルには、約２〜約25重
量％の樹脂結合材が含有される。
この後、ボンディングガラスは、メタルコアに対する
多層セラミック被覆層上の回路とそのコンタクト及びバ
イアとの間で電気接触が形成されうるようにパターニン
グすることができる。このボンディングガラスは、支持
基板への塗布の後、支持基板の取扱いが容易になり、か
つ基板上に均一の厚さの層を形成できるように、約750
〜875℃の温度に加熱することによってリフロー（reflo
w）される。
多層セラミック回路板は、上述のようにその上にプリ
ント回路を有するセラミック組成物の多重層を含む予め
形成された多層グリーンテープ積層板をバイアとプリン
ト回路とが位置合わせされるように位置決めし、約950
℃以下の適切な温度に焼成することによって、ボンディ
ングガラス被覆支持基板から作製される。ここで、上記
の多重層は、予め加熱しておいても良い。焼成は、種々
の層およびプリント回路の組成に依存しながら、窒素ま
たは空気中で行うことができる。時間及び温度という焼
成パラメータを調整して、グリーンテープガラスの結晶
度を制御することができる。これは、各種の層の膨張を
制御することになる。
図１は、本発明のボンディング層を使用する超小型電
子パッケージを示す図である。同時焼成セラミックオン
メタル構造10は、第１および第２の主表面14および16を
有するメタルベース12を備えている。本発明のガラスボ
ンディング層18は、主表面14および16の一方または双方
を覆っている。ガラス−セラミック／目止めテープ（gl
ass−ceramic/filler tape）19の多重積層体は、半導体
デバイス24を配置するための穴20を有している。ガラス
セラミック積層体19中のプリント回路及びバイア（図示
せず）は、導電性金属粉末、例えば、銅、銀、銀／パラ
ジウム合金、金、これらの合金等、から形成される。
セラミック積層体に対するボンディングガラス−基板
コアの同時焼成後、半導体デバイス24は、プリント回路
積層体が半導体デバイスに電気接続されるように、ワイ
ヤボンド28、または当業者に知られた他の手段を用いて
基板上に集積される。このチップは、この後、金属蓋
（図示せず）を基板にロウ付けするか、あるいはチップ
上に有機封入材（organic encapsulant）（図示せず）
を供給することによって密封される。
以下の実施例において、本発明を更に説明する。但
し、本発明は、ここで説明する詳細に限定されるもので
はない。
実施例１ 上記ボンディングガラスNo.2の粉末を含有するボンデ
ィング用うわぐすりインクのパターニング層をスクリー
ン印刷し、この後、空気中で850℃に焼成してボンディ
ングガラス層を基板に対してリフロー及び溶融させるこ
とにより、厚さ0.020インチのニッケルめっきCu/Mo/Cu
（14/62/14）支持基板を用意した。
上述のようにフォルステライトコージェライトガラス
を使用して作製された６層のグリーンテープは、互いに
位置合わせされ、90℃で1500psiの圧力で積層される。
ここで、各グリーンテープは、グリーンテープ上に銀イ
ンクで形成されたスクリーン印刷厚膜回路パターンと、
適切な銀含有バイアインクで充填された打抜きバイアホ
ールとを有している。
この後、このグリーン積層板を支持基板のくすり掛け
面上に押圧し、この集成体を空気中においてピーク温度
である900℃に焼成した。こうして、Cu/Mo/Cu支持基板
に一体接合された焼結ガラス−セラミック多層基板を得
た。
この焼成セラミック積層板は、支持基板への密着性に
優れ、上記焼成工程中にx,y収縮が起こらず、すべての
集成収縮がｚ方向で起きていることが分かっている。
実施例２ 実施例１の手順に従いつつ、ボンディング用うわぐす
りインクを、上記の粉末ボンディングガラスNo.1と酸化
ビスマスとの重量比3:1の混合物を含有するものと交換
した。
この場合も、焼成工程中にx,y収縮を起こさないCu/Mo
/Cu支持基板上複合多層セラミック構造が得られた。
実施例３ 32.5重量％の酸化マグネシウム、17重量％の酸化バリ
ウム、７重量％の酸化アルミニウム、24重量％の酸化ケ
イ素、16重量％の酸化ホウ素、2.5重量％の二酸化ジル
コニウム、および１重量％の五酸化リンという組成を有
する別の誘電体ガラスを用いて作製された６層のグリー
ンテープを互いに位置合わせし、90℃で1500psiの圧力
で積層した。ここで、各層は、銀インクで形成されたス
クリーン印刷厚膜回路パターンと、適切な銀含有バイア
インクで充填された打抜きバイアホールとを有してい
る。
また、これとは別に、上記ガラスNo.1を含有するボン
ディング用うわぐすりインクからなるパターニング層を
スクリーン印刷した後、空気中で850℃に焼成してボン
ディングガラス層を基板に対してリフロー及び溶融させ
ることにより、厚さ0.020インチのコバール製支持基板
を用意した。この後、前記グリーン積層板を支持基板の
くすり掛け面上に押圧し、この集成体を空気中でピーク
温度である900℃に焼成した。
こうして、コバール支持基板に一体接合された焼結ガ
ラス−セラミック多層基板を得た。
このグリーンテープ積層板は、コバール支持基板への
密着性に優れ、焼成工程中にｘ、ｙ収縮が起こらないこ
とが分かっている。このため、すべての焼成収縮は、ｚ
方向で起きていた。
以上、本発明を特定の実施形態について説明してきた
が、当業者であれば理解できるように、上記で設定した
基準を満足するものであれば、グリーンテープ及び導体
イインクの作製に他の樹脂や材料を使用することがで
き、また、他のメタル基板や他のボンディングガラスを
使用することも可能である。このように、本発明は、特
許請求の範囲によってのみ限定されるものである。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−270934（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−278195（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−97594（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−156552（ＪＰ，Ａ)

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】フォルステライト−コージェライト系ガラ
    スからなるグリーンテープの複数の層の積層体を備える
    多層回路板の製造方法であって、各層はその上に回路を
    有しており、前記積層体はニッケルめっきされたセラミ
    ックまたはメタル支持基板によって支持されており、 前記支持基板の片面または両面にボンディングガラスを
    堆積させるステップであって、前記ボンディングガラス
    は、酸化カルシウム、酸化亜鉛および酸化ホウ素を含む
    酸化物混合物を備え、前記支持基板よりも高い熱膨張係
    数を有し、フォルステライト−コージェライトガラスよ
    りも約25〜250℃低い焼結温度を有しているステップ
    と、 前記多層グリーンテープ上の回路と前記支持基板との間
    で電気接触が形成されうるように前記ボンディングガラ
    スをパターニングするステップと、 多層グリーンテープ積層体を前記支持基板に位置合わせ
    するステップと、 前記多層グリーンテープを焼成するステップと、 を備え、これにより焼成済セラミック層のｘおよびｙ水
    平次元の収縮を１％以下に制限する方法。
  2. 【請求項２】前記ボンディングガラスは、約45〜55重量
    ％の酸化亜鉛、約30〜40重量％の酸化ホウ素、約３〜７
    重量％の酸化カルシウムおよび約３〜７重量％の酸化ア
    ルミニウムを含んでいる、請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】前記ボンディングガラスは、約50重量％の
    酸化亜鉛、約39重量％の酸化ホウ素、約５重量％の酸化
    カルシウムおよび約６重量％の酸化アルミニウムを含ん
    でいる、請求項２記載の方法。
  4. 【請求項４】前記ボンディングガラスは、約20〜45重量
    ％の酸化バリウム、約５〜15重量％の酸化カルシウム、
    約15〜22重量％の酸化亜鉛、約15〜25重量％の酸化ケイ
    素、約15〜25重量％の酸化ホウ素を含んでいる、請求項
    １記載の方法。
  5. 【請求項５】前記ボンディングガラスは、約42.7重量％
    の酸化バリウム、約6.25重量％の酸化カルシウム、約1
    3.6重量％の酸化亜鉛、約16.7重量％の酸化ケイ素、約1
    9.4重量％の酸化ホウ素および少量の他の酸化物を含ん
    でいる、請求項１記載の方法。
  6. 【請求項６】前記ボンディングガラスは、約20.4重量％
    の酸化バリウム、約14.9重量％の酸化カルシウム、約2
    1.6重量％の酸化亜鉛、約25.0重量％の酸化ケイ素、約2
    3.1重量％の酸化ホウ素を含んでいる、請求項４記載の
    方法。
  7. 【請求項７】前記支持基板は、ニッケルめっきされた銅
    張モリブデン、インバールまたはコバールのプレートで
    ある、請求項１記載の方法。
  8. 【請求項８】前記ボンディングガラスが前記支持基板の
    両面に塗布され、多層グリーンテープ積層体が前記支持
    基板の両面に接合される、請求項１記載の方法。
  9. 【請求項９】前記ボンディングガラスには、約30重量％
    以下の酸化ビスマスが添加されている、請求項１記載の
    方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8980028B2 (en) 2010-03-30 2015-03-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. Metal base substrate and manufacturing method thereof

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5725808A (en) * 1996-05-23 1998-03-10 David Sarnoff Research Center, Inc. Multilayer co-fired ceramic compositions and ceramic-on-metal circuit board
WO1997025284A1 (en) * 1996-01-11 1997-07-17 Containerless Research, Inc. Fiber drawing from undercooled molten materials
US5858145A (en) * 1996-10-15 1999-01-12 Sarnoff Corporation Method to control cavity dimensions of fired multilayer circuit boards on a support
TW353762B (en) * 1996-10-21 1999-03-01 Dainippon Printing Co Ltd Transfer sheet, and pattern-forming method
US5953203A (en) * 1997-03-06 1999-09-14 Sarnoff Corporation Multilayer ceramic circuit boards including embedded capacitors
US6055151A (en) * 1997-03-06 2000-04-25 Sarnoff Corp Multilayer ceramic circuit boards including embedded components
US6399230B1 (en) * 1997-03-06 2002-06-04 Sarnoff Corporation Multilayer ceramic circuit boards with embedded resistors
JP3944791B2 (ja) * 1997-03-06 2007-07-18 ラミナ セラミクス， インコーポレイテッド セラミック多層プリント回路基板
US5866240A (en) * 1997-03-06 1999-02-02 Sarnoff Corporation Thick ceramic on metal multilayer circuit board
US6120906A (en) * 1997-03-31 2000-09-19 Kyocera Corporation Insulated board for a wiring board
EP0924755A3 (en) * 1997-12-19 1999-12-29 CTS Corporation Method of fabricating a multilayer circuit board
US6471805B1 (en) 1998-11-05 2002-10-29 Sarnoff Corporation Method of forming metal contact pads on a metal support substrate
US6247986B1 (en) 1998-12-23 2001-06-19 3M Innovative Properties Company Method for precise molding and alignment of structures on a substrate using a stretchable mold
US6352763B1 (en) 1998-12-23 2002-03-05 3M Innovative Properties Company Curable slurry for forming ceramic microstructures on a substrate using a mold
JP3656484B2 (ja) * 1999-03-03 2005-06-08 株式会社村田製作所 セラミック多層基板の製造方法
JP3630021B2 (ja) * 1999-07-23 2005-03-16 株式会社村田製作所 結晶化ガラス組成物及びその焼結体、並びに、それを用いた回路基板
JP3687443B2 (ja) * 1999-10-12 2005-08-24 株式会社村田製作所 低温焼成セラミック組成物及びセラミック多層基板
US6712486B1 (en) * 1999-10-19 2004-03-30 Permlight Products, Inc. Mounting arrangement for light emitting diodes
US7183640B2 (en) 1999-12-13 2007-02-27 Lamina Ceramics, Inc. Method and structures for enhanced temperature control of high power components on multilayer LTCC and LTCC-M boards
US6455930B1 (en) * 1999-12-13 2002-09-24 Lamina Ceramics, Inc. Integrated heat sinking packages using low temperature co-fired ceramic metal circuit board technology
US6821178B2 (en) 2000-06-08 2004-11-23 3M Innovative Properties Company Method of producing barrier ribs for plasma display panel substrates
US6518502B2 (en) * 2001-05-10 2003-02-11 Lamina Ceramics, In Ceramic multilayer circuit boards mounted on a patterned metal support substrate
US6578986B2 (en) * 2001-06-29 2003-06-17 Permlight Products, Inc. Modular mounting arrangement and method for light emitting diodes
US6553662B2 (en) 2001-07-03 2003-04-29 Max Levy Autograph, Inc. Method of making a high-density electronic circuit
US7176492B2 (en) * 2001-10-09 2007-02-13 3M Innovative Properties Company Method for forming ceramic microstructures on a substrate using a mold and articles formed by the method
US7033534B2 (en) * 2001-10-09 2006-04-25 3M Innovative Properties Company Method for forming microstructures on a substrate using a mold
JP4030285B2 (ja) * 2001-10-10 2008-01-09 株式会社トクヤマ 基板及びその製造方法
US6699571B1 (en) * 2002-03-27 2004-03-02 Morgan Advanced Ceramics, Inc. Devices and methods for mounting components of electronic circuitry
US7528421B2 (en) * 2003-05-05 2009-05-05 Lamina Lighting, Inc. Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation
US7777235B2 (en) * 2003-05-05 2010-08-17 Lighting Science Group Corporation Light emitting diodes with improved light collimation
US7300182B2 (en) * 2003-05-05 2007-11-27 Lamina Lighting, Inc. LED light sources for image projection systems
US7633093B2 (en) * 2003-05-05 2009-12-15 Lighting Science Group Corporation Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product
US7095053B2 (en) * 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
US7138347B2 (en) * 2003-08-14 2006-11-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick-film conductor paste for automotive glass
US20050040908A1 (en) * 2003-08-21 2005-02-24 Lamina Ceramics Inc. Low temperature co-fired ceramic-metal circulators and isolators
US7964883B2 (en) * 2004-02-26 2011-06-21 Lighting Science Group Corporation Light emitting diode package assembly that emulates the light pattern produced by an incandescent filament bulb
US20050225222A1 (en) * 2004-04-09 2005-10-13 Joseph Mazzochette Light emitting diode arrays with improved light extraction
US8188503B2 (en) 2004-05-10 2012-05-29 Permlight Products, Inc. Cuttable illuminated panel
US7309540B2 (en) 2004-05-21 2007-12-18 Sarnoff Corporation Electrical power source designs and components
US7186461B2 (en) * 2004-05-27 2007-03-06 Delaware Capital Formation, Inc. Glass-ceramic materials and electronic packages including same
US7387838B2 (en) * 2004-05-27 2008-06-17 Delaware Capital Formation, Inc. Low loss glass-ceramic materials, method of making same and electronic packages including same
US7252408B2 (en) * 2004-07-19 2007-08-07 Lamina Ceramics, Inc. LED array package with internal feedback and control
WO2006077755A1 (ja) * 2005-01-20 2006-07-27 A.L.M.T.Corp. 半導体装置用部材とその製造方法
JP4905874B2 (ja) * 2005-04-27 2012-03-28 京セラ株式会社 無線通信装置および無線通信装置における制御方法
US20060243700A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 International Business Machines Corporation Composite electroformed screening mask and method of making the same
US7719021B2 (en) * 2005-06-28 2010-05-18 Lighting Science Group Corporation Light efficient LED assembly including a shaped reflective cavity and method for making same
WO2007002476A2 (en) * 2005-06-28 2007-01-04 Lamina Ceramics, Inc. Backlight module display with optical coupler and lightguide
US20100089620A1 (en) * 2006-11-30 2010-04-15 Richard Matz Electronic Component Module and Method for the Production Thereof
US9240526B2 (en) * 2010-04-23 2016-01-19 Cree, Inc. Solid state light emitting diode packages with leadframes and ceramic material
JP5693940B2 (ja) * 2010-12-13 2015-04-01 株式会社トクヤマ セラミックスビア基板、メタライズドセラミックスビア基板、これらの製造方法
JP2015129684A (ja) * 2014-01-08 2015-07-16 株式会社アルバック 金属セラミック接合体、隔膜真空計、金属とセラミックとの接合方法、および、隔膜真空計の製造方法
DE102016125348B4 (de) * 2016-12-22 2020-06-25 Rogers Germany Gmbh Trägersubstrat für elektrische Bauteile und Verfahren zur Herstellung eines Trägersubstrats
US11903472B2 (en) * 2019-02-08 2024-02-20 Lexmark International, Inc. Hair iron having a ceramic heater
US11692754B2 (en) 2020-04-21 2023-07-04 Lexmark International, Inc. Ice maker heater assemblies
US11828490B2 (en) 2020-04-24 2023-11-28 Lexmark International, Inc. Ceramic heater for heating water in an appliance

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4712161A (en) * 1985-03-25 1987-12-08 Olin Corporation Hybrid and multi-layer circuitry
US4739443A (en) * 1985-12-30 1988-04-19 Olin Corporation Thermally conductive module
US4997698A (en) * 1987-05-04 1991-03-05 Allied-Signal, Inc. Ceramic coated metal substrates for electronic applications
US4808460A (en) * 1987-06-02 1989-02-28 Corning Glass Works Laminated structures containing an inorganic corrugated or honeycomb member
US4924590A (en) * 1988-01-08 1990-05-15 Siemens Aktiengesellschaft Method for making metal core printed circuit board
US5043222A (en) * 1988-03-17 1991-08-27 Olin Corporation Metal sealing glass composite with matched coefficients of thermal expansion
JPH0227832B2 (ja) * 1989-03-10 1990-06-20 Okuno Chem Ind Co Seramitsukusukiban
US5013360A (en) * 1989-09-15 1991-05-07 Vlsi Packaging Materials, Inc. Sealing glass compositions
US5277724A (en) * 1991-12-18 1994-01-11 General Electric Co. Method of minimizing lateral shrinkage in a co-fired, ceramic-on-metal circuit board
US5256469A (en) * 1991-12-18 1993-10-26 General Electric Company Multi-layered, co-fired, ceramic-on-metal circuit board for microelectronic packaging

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8980028B2 (en) 2010-03-30 2015-03-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. Metal base substrate and manufacturing method thereof

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