JP5693940B2 - セラミックスビア基板、メタライズドセラミックスビア基板、これらの製造方法 - Google Patents
セラミックスビア基板、メタライズドセラミックスビア基板、これらの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5693940B2 JP5693940B2 JP2010276882A JP2010276882A JP5693940B2 JP 5693940 B2 JP5693940 B2 JP 5693940B2 JP 2010276882 A JP2010276882 A JP 2010276882A JP 2010276882 A JP2010276882 A JP 2010276882A JP 5693940 B2 JP5693940 B2 JP 5693940B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- substrate
- ceramic
- powder
- metal paste
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 264
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 206
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 57
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 603
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 603
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 152
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 91
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 88
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 88
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 65
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 26
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 32
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 21
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 20
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 19
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 17
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 15
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 14
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 14
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 12
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical group [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 10
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 10
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- -1 aluminum nitride Nitride Chemical class 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910000048 titanium hydride Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 6
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 5
- 241000587161 Gomphocarpus Species 0.000 description 5
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 5
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 5
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 5
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 5
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000007649 pad printing Methods 0.000 description 3
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N Di-n-octyl phthalate Natural products CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVFDTKUVRCTHQE-UHFFFAOYSA-N Diisodecyl phthalate Chemical compound CC(C)CCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC(C)C ZVFDTKUVRCTHQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013032 Hydrocarbon resin Substances 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag] Chemical compound [Cu].[Ag] NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFMQKOWCDKKBIF-UHFFFAOYSA-N bis(3,5-difluorophenyl)phosphane Chemical compound FC1=CC(F)=CC(PC=2C=C(F)C=C(F)C=2)=C1 ZFMQKOWCDKKBIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006217 cellulose acetate butyrate Polymers 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- YCKOAAUKSGOOJH-UHFFFAOYSA-N copper silver Chemical compound [Cu].[Ag].[Ag] YCKOAAUKSGOOJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- HBGGXOJOCNVPFY-UHFFFAOYSA-N diisononyl phthalate Chemical compound CC(C)CCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCC(C)C HBGGXOJOCNVPFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006270 hydrocarbon resin Polymers 0.000 description 1
- 229920003063 hydroxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229940031574 hydroxymethyl cellulose Drugs 0.000 description 1
- 229910001293 incoloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/15—Ceramic or glass substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0094—Filling or covering plated through-holes or blind plated vias, e.g. for masking or for mechanical reinforcement
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
- H05K3/4053—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
- H05K3/4061—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in inorganic insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/14—Related to the order of processing steps
- H05K2203/1476—Same or similar kind of process performed in phases, e.g. coarse patterning followed by fine patterning
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/245—Reinforcing conductive patterns made by printing techniques or by other techniques for applying conductive pastes, inks or powders; Reinforcing other conductive patterns by such techniques
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
第1の本発明において、「金属(A)よりも融点が高い金属(B)」は、銀、銅および金から選ばれる一種または二種以上であることが好ましい。
金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末、および、活性金属粉末を含んでなる第一金属ペースト(20)をスルーホール(12)に充填する充填工程、
融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)粉末を含んでなる第二金属ペーストをスルーホール(12)に充填した第一金属ペースト(20)に接触する位置に積層して、第二金属ペースト層(22)を形成する工程、および、
上記で得られた基板を焼成する焼成工程、
を含んでなる、第1の本発明のセラミックスビア基板(100a)の製造方法である。なお、セラミックスビア基板(100a)において、導電性ビア(23)は、スルーホール(12)に充填された第一金属ペースト(20)、および第二金属ペースト層(22)が焼成されて形成される。
金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末、および、活性金属粉末を含んでなる第一金属ペースト(20)をスルーホール(12)に充填する充填工程、
融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)粉末を含んでなる第二金属ペーストをスルーホール(12)に充填した第一金属ペースト(20)に接触する位置に積層して、第二金属ペースト層(22)を形成する工程、
上記で得られた基板を焼成する第一焼成工程、
該第一焼成工程の後に、金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末および活性金属粉末を含んでなる第三金属ペーストを配線パターンを形成する箇所に積層して第三金属ペースト層(24)を形成する工程、
さらに、融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)粉末を含んでなる第四金属ペーストを第三金属ペースト層(24)の上に積層して、第四金属ペースト層(26)を形成する工程、および、
上記で得られた基板を焼成する第二焼成工程、
を含んでなる、第2の本発明のメタライズドセラミックスビア基板(100b)の製造方法である。なお、メタライズドセラミックスビア基板(100b)において、導電性ビア(23)は、スルーホール(12)に充填された第一金属ペースト(20)、および第二金属ペースト層(22)が焼成されて形成される。
金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末、および、活性金属粉末を含んでなる第一金属ペースト(20)をスルーホール(12)に充填する充填工程、
金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末、および、活性金属粉末を含んでなる第三金属ペーストを配線パターンを形成する箇所に積層して第三金属ペースト層(24)を形成する工程、
融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)粉末を含んでなる第五金属ペーストを該第三金属ペースト層の上に積層して、第五金属ペースト層(27)を形成する工程、
上記で得られた基板を焼成する焼成工程、
を含んでなる、第2の本発明のメタライズドセラミックスビア基板(100c)の製造方法である。なお、メタライズドセラミックスビア基板(100c)において、導電性ビア(23)は、スルーホール(12)に充填された第一金属ペースト(20)、第三金属ペースト層(24)、および第五金属ペースト層(27)が焼成されて形成され、同時に導電性ビア(23)に接続されたメタライズドパターン(25)が形成される。
本発明のセラミックスビア基板の製造方法は、以下の工程を備えている。
(i)スルーホールを有するセラミックス焼結体基板を準備する工程、
(ii)金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末、および、活性金属粉末を含んでなる第一金属ペーストを前記スルーホールに充填する充填工程、
(iii)融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)粉末を含んでなる第二金属ペーストを前記スルーホール充填した金属ペーストに接触する位置に積層して、第二金属ペースト層を形成する工程、および、
(iv)上記で得られた基板を焼成する焼成工程、
図1(a)を参照しながら、各工程について説明する。まず、工程(i)では、スルーホール12を有するセラミックス焼結体基板10を準備する。セラミックス焼結体基板10としては、公知のセラミックスからなる基板が特に制限なく使用可能である。
セラミックス焼結体基板10の構成材料であるセラミックスとしては、例えば(1)酸化アルミニウム系セラミックス、酸化ケイ素系セラミックス、酸化カルシウム系セラミックス、酸化マグネシウム系セラミックスなどの酸化物系セラミックス;(2)窒化アルミニウム系セラミックス、窒化ケイ素系セラミックス、窒化ホウ素系セラミックスなどの窒化物系セラミックス;(3)酸化ベリリウム、炭化ケイ素、ムライト、ホウケイ酸ガラス等を使用することができる。中でも、(2)窒化物セラミックスが好ましく、特に窒化アルミニウム系セラミックスが、熱伝導性が高いため好ましく使用することができる。
次に、金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末、および、活性金属粉末を含んでなる第一金属ペースト20を上記スルーホール12に充填する。第一金属ペースト20は、金属(B)の粉末、および、活性金属の粉末を含んでおり、その他、有機バインダー、有機溶媒、分散剤、可塑剤等を含んでいてもよい。
「金属(B)」は、金属(A)よりも融点が高い金属である。よって、まず、「金属(A)」について説明する。金属(A)は、融点が600℃以上1100℃以下の金属であり、例えば、銅、銀、金、金ろう、銀ろう等のろう材が挙げられる。中でも、金属(A)としては、コストの点から、金ろう、銀ろう、および、銅から選ばれる一種または二種以上を用いることとが好ましい。金属(A)の融点が600℃未満の場合は、焼成によりビア23とセラミックス焼結体基板10との間に後に説明する活性層を形成することが難しくなる。また、金属(A)の融点が1100℃超の場合は、焼成時に基板に熱がかかりすぎて、基板にビア形成時の応力が残存する可能性がある。
金属(B)としては、例えば、銅(融点:1085℃)、銀(融点:962℃)、金(融点:1064℃)、タングステン(融点:3410℃)、モリブデン(融点:2617℃)等が挙げられ、金属(A)の融点により選択される。中でも、金属(B)としては、導電性が高い点から、銀、銅および金から選ばれる一種または二種以上を使用することが好ましい。なお、金属(B)は、金属(A)よりも融点が高いものであれば、2種類以上のものを混合して使用することもできる。
なお、前記金属粉末(B)、および前記活性金属粉末を含んでなる第一金属ペースト20は、セラミックスビア基板、メタライズドセラミックスビア基板の生産性を考慮すると、前記有機溶媒と有機バインダーとを含んだ状態での粘度を25℃において、50〜3000Pa・sの範囲に調整することが好ましい。
第二金属ペーストは、上記した金属(A)粉末を含み、第一金属ペーストと同様、他の成分を含んでいてもよい。該第二金属ペーストを、スルーホール12に充填した第一金属ペースト20と接触する位置に積層して、第二金属ペースト層22が形成される。この金属(A)粉末は、前記工程(ii)で説明した種類のものが使用される。
焼成工程において、溶融した金属(A)が、スルーホールに充填した金属(B)粉末間の空隙に流れ込めばよいので、第二金属ペースト層22は、第一金属ペースト20に接触する位置であれば、どこに形成してもよいが、該スルーホール12中の第一金属ペースト20の上側に形成することが好ましい。そうすることで、焼成時に、溶融した金属(A)がその重みによりビア中に流れ込み易くなる。
この第二金属ペーストに含まれる金属(A)粉末の平均粒子径(D50)は、他の金属粉末の大きさ、スルーホールの大きさとの兼ね合いもあるが、生産性を向上させ、優れた性能を発揮するセラミックスビア基板、およびメタライズドセラミックスビア基板を製造するためには、0.1〜50μmとすることが好ましい。なお、この平均粒子径(D50)は、日機装株式会社製マイクロトラックを用いてレーザー回折法により測定した値である。
なお、前記金属粉末(A)を含んでなる第二金属ペーストは、セラミックスビア基板、メタライズドセラミックスビア基板の生産性を考慮すると、前記有機溶媒と有機バインダーとを含んだ状態での粘度を25℃において、20〜1000Pa・sの範囲に調整することが好ましい。
最後に、上記で作製した基板を焼成する。焼成は、使用した金属ペーストの種類(より具体的には、金属ペースト中の金属粉末の種類)に応じて、金属(A)の融点以上且つ金属(B)の融点未満の温度で実施すればよく、その他の条件は、通常採用される条件が適宜採用される。
例えば、金属(A)として、融点780℃のAg−Cu合金粉末を用い、金属(B)として銅を用いた場合には、780〜1050℃、好ましくは800〜950℃の温度で、1分〜1時間、好ましくは5分〜30分焼成すればよい。
上記した形態では、活性金属粉を含まない第二金属ペースト層22が存在していることにより、第一金属ペースト20中における活性金属成分がビア23の露出面に移動することが防がれている。また、上記した特殊な焼成条件を採用することで、活性金属成分がビア23の露出面に移動することがより効果的に防がれる。これにより、上記特定の焼成条件を採用した場合には、導電性ビア23とセラミックス焼結体10との界面に活性層が十分に形成され、密着性が良好なものとなる。
第1のメタライズドセラミックスビア基板の製造方法は以下の工程を備えている。
(i)スルーホールを有するセラミックス焼結体基板を準備する工程、
(ii)金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末、および、活性金属粉末を含んでなる第一金属ペーストを前記スルーホールに充填する充填工程、
(iii)融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)粉末を含んでなる第二金属ペーストを前記スルーホール充填した第一金属ペーストに接触する位置に積層して、第二金属ペースト層を形成する工程、
(iv)上記で得られた基板を焼成する第一焼成工程、
(v)該焼成工程の後に、前記金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末および前記活性金属粉末を含んでなる第三金属ペーストを配線パターンを形成する箇所に積層して第三金属ペースト層を形成する工程、
(vi)さらに、前記融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)粉末を含んでなる第四金属ペーストを該第三金属ペースト層の上に積層して、第四金属ペースト層を形成する工程、および、
(vii)上記で得られた基板を焼成する第二焼成工程、
第三金属ペーストは、前記金属(B)粉末および活性金属粉末を含んでおり、上記した第一金属ペーストと同様であってもよいが、スルーホールへの充填工程と基板表面への導電パターン印刷工程では、金属ペーストに求められる粘度特性や最適な金属粉末の粒度等が異なる為、それぞれの製造工程に適した金属ペーストを使用することが好ましい。
具体的には、この第三金属ペーストに含まれる金属(B)粉末の平均粒子径(D50)は0.1〜20μmであることが好ましい。また、この金属(B)粉末は、緻密なメタライズドパターン25を形成するために、2種類以上の平均粒子径のことなる粉末を使用することもできる。また、金属(B)粉末は、第二金属ペースト中の金属(A)よりも融点が高いものであれば、2種類以上のものを混合して使用することもできる。
一方、活性金属粉末の平均粒子径(D50)は0.1〜20μmであることが好ましい。また、この第三金属ペーストは、第一金属ペーストと同様に、その他、有機バインダー、有機溶媒、分散剤、可塑剤等を含んでいてもよく、メタライズドセラミックスビア基板の生産性を考慮すると、前記有機溶媒と有機バインダーとを含んだ状態での粘度を25℃において、20〜600Pa・sの範囲に調整することが好ましい。
また、第三金属ペーストに含まれる活性金属粉末の添加量は、形成されるメタライズドパターン25の密着性、導電性を考慮すると、第三金属ペースト中の金属(B)を100質量部として、1質量部以上10質量部以下とすることが好ましく、さらに、1.5質量部以上6質量部以下とすることが好ましい。
第四金属ペーストは、金属(A)粉末を含んでおり、上記した第二金属ペーストと同様であってもよい。また、焼成後のメタライズドパターン25表面の平滑性を改善する目的で、第四金属ペースト中に金属(B)を添加してもよい。
この第四金属ペーストに含まれる金属(A)粉末の平均粒子径(D50)は、0.1〜20μmであることが好ましい。また、第四金属ペーストに金属(B)粉末を添加する場合には、その金属(B)粉末の平均粒子径(D50)は、0.1〜10μmであることが好ましい。
また、この第四金属ペーストは、第一金属ペーストと同様に、その他、有機バインダー、有機溶媒、分散剤、可塑剤等を含んでいてもよく、メタライズドセラミックスビア基板の生産性を考慮すると、前記有機溶媒と有機バインダーとを含んだ状態での粘度を25℃において、20〜600Pa・sの範囲に調整することが好ましい。
また、第四金属ペーストに金属(B)粉末を添加する場合には、第三金属ペースト層24中の金属(B)を100質量部として、第四金属ペースト層26中の金属(B)は、好ましくは5質量部以上、より好ましくは10質量部以上であって、好ましくは100質量部以下、より好ましくは80質量部以下である。
この第四金属ペースト層26は、該ペースト層中の金属(A)成分量が上記範囲を満足するように、多層構造とすることもできる。
第二焼成工程は、第一焼成工程と同様の条件で行うことができる。
本発明のメタライズドセラミックスビア基板100bの製造方法においては、第一焼成工程において、上記した緻密で導電性の良好なビア23を備え、導電性ビア23とセラミックス焼結体基板10との密着性が良好なセラミックスビア基板100aが形成され、さらに、第二焼成工程において、溶融した第四金属ペースト26中の金属(A)がメタライズドパターンにしみ込むことで、緻密なメタライズドパターン25が形成される。また、第三金属ペースト層24中の活性金属とセラミックス成分とが反応して、メタライズドパターン25とセラミックス基板10との間に活性層が形成されることで、メタライズドパターン25の密着性が良好になる。
第2のメタライズドセラミックスビア基板の製造方法は、上記した第1のメタライズドセラミックスビア基板100bの製造方法とは別の方法により、同様のメタライズドセラミックスビア基板100cを製造する方法である。該方法では、一回の焼成工程により、メタライズドセラミックスビア基板100cが製造される。該方法は以下の工程を備えている。
(i)スルーホールを有するセラミックス焼結体基板を準備する工程、
(ii)金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末、および、活性金属粉末を含んでなる第一金属ペーストを前記スルーホールに充填する充填工程、
(iii)前記金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末および前記活性金属粉末を含んでなる第三金属ペーストを配線パターンを形成する箇所に積層して第三金属ペースト層を形成する工程、
(iv)前記融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)粉末を含んでなる第五金属ペーストを該第三金属ペースト層の上に積層して、第五金属ペースト層を形成する工程、
(v)上記で得られた基板を焼成する焼成工程、
セラミックス焼結体基板10表面のメタライズドパターンを形成する位置に、第三金属ペースト層24が形成される。形成方法などは、上記第1のメタライズドセラミックスビア基板100bの製造方法における工程(v)と同様である。
第五金属ペースト層27の形成方法は、基本的には、上記第1のメタライズドセラミックスビア基板100bの製造方法における工程(vi)と同様である。
この第五金属ペーストは、導電性成分としては金属(A)粉末のみを含んでもよいが、金属(B)粉末を含むこともできる。
この第五金属ペーストに含まれる金属(A)粉末の平均粒子径(D50)は、0.1〜20μmであることが好ましい。また、第五金属ペーストに金属(B)粉末を添加する場合には、その金属(B)粉末の平均粒子径(D50)は、0.1〜10μmであることが好ましい。
また、この第五金属ペーストは、第一金属ペーストと同様に、その他、有機バインダー、有機溶媒、分散剤、可塑剤等を含んでいてもよく、メタライズドセラミックスビア基板100cの生産性を考慮すると、前記有機溶媒と有機バインダーとを含んだ状態での粘度を25℃において、20〜600Pa・sの範囲に調整することが好ましい。
また、第五金属ペースト層27が金属(B)を含む場合には、その配合割合は、第三金属ペースト層24中の金属(B)の合計を100質量部として、5質量部以上100質量部以下であることが好ましく、さらに、10質量部以上80質量部以下であることが好ましい。
第五金属ペースト層を多層構造とすることにより、活性金属粉末を含まない上層の金属ペースト層を形成することにより、活性金属成分(例えば、チタン成分)がメタライズドパターン25表面に移動することが抑制され、メタライズドパターン25表面のメッキ性が良好なものとなり、かつ、メタライズドパターン25表面のクレーターを低減できる。また、活性金属成分がメタライズドパターンの表面に移動することが抑制されることにより、活性層がセラミックス焼結体基板10とメタライズドパターン25との界面において充分に形成されるために、メタライズドパターン25の密着性がより良好なものとなる。
焼成工程については、上記したセラミックスビア基板100bの製造方法(第3の本発明)の工程(iv)と同様である。
上記した製法により製造される、セラミックスビア基板100aおよびメタライズドセラミックスビア基板100b、100cは、緻密なビア23および、緻密なメタライズドパターン25を備えており、ビア23およびメタライズドパターン25の導電性が良好なものとなる。また、ビア23およびメタライズドパターン25とセラミックス焼結体基板10との界面に活性層が形成されているので、ビア23およびメタライズドパターン25とセラミックス焼結体基板10との密着性が良好である。
上記方法で製造されたセラミックスビア基板100aにおいて、ビア23とセラミックス焼結体基板10との界面に形成される活性層の厚みは、0.1〜2μmである。また、上記方法で製造されたメタライズドセラミックスビア基板100b、100cにおいて、メタライズパターン25とセラミックス焼結体基板10との界面に形成される活性層の厚みは、0.1〜2μmである。
<評価方法>
(導電性ビアの緻密性の評価)
下記の実施例および比較例で得られた、セラミックスビア基板、またはメタライズドセラミックスビア基板を樹脂に包埋して研磨し、セラミックスビア基板、メタライズドセラミックスビア基板断面の観察試料を作製した。得られた観察試料を走査型電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ社製S−3400N)にて観察し(観察倍率1000倍)、導電性ビア中のボイドの量を評価した。導電性ビア断面の全面積うち、ボイドの占める面積の割合が1%未満である場合を「○」、1%以上5%未満を「△」、5%以上を「×」とした。結果を表2に示す。
上記で得られたセラミックスビア基板、またはメタライズドセラミックスビア基板断面の観察試料を前記走査型電子顕微鏡にて観察し、焼結体基板と導電性ビアとの界面における窒化チタン層(TiN層)の有無を確認した。結果を表2に示す。
下記の実施例および比較例で得られた評価用メタライズド基板のメタライズドパターン上に無電解ニッケルメッキを約2.5μm、次いで無電解金メッキを約0.4μm施した後、以下の手順で接合強度の評価を行った。メッキを施した2mm角のメタライズドパターン上に先端部の径がφ1.1mmで、且つ先端部表面にニッケルメッキを施した42アロイ製ネイルヘッドピンを基板と垂直となるようにPb−Sn半田にて半田付けし、ピンを10mm/分の速度で垂直に引張り、基板から破断した際の荷重を記録した。同様の試験を5回実施して荷重の平均値を算出した。結果を表2に示す。
下記の実施例および比較例で得られた評価用メタライズド基板に形成した幅0.4mmの直線状のメタライズドパターンの体積抵抗率を4端子法により測定した。結果を表2に示す。
(第一金属ペーストの作製)
金属(B)粉末として平均粒子径(D50)が5μmである銅粉末100質量部、及び活性金属粉末として平均粒子径(D50)が5μmである水素化チタン粉末3質量部と、ポリアルキルメタクリレートをターピネオールに溶解させたビヒクルとを乳鉢を用いて予備混合した後、3本ロールミルを用いて分散処理することにより、第一金属ペーストを作製した。
金属(A)粉末として平均粒子径(D50)が6μmであるAg−Cu合金粉末(BAg−8:融点780℃、組成:銀72質量%−銅28質量%)と、ポリアルキルメタクリレートをターピネオールに溶解させたビヒクルとを乳鉢を用いて予備混合した後、3本ロールミルを用いて分散処理することにより、第二金属ペーストを作製した。
(工程(i)、工程(ii))
上記第一金属ペーストを、直径0.2mmのスルーホール12を有する厚さ0.64mmの窒化アルミニウム焼結体基板(セラミックス焼結体基板10)(トクヤマ社製、商品名SH−30)のスルーホール12内へ、メタルマスクを使用しスクリーン印刷法にて充填し、100℃で10分間乾燥させた。次に、基板の両面をバフ研磨し基板表面にはみ出した第一金属ペーストを完全に除去し、水洗後100℃で10分間乾燥させた。
更に、上記第二金属ペーストを、直径0.25mmのスルーホールを有するメタルマスクを使用しスクリーン印刷法にて印刷し、100℃で10分間乾燥させ第二金属ペースト層22を形成した。この際、第二金属ペースト層22は、基板のスルーホール12に充填した第一金属ペースト20を覆うように、柱状に形成した。この際、スルーホール12に充填された第一金属ペースト20の金属(B)粉末100質量部に対する第二金属ペースト層22に含まれる金属(A)粉末の量(A/B×100)が、80質量部となるように第二金属ペースト層22の厚みを調整した。
次いで、真空中、900℃にて30分間焼成することにより、スルーホール12内に導電性ビア23が形成され、セラミックスビア基板100aを得た。この際、窒化アルミニウム製のセッター内(密閉容器内)に基板を収容した状態にて基板の焼成をおこなった。得られたセラミックスビア基板100aは、上記の分析、評価を行った。結果を表2に示す。
セラミックスビア基板の導電性ビア23の密着性(接合強度)及び体積抵抗率は、スルーホール12に充填された状態で評価するのは困難である為、代わりに窒化アルミニウム基板上に金属ペーストを印刷し、焼成することにより評価用メタライズド基板を作製し評価をおこなった。厚さ0.64mmの窒化アルミニウム焼結体基板(トクヤマ社製、商品名SH−30)上に、上記第一金属ペーストをスクリーン印刷法にて印刷し、100℃で10分間乾燥させ、2mm角のパッド形状及び、幅0.4mmの直線上のパターンを有する第一金属ペースト層を形成した。次いで、上記第二金属ペーストをスクリーン印刷法にて第一金属ペースト層上に重ねて印刷し、100℃で10分間乾燥させ第二金属ペースト層を形成した。この際、第一金属ペースト層の金属(B)粉末を100質量部として、第二金属ペースト層に含まれる金属(A)粉末が80質量部となるように、第二金属ペースト層の厚みを調整した。次いで、真空中、900℃にて30分間焼成することにより、評価用メタライズド基板を得た。この際、窒化アルミニウム製のセッター内(密閉容器内)に基板を収容した状態にて基板の焼成をおこなった。得られた評価用メタライズド基板を用いて、上記の方法により密着性(接合強度)及び体積抵抗率の評価をおこなった。結果を表2に示す。
ペーストの原料組成を表1に示した組成とし、焼成条件を表2に示した条件とした以外は、実施例1と同様にしてセラミックスビア基板100a及び評価用メタライズド基板を作製し、上記の分析・評価をおこなった。結果を表2に示す。
(第三金属ペーストの作製)
金属(B)粉末として平均粒子径(D50)が0.3μmである銅粉末12質量部、平均粒子径(D50)が2μmである銅粉末59質量部を使用し、さらに、これに平均粒子径(D50)が0.6μmである銀粉末29質量部使用した。これらの合計100質量部に対して、活性金属粉末として平均粒子径(D50)が5μmである水素化チタン粉末5質量部と、ポリアルキルメタクリレートをターピネオールに溶解させたビヒクルとを乳鉢を用いて予備混合した後、3本ロールミルを用いて分散処理することにより、第三金属ペーストを作製した。
金属(A)粉末として及び平均粒子径(D50)が6μmであるAg−Cu合金粉末(BAg−8、組成:銀72質量%−銅28質量%)50質量部を使用した。これに、平均粒子径(D50)が0.3μmである銅粉末50質量部を混合した。さらに、これら合計したものを、ポリアルキルメタクリレートをターピネオールに溶解させたビヒクルとを乳鉢を用いて予備混合した後、3本ロールミルを用いて分散処理することにより、第四金属ペーストを作製した。
(工程(v))
上記第三金属ペーストを、実施例1で作製したセラミックスビア基板100a上に、ビア23を覆うようにスクリーン印刷法にて印刷し、100℃で10分間乾燥させ第三金属ペースト層aを形成した。基板の裏面にも同様にして第三金属ペースト層bを形成した。
次いで、上記第四金属ペーストを、スクリーン印刷法にて第三金属ペースト層a上に重ねて印刷し、100℃で10分間乾燥させ第四金属ペースト層aを形成した。基板の裏面にも同様にして第四金属ペースト層bを形成した(ただし、裏面は図示していない)。このとき、基板の一方の面における、第三金属ペースト層中の金属(B)粉末および第四金属ペースト層中の金属(B)粉末の合計量を100質量部としたときの、第四金属ペースト層中に含まれる金層(A)粉末の量(A4/B3+4×100)が35質量部となるように、第四金属ペースト層の厚みを調整した(第四金属ペースト層a、bとも同じ厚みとした)。(A4):第四金属ペースト層に含まれる金属(A)粉末量、(B3+4):第三、第四金属ペースト層に含まれる金属(B)粉末量の合計量。
次いで、真空中、900℃にて30分間焼成することにより、基板の両面にメタライズ層25を有するメタライズドセラミックスビア基板100bを作製した。この際、窒化アルミニウム製のセッター内(密閉容器内)に基板を収容した状態にて基板の焼成をおこなった。得られたメタライズドセラミックスビア基板100bは、上記の方法で導電性ビア23の緻密性の評価及び窒化チタン層の有無の確認を行った。結果を表2に示す。得られたメタライズドセラミックスビア基板100bは、上記した方法でメタライズドセラミックスビア基板断面の観察試料を作製し、走査型電子顕微鏡による観察をおこなったが、基板両面のメタライズパターン25は、ボイド等の欠陥は無く導電性ビア23を介して接合していた。また、メタライズパターン25表面には導電性ビアに23起因するような凹み等の欠陥はみられなかった。
(第一金属ペーストの作製)
実施例1の第一金属ペーストと同様にして作製した。
(第三金属ペーストの作製)
実施例6の第三金属ペーストと同様にして作製した。
(第五金属ペーストXの作製)
実施例6の第四金属ペーストと同様にして作製した。
(第五金属ペーストYの作製)
実施例1の第二金属ペーストと同様にして作製した。
(工程(i)、工程(ii))
上記第一金属ペーストを、直径0.2mmのスルーホール12を有する厚さ0.64mmの窒化アルミニウム焼結体基板(トクヤマ社製、商品名SH−30)のスルーホール12内へ、メタルマスクを使用しスクリーン印刷法にて充填し、100℃で10分間乾燥させた。次いで、基板の両面をバフ研磨し基板表面にはみ出した第一金属ペーストを完全に除去した。
次に、上記第三金属ペーストを、第一金属ペーストを充填したスルーホール12を覆うように、上記基板上に、スクリーン印刷法にて印刷し、100℃で10分間乾燥させ第三金属ペースト層24を形成した。基板の裏面にも同様にして第三金属ペースト層を形成した(裏面は図示していない)。
次いで、上記第五金属ペーストXを、スクリーン印刷法にて第三金属ペースト層24上に重ねて印刷し、100℃で10分間乾燥させ、第五金属ペースト層Xを形成した。基板の裏面にも同様にして第五金属ペースト層Xを形成した。更に、上記第五金属ペーストYを、直径0.25mmのスルーホールを有するメタルマスクを使用しスクリーン印刷法にて第五金属ペースト層X上に印刷し、100℃で10分間乾燥させ第五金属ペースト層Yを形成した。基板の裏面にも同様にして第五金属ペースト層Yを形成した。この際、第五金属ペースト層Yは、基板表面と垂直方向から見たときの円形の印刷パターンの中心が、基板の各スルーホールの中心とほぼ重なる位置に配置されるように、柱状に形成した。また、スルーホール12に充填された第一金属ペースト中の金属(B)粉末、第三金属ペースト層中の金属(B)および第五金属ペースト層X中の金属(B)粉末の合計量を100質量部としたときの、第五金属ペースト層に含まれる金属(A)粉末の量(A5/B1+3+5×100)が50質量部となるように、第五金属ペースト層Yの厚みを調整した。(A5):第五金属ペースト層に含まれる金属(A)粉末量、(B1+3+5):第一、第三、第五金属ペースト層に含まれる金属(B)粉末量の合計量。
次いで、真空中、900℃にて30分間焼成することにより、基板の両面にメタライズ層を有するメタライズドセラミックスビア基板100cを得た。この際、窒化アルミニウム製のセッター内(密閉容器内)に基板を収容した状態にて基板の焼成をおこなった。得られたメタライズドセラミックスビア基板100cは、上記の方法で導電性ビアの緻密性の評価及び窒化チタン層の有無の確認を行った。結果を表2に示す。更に、上記した方法でメタライズドセラミックスビア基板断面の観察試料を作製し、走査型電子顕微鏡による観察、及びエネルギー分散型X線分析装置による元素マッピングをおこなった。図2に導電性ビア23の走査型電子顕微鏡写真を、図3に窒化アルミニウム焼結体基板10と導電性ビア23との界面近傍における元素マッピング写真を示す。図2より、基板両面のメタライズパターン25が、ボイド等の欠陥無く導電性ビア23を介して接合していることが確認できる。また、図3より、焼結体基板10と導電性ビア23とがボイド等の欠陥無く接合されており、界面にチタン成分が偏在していることから、接合界面に窒化チタン層が形成されていることが確認できる。
ペーストの原料組成を表1に示した組成とした以外は、実施例7と同様にしてメタライズドセラミックスビア基板100cを作製し、上記の方法で導電性ビア23の緻密性の評価及び窒化チタン層の有無の確認を行った。但し、メタライズドセラミックスビア基板100cを作製する際に第五金属ペースト層Yは形成せず、スルーホール12に充填された第一金属ペースト中の金属(B)粉末、第三金属層ペースト層中の金属(B)および第五金属ペースト層X中の金属(B)粉末の合計量を100質量部としたときの、第五金属ペースト層に含まれる金属(A)粉末の量(A5/B1+3+5×100)が80質量部となるように、第五金属ペースト層Xの厚みを調整した。結果を表2に示す。(A5):第五金属ペースト層に含まれる金属(A)粉末量、(B1+3+5):第一、第三、第五金属ペースト層に含まれる金属(B)粉末量の合計量。
実施例1において、ペーストの原料組成を表1に示した組成とした以外は、実施例1と同様にしてセラミックスビア基板及び評価用メタライズド基板を作製し、以下の分析・評価をおこなった。但し、比較例1及び3では、セラミックスビア基板及び評価用メタライズド基板作製の際、第二金属ペースト層22を形成しなかった。結果を表2に示す。
12 スルーホール
20 第一金属ペースト
22 第二金属ペースト層
23 導電性ビア
24 第三金属ペースト層
25 メタライズドパターン
26 第四金属ペースト層
27 第五金属ペースト層
Claims (3)
- セラミックス焼結体基板に導電性ビアが形成されてなるセラミックスビア基板であって、融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)、該金属(A)よりも融点が高い金属(B)、および、活性金属を含む導電性の金属がスルーホールに密充填されてなる前記導電性ビアを有し、前記導電性ビアと前記セラミックス焼結体基板との界面に活性層が形成されている、セラミックスビア基板の製造方法であって、
スルーホールを有するセラミックス焼結体基板を準備する工程、
金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末、および、活性金属粉末を含んでなる第一金属ペーストを前記スルーホールに充填する充填工程、
融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)粉末を含んでなる第二金属ペーストを前記スルーホールに充填した第一金属ペーストに接触する位置に積層して、第二金属ペースト層を形成する工程、および、
上記で得られた基板を焼成する焼成工程、
を含んでなる、セラミックスビア基板の製造方法。 - セラミックス焼結体基板に導電性ビアが形成されてなるセラミックスビア基板であって、融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)、該金属(A)よりも融点が高い金属(B)、および、活性金属を含む導電性の金属がスルーホールに密充填されてなる前記導電性ビアを有し、前記導電性ビアと前記セラミックス焼結体基板との界面に活性層が形成されているセラミックスビア基板の、表面および/または裏面に、金属(A)、金属(B)および活性金属を含む導電性の金属からなる配線パターンが形成されている、メタライズドセラミックスビア基板の製造方法であって、
スルーホールを有するセラミックス焼結体基板を準備する工程、
金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末、および、活性金属粉末を含んでなる第一金属ペーストを前記スルーホールに充填する充填工程、
融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)粉末を含んでなる第二金属ペーストを前記スルーホール充填した第一金属ペーストに接触する位置に積層して、第二金属ペースト層を形成する工程、
上記で得られた基板を焼成する第一焼成工程、
該第一焼成工程の後に、前記金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末および前記活性金属粉末を含んでなる第三金属ペーストを配線パターンを形成する箇所に積層して第三金属ペースト層を形成する工程、
さらに、前記融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)粉末を含んでなる第四金属ペーストを該第三金属ペースト層の上に積層して、第四金属ペースト層を形成する工程、および、
上記で得られた基板を焼成する第二焼成工程、
を含んでなる、メタライズドセラミックスビア基板の製造方法。 - セラミックス焼結体基板に導電性ビアが形成されてなるセラミックスビア基板であって、融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)、該金属(A)よりも融点が高い金属(B)、および、活性金属を含む導電性の金属がスルーホールに密充填されてなる前記導電性ビアを有し、前記導電性ビアと前記セラミックス焼結体基板との界面に活性層が形成されているセラミックスビア基板の、表面および/または裏面に、金属(A)、金属(B)および活性金属を含む導電性の金属からなる配線パターンが形成されている、メタライズドセラミックスビア基板の製造方法であって、
スルーホールを有するセラミックス焼結体基板を準備する工程、
金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末、および、活性金属粉末を含んでなる第一金属ペーストを前記スルーホールに充填する充填工程、
前記金属(A)よりも融点が高い金属(B)粉末および前記活性金属粉末を含んでなる第三金属ペーストを配線パターンを形成する箇所に積層して第三金属ペースト層を形成する工程、
前記融点が600℃以上1100℃以下の金属(A)粉末を含んでなる第五金属ペーストを該第三金属ペースト層の上に積層して、第五金属ペースト層を形成する工程、
上記で得られた基板を焼成する焼成工程、
を含んでなる、メタライズドセラミックスビア基板の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010276882A JP5693940B2 (ja) | 2010-12-13 | 2010-12-13 | セラミックスビア基板、メタライズドセラミックスビア基板、これらの製造方法 |
US13/818,514 US9215801B2 (en) | 2010-12-13 | 2011-12-02 | Via-holed ceramic substrate, metallized via-holed ceramic substrate, and method for manufacturing the same |
EP11849004.4A EP2654077A1 (en) | 2010-12-13 | 2011-12-02 | Ceramic via substrate, metallized ceramic via substrate, and method for manufacturing both |
KR1020127031240A KR101897553B1 (ko) | 2010-12-13 | 2011-12-02 | 세라믹스 비아 기판, 메탈라이즈드 세라믹스 비아 기판, 이들의 제조 방법 |
PCT/JP2011/077966 WO2012081425A1 (ja) | 2010-12-13 | 2011-12-02 | セラミックスビア基板、メタライズドセラミックスビア基板、これらの製造方法 |
CN201180034230.4A CN102986024B (zh) | 2010-12-13 | 2011-12-02 | 陶瓷通孔基板、金属化陶瓷通孔基板、它们的制造方法 |
TW100145753A TWI536877B (zh) | 2010-12-13 | 2011-12-12 | 陶瓷通孔基板、金屬化陶瓷通孔基板、此等之製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010276882A JP5693940B2 (ja) | 2010-12-13 | 2010-12-13 | セラミックスビア基板、メタライズドセラミックスビア基板、これらの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014218586A Division JP5922739B2 (ja) | 2014-10-27 | 2014-10-27 | セラミックスビア基板、メタライズドセラミックスビア基板、これらの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012129238A JP2012129238A (ja) | 2012-07-05 |
JP5693940B2 true JP5693940B2 (ja) | 2015-04-01 |
Family
ID=46244533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010276882A Active JP5693940B2 (ja) | 2010-12-13 | 2010-12-13 | セラミックスビア基板、メタライズドセラミックスビア基板、これらの製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9215801B2 (ja) |
EP (1) | EP2654077A1 (ja) |
JP (1) | JP5693940B2 (ja) |
KR (1) | KR101897553B1 (ja) |
CN (1) | CN102986024B (ja) |
TW (1) | TWI536877B (ja) |
WO (1) | WO2012081425A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2880662B1 (de) * | 2012-07-30 | 2017-06-28 | CeramTec GmbH | Verfahren zur metallisierung von durchkontaktierungen |
US9614127B2 (en) * | 2013-07-05 | 2017-04-04 | Epistar Corporation | Light-emitting device and method of manufacturing thereof |
JP5877932B1 (ja) * | 2014-02-26 | 2016-03-08 | 日本碍子株式会社 | 貫通孔を有する絶縁基板 |
JP6248749B2 (ja) * | 2014-03-28 | 2017-12-20 | 富士通株式会社 | 多層配線構造の形成方法及び配線基板 |
US20230005834A1 (en) * | 2014-08-18 | 2023-01-05 | Samtec, Inc. | Electrically conductive vias and methods for producing same |
CN107710891B (zh) * | 2015-04-02 | 2021-07-09 | 申泰公司 | 在基板上形成贯通连接的过孔和导体的方法 |
US10593562B2 (en) | 2015-04-02 | 2020-03-17 | Samtec, Inc. | Method for creating through-connected vias and conductors on a substrate |
US9691634B2 (en) * | 2015-04-02 | 2017-06-27 | Abexl Inc. | Method for creating through-connected vias and conductors on a substrate |
JP6819599B2 (ja) * | 2015-09-25 | 2021-01-27 | 大日本印刷株式会社 | 実装部品、配線基板、電子装置、およびその製造方法 |
CN107591474A (zh) * | 2016-07-08 | 2018-01-16 | 比亚迪股份有限公司 | Led模组及其制备方法 |
WO2018207055A1 (en) * | 2017-05-10 | 2018-11-15 | 3M Innovative Properties Company | Multilayer construction having electrically continuous conductor |
US10959320B2 (en) * | 2017-08-29 | 2021-03-23 | Kyocera Corporation | Circuit board and electronic device including circuit board |
KR20190048111A (ko) * | 2017-10-30 | 2019-05-09 | 주식회사 아모센스 | 양면 세라믹 기판 제조방법, 그 제조방법에 의해 제조되는 양면 세라믹 기판 및 이를 포함하는 반도체 패키지 |
CN108323003A (zh) * | 2018-01-24 | 2018-07-24 | 深圳市牧泰莱电路技术有限公司 | 一种带金属化通孔的陶瓷线路板及其制造方法 |
TWI769376B (zh) | 2018-03-30 | 2022-07-01 | 美商山姆科技公司 | 導電性通孔及其製造方法 |
JP6446155B1 (ja) * | 2018-07-17 | 2018-12-26 | 株式会社日立パワーソリューションズ | 両面回路非酸化物系セラミックス基板およびその製造方法 |
KR102345740B1 (ko) * | 2019-11-01 | 2022-01-03 | 주식회사 에이맵플러스 | 디스플레이 패널 및 이의 패턴 형성 방법 |
JP7152501B2 (ja) * | 2020-06-05 | 2022-10-12 | 三ツ星ベルト株式会社 | ビア充填基板の製造方法および導電ペーストのキット |
JP7430670B2 (ja) | 2020-08-05 | 2024-02-13 | 三ツ星ベルト株式会社 | ビア充填基板の製造方法および導電ペーストのキット |
KR102210868B1 (ko) * | 2020-10-27 | 2021-02-02 | (주)샘씨엔에스 | 포토 공정을 이용한 세라믹 기판의 제조 방법 |
US11400714B2 (en) * | 2020-12-22 | 2022-08-02 | Xerox Corporation | Method for magnetohydrodynamic (MHD) printhead/nozzle reuse |
CN113795091A (zh) * | 2021-09-18 | 2021-12-14 | 华中科技大学 | 一种低温烧结制备陶瓷电路板方法 |
Family Cites Families (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4861646A (en) * | 1987-08-13 | 1989-08-29 | Ceramics Process Systems Corp. | Co-fired metal-ceramic package |
JPS6454798A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-02 | Hitachi Ltd | Manufacture of ceramic substrate |
US4870539A (en) * | 1989-01-17 | 1989-09-26 | International Business Machines Corporation | Doped titanate glass-ceramic for grain boundary barrier layer capacitors |
CA2105448A1 (en) * | 1992-09-05 | 1994-03-06 | Michio Horiuchi | Aluminum nitride circuit board and method of producing same |
US5468694A (en) * | 1992-11-21 | 1995-11-21 | Yamamura Glass Co. Ltd. | Composition for producing low temperature co-fired substrate |
US5581876A (en) * | 1995-01-27 | 1996-12-10 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Method of adhering green tape to a metal support substrate with a bonding glass |
JPH10172345A (ja) * | 1996-12-04 | 1998-06-26 | Murata Mfg Co Ltd | 導電ペースト及びそれを用いたセラミック基板の製造方法 |
US5976286A (en) * | 1997-10-14 | 1999-11-02 | International Business Machines Corporation | Multi-density ceramic structure and process thereof |
US6542352B1 (en) * | 1997-12-09 | 2003-04-01 | Daniel Devoe | Ceramic chip capacitor of conventional volume and external form having increased capacitance from use of closely spaced interior conductive planes reliably connecting to positionally tolerant exterior pads through multiple redundant vias |
JP3344956B2 (ja) * | 1998-01-08 | 2002-11-18 | 日本特殊陶業株式会社 | 積層セラミック基板の製造方法 |
US6245171B1 (en) * | 1998-11-23 | 2001-06-12 | International Business Machines Corporation | Multi-thickness, multi-layer green sheet lamination and method thereof |
US6258192B1 (en) * | 1999-02-10 | 2001-07-10 | International Business Machines Corporation | Multi-thickness, multi-layer green sheet processing |
US6136419A (en) * | 1999-05-26 | 2000-10-24 | International Business Machines Corporation | Ceramic substrate having a sealed layer |
US6187418B1 (en) * | 1999-07-19 | 2001-02-13 | International Business Machines Corporation | Multilayer ceramic substrate with anchored pad |
US6402866B1 (en) * | 1999-09-30 | 2002-06-11 | International Business Machines Corporation | Powdered metallic sheet method for deposition of substrate conductors |
US6370013B1 (en) * | 1999-11-30 | 2002-04-09 | Kyocera Corporation | Electric element incorporating wiring board |
US6414835B1 (en) * | 2000-03-01 | 2002-07-02 | Medtronic, Inc. | Capacitive filtered feedthrough array for an implantable medical device |
JP3882500B2 (ja) * | 2000-03-02 | 2007-02-14 | 株式会社村田製作所 | 厚膜絶縁組成物およびそれを用いたセラミック電子部品、ならびに電子装置 |
JP4463940B2 (ja) * | 2000-05-02 | 2010-05-19 | 富士通株式会社 | 薄膜多層回路基板 |
US6607780B1 (en) * | 2000-05-25 | 2003-08-19 | International Business Machines Corporation | Process of forming a ceramic structure using a support sheet |
US6630417B2 (en) * | 2000-05-30 | 2003-10-07 | Kyocera Corporation | Porcelain composition, porcelain and method of producing the same, and wiring board and method of producing the same |
JP3483523B2 (ja) | 2000-06-20 | 2004-01-06 | 美昭 河▲崎▼ | 節水コマ |
JP4557382B2 (ja) * | 2000-06-29 | 2010-10-06 | 京セラ株式会社 | 配線基板およびその製造方法 |
JP2002043740A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-02-08 | Matsushita Electric Works Ltd | セラミック基板のスルーホールへの金属充填方法 |
US20040043479A1 (en) * | 2000-12-11 | 2004-03-04 | Briscoe Cynthia G. | Multilayerd microfluidic devices for analyte reactions |
US6864620B2 (en) * | 2000-12-22 | 2005-03-08 | Ngk Insulators, Ltd. | Matrix type actuator |
JP4703061B2 (ja) * | 2001-08-30 | 2011-06-15 | 富士通株式会社 | 薄膜回路基板の製造方法およびビア形成基板の形成方法 |
US6794723B2 (en) * | 2001-09-12 | 2004-09-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Matrix type piezoelectric/electrostrictive device and manufacturing method thereof |
JP2003101184A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Kyocera Corp | セラミック回路基板およびその製造方法 |
KR20040008094A (ko) * | 2002-07-17 | 2004-01-28 | 엔지케이 스파크 플러그 캄파니 리미티드 | 동 페이스트, 이것을 이용한 배선기판 및 배선기판의제조방법 |
KR100779770B1 (ko) * | 2002-07-17 | 2007-11-27 | 엔지케이 스파크 플러그 캄파니 리미티드 | 동 페이스트 및 그것을 이용한 배선기판 |
US6800211B2 (en) | 2002-08-26 | 2004-10-05 | Tong Hsing Electric Industries Ltd. | Method for removing voids in a ceramic substrate |
EP1603170B1 (en) * | 2003-03-10 | 2018-08-01 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing a solid-state optical element device |
US7327554B2 (en) * | 2003-03-19 | 2008-02-05 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Assembly of semiconductor device, interposer and substrate |
JP2005038904A (ja) * | 2003-07-15 | 2005-02-10 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
EP1675446A4 (en) * | 2003-10-17 | 2009-12-02 | Hitachi Metals Ltd | MULTILAYER CERAMIC SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE USING SUCH A SUBSTRATE |
US7396785B2 (en) * | 2004-01-30 | 2008-07-08 | Murata Manufacturing Co. Ltd | Composition for ceramic substrate, ceramic substrate, process for producing ceramic substrate and glass composition |
EP1795514A4 (en) * | 2004-08-18 | 2012-05-09 | Tokuyama Corp | CERAMIC SUBSTRATE FOR MOUNTING LIGHT-EMITTING DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR |
JP2006066752A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Kyocera Corp | セラミック回路基板 |
EP1786249A4 (en) * | 2004-09-03 | 2010-07-21 | Murata Manufacturing Co | CERAMIC SUBSTRATE WITH A CHIP TYPE ELECTRONIC COMPONENT AND PRODUCTION PROCESS THEREFOR |
WO2006035528A1 (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | スタックモジュール及びその製造方法 |
JP2006196810A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Kyocera Corp | セラミック回路基板および電子部品モジュール |
JP4543935B2 (ja) | 2005-01-17 | 2010-09-15 | パナソニック株式会社 | 電子部品実装装置及び実装方法 |
JP2008071843A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多層セラミック基板及びその製造方法 |
JP2008091654A (ja) | 2006-10-03 | 2008-04-17 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | セラミック基板及びその製造方法 |
US7749592B2 (en) * | 2007-02-06 | 2010-07-06 | Tdk Corpoation | Multilayer ceramic substrate |
JP4867841B2 (ja) * | 2007-08-01 | 2012-02-01 | セイコーエプソン株式会社 | 導体パターン形成用インク |
JP5454798B2 (ja) | 2007-08-13 | 2014-03-26 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | コーティングされた研磨材積層ディスク及びその作成方法 |
JP5236379B2 (ja) * | 2007-08-24 | 2013-07-17 | 日本特殊陶業株式会社 | Ic検査装置用基板及びその製造方法 |
JP5293605B2 (ja) * | 2007-09-10 | 2013-09-18 | 株式会社村田製作所 | セラミック多層基板及びその製造方法 |
DE102008014619C5 (de) * | 2008-03-17 | 2015-06-25 | Friedrich-Schiller-Universität Jena | Adaptiver Spiegel und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP5233637B2 (ja) * | 2008-04-02 | 2013-07-10 | 日立金属株式会社 | 多層セラミック基板、及び電子部品 |
WO2009151006A1 (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-17 | 株式会社村田製作所 | セラミック成形体の製造方法 |
US8193456B2 (en) * | 2008-06-30 | 2012-06-05 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Electrical inspection substrate unit and manufacturing method therefore |
US20100038120A1 (en) * | 2008-08-13 | 2010-02-18 | Tdk Corporation | Layered ceramic electronic component and manufacturing method therefor |
WO2010103805A1 (ja) | 2009-03-12 | 2010-09-16 | タツタ電線株式会社 | 多層配線基板の製造方法及びそれにより得られる多層配線基板 |
CN102143654A (zh) * | 2010-01-29 | 2011-08-03 | 旭硝子株式会社 | 元件搭载用基板及其制造方法 |
JP2013153051A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Tokuyama Corp | メタライズドセラミックスビア基板及びその製造方法 |
-
2010
- 2010-12-13 JP JP2010276882A patent/JP5693940B2/ja active Active
-
2011
- 2011-12-02 US US13/818,514 patent/US9215801B2/en active Active
- 2011-12-02 CN CN201180034230.4A patent/CN102986024B/zh active Active
- 2011-12-02 WO PCT/JP2011/077966 patent/WO2012081425A1/ja active Application Filing
- 2011-12-02 KR KR1020127031240A patent/KR101897553B1/ko active IP Right Grant
- 2011-12-02 EP EP11849004.4A patent/EP2654077A1/en not_active Withdrawn
- 2011-12-12 TW TW100145753A patent/TWI536877B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201247043A (en) | 2012-11-16 |
KR20140001735A (ko) | 2014-01-07 |
US20130146340A1 (en) | 2013-06-13 |
US9215801B2 (en) | 2015-12-15 |
JP2012129238A (ja) | 2012-07-05 |
EP2654077A1 (en) | 2013-10-23 |
CN102986024A (zh) | 2013-03-20 |
WO2012081425A1 (ja) | 2012-06-21 |
TWI536877B (zh) | 2016-06-01 |
KR101897553B1 (ko) | 2018-09-12 |
CN102986024B (zh) | 2016-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5693940B2 (ja) | セラミックスビア基板、メタライズドセラミックスビア基板、これらの製造方法 | |
JP5492191B2 (ja) | メタライズド基板を製造する方法、メタライズド基板 | |
JP6244405B2 (ja) | 配線パターンを形成するための組成物 | |
JP5014642B2 (ja) | リード内蔵メタライズドセラミックス基板およびパッケージ | |
JP2013153051A (ja) | メタライズドセラミックスビア基板及びその製造方法 | |
JP5922739B2 (ja) | セラミックスビア基板、メタライズドセラミックスビア基板、これらの製造方法 | |
JPWO2008081758A1 (ja) | 窒化アルミニウムメタライズド基板の製造方法 | |
WO2007088748A1 (ja) | メタライズドセラミックス基板の製造方法、該方法により製造したメタライズドセラミックス基板、およびパッケージ | |
JP4372669B2 (ja) | 素子搭載用基板の製造方法 | |
JP2010525544A (ja) | ビアホール用導電性組成物 | |
JP5989879B2 (ja) | メタライズドセラミックスビア基板及びその製造方法 | |
JP6307009B2 (ja) | 回路基板と回路基板用の導体ペースト | |
US5167913A (en) | Method of forming an adherent layer of metallurgy on a ceramic substrate | |
JP5265256B2 (ja) | セラミック配線基板 | |
CN114080868A (zh) | 通孔填充基板的制造方法以及导电糊的套装 | |
JP2009253196A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JPH1192256A (ja) | 無機基板用導体、導体用ペースト及びこれを用いた無機多層基板 | |
JP4949945B2 (ja) | セラミック配線基板及びセラミック配線基板の製造方法 | |
JP2004175599A (ja) | 金属化層を有するセラミックス焼結体の製造方法 | |
JP3934811B2 (ja) | 高熱膨張ガラスセラミック焼結体およびその製造方法、配線基板ならびにその実装構造 | |
JP2006080363A (ja) | 導電性ペースト |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130917 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140826 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141027 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150113 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150204 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5693940 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |