JP6819599B2 - 実装部品、配線基板、電子装置、およびその製造方法 - Google Patents
実装部品、配線基板、電子装置、およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6819599B2 JP6819599B2 JP2017541560A JP2017541560A JP6819599B2 JP 6819599 B2 JP6819599 B2 JP 6819599B2 JP 2017541560 A JP2017541560 A JP 2017541560A JP 2017541560 A JP2017541560 A JP 2017541560A JP 6819599 B2 JP6819599 B2 JP 6819599B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- layer
- metal layer
- wiring
- wiring board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4857—Multilayer substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/562—Protection against mechanical damage
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4867—Applying pastes or inks, e.g. screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49822—Multilayer substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49838—Geometry or layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
- H05K1/0243—Printed circuits associated with mounted high frequency components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
- H05K1/0242—Structural details of individual signal conductors, e.g. related to the skin effect
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
- H05K1/097—Inks comprising nanoparticles and specially adapted for being sintered at low temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0338—Layered conductor, e.g. layered metal substrate, layered finish layer, layered thin film adhesion layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0364—Conductor shape
- H05K2201/0376—Flush conductors, i.e. flush with the surface of the printed circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09009—Substrate related
- H05K2201/09036—Recesses or grooves in insulating substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/095—Conductive through-holes or vias
- H05K2201/09563—Metal filled via
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
- H05K2201/10378—Interposers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
- H05K2201/10674—Flip chip
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/04—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching
- H05K3/045—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching by making a conductive layer having a relief pattern, followed by abrading of the raised portions
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1258—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by using a substrate provided with a shape pattern, e.g. grooves, banks, resist pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4602—Manufacturing multilayer circuits characterized by a special circuit board as base or central core whereon additional circuit layers are built or additional circuit boards are laminated
Description
[実装部品]
図1は、本開示の実装部品の一実施形態を示す概略部分断面図である。図1において、実装部品11は、基材12上に、複数の導体層15が絶縁層14を介して積層し、絶縁層14を介した上下の導体層15を電気的に接続する層間接続体16を備えた多層構造を有している。図示例では、絶縁層14は絶縁層14A〜14Fの6層を有し、導体層15は導体層15A〜15Fの6層を有し、各絶縁層14B〜14Fを介した上下の導体層15A〜15Fを電気的に接続する層間接続体16A〜16Eが配設されている。また、実装部品11の最表面11aの絶縁層14Fに位置する導体層15Fは、表面電極である複数の電極パッド17を有している。
図6は、本開示の実装部品の製造方法の一実施形態を説明するための工程図であり、上述の実装部品11の製造を例としている。
L2=(d2+D2)/2 (式2)
金属フィラーの平均粒子径は、金属フィラー10個当たりの粒子径L2の平均値を算出することで得ることができる。
図8は、本開示の電子装置の一実施形態を示す概略部分断面図である。図8において、電子装置1は、実装部品11を多層配線基板100に導電材料110を介してフリップチップ実装し、実装部品11と多層配線基板100との間隙に絶縁材料29が存在するものである。この実施形態では、実装部品11は、上述の本開示の実装部品であり、ここでの説明は省略する。
[配線基板]
本開示の第2実施形態に係る配線基板について、図面を参照しながら説明する。図9は、本開示の一実施形態に係る配線基板の概略構成を示す断面図であり、図10は、本開示の一実施形態に係る配線基板におけるビア導体近傍の概略構成を示す部分拡大断面図である。
L1=(d1+D1)/2 (式1)
第1の金属粒子及び第2の金属粒子の平均粒子径は、第1の焼結金属層62及び第2の焼結金属層63の任意の切断面において観察される任意の第1の金属粒子及び第2の金属粒子の10個当たりの粒子径L1の平均値を算出することで得ることができる。
上記構成を有する配線基板200は、下記のようにして製造することができる。図11及び図12は、本実施形態に係る配線基板の製造方法の各工程を断面図にて示す工程フロー図である。
L2=(d2+D2)/2 (式2)
第1の金属フィラー及び第2の金属フィラーの平均粒子径は、第1の金属フィラー及び第2の金属フィラーの10個当たりの粒子径L2の平均値を算出することで得ることができる。
[配線基板]
本開示の第3実施形態に係る配線基板について、図面を参照しながら説明する。図13は、本開示の一実施形態に係る配線基板の概略構成を示す断面図である。なお、第3実施形態において、第2実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
上記構成を有する配線基板300は、下記のようにして製造することができる。図11及び図14は、本実施形態に係る配線基板の製造方法の各工程を断面図にて示す工程フロー図である。
L2=(d2+D2)/2 (式2)
金属フィラーの平均粒子径は、金属フィラー10個当たりの粒子径L2の平均値を算出することで得ることができる。
図15または図16を用いて、本開示の第4実施形態に係る配線基板400の構成及び配線基板400の製造方法について説明する。
図15は、本開示の一実施形態に係る配線基板の一例を示す(A)上面図及び(B)断面図である。図15(A)及び(B)に示すように、配線基板400は、第1の絶縁層70と、伝送線路(第1の配線)80と、接地導体(第2の配線、第3の配線)82とを備える。第1の絶縁層70には、複数のトレンチ72が設けられている。複数のトレンチ72には、それぞれ伝送線路80または接地導体82が配置される。本実施形態において、伝送線路80は2本の接地導体82に挟まれて配置される。すなわち、伝送線路80の両側に接地導体82が配置される。伝送線路80は4本配置したが、これに限定されない。1本以上配置されればよい。
図16を用いて、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する。図16において、図15に示す要素と同じ要素には同一の符号を付した。
第4実施形態において、第1の導電体74の厚さは、トレンチ72の内側の表面において均一であった。第5実施形態において、第1の導電体74の厚さは、接地導体82に近接するトレンチ72の側壁部が底部より厚い。
図17は、本開示の一実施形態に係る配線基板の一例を示す(A)上面図及び(B)断面図である。図17(A)及び(B)に示すように、配線基板500は、第1の絶縁層70と、伝送線路(第1の配線)80と、接地導体(第2の配線、第3の配線)82とを備える。第1の絶縁層70には、複数のトレンチ72が設けられている。複数のトレンチ72には、それぞれ伝送線路80または接地導体82が配置される。本実施形態において、伝送線路80は2本の接地導体82に挟まれて配置される。すなわち、伝送線路80の両側に接地導体82が配置される。伝送線路80は4本配置したが、これに限定されない。1本以上配置されればよい。
図18を用いて、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する。図18において、図17に示す要素と同じ要素には同一の符号を付した。
第4実施形態において、第1の導電体74の厚さは、トレンチ72の内側の表面において均一であった。第6実施形態において、第1の導電体74の厚さは、接地導体82に近接するトレンチ72の底部が側壁部より厚い。
図19は、本開示の一実施形態に係る配線基板の一例を示す(A)上面図及び(B)断面図である。図19(A)及び(B)に示すように、配線基板600は、第1の絶縁層70と、伝送線路(第1の配線)80と、接地導体(第2の配線)82とを備える。第1の絶縁層70には、複数のトレンチ72が設けられている。複数のトレンチ72には、それぞれ伝送線路80が配置される。本実施形態において接地導体82は、第1の絶縁層70の伝送線路80が配置される面とは反対側の面に配置される。伝送線路80は4本配置したが、これに限定されない。1本以上配置されればよい。
図20を用いて、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する。図20において、図19に示す要素と同じ要素には同一の符号を付した。
第4実施形態において、第1の導電体74の厚さは、トレンチ72の内側の表面において均一であった。第6実施形態において、第1の導電体74の厚さは、接地導体82に近接するトレンチ72の底部が側壁部より厚い。第7実施形態は、第6実施形態に係る配線基板700に、第2の絶縁層78及び接地導体82を積層した構成をとる。第1の導電体74は第2の導電体76を囲むように配置され、第1の導電体74の厚さは、接地導体82に近接するトレンチ72の底部及び上部が側壁部より厚い。
図21は、本開示の一実施形態に係る配線基板の一例を示す(A)上面図及び(B)断面図である。図21(A)及び(B)に示すように、配線基板700は、第1の絶縁層70と、伝送線路(第1の配線)80と、第2の絶縁層78と、接地導体(第2の配線、第3の配線)82と、を備える。第1の絶縁層70には、複数のトレンチ72が設けられている。複数のトレンチ72には、それぞれ伝送線路80が配置される。第2の絶縁層78は、第1の絶縁層70の伝送線路80が配置される面上に配置される。第2の絶縁層78は、第1の絶縁層70上の伝送線路80が嵌るように、複数のトレンチ72を有する。本実施形態において接地導体82は、第1の絶縁層70と、第2の絶縁層78の、伝送線路80が配置される面とは反対側の面にそれぞれ配置される。伝送線路80は4本配置したが、これに限定されない。1本以上配置されればよい。
図22を用いて、本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する。図22において、図21に示す要素と同じ要素には同一の符号を付した。
図23を用いて、本開示の実施形態の変形例に係る配線基板について説明する。
基材として、厚み700μmのシリコン基材を準備し、このシリコン基材上に絶縁層を9層、導体層を9層、交互に積層して多層構造を構成し、また、絶縁層を介して上下に位置する導体層を層間接続体を介して接続して、実装部品(試料1〜試料3)を製造した。尚、絶縁層の厚みは8μm、導体層の厚みは4nmとした。
次に、上記のように作製した実装部品(試料1〜試料3)を、多層配線基板にはんだボールを用いてフリップチップ実装した。上記のように実装した各実装部品について、多層配線基板との接続確認を行い、接続不良の発生頻度(%)を求めて、下記の表1に示した。
本開示の実施例1に係る配線基板は、第4実施形態に係る配線基板と同様であることから、その詳しい説明は省略する。
伝送線路の幅:3μm
伝送線路の高さ:2μm
伝送線路の長さ:10mm
第1の導電体の厚さ:0.4μm
第1の導電体の導電率:5.8×107S/m
第2の導電体の幅:2.2μm
第2の導電体の高さ:1.6μm
第2の導電体の導電率:1.5×107S/m
比較例1に係る配線基板における伝送線路の各パラメータは以下の通りである。
伝送線路の幅:3μm
伝送線路の高さ:2μm
伝送線路の長さ:10mm
第1の導電体の厚さ:0.2μm
第1の導電体の導電率:5.8×107S/m
第2の導電体の幅:2.6μm
第2の導電体の高さ:1.8μm
第2の導電体の導電率:5.8×107S/m
実施例1と同様の工程によって得た比較例2に係る配線基板における伝送線路の各パラメータは以下の通りである。
伝送線路の幅:3μm
伝送線路の高さ:2μm
伝送線路の長さ:10mm
第1の導電体の厚さ:0.2μm
第1の導電体の導電率:5.8×107S/m
第2の導電体の幅:2.6μm
第2の導電体の高さ:1.8μm
第2の導電体の導電率:1.5×107S/m
Claims (12)
- 第1の配線層と、絶縁膜と、第2の配線層とがこの順に設けられてなる配線基板であって、
前記絶縁膜の厚さ方向に貫通して前記第1の配線層と前記第2の配線層とを電気的に接続するビア導体を備え、
前記第2の配線層及び前記ビア導体は、第2の焼結金属層と、前記第2の焼結金属層を囲うように配置される第1の焼結金属層とを含み、
前記第1の焼結金属層を構成する第1の金属粒子の平均粒子径は、前記第2の焼結金属層を構成する第2の金属粒子の平均粒子径よりも小さい配線基板。 - 前記第2の配線層及び前記ビア導体は、前記第1の焼結金属層を囲うように配置される金属層をさらに含む請求項1に記載の配線基板。
- 前記ビア導体における前記第1の焼結金属層は、底面部と側壁部との角部においてそれらの間を連続する第1の湾曲部を含み、
前記第1の湾曲部の曲率半径は、前記ビア導体の高さの1/4以上である請求項1又は請求項2に記載の配線基板。 - 前記第2の配線層は、配線部と、厚さ方向の断面視において前記ビア導体よりも広幅であり、前記ビア導体に電気的に接続されるランド部とを含み、
前記ランド部における前記第1の焼結金属層は、底面部と側壁部との角部においてそれらの間を連続する第2の湾曲部を含み、
前記第2の湾曲部の曲率半径は、前記ランド部の高さの1/4以上である請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の配線基板。 - 第1の配線層上に、当該第1の配線層の少なくとも一部を露出させる貫通孔及び凹部を含む絶縁膜パターンを形成し、
前記絶縁膜パターンを被覆するように第1の金属粒子を含む第1の導電性ペーストを塗布し、当該第1の導電性ペーストを焼成することで第1の焼結金属層を形成し、
前記第1の焼結金属層を被覆し、かつ前記貫通孔及び前記凹部を埋めるように第2の金属粒子を含む第2の導電性ペーストを塗布し、当該第2の導電性ペーストを焼成することで第2の焼結金属層を形成すること、を含み、
前記第1の金属粒子の平均粒子径は、前記第2の金属粒子の平均粒子径よりも小さい配線基板の製造方法。 - 前記絶縁膜パターンを被覆する金属層を形成することをさらに含み、
前記第1の焼結金属層を形成することは、前記金属層を被覆するように前記第1の導電性ペーストを塗布することを含む請求項5に記載の配線基板の製造方法。 - 前記貫通孔は、前記第1の配線層上に位置する第1の貫通孔と、前記第1の貫通孔上に位置し、厚さ方向の断面視において前記第1の貫通孔よりも広幅の第2の貫通孔とを含む請求項5又は請求項6に記載の配線基板の製造方法。
- 前記第1の焼結金属層を形成することは、前記第1の貫通孔の側壁部と当該第1の貫通孔を介して露出する前記第1の配線層との角部に、前記第1の貫通孔の深さの1/4以上の曲率半径を有する第1の湾曲部が形成されるように、前記第1の導電性ペーストを塗布することをさらに含む請求項7に記載の配線基板の製造方法。
- 前記第1の焼結金属層を形成することは、前記第2の貫通孔の側壁部と底面部との角部に、前記第2の貫通孔の深さの1/4以上の曲率半径を有する第2の湾曲部が形成されるように、前記第1の導電性ペーストを塗布することをさらに含む請求項7又は請求項8に記載の配線基板の製造方法。
- 第1の配線層と、絶縁膜と、第2の配線層とがこの順に設けられてなる配線基板であって、
前記絶縁膜の厚さ方向に貫通して前記第1の配線層と前記第2の配線層とを電気的に接続するビア導体を備え、
前記第2の配線層及び前記ビア導体は、焼結金属層と、前記焼結金属層を囲うように配置されるスパッタ金属層又は無電解めっき金属層とを含む配線基板。 - 前記第2の配線層及び前記ビア導体は、前記スパッタ金属層又は前記無電解めっき金属層を囲うように配置される金属層をさらに含む請求項10に記載の配線基板。
- 前記金属層は、Ti,TiN,Cr,CrN,およびMoからなる群より選択される金属材料を含む請求項11に記載の配線基板。
Applications Claiming Priority (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015188066 | 2015-09-25 | ||
JP2015188066 | 2015-09-25 | ||
JP2015215462 | 2015-11-02 | ||
JP2015215462 | 2015-11-02 | ||
JP2016083674 | 2016-04-19 | ||
JP2016083674 | 2016-04-19 | ||
JP2016181571 | 2016-09-16 | ||
JP2016181571 | 2016-09-16 | ||
PCT/JP2016/077743 WO2017051809A1 (ja) | 2015-09-25 | 2016-09-20 | 実装部品、配線基板、電子装置、およびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020215199A Division JP7052860B2 (ja) | 2015-09-25 | 2020-12-24 | 実装部品、配線基板、電子装置、およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017051809A1 JPWO2017051809A1 (ja) | 2018-07-19 |
JP6819599B2 true JP6819599B2 (ja) | 2021-01-27 |
Family
ID=58386642
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017541560A Active JP6819599B2 (ja) | 2015-09-25 | 2016-09-20 | 実装部品、配線基板、電子装置、およびその製造方法 |
JP2020215199A Active JP7052860B2 (ja) | 2015-09-25 | 2020-12-24 | 実装部品、配線基板、電子装置、およびその製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020215199A Active JP7052860B2 (ja) | 2015-09-25 | 2020-12-24 | 実装部品、配線基板、電子装置、およびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10276515B2 (ja) |
JP (2) | JP6819599B2 (ja) |
TW (2) | TWI725992B (ja) |
WO (1) | WO2017051809A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102449368B1 (ko) * | 2017-10-20 | 2022-09-30 | 삼성전기주식회사 | 다층 인쇄회로기판 |
KR20190065748A (ko) * | 2017-12-04 | 2019-06-12 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 |
JP2019220547A (ja) * | 2018-06-19 | 2019-12-26 | 凸版印刷株式会社 | 多層半導体パッケージ基板の製造方法および多層半導体パッケージ基板 |
CN110190002B (zh) * | 2019-07-04 | 2021-01-12 | 环维电子(上海)有限公司 | 一种半导体组件及其制造方法 |
US11950365B2 (en) * | 2020-01-10 | 2024-04-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Flexible printed circuit board and method of manufacturing same |
US20230065796A1 (en) * | 2020-03-02 | 2023-03-02 | Kuprion Inc. | Ceramic-based circuit board assemblies formed using metal nanoparticles |
JP7326192B2 (ja) * | 2020-03-17 | 2023-08-15 | キオクシア株式会社 | 配線基板及び半導体装置 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1056060A (ja) | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP3472430B2 (ja) | 1997-03-21 | 2003-12-02 | シャープ株式会社 | アンテナ一体化高周波回路 |
US6140226A (en) * | 1998-01-16 | 2000-10-31 | International Business Machines Corporation | Dual damascene processing for semiconductor chip interconnects |
JP4071908B2 (ja) * | 1999-11-30 | 2008-04-02 | 京セラ株式会社 | 多層配線基板およびその製造方法 |
JP3916850B2 (ja) * | 2000-06-06 | 2007-05-23 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
JP2003257979A (ja) | 2001-12-25 | 2003-09-12 | Nec Electronics Corp | 銅配線構造およびその製造方法 |
JP2004087928A (ja) | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
JP4570390B2 (ja) * | 2004-04-26 | 2010-10-27 | 京セラ株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
JP2008147498A (ja) * | 2006-12-12 | 2008-06-26 | Toppan Printing Co Ltd | 多層配線板及び半導体装置パッケージ |
JP2008227429A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-09-25 | Alps Electric Co Ltd | 電子回路モジュールおよび多層配線板 |
US8238114B2 (en) * | 2007-09-20 | 2012-08-07 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing same |
JP2010016061A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Nippon Mektron Ltd | プリント配線板およびその製造方法 |
JP2010034430A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
TWI453878B (zh) * | 2009-01-10 | 2014-09-21 | Unimicron Technology Corp | 封裝基板及其製法 |
JP2010258415A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-11-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 複合体、複合体の製造方法及び半導体装置 |
JP5813921B2 (ja) * | 2009-04-02 | 2015-11-17 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
KR101037450B1 (ko) * | 2009-09-23 | 2011-05-26 | 삼성전기주식회사 | 패키지 기판 |
JP2011103602A (ja) | 2009-11-11 | 2011-05-26 | Panasonic Corp | 伝送線路、高周波デバイスおよび伝送線路の製造方法 |
US8742561B2 (en) * | 2009-12-29 | 2014-06-03 | Intel Corporation | Recessed and embedded die coreless package |
JP2011187473A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Nec Corp | 半導体素子内蔵配線基板 |
JP5079059B2 (ja) * | 2010-08-02 | 2012-11-21 | 日本特殊陶業株式会社 | 多層配線基板 |
JP5693940B2 (ja) * | 2010-12-13 | 2015-04-01 | 株式会社トクヤマ | セラミックスビア基板、メタライズドセラミックスビア基板、これらの製造方法 |
JP5865769B2 (ja) | 2011-06-09 | 2016-02-17 | 日本特殊陶業株式会社 | 多層配線基板の製造方法 |
JP2013206905A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US8866287B2 (en) * | 2012-09-29 | 2014-10-21 | Intel Corporation | Embedded structures for package-on-package architecture |
JP5842859B2 (ja) | 2013-04-15 | 2016-01-13 | 株式会社村田製作所 | 多層配線基板およびこれを備えるモジュール |
KR20160025449A (ko) * | 2014-08-27 | 2016-03-08 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 3차원 배선의 형성 방법, 3차원 배선을 갖는 회로 장치 및, 3차원 배선용의 금속막 형성용 조성물 |
WO2016161434A1 (en) * | 2015-04-02 | 2016-10-06 | Nanopac Technologies, Inc. | Method for creating through-connected vias and conductors on a substrate |
US20170018501A1 (en) * | 2015-07-14 | 2017-01-19 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd | Via structures for thermal dissipation |
-
2016
- 2016-09-20 JP JP2017541560A patent/JP6819599B2/ja active Active
- 2016-09-20 WO PCT/JP2016/077743 patent/WO2017051809A1/ja active Application Filing
- 2016-09-23 TW TW105130922A patent/TWI725992B/zh active
- 2016-09-23 TW TW110110380A patent/TWI794775B/zh active
-
2018
- 2018-03-23 US US15/933,539 patent/US10276515B2/en active Active
-
2019
- 2019-03-12 US US16/299,358 patent/US10672722B2/en active Active
-
2020
- 2020-12-24 JP JP2020215199A patent/JP7052860B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202131767A (zh) | 2021-08-16 |
TW201713172A (zh) | 2017-04-01 |
TWI794775B (zh) | 2023-03-01 |
US20180240760A1 (en) | 2018-08-23 |
JP7052860B2 (ja) | 2022-04-12 |
JPWO2017051809A1 (ja) | 2018-07-19 |
WO2017051809A1 (ja) | 2017-03-30 |
US20190206808A1 (en) | 2019-07-04 |
JP2021061425A (ja) | 2021-04-15 |
US10276515B2 (en) | 2019-04-30 |
US10672722B2 (en) | 2020-06-02 |
TWI725992B (zh) | 2021-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7052860B2 (ja) | 実装部品、配線基板、電子装置、およびその製造方法 | |
JP5280309B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR101058309B1 (ko) | 입체 회로 기판 및 그 제조 방법 | |
JP2007242800A (ja) | コモンモードフィルタ | |
TWI621377B (zh) | 印刷電路板及其製造方法 | |
JP2011151185A (ja) | 配線基板及び半導体装置 | |
TWI505756B (zh) | 印刷電路板及其製造方法 | |
US20090288873A1 (en) | Wiring board and method of manufacturing the same | |
JP2015012237A (ja) | 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法 | |
US20080217739A1 (en) | Semiconductor packaging substrate structure with capacitor embedded therein | |
KR20150064976A (ko) | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 | |
TW200411879A (en) | Substrate with stacked via and fine circuit thereon, and method for fabricating the same | |
JPWO2019098012A1 (ja) | 樹脂多層基板、電子部品およびその実装構造 | |
JP2005236067A (ja) | 配線基板と配線基板の製造方法、および半導パッケージ | |
US10879188B2 (en) | Wiring substrate | |
JP2005026313A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP4634735B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
JP2004134679A (ja) | コア基板とその製造方法、および多層配線基板 | |
US20220020526A1 (en) | Electronic component | |
JP2005236220A (ja) | 配線基板と配線基板の製造方法、および半導パッケージ | |
JP5206217B2 (ja) | 多層配線基板及びそれを用いた電子装置 | |
TWI444632B (zh) | 微小間距測試載板結構之製法 | |
JP2004152915A (ja) | 多層配線基板およびその製造方法 | |
US20230225050A1 (en) | Circuit board structure and manufacturing method thereof | |
JP2024031606A (ja) | 配線基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A80 | Written request to apply exceptions to lack of novelty of invention |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A801 Effective date: 20180319 |
|
A80 | Written request to apply exceptions to lack of novelty of invention |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A80 Effective date: 20180319 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190902 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190902 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201201 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6819599 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |