JPWO2019098012A1 - 樹脂多層基板、電子部品およびその実装構造 - Google Patents
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Abstract
Description
複数の絶縁樹脂基材層と、これら複数の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する樹脂多層基板であって、
前記複数の導体パターンは、前記絶縁樹脂基材層の積層方向から視て重ならない位置に形成された複数の信号線と、前記積層方向から視て前記複数の信号線に重なるグランド導体とを含み、
前記グランド導体に、開口率が不均一に分布するように、複数の開口が形成されており、
前記積層方向から視て、前記複数の信号線のうち二つの信号線で挟まれる内側領域に形成される開口による開口率は、二つの信号線で挟まれずに前記複数の信号線のうち最も外側の領域である外側領域に形成される開口による開口率より高い、
ことを特徴とする。
外部の回路に接続される第1接続部および第2接続部と、前記第1接続部と前記第2接続部との間を繋ぐ伝送線路部とを備え、
前記第1接続部、前記第2接続部および前記伝送線路部は樹脂多層基板で構成され、
前記樹脂多層基板は、
複数の絶縁樹脂基材層と、これら複数の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する樹脂多層基板であって、
前記複数の導体パターンは、前記絶縁樹脂基材層の積層方向から視て重ならない位置に形成された複数の信号線と、前記積層方向から視て前記複数の信号線に重なるグランド導体とを含み、
前記グランド導体に、開口率が不均一に分布するように、複数の開口が形成されており、
前記積層方向から視て、前記複数の信号線のうち二つの信号線で挟まれる内側領域に形成される開口による開口率は、二つの信号線で挟まれずに前記複数の信号線のうち最も外側の領域である外側領域に形成される開口による開口率より高い、
ことを特徴とする。
回路基板へ表面実装される電子部品の実装構造であって、
前記電子部品は、
外部の回路に接続される第1接続部および第2接続部と、前記第1接続部と前記第2接続部との間を繋ぐ伝送線路部とを備え、
前記第1接続部、前記第2接続部および前記伝送線路部は樹脂多層基板で構成され、
前記樹脂多層基板は、
複数の絶縁樹脂基材層と、これら複数の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する樹脂多層基板であって、
前記複数の導体パターンは、前記絶縁樹脂基材層の積層方向から視て重ならない位置に形成された複数の信号線と、前記積層方向から視て前記複数の信号線に重なるグランド導体とを含み、
前記グランド導体に、開口率が不均一に分布するように、複数の開口が形成されており、
前記積層方向から視て、前記複数の信号線のうち二つの信号線で挟まれる内側領域に形成される開口による開口率は、二つの信号線で挟まれずに前記複数の信号線のうち最も外側の領域である外側領域に形成される開口による開口率より高い、
ことを特徴とする。
図1(A)は第1の実施形態に係る樹脂多層基板101の外観斜視図である。図1(B)は、樹脂多層基板101の実装構造を示す断面図である。図1(B)に示す例では、この樹脂多層基板101は、他の回路基板201と或る部品301との間を接続するケーブルとして用いられる電子部品である。この樹脂多層基板101は本発明に係る「電子部品」の例でもある。樹脂多層基板101は、第1接続部CN1と、第2接続部CN2と、伝送線路部TLとを備える。第1接続部CN1は、図1(A)に示す上面に接続用電極が露出していて、第2接続部CN2は、図1(A)に示す下面に接続用電極が露出している。伝送線路部TLには第1接続部CN1と第2接続部CN2との間を繋ぐストリップライン型の高周波伝送線路が形成されている。この伝送線路部TLは、必要に応じて屈曲される。また、第1接続部CN1、第2接続部CN2には必要に応じてコネクタが設けられる。
第2の実施形態では、層間接続導体がグランド導体に形成された開口を介して絶縁樹脂基材層に接触している例を示す。
第3の実施形態では、第1、第2の第の実施形態とは開口の分布が異なる樹脂多層基板の例を示す。
第4の実施形態では、信号線の高さ位置が互いに異なる位置に信号線が形成された樹脂多層基板104について示す。
第5の実施形態では、めっき膜による層間接続導体を有する樹脂多層基板105について示す。
第6の実施形態では、電子部品の実装構造について示す。
以上に示した各実施形態では、二つの信号線を有する樹脂多層基板について示したが、三つ以上の信号線を有する樹脂多層基板についても同様に適用できる。その場合、開口は、絶縁樹脂基材層の積層方向から視て、複数の信号線のうち二つの信号線で挟まれる内側領域に形成される開口による開口率が、二つの信号線で挟まれずに複数の信号線のうち最も外側の領域である外側領域に形成される開口による開口率より高くなるように、開口を形成すればよい。
A1…小径開口
A2…大径開口
CN1…第1接続部
CN2…第2接続部
CN11,CN12…回路基板側接続部
L1〜L5…絶縁樹脂基材層
MP1,MP2…めっき膜
RF…レジスト膜
TL…伝送線路部
V1,V2,V3…層間接続導体
V11,V12,V13…層間接続導体
ZI…内側領域
ZO…外側領域
11,12…信号線
20…層間接続用導体パターン
21,22…グランド導体
51,52…コネクタ
101,102,104,105,106…樹脂多層基板
111,112,113…電子部品
160…電子部品
201…回路基板
211,212…層間接続用導体パターン
301…部品
Claims (12)
- 複数の絶縁樹脂基材層と、これら複数の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する樹脂多層基板であって、
前記複数の導体パターンは、前記絶縁樹脂基材層の積層方向から視て重ならない位置に形成された複数の信号線と、前記積層方向から視て前記複数の信号線に重なるグランド導体とを含み、
前記グランド導体に、開口率が不均一に分布するように、複数の開口が形成されており、
前記積層方向から視て、前記複数の信号線のうち二つの信号線で挟まれる内側領域に形成される開口による開口率は、二つの信号線で挟まれずに前記複数の信号線のうち最も外側の領域である外側領域に形成される開口による開口率より高い、
ことを特徴とする、樹脂多層基板。 - 前記グランド導体は、前記信号線を前記積層方向で挟み込む複数のグランド導体で構成され、
異なる層に形成された前記グランド導体同士を互いに接続する層間接続導体を有する、
請求項1に記載の樹脂多層基板。 - 前記層間接続導体は前記外側領域に設けられている、
請求項2に記載の樹脂多層基板。 - 前記層間接続導体は前記内側領域に設けられている、
請求項2または請求項3に記載の樹脂多層基板。 - 前記層間接続導体は樹脂成分を有する、
請求項2から4のいずれかに記載の樹脂多層基板。 - 前記層間接続導体は前記開口を介して前記絶縁樹脂基材層に接触している、
請求項5に記載の樹脂多層基板。 - 前記層間接続導体は、前記積層方向の両側で前記開口を介して前記絶縁樹脂基材層に接触している、
請求項6に記載の樹脂多層基板。 - 前記層間接続導体は、前記複数の絶縁樹脂基材層に亘って形成されており、且つ前記積層方向にジグザグ状に配置された部分を有する、
請求項6または7に記載の樹脂多層基板。 - 前記開口による開口率は、前記積層方向に垂直な方向で、前記層間接続導体に離間した領域に比べて前記層間接続導体に近い領域で高い、
請求項2から8のいずれかに記載の樹脂多層基板。 - 前記開口は、前記積層方向から視て、前記信号線と重ならない位置にのみ形成されている、請求項1から9のいずれかに記載の樹脂多層基板。
- 外部の回路に接続される第1接続部および第2接続部と、前記第1接続部と前記第2接続部との間を繋ぐ伝送線路部とを備える電子部品であって、
前記第1接続部、前記第2接続部および前記伝送線路部は樹脂多層基板で構成され、
前記樹脂多層基板は、
複数の絶縁樹脂基材層と、これら複数の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する樹脂多層基板であって、
前記複数の導体パターンは、前記絶縁樹脂基材層の積層方向から視て重ならない位置に形成された複数の信号線と、前記積層方向から視て前記複数の信号線に重なるグランド導体とを含み、
前記グランド導体に、開口率が不均一に分布するように、複数の開口が形成されており、
前記積層方向から視て、前記複数の信号線のうち二つの信号線で挟まれる内側領域に形成される開口による開口率は、二つの信号線で挟まれずに前記複数の信号線のうち最も外側の領域である外側領域に形成される開口による開口率より高い、
ことを特徴とする、電子部品。 - 回路基板へ表面実装される電子部品の実装構造であって、
前記電子部品は、
外部の回路に接続される第1接続部および第2接続部と、前記第1接続部と前記第2接続部との間を繋ぐ伝送線路部とを備え、
前記第1接続部、前記第2接続部および前記伝送線路部は樹脂多層基板で構成され、
前記樹脂多層基板は、
複数の絶縁樹脂基材層と、これら複数の絶縁樹脂基材層に形成された複数の導体パターンと、を有する樹脂多層基板であって、
前記複数の導体パターンは、前記絶縁樹脂基材層の積層方向から視て重ならない位置に形成された複数の信号線と、前記積層方向から視て前記複数の信号線に重なるグランド導体とを含み、
前記グランド導体に、開口率が不均一に分布するように、複数の開口が形成されており、
前記積層方向から視て、前記複数の信号線のうち二つの信号線で挟まれる内側領域に形成される開口による開口率は、二つの信号線で挟まれずに前記複数の信号線のうち最も外側の領域である外側領域に形成される開口による開口率より高い、
ことを特徴とする、電子部品の実装構造。
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