JP6699969B2 - 電子部品検査用の多層配線基板 - Google Patents
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Description
本発明は、基板主面及び基板裏面を有するセラミック配線基板と、基板主面上に積層される樹脂配線部とを備えた電子部品検査用の多層配線基板に関するものである。
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向になる。一般的に、ＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されている。よって、ＩＣチップなどの電子部品を検査する際には、専用（電子部品検査用）の多層配線基板が必要である。
なお、電子部品検査用の多層配線基板としては、複数のセラミック絶縁層を積層してなるセラミック配線基板の上層側に、複数の樹脂絶縁層を積層してなる樹脂配線部を積層した多層配線基板が実用化されている（例えば、特許文献１参照）。この多層配線基板は、セラミック配線基板上に複数の樹脂絶縁層を配置した状態で加熱加圧して、セラミック配線基板に各樹脂絶縁層からなる樹脂配線部を圧着させることにより製造される。
ところで、特許文献１に記載の多層配線基板では、樹脂配線部（最下層の樹脂絶縁層）の裏面の外周部分が、セラミック配線基板のセラミック絶縁層に直接接触している。しかしながら、樹脂絶縁層とセラミック絶縁層との密着性は比較的低いため、樹脂配線部とセラミック配線基板との間にデラミネーションが発生するおそれがある。その結果、製造される多層配線基板が不良品となり、多層配線基板の信頼性が低下するという問題がある。
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、樹脂配線部とセラミック配線基板との密着性を向上させることにより、信頼性に優れた電子部品検査用の多層配線基板を提供することにある。
そして、上記課題を解決するための手段（手段１）としては、基板主面及び基板裏面を有し、複数のセラミック絶縁層を積層した構造を有するセラミック配線基板と、前記基板主面上に形成された基板側導体層と、前記基板主面上において前記基板側導体層を覆うように積層され、複数の樹脂絶縁層を積層した構造を有する樹脂配線部とを備え、前記樹脂配線部の表面上に電子部品検査用の複数の検査パッドが形成された多層配線基板であって、前記多層配線基板の側面に、前記基板側導体層の端面が露出しており、前記樹脂配線部の裏面の外周縁が、前記基板側導体層の表面に接触し、前記樹脂配線部の端面及び前記基板側導体層の端面が、前記セラミック配線基板の端面よりも基板中央部寄りに位置していることを特徴とする電子部品検査用の多層配線基板がある。
従って、手段１に記載の発明によると、多層配線基板の側面に基板側導体層の端面が露出し、樹脂配線部の裏面の外周縁が基板側導体層の表面に接触している。このため、樹脂配線部（最下層の樹脂絶縁層）の裏面の外周部分は、セラミック配線基板のセラミック絶縁層に直接接触するのではなく、基板側導体層を介してセラミック絶縁層に接触するようになる。この場合、樹脂絶縁層と基板側導体層との密着性が確保されるとともに、基板側導体層とセラミック絶縁層との密着性が確保されるため、樹脂配線部とセラミック配線基板との間にデラミネーションが発生しにくくなる。ゆえに、樹脂配線部とセラミック配線基板とが確実に密着するようになるため、信頼性に優れた電子部品検査用の多層配線基板を得ることができる。
ところで、電子部品検査用の多層配線基板は、電子部品の検査時にクランプによって保持される（図１参照）。しかし、クランプの保持面は多層配線基板の側面に密着するため、基板側導体層の端面が多層配線基板の側面に露出していると、基板側導体層からクランプに電流が流れることに起因する不具合（短絡など）が生じる可能性がある。そこで、手段１に記載の発明では、基板側導体層の端面をセラミック配線基板の端面よりも基板中央部寄りに位置させている。このようにすれば、クランプの保持面から基板側導体層の端面が離間するため、多層配線基板の側面に基板側導体層の端面が露出していたとしても、基板側導体層とクランプとの電気的な接続が防止されるようになる。ゆえに、基板側導体層からクランプに電流が流れることに起因する不具合を防止することができる。なお、「基板側導体層の端面が露出」している状態とは、多層配線基板を側方から見たときに、外周側導体層の端面が視認可能となる状態をいう。
上記多層配線基板は、セラミック配線基板と、セラミック配線基板の基板主面上に形成された基板側導体層と、基板主面上において基板側導体層を覆うように積層された樹脂配線部とを備える。セラミック配線基板は、複数のセラミック絶縁層を積層した構造を有し、樹脂配線部は、複数の樹脂絶縁層を積層した構造を有している。ここで、セラミック絶縁層としては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、炭化珪素、窒化珪素などといった高温焼成セラミックの焼結体が好適に使用される。また、ホウケイ酸系ガラスやホウケイ酸鉛系ガラスにアルミナ等の無機セラミックフィラーを添加したガラスセラミックのような低温焼成セラミックの焼結体をセラミック絶縁層として使用してもよい。さらに、用途に応じて、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどの誘電体セラミックの焼結体をセラミック絶縁層として使用してもよい。
基板側導体層としては特に限定されないが、同時焼成法によって基板側導体層及びセラミック絶縁層を形成する場合、導体中の金属粉末は、セラミック絶縁層の焼成温度よりも高融点である必要がある。例えば、セラミック絶縁層がいわゆる高温焼成セラミック（例えばアルミナ等）からなる場合には、導体中の金属粉末として、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等やそれらの合金が選択可能である。セラミック絶縁層がいわゆる低温焼成セラミック（例えばガラスセラミック等）からなる場合には、導体中の金属粉末として、銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）等やそれらの合金が選択可能である。
樹脂絶縁層としては、通常、ポリイミド系の樹脂材料が用いられるが、ポリイミド系の樹脂以外の樹脂を用いて形成されるものでもよく、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。また、樹脂絶縁層として、樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材に熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。
また、樹脂配線部は、複数の樹脂絶縁層の間に配線層を有することがよい。このように構成すれば、樹脂配線部に電気回路を形成できるため、多層配線基板の高機能化を図ることができる。なお、配線層は、主として銅からなり、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって形成される。具体的に言うと、例えば、銅箔のエッチング、無電解銅めっきあるいは電解銅めっきなどの手法が適用される。なお、スパッタやＣＶＤ等の手法により薄膜を形成した後にエッチングを行うことで配線層を形成したり、導電性ペースト等の印刷により配線層を形成したりすることも可能である。
また、樹脂配線部の表面と多層配線基板の側面との境界部分には面取り部が形成され、面取り部の表面には、基板側導体層の端面と、樹脂配線部の端面全体とが露出していることが好ましい。このようにすれば、電子部品の検査時において、多層配線基板を保持するクランプの保持面から面取り部の表面が離間するため、面取り部の表面に基板側導体層の端面が露出していたとしても、基板側導体層とクランプとの電気的な接続が防止されるようになる。ゆえに、基板側導体層からクランプに電流が流れることに起因する不具合（短絡など）を防止することができる。
なお、多層配線基板の側面に露出する基板側導体層は、検査パッドに電気的に接続されていることがよい。即ち、基板側導体層は、検査パッドに電気的に接続されないダミー導体ではないことがよい。仮に、基板側導体層がダミー導体であると、「基板側導体層からクランプに電流が流れることに起因する不具合（短絡など）が生じる」という本発明の課題自体が生じない可能性がある。
さらに、面取り部は、基板主面とセラミック配線基板の端面との境界部分にも形成されており、面取り部の表面に、セラミック配線基板の端面の一部が露出していることが好ましい。このようにすれば、セラミック配線基板に応力が加わったとしても、基板主面とセラミック配線基板の端面との境界部分への応力集中が、面取り部を設けることによって緩和される。その結果、上記した境界部分のセラミックが欠けるという問題を回避できるため、電子部品検査用の多層配線基板の信頼性が向上する。
しかも、面取り部の表面と基板側導体層の端面とが略面一になっていることが好ましい。このようにすれば、基板側導体層の端面とクランプの保持面との接触をより確実に回避できるため、基板側導体層からクランプに電流が流れることに起因する不具合をより確実に防止できる。なお、「面取り部の表面と基板側導体層の端面とが略面一」な状態とは、面取り部の表面からの基板側導体層の突出量が−５μｍ以上５μｍ以下となる状態をいう。さらに、基板側導体層の端面は、面取り部の表面よりも基板外周部寄りに位置していてもよいし、面取り部の表面よりも基板中央部寄りに位置していてもよい。
また、樹脂配線部は、複数の樹脂絶縁層の間に配線層を有し、面取り部の表面に、配線層の端面が露出していないことが好ましい。このようにすれば、樹脂配線部の配線層が意に反して他の配線層や基板側導体層と短絡することを防止できる。
なお、面取り部の表面は、平面状をなしていてもよいし、多層配線基板の外側に凸となる曲面状をなしていてもよい。しかし、面取り部が平面状をなしている場合、面取り部が曲面状をなしている場合よりも、面取り部を高精度にかつ容易に形成することができる。一方、面取り部の表面が曲面状をなしている場合、面取り部の表面に「角」が存在しなくなるため、樹脂配線部の表面と多層配線基板の端面との境界部分への応力集中をより確実に緩和することができる。また、曲面状の面取り部が基板主面とセラミック配線基板の端面との境界部分に形成されている場合には、上記した境界部分のセラミックが欠けるという問題を確実に回避できるため、電子部品検査用の多層配線基板の信頼性がよりいっそう向上する。
以下、本発明を多層配線基板に具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
図１に示されるように、本実施形態の多層配線基板１０は、電子部品であるＩＣチップ１０１の電気検査に用いられる配線基板である。多層配線基板１０は、基板主面２１及び基板裏面２２を有するセラミック配線基板２０と、基板主面２１上に積層される樹脂配線部４０とを備えている。多層配線基板１０は、縦横の長さが１００ｍｍ程度、厚さが５ｍｍ程度の基板であり、使用時において多層配線基板１０の主面１１（図１では上面）が検査対象であるＩＣチップ１０１に向けて配置される。
セラミック配線基板２０は、３層のセラミック絶縁層２４，２５，２６と導体層２７とを交互に積層した構造を有している。セラミック絶縁層２４〜２６は、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミックからなる焼結体であり、導体層２７は、例えばタングステン、モリブデン、または、これらの合金等のメタライズ層である。また、各セラミック絶縁層２４〜２６には、厚さ方向に貫通する貫通孔２８が形成されており、貫通孔２８内には、導体層２７に接続されるビア導体２９が形成されている。各貫通孔２８は、断面円形状をなしており、それらの内径は６０μｍ程度である。各ビア導体２９も、断面円形状をなしており、それらの外径は６０μｍ程度である。ビア導体２９は、導体層２７と同様に、タングステン、モリブデン、または、これらの合金等のメタライズ層からなる。各導体層２７及び各ビア導体２９は、基板主面２１及び基板裏面２２間を導通させる機能を有している。なお、各導体層２７の端面は、多層配線基板１０の側面１３に露出しないようになっている。
図１に示されるように、セラミック配線基板２０の基板裏面２２上（多層配線基板１０の裏面１２上）には、複数の中央部側端子３０と複数の外周部側端子３１とが形成されている。各中央部側端子３０は基板裏面２２の中央部側に配置され、各外周部側端子３１は基板裏面２２の外周部側に配置されている。また、セラミック配線基板２０の基板主面２１上には、基板側導体層である複数の中央部側導体層３２と、同じく基板側導体層である複数の外周部側導体層３３とが形成されている。各中央部側導体層３２は基板主面２１の中央部側に配置され、各外周部側導体層３３は基板主面２１の外周部側に配置されている。
また、樹脂配線部４０は、基板主面２１上において中央部側導体層３２及び外周部側導体層３３を覆うように積層されている。樹脂配線部４０は、５層の樹脂絶縁層４１，４２，４３，４４，４５と配線層４６とを交互に積層した構造を有している。即ち、樹脂配線部４０は、各樹脂絶縁層４１〜４５の間に配線層４６を有している。また、各樹脂絶縁層４１〜４５には、厚さ方向に貫通するビア孔４７が形成されており、ビア孔４７内には、配線層４６に接続されるビア導体４８が形成されている。
図１に示されるように、各樹脂絶縁層４１〜４５は、例えばポリイミド系樹脂からなる絶縁層である。本実施形態において、各樹脂絶縁層４１〜４５は、ポリイミド系の熱可塑性樹脂からなり、厚さは２５μｍ程度である。また、配線層４６は、例えば銅からなる導体層であり、その厚さは５μｍ程度である。樹脂配線部４０のビア孔４７及びビア導体４８は断面円形状をなし、ビア孔４７の内径及びビア導体４８の外径は、５０μｍ程度である。
そして、多層配線基板１０の主面１１上（樹脂配線部４０の表面４９上）における中央部には、ＩＣチップ検査用の複数の検査パッド５０がアレイ状に形成されている。また、主面１１上における外周部にも、複数の検査パッド５１が形成されている。各検査パッド５０，５１は、断面円形状をなし、その直径は例えば１００μｍ程度に設定されている。
図１，図２に示されるように、多層配線基板１０は、樹脂配線部４０の表面４９（即ち、多層配線基板１０の主面１１）と多層配線基板１０の側面１３との境界部分に面取り部６１を有している。面取り部６１の表面は、多層配線基板１０の側面１３の一部を構成しており、平面状をなしている。樹脂配線部４０の表面４９を基準とした面取り部６１の面取り深さＣ１は、０．２５ｍｍとなっており、多層配線基板１０の側面１３を基準とした面取り部６１の面取り深さＣ２も、面取り深さＣ１と同様に０．２５ｍｍとなっている。よって、樹脂配線部４０の表面４９を基準とした面取り部６１の面取り角度θ１は４５°となる。
なお、面取り部６１の表面には、樹脂配線部４０の端面５２全体が露出している。そして、面取り部６１の表面には、外周部側導体層３３の端面３４が露出する一方、各配線層４６の端面５３が露出しないようになっている。外周部側導体層３３の端面３４は、面取り部６１の表面と略面一になっている。また、樹脂配線部４０の裏面５４の外周縁は、外周部側導体層３３の表面に接触している。
図１，図２に示されるように、面取り部６１は、セラミック配線基板２０の基板主面２１と端面２３との境界部分にも形成されている。よって、面取り部６１の表面には、セラミック配線基板２０の端面２３の一部が露出するようになる。基板主面２１を基準とした面取り部６１の面取り深さＣ３は、０．１ｍｍである。また、セラミック配線基板２０の端面２３において面取り部６１を構成する領域は、樹脂配線部４０の端面５２及び外周部側導体層３３の端面３４と略面一になっている。そして、樹脂配線部４０の端面５２及び外周部側導体層３３の端面３４は、セラミック配線基板２０の端面２３よりも基板中央部寄りに位置している。
図１に示されるように、セラミック配線基板２０の基板主面２１の中央部に配置され、多層配線基板１０の側面１３に露出しない中央部側導体層３２は、配線層４６及びビア導体４８を介して検査パッド５０に電気的に接続されている。また、中央部側導体層３２は、導体層２７及びビア導体２９を介して中央部側端子３０に電気的に接続されている。本実施形態の中央部側導体層３２は、グランド用または電源用の導体を構成している。
一方、基板主面２１の外周部に配置され、多層配線基板１０の側面１３に露出する外周部側導体層３３は、配線層４６及びビア導体４８を介して検査パッド５１に電気的に接続されている。また、外周部側導体層３３は、導体層２７及びビア導体２９を介して外周部側端子３１に電気的に接続されている。本実施形態の外周部側導体層３３は、ダミー導体ではなく、グランド用または電源用の導体を構成している。
なお、図１に示されるように、ＩＣチップ１０１の検査時においては、まず、多層配線基板１０を、基板支持台１０２とクランプ１０３との間に挟み込む。次に、プローブヘッド１０４に保持された複数のプローブ１０５の基端部を、多層配線基板１０の検査パッド５０，５１に接触させる。さらに、多層配線基板１０を介して各プローブ１０５をテスタ（図示略）に電気的に接続するとともに、各プローブ１０５の先端部をＩＣチップ１０１の面接続端子１０６に当接させる。そして、この状態でテスタから電源供給を行い、試験に必要な各種信号を入出力させる。その結果、ＩＣチップ１０１が正常であるか否かが判断される。
次に、本実施形態における多層配線基板１０の製造方法を説明する。
まず、図３に示されるように、樹脂絶縁層４１〜４５となる樹脂絶縁材７１の片側の主面７２（図３では上面）に、配線層４６となる銅箔７３が形成された銅箔付き樹脂フィルム７４を準備し、所定寸法に切断する。なお、樹脂絶縁材７１は、ポリイミド系の熱可塑性樹脂からなる。そして、樹脂絶縁材７１の主面７２側には、厚さが５μｍの銅箔７３が貼り付けられている。
次に、レーザ加工により、銅箔付き樹脂フィルム７４の樹脂絶縁材７１及び銅箔７３を貫通するビア孔４７を形成する。そして、ペースト印刷充填装置（図示略）を用いて、ビア孔４７内に銅粉末を主成分とする導電性ペースト（銅ペースト）を充填し、ビア導体４８を形成する（図４参照）。その後、１５０℃で１時間加熱する。
そして、樹脂絶縁材７１の主面７２に形成された銅箔７３の上に感光性のドライフィルムを貼付する。さらに、ドライフィルムの上に、検査パッド５０，５１の配線パターンが予め形成された露光用マスクを配置する。次に、露光用マスクを介してドライフィルムの露光を行った後、現像を行い、銅箔７３をエッチングするためのエッチングレジストをパターン形成する。また、樹脂絶縁材７１の主面７５（図４では下面）側にも、感光性のドライフィルムを貼付し、上記した露光及び現像によって主面７５全体を覆うエッチングレジストを形成する。
その後、銅箔７３においてエッチングレジストのレジストパターンから露出する部分をエッチングにより除去し、検査パッド５０，５１を形成する。その後、剥離液に接触させることにより、検査パッド５０，５１上に残存するエッチングレジストを除去するとともに、主面７５側のエッチングレジストを除去する。その結果、図５に示されるように、検査パッド５０，５１及びビア導体４８を有する樹脂絶縁層４１が形成される。また、上述した工程を同様に行うことにより、配線層４６及びビア導体４８を有する樹脂絶縁層４２〜４５が形成される。
また、セラミック配線基板２０を形成する。具体的には、アルミナ粉末を主成分とするセラミック材料を用いてグリーンシート８１を複数枚形成する（図６参照）。そして、各グリーンシート８１に対してレーザ加工を行い、所定の位置に複数の貫通孔２８を形成する。なお、貫通孔２８の形成を、パンチング加工、ドリル加工等によって行ってもよい。
その後、従来周知のペースト印刷装置（図示略）を用いて、各グリーンシート８１の貫通孔２８に導電性ペースト（例えばタングステンペースト）を充填し、未焼成のビア導体２９を形成する。さらに、ペースト印刷装置を用いて導電性ペーストを印刷し、未焼成の導体層２７、中央部側端子３０及び外周部側端子３１を形成する（図７参照）。なお、導電性ペーストの充填及び印刷の順序は逆でもよい。
そして、導電性ペーストの乾燥後、複数枚のグリーンシート８１を積み重ねて配置し、シート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシート８１を圧着、一体化してセラミック積層体８２を形成する（図８参照）。次に、セラミック積層体８２を脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行う。その結果、グリーンシート８１のアルミナ及びペースト中のタングステンが同時焼結し、セラミック配線基板２０が形成される。
そして、セラミック配線基板２０の基板主面２１を表面研磨する。次に、チタン及び銅のスパッタリングを行って基板主面２１に薄膜を形成した後、露光及び現像を行うことにより、基板主面２１の中央部に中央部側導体層３２が形成されるとともに、基板主面２１の外周部に外周部側導体層３３が形成される（図９参照）。
その後、セラミック配線基板２０の基板主面２１の上に樹脂絶縁層４１〜４５（図５参照）を重ねて配置した状態で、３５０℃程度の温度に加熱しつつ７５ｋｇｆ／ｃｍ２程度の圧力で加圧する。この加熱加圧を行うことにより、樹脂絶縁層４１〜４５の樹脂絶縁材７１が軟化することで接着層として機能し、セラミック配線基板２０上に各樹脂絶縁層４１〜４５が一括して圧着される。この時点で、セラミック配線基板２０と樹脂配線部４０とが一体化した多層配線基板１０が形成される（図１０参照）。
次に、研磨機により、樹脂配線部４０の表面４９と多層配線基板１０の側面１３との境界部分に面取り部６１を形成する。その結果、面取り部６１が形成された多層配線基板１０が製造される。なお、多層配線基板１０に対してＶ字刃やＵ字刃を押し当てることによって、面取り部６１を形成するようにしてもよい。また、レーザトリミングによって、樹脂配線部４０の外周部の樹脂材料とセラミック配線基板２０の外周部のセラミック材料とを除去することにより、面取り部６１を形成するようにしてもよい。
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
（１）本実施形態のＩＣチップ検査用の多層配線基板１０では、多層配線基板１０の側面１３に外周部側導体層３３の端面３４が露出し、樹脂配線部４０の裏面５４の外周縁が外周部側導体層３３の表面に接触している。このため、樹脂配線部４０の裏面５４の外周部分は、セラミック配線基板２０のセラミック絶縁層２４に直接接触するのではなく、外周部側導体層３３を介してセラミック絶縁層２４に接触するようになる。この場合、樹脂配線部４０の樹脂絶縁層４５と外周部側導体層３３との密着性が確保されるとともに、外周部側導体層３３とセラミック絶縁層２４との密着性が確保されるため、樹脂配線部４０とセラミック配線基板２０との間にデラミネーションが発生しにくくなる。ゆえに、樹脂配線部４０とセラミック配線基板２０とが確実に密着するようになるため、信頼性に優れた多層配線基板１０を得ることができる。
（２）本実施形態の多層配線基板１０は、ＩＣチップ１０１の検査時にクランプ１０３によって保持される。しかし、クランプ１０３の保持面は多層配線基板１０の側面１３に密着するため、外周部側導体層３３の端面３４が多層配線基板１０の側面１３に露出していると、外周部側導体層３３からクランプ１０３に電流が流れることに起因する不具合（短絡など）が生じる可能性がある。
そこで、本実施形態では、樹脂配線部４０の表面４９と多層配線基板１０の側面１３との境界部分に面取り部６１を形成し、面取り部６１の表面に、外周部側導体層３３の端面３４を露出させている。このようにすれば、面取り部６１の表面がクランプ１０３の保持面から離間するため、面取り部６１の表面に外周部側導体層３３の端面３４が露出していたとしても、外周部側導体層３３とクランプ１０３との電気的な接続が防止されるようになる。また、本実施形態では、外周部側導体層３３の端面３４を、面取り部６１の表面と略面一にしている。このようにすれば、端面３４とクランプ１０３の保持面との接触がより確実に回避されるため、外周部側導体層３３とクランプ１０３との電気的な接続をより確実に回避することができる。ゆえに、外周部側導体層３３からクランプ１０３に電流が流れることに起因する不具合を確実に防止することができる。
（３）本実施形態では、セラミック配線基板２０の基板主面２１上に５枚の樹脂絶縁層４１〜４５を重ねて配置した状態で加熱加圧を行うことにより、基板主面２１に樹脂絶縁層４１〜４５を一括して圧着させている。この場合、各樹脂絶縁層４１〜４５を１枚ずつ基板主面２１に圧着させる場合と比較して、製造工程を簡素化することができ、多層配線基板１０を短時間で製造することができる。
なお、本実施形態を以下のように変更してもよい。
・上記実施形態の面取り部６１は、樹脂配線部４０の表面４９と多層配線基板１０の側面１３との境界部分に形成されるのに加えて、セラミック配線基板２０の基板主面２１とセラミック配線基板２０の端面２３との境界部分にも形成されていた。しかし、面取り部は、樹脂配線部４０の表面４９と多層配線基板１０の側面１３との境界部分にのみ形成されていてもよい。また、図１１の多層配線基板１１０に示されるように、樹脂配線部１１１の端面１１２及び外周部側導体層１１３（基板側導体層）の端面を、セラミック配線基板１１４の端面１１５よりも基板中央部寄りに配置し、面取り部１１６を、セラミック配線基板１１４の基板主面１１７とセラミック配線基板１１４の端面１１５との境界部分のみに形成してもよい。なお、面取り部１１６は、必ずしも形成されなくてもよい。
・上記実施形態の面取り部６１の表面は、平面状をなしていた。しかし、図１２の多層配線基板１２０に示されるように、面取り部１２１の表面は、多層配線基板１２０の外側に凸となる曲面状をなしていてもよい。また、面取り部の表面が平面状をなす場合、面取り部は、面取り角度が異なる複数の面取り部を接続したものであってもよい。例えば、図１３の多層配線基板１３０に示されるように、面取り部１３１は、樹脂配線部１３２の表面１３３を基準とした面取り角度が４５°となる第１面取り部１３４と、表面１３３を基準とした面取り角度が７５°となる第２面取り部１３５とを接続してなるものであってもよい。
・上記実施形態では、セラミック配線基板２０の基板主面２１上に５枚の樹脂絶縁層４１〜４５を重ねて配置した状態で加熱加圧を行うことにより、基板主面２１に樹脂絶縁層４１〜４５を一括して圧着させていた。しかし、基板主面２１上に各樹脂絶縁層４１〜４５を１枚ずつ圧着させるようにしてもよい。この場合、多層配線基板１０の工期は長くなるが、積層時における樹脂絶縁層４１〜４５の位置ずれを確実に防止することができる。
次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
（１）上記手段１において、前記基板側導体層は、前記基板主面の中央部に配置された中央部側導体層及び前記基板主面の外周部に配置された外周部側導体層を含み、前記外周部側導体層はグランド用または電源用の導体を構成していることを特徴とする電子部品検査用の多層配線基板。
（２）技術的思想（１）において、前記外周部側導体層はダミー導体ではないことを特徴とする電子部品検査用の多層配線基板。
（３）上記手段１において、前記セラミック配線基板は、前記複数のセラミック絶縁層及び複数の導体層を積層した構造を有し、前記複数の導体層の端面は、前記多層配線基板の側面に露出していないことを特徴とする電子部品検査用の多層配線基板。
（４）上記手段１において、前記樹脂絶縁層は、ポリイミド系樹脂からなる絶縁層であることを特徴とする電子部品検査用の多層配線基板。
（５）上記手段１において、前記多層配線基板は、クランプに挟まれた状態で使用されることを特徴とする電子部品検査用の多層配線基板。
１０，１１０，１２０，１３０…多層配線基板
１３…多層配線基板の側面
２０，１１４…セラミック配線基板
２１，１１７…基板主面
２２…基板裏面
２３，１１５…セラミック配線基板の端面
２４，２５，２６…セラミック絶縁層
３２…基板側導体層としての中央部側導体層
３３，１１３…基板側導体層としての外周部側導体層
３４…基板側導体層の端面
４０，１１１，１３２…樹脂配線部
４１，４２，４３，４４，４５…樹脂絶縁層
４６…配線層
４９，１３３…樹脂配線部の表面
５０，５１…検査パッド
５２，１１２…樹脂配線部の端面
５３…配線層の端面
５４…樹脂配線部の裏面
６１，１２１，１３１…面取り部
１３…多層配線基板の側面
２０，１１４…セラミック配線基板
２１，１１７…基板主面
２２…基板裏面
２３，１１５…セラミック配線基板の端面
２４，２５，２６…セラミック絶縁層
３２…基板側導体層としての中央部側導体層
３３，１１３…基板側導体層としての外周部側導体層
３４…基板側導体層の端面
４０，１１１，１３２…樹脂配線部
４１，４２，４３，４４，４５…樹脂絶縁層
４６…配線層
４９，１３３…樹脂配線部の表面
５０，５１…検査パッド
５２，１１２…樹脂配線部の端面
５３…配線層の端面
５４…樹脂配線部の裏面
６１，１２１，１３１…面取り部
Claims (8)
- 基板主面及び基板裏面を有し、複数のセラミック絶縁層を積層した構造を有するセラミック配線基板と、前記基板主面上に形成された基板側導体層と、前記基板主面上において前記基板側導体層を覆うように積層され、複数の樹脂絶縁層を積層した構造を有する樹脂配線部とを備え、前記樹脂配線部の表面上に電子部品検査用の複数の検査パッドが形成された多層配線基板であって、
前記多層配線基板の側面に、前記基板側導体層の端面が露出しており、
前記樹脂配線部の裏面の外周縁が、前記基板側導体層の表面に接触し、
前記樹脂配線部の端面及び前記基板側導体層の端面が、前記セラミック配線基板の端面よりも基板中央部寄りに位置している
ことを特徴とする電子部品検査用の多層配線基板。 - 前記樹脂配線部の表面と前記多層配線基板の側面との境界部分に面取り部が形成され、前記面取り部の表面に、前記基板側導体層の端面と、前記樹脂配線部の端面全体とが露出していることを特徴とする請求項１に記載の電子部品検査用の多層配線基板。
- 前記面取り部は、前記基板主面と前記セラミック配線基板の端面との境界部分にも形成されており、前記面取り部の表面に、前記セラミック配線基板の端面の一部が露出していることを特徴とする請求項２に記載の電子部品検査用の多層配線基板。
- 前記面取り部の表面と前記基板側導体層の端面とが略面一になっていることを特徴とする請求項２または３に記載の電子部品検査用の多層配線基板。
- 前記樹脂配線部は、前記複数の樹脂絶縁層の間に配線層を有し、前記面取り部の表面に、前記配線層の端面が露出していないことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の電子部品検査用の多層配線基板。
- 前記面取り部の表面が平面状をなしていることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の電子部品検査用の多層配線基板。
- 前記面取り部の表面が、前記多層配線基板の外側に凸となる曲面状をなしていることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の電子部品検査用の多層配線基板。
- 前記多層配線基板の側面に露出する前記基板側導体層は、前記検査パッドに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電子部品検査用の多層配線基板。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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