JP7008510B2 - 複合配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
上記セラミック基板部の表面側に樹脂基板部を積層した多層配線基板を得るため、セラミック多層基板の表面側に、導体配線層と、有機樹脂(ポリイミド)の絶縁層と、スルーホールを有するセラミック基板とを、複数組ずつ交互に積層した多層配線基板の製造方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
例えば、低温同時焼成セラミックからなるセラミック基板部の表面側に、ポリイミドからなる複数の樹脂層を積層してなり、該樹脂層間に配線層を有し、且つ表面に前記配線層と導通する複数のパッドを有する樹脂基板部を積層して得られた複合積層体の側面を、所望の形状および寸法に合致するために、機械加工が施される。かかる加工時において、前記セラミック基板部よりも比較的靭性が高い前記樹脂基板部の周辺側が、研削用などの工具に絡み付くため、該樹脂基板部の周辺側がセラミック基板部の周辺側から剥離する事態が生じる場合があった。その結果、所望の形状および寸法の側面を有する複合配線基板を確実に提供し難い、という問題があった。
(1)前記セラミック基板部の上側面と下側面との間には、後述する段部が位置するため、該段部と該セラミック基板部の裏面とを把持治具でチャックすることにより、本複合配線基板を容易且つ安全に搬送することが可能となる。
(2)前記チャックする際の把持箇所が、樹脂基板部とセラミック基板部との境界ではないため、外力による樹脂基板部の剥がれを抑制することが可能となる。
また、前記パッドの表面側は、例えば、プローブピンを立設したり、あるいは、電子部品の搭載に活用される。
更に、前記セラミック基板部は、例えば、ガラス-セラミックなどの低温同時焼成セラミックからなる単層のセラミック層からなるか、あるいは複数のセラミック層を積層してなり、その表面には、複数の内部接続配線が形成され、且つ裏面には、複数の外部接続端子が形成されていると共に、これらの間には、上記セラミック層を貫通して導通する複数のビア導体が個別に形成されている。上記内部接続配線、外部接続端子、およびビア導体は、例えば、銅または銀からなる。
これによれば、前記セラミック基板部の側面に少なくとも20μm以上の上側面が位置しており、且つ前記上側面と下側面との間には、該上側面から外側に少なくとも幅が100μm以上延在する段部が位置していることにより、前記治具によるチャックが容易となるため、前記効果(1)、(2)を確実に得ることも可能となる。
尚、前記上側面の高さを20μm以上としたのは、後述する製造方法におけるレーザー加工により形成される溝の最深部をセラミック基板部の表面側に達するのに最小限20μmの深さが必要なためで、その最大値は、約50μmである。これにより、前記樹脂基板部を確実に切断でき、且つ前記セラミック基板部に対し、レーザー加工による負荷を小さくすることができる。
また、前記段部の幅を100μm以上としたのは、該幅が100μm未満では、レーザー加工により得られにくい溝の幅となり、且つ前記治具によるチャックが困難になるためである。但し、当該段部の幅の最大値は、約230μmである。
(3)前記複合積層体の樹脂基板部における表面側から、セラミック基板部の表面側の内部に達するレーザー照射を、平面視で前記樹脂基板部の周辺に沿って1周させ、該レーザー照射の軌跡に沿った溝を形成した溝形成工程の後で、前記研削工程を行うため、該研削工程による樹脂基板部における周辺側のダメージは、上記溝により阻止され、且つ該研削工程では、主にセラミック基板部側の抵抗に限定されている。その結果、比較的脆弱なセラミック基板部と比較的高い靭性の樹脂基板部とを併有する構造であっても、従来のような樹脂基板部の周辺側を研削工具により剥離させずに、所望の形状および寸法の側面を精度良く有する複合配線基板を確実に製作できる。
(4)前記効果(1)、(2)を備えた複合配線基板を確実に提供できる。
尚、前記積層工程の後あるいは事前に、前記樹脂基板部の側面と前記セラミック基板部の側面とを面一にする整面工程を行っても良い。
また、前記溝形成工程で用いるレーザーには、例えば、比較的高出力のYAGレーザーが使用される。
更に、前記機械加工は、例えば、全体が円柱形状の砥石を高速回転させつつ、該砥石をその径方向に沿って移動させる研削加工によって行われる。
これによれば、通常のレーザー照射によって、前記溝を精度良く確実に形成できるので、前記効果(3)、(4)をより確実に得ることが可能となる。
尚、前記溝における開口部の幅が、250μm未満になると、前記溝の最深部が前記セラミック基板部の表面側の内部に達しにくくなり、且つ前記開口部の幅が500μmを超えると、上記セラミック基板部の表面よりも過度に内部に最深部が位置し易くなるため、前記範囲としたものである。
図1は、本発明により得られる一形態の複合配線基板1を示す垂直断面図である。
上記複合配線基板1は、図1に示すように、対向する表面3および裏面4を有する樹脂基板部2と、該樹脂基板部2の裏面4側に積層されたセラミック基板部10とから構成されている。
上記樹脂基板部2は、図示のように、3層(複数)の樹脂層j1~j3を積層してなり、該樹脂層j1~j3の間ごとに複数ずつの配線層7,8を有し、前記表面3には、複数のパッド6が形成されている。該パッド6と、上記配線層7,8との間、および配線層8と裏面4との間には、樹脂層j1~j3を個別に貫通する複数のビア導体9が個別に配設されている。そのため、上記パッド6は、配線層7,8と導通していると共に、前記裏面4側とも導通可能とされている。
尚、前記樹脂層j1~j3は、例えば、耐熱性が比較的高いポリイミド(PI)からなる。
また、前記パッド6、配線層7,8、およびビア導体9は、例えば、銅からなり、該パッド6とビア導体9や、該配線層7,8とビア導体9は一体物でも良い。
更に、前記樹脂基板部2は、公知のフォトリゾグラフィー技術(例えば、セミアディブ法や、サブトラクティブ法)によって製作されたものである。
加えて、図1に示すように、前記パッド6ごとの表面上には、追って、電子部品を検査するためのプローブピンpが個別に立設される。但し、該パッド6は、例えば、半導体素子などの電子部品の実装に活用しても良い。
前記セラミック層c1~c4は、例えば、ガラス-セラミックなどの低温同時焼成セラミックからなり、前記内部接続配線16、ビア導体17、および外部接続端子18は、例えば、銅または銀からなる。
更に、図2(B)に示すように、前記上側面13と下側面14との間には、平面視がリング形状を呈し且つ側面視がほぼ水平状の段部15が位置している。かかる段部15は、後述するレーザー照射によって形成された溝の最深部(溝底面)の跡であり、該段部15の上側面13から外側に水平方向に沿った幅wは、少なくとも100μm以上(例えば、約200~400μm)である。
加えて、前記上側面13は、後述するレーザー照射した際に、レーザー光が最上層のセラミック層c1の内部に進入して形成した最深部の側面の跡であり、該上側面13の高さvは、少なくとも20μm以上(例えば、約20~50μm)である。因みに、最上層のセラミック層c1の厚みは、150μm以上である。
尚、図2(B)に示すように、前記樹脂基板部2の側面5は、前記レーザー加工により、表面3側の空間が裏面4側よりも広くなる極僅かのテーパーを有している。
従って、前記複合配線基板1によれば、前記効果(1)、(2)を得ることができる。
予め、図3(A)に示すように、前記樹脂基板部2と、前記セラミック基板部10とを準備する。
上記樹脂基板部2は、下層側の樹脂層j3から上層側の樹脂層j1に向かって、ビアホール(図示せず)の形成、ビア導体9の充填、配線層7,8の形成、およびパッド6の形成を順次行いつつ積み上げて行く公知のフォトリゾグラフィー技術によって形成した後、樹脂層j1~j3を熱硬化処理することで制作される。
一方、前記セラミック基板部10は、追って前記セラミック層c1~c4となる4層のグリーンシート(図示せず)ごとに対して、穴空け加工と単位ビア導体(図示せず)の充填作業とを行う。更に、最上層となるグリーンシートの表面に未焼成の内部接続配線16の印刷形成と、最下層となるグリーンシートの裏面に未焼成の外部接続端子18の印刷形成と、を行った後、4層の上記グリーンシートを積層および圧着してから焼成することによって制作される。
その結果、図3(B)に示すように、前記樹脂基板部2の裏面4側にセラミック層10が一体に積層されると共に、前者の裏面4側の各ビア導体9と後者の各内部接続端子16とが個別に導通可能とされた複合積層体20が得られた。
尚、上記レーザーLには、例えば、YAGレーザー(出力:約1~20W、ショット数:1~20、送り速度:約1m/秒)を用いた。
尚、上記溝19の前記樹脂基板部2の表面3における開口部の幅sは、250~500μmの範囲にあった。
即ち、図4(A)に示すように、樹脂基板部2およびセラミック基板部10の側面5a,14aに対し、研削工具21の垂直姿勢とされた回転軸23の下端に固定された円柱形の砥石22を高速回転させつつその径方向に沿って移動させ、同図中の白抜き矢印で示すように、上記側面5a,14aを超えて、前記溝19における外周側の内壁面に達する位置まで進入させた。尚、上記砥石22の表面全体には、微細なWC(超硬)などの砥粒が埋設され、該砥石22の軸方向の長さは、上記側面5a,14aの高さ同士の合計値よりも大とされている。
かかる作業の過程においても、前記樹脂基板部2のうち、前記溝19よりも外側の部分は、一度に除去されるか、あるいは徐々に研削される共に、前記セラミック基板部10のうち、平面視で前記溝19における外側の内壁面よりも外側に位置していた側面14a側の部分も、一度に除去されるか、あるいは順次除去された。
従って、前記複合配線基板1の製造方法によれば、前記効果(3)、(4)を確実に得られることが判明した。
例えば、前記樹脂基板部2の樹脂層jnは、2層あるいは4層以上の積層体とすると共に、その素材を、例えば、エポキシ系などの樹脂としても良い。
また、前記セラミック基板部10のセラミック層cnは、単層乃至3層、あるいは5層以上の積層体とすると共に、その素材も、前記ガラス-セラミック以外の低温同時焼成セラミックとしても良い。
更に、前記セラミック基板部10に形成される複数のビア導体17は、積層方向においてビア導体同士が平面視でずれて配置され、該セラミック基板部10の内部に形成された配線層を介して電気的に接続されていると共に、当該セラミック基板部10の表面11と裏面12との間を電気的に接続するように形成しても良い。
更に、前記樹脂基板部2と前記セラミック基板10との平面視における側面5,14の形状が、例えば、円形状と正多角形とからなるように互いに相違する場合には、セラミック基板部10における前記段部15の幅wが最も狭い位置でも、100μm以上が確保されていれば良い。
更に、前記溝形成工程に用いるレーザーLには、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、あるいはルビーレーザーなどを用いても良い。
加えて、前記研削工程は、前記複合積層体20における樹脂基板部2とセラミック基板部10とに対して、異なる種類の研削用工具、あるいは異なる砥石を有する研削用工具を個別に用いて行っても良い。
2……………樹脂基板部
3,11……表面
4,12……裏面
5,5a……側面
6……………パッド
7,8………配線層
10…………セラミック基板部
13…………上側面
14…………下側面
15…………段部
17…………ビア導体
19…………溝
20…………複合積層体
j1~j3…樹脂層
v……………上側面の高さ
w……………段部の幅
s……………溝開口部の幅
Claims (2)
- 複数の樹脂層を積層してなり、該樹脂層の間ごとに配線層を有し、且つ表面に前記配線層と導通する複数のパッドを有する樹脂基板部と、該樹脂基板部の裏面側に積層されてなり、対向する表面と裏面との間を電気的に接続する複数のビア導体を有するセラミック基板部と、を備えた複合配線基板の製造方法であって、
上記樹脂基板部の裏面側に上記セラミック基板部を積層する積層工程と、
上記樹脂基板部とセラミック基板部とからなる複合積層体において、平面視で前記樹脂基板部の周辺に沿って、該樹脂基板部側からレーザーを照射することにより、最深部が上記セラミック基板部の表面よりも内部に達し、且つ平面視が一周の溝を形成する溝形成工程と、
上記樹脂基板部の側面およびセラミック基板部の側面を、機械加工により側面視で上記溝の内側に達する位置まで除去する研削工程と、を含む、
ことを特徴とする複合配線基板の製造方法。 - 前記溝において、前記樹脂基板部の表面における開口部の幅は、250μm~500μmの範囲にある、
ことを特徴とする請求項1に記載の複合配線基板の製造方法。
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