JP2005353835A - 配線基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 導体層と誘電体層とが交互に積層される配線基板であって、導体層は、配線層と電源又はグランド層とを有し、該電源又はグランド層には、これらを厚さ方向に貫く複数のガス抜き孔が形成されるとともに、配線層と電源又はグランド層とが誘電体層を挟んで隣接する積層構造においては、配線層に形成される信号配線に対して、予め定められた限界近接距離を隔てて平行をなす領域に、複数の前記ガス抜き孔が並んだガス抜き孔列が形成されている。
【選択図】 図4
Description
信号伝送部の特性インピーダンスを規定値(例えば50Ω)へ整合させることが重要とされている。この課題を解決するために利用できる技術が、例えば、特許文献1に既に述べられている。該文献には、配線部が形成される導体層を、グランド層又は電源層をなす広面積の面導体によって、配線基板の層厚方向の上下から挟むように形成する、いわゆるストリップラインやマイクロストリップラインと言われる伝送構造の形成についての記載がある。このような伝送構造によれば、広面積の面導体が異なる層の配線部からの漏れ信号等を遮断するシールドの役割を果たすため、配線部の伝送信号が漏れ信号等のノイズ信号の影響を受けにくく、配線部の特定インピーダンスが変動しにくい。従って、設計時の特性インピーダンスの理論値と実際に製造した後の特性インピーダンスの実測値とのずれが少ないため、設計段階で、ほとんどの配線部の特性インピーダンスを整合することができる。
2 板状コア
5 第一面導体
6(61,62,63,64,65,66,67,68・・・) 第一配線部
7 第二面導体
8(81,82,83,84,85) 第二配線部
9 第三面導体
10,20 パッド
12 信号用スルーホール
30 信号用スルーホール導体
34a 第一信号用ビア導体
34b,34c 第二信号用ビア導体
34d 第三信号用ビア導体
34p ビアパッド
70 ガス抜き孔(DH1、DH2、DH´)
MP1 第一主表面
MP2 第二主表面
M1 第一導体層
M2 第二導体層
M3 第三導体層
M4 第四導体層
M5 第五導体層
V1 第一誘電体層
V2 第二誘電体層
V3 第三誘電体層
V4 第四誘電体層
SR1 ソルダーレジスト層
Claims (6)
- 導体層と誘電体層とが交互に積層される配線基板であって、
前記導体層は、配線層と電源又はグランド層とを有し、該電源又はグランド層には、これらを厚さ方向に貫く複数のガス抜き孔が形成されるとともに、
前記配線層と前記電源又はグランド層とが前記誘電体層を挟んで隣接する積層構造においては、前記配線層に形成される信号配線に対して、予め定められた限界近接距離を隔てて平行をなす領域に、複数の前記ガス抜き孔が並んだガス抜き孔列が形成されていることを特徴とする配線基板。 - 前記限界近接距離は、前記信号配線と前記電源又はグランド層とを層厚方向に投影した同一平面上における、投影された前記信号配線と前記ガス抜き孔列との距離として定められる請求項1に記載の配線基板。
- 前記前記限界近接距離は、50μm以上で設定される請求項1または2に記載の配線基板。
- 前記信号配線の曲部は、一方に伸びる信号配線に対して他方に伸びる信号配線が45度の角度をなして連続して形成される請求項1ないし3のいずれか1項に記載の配線基板。
- 前記電源又はグランド層に形成される前記ガス抜き孔列に含まれない前記ガス抜き孔は、前記電源又はグランド層において、予め定められた格子配列の格子点上に形成され、かつ前記格子点のうち、前記信号配線を前記電源又はグランド層に対して層厚方向に投影したときの、投影された前記信号配線、および前記ガス抜き孔列をなす前記ガス抜き孔と重なる前記格子点上には形成されない請求項1ないし4のいずれか1項に記載の配線基板。
- 前記ガス抜き孔列の配列に基づいて、該ガス抜き孔列に含まれないガス抜き孔を前記電源又はグランド層に形成される請求項5に記載の配線基板。
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