JP2017045882A - フレキシブル基板及びその製造方法並びに電子装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高速信号の伝送特性の低下を招くことなく、屈曲性を向上させたフレキシブル基板を実現する。【解決手段】フレキシブル基板１を、基板厚さ方向の一方の側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる一の外側導体層２と、基板厚さ方向の一方の側の反対側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる他の外側導体層３と、一の外側導体層と他の外側導体層との間に設けられ、信号配線となる内側導体層４と、一の外側導体層及び他の外側導体層が接続されるビアとを備え、一の外側導体層及び他の外側導体層は、ビア５に接続される接続領域８以外の信号伝送領域９で、内側導体層の全長にわたって連続的に延びており、一の外側導体層及び他の外側導体層の一方は、信号伝送領域９で、少なくとも部分的に、接続領域８よりも厚さが薄くなっているものとする。【選択図】図１

Description

本発明は、フレキシブル基板及びその製造方法並びに電子装置に関する。

回路基板における信号伝送の配線構造には、単層構造で信号配線の左右にグランド（ＧＮＤ）配線が形成されているコプレナ構造、２層構造で信号配線の下にグランド配線が形成されているマイクロストリップライン構造、３層構造で信号配線の上下にグランド配線が形成されているストリップライン構造の３種類がある。
そして、例えば、基板厚、製造コスト、配線密度、伝送損失、電磁放射ノイズ等を考慮して、配線構造を選択する。これは、リジッドのプリント配線板だけでなく、屈曲性の機能を求められるフレキシブル基板でも同様である。

上述の３種類の配線構造の中で、ストリップライン構造は、伝送損失や電磁放射ノイズの点で優れており、高速信号の伝送手段として一般的に用いられている。
しかしながら、フレキシブル基板においてストリップライン構造を選択した場合、３層の導体層が必要となるため、他の配線構造と比べて屈曲性が低下してしまう。
なお、フレキシブル基板を曲げやすくするために、グランド配線を設けない領域を設ける技術がある。

国際公開第２０１３／０６９７６３号 国際公開第２０１３／０９９６０９号

しかしながら、フレキシブル基板を曲げやすくするために、グランド配線を設けない領域を設けると、高速信号の伝送特性が低下してしまうおそれがある。
そこで、高速信号の伝送特性の低下を招くことなく、屈曲性を向上させたフレキシブル基板を実現したい。

本フレキシブル基板は、基板厚さ方向の一方の側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる一の外側導体層と、基板厚さ方向の一方の側の反対側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる他の外側導体層と、一の外側導体層と他の外側導体層との間に設けられ、信号配線となる内側導体層と、一の外側導体層及び他の外側導体層が接続されるビアとを備え、一の外側導体層及び他の外側導体層は、ビアに接続される接続領域以外の信号伝送領域で、内側導体層の全長にわたって連続的に延びており、一の外側導体層及び他の外側導体層の一方は、信号伝送領域で、少なくとも部分的に、接続領域よりも厚さが薄くなっている。

本フレキシブル基板の製造方法は、基板厚さ方向の一方の側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる一の外側導体層と、基板厚さ方向の一方の側の反対側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる他の外側導体層と、一の外側導体層と他の外側導体層との間に設けられ、信号配線となる内側導体層と、一の外側導体層及び他の外側導体層が接続されるビアとを備えるフレキシブル基板の製造方法であって、一の外側導体層及び他の外側導体層を、ビアに接続される接続領域以外の信号伝送領域で、内側導体層の全長にわたって連続的に延びるように設ける工程と、一の外側導体層及び他の外側導体層の一方を、信号伝送領域で、少なくとも部分的に、接続領域よりも厚さが薄くなるように処理する工程とを含む。

本電子装置は、上述のフレキシブル基板を備える。

したがって、本フレキシブル基板及びその製造方法並びに電子装置によれば、高速信号の伝送特性の低下を招くことなく、屈曲性を向上させたフレキシブル基板を実現することができるという利点がある。

本実施形態にかかるフレキシブル基板の構成を示す模式的断面図である。 本実施形態にかかるフレキシブル基板の屈曲した状態を示す模式的断面図である。 （Ａ）〜（Ｇ）は、本実施形態にかかるフレキシブル基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、本実施形態にかかるフレキシブル基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。 本実施形態の変形例のフレキシブル基板の構成を示す模式的断面図である。 本実施形態の変形例のフレキシブル基板の構成を示す模式的断面図である。 本実施形態の変形例のフレキシブル基板の構成を示す模式的断面図である。 本実施形態の変形例のフレキシブル基板の構成を示す模式的断面図である。 本実施形態の変形例のフレキシブル基板の構成を示す模式的断面図である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、本実施形態の変形例のフレキシブル基板の製造方法を説明するための模式的断面図である。

以下、図面により、本発明の実施の形態にかかるフレキシブル基板及びその製造方法並びに電子装置について、図１〜図１０を参照しながら説明する。
本実施形態にかかるフレキシブル基板は、例えばサーバやパーソナルコンピュータなどの電子装置に備えられ、電子部品を接続するのに用いられる屈曲性を有する回路基板であって、３層構造で信号配線の上下にグランド配線（又は電源配線）が形成されているストリップライン構造を備えるものである。

本実施形態では、図１に示すように、フレキシブル基板１は、基板表面側、即ち、基板上面側に設けられ、グランド配線（又は電源配線）となる上部グランド導体層２と、基板裏面側、即ち、基板下面側に設けられ、グランド配線（又は電源配線）となる下部グランド導体層３と、これらの間、即ち、基板内部に設けられ、信号配線となる信号導体層４とを備える。なお、図１中、符号１０は絶縁層である。

ここでは、上部グランド導体層２、下部グランド導体層３及び信号導体層４は、基板厚さ方向に積層された状態で設けられている。なお、信号導体層４は、１本だけ設けられていても良いし、フレキシブル基板１の幅方向に沿って複数本設けられていても良い。この場合、各信号導体層４の間にはグランド導体層が設けられることになる。
なお、上部グランド導体層２を、基板厚さ方向の一方の側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる一の外側導体層ともいう。また、下部グランド導体層３を、基板厚さ方向の一方の側の反対側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる他の外側導体層ともいう。また、信号導体層４を、一の外側導体層と他の外側導体層との間に設けられ、信号配線となる内側導体層ともいう。また、フレキシブル基板１を多層フレキシブル基板ともいう。

また、フレキシブル基板１は、その両端部に、それぞれ、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３が接続されるビア５、及び、信号導体層４が接続されるビア６を備える。ここでは、ビア５、６の上面及び下面が露出しており、これらのビア５、６が、例えば部品やコネクタと接続するための接続端子として機能するようになっている。なお、ビア５、６を層間接続ビアともいう。また、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３が接続されるビア５を、グランド（又は電源）用ビア又はグランド（又は電源）用接続端子ともいう。また、信号導体層４が接続されるビア６を、信号用ビア又は信号用接続端子ともいう。

また、フレキシブル基板１は、接続端子としてのビア５、６が設けられている端子領域（ビア領域）７と、各導体層２〜４がビアに接続される接続領域８と、信号が伝送する信号伝送領域９とを備える。ここでは、接続領域８と信号伝送領域９に、各導体層２〜４、即ち、上部グランド導体層２、信号導体層４及び下部グランド導体層３が設けられており、基板両端部で、端子領域７に設けられているグランド用接続端子５及び信号用接続端子６に接続されている。

ここでは、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３は、ビア５に接続される接続領域８以外の信号伝送領域９で、信号導体層４の全長にわたって連続的に延びている。これにより、高速信号の伝送特性が低下してしまうのを防止することができる。
また、ここでは、上部グランド導体層２は、信号伝送領域９の長さ方向の一方の側（図１中、左側）で、接続領域８よりも厚さが薄くなっており、信号伝送領域９の長さ方向の他方の側（図１中、右側）で、接続領域８と厚さが同じになっている。なお、図１では、厚さが厚い部分を３層分の厚さを有するものとし、厚さが薄い部分を１層分の厚さを有するものとしているが、これに限られるものではなく、厚い部分に対して薄い部分があれば良く、それぞれ、何層分の厚さであっても良いし、各層の厚さも同じであっても異なっていても良い。

このように、上部グランド導体層２は、信号伝送領域９で、部分的に、接続領域８よりも厚さが薄くなっている。これにより、端子領域７の近傍の接続領域８では、導体層２の厚さを厚くして信頼性を確保しながら、信号伝送領域９では、導体層２の厚さを薄くして屈曲性を向上させることができる。
また、ここでは、下部グランド導体層３は、信号伝送領域９の長さ方向の他方の側（図１中、右側）で、接続領域８よりも厚さが薄くなっており、信号伝送領域９の長さ方向の一方の側（図１中、左側）で、接続領域８と厚さが同じになっている。

このように、下部グランド導体層３は、信号伝送領域９で、部分的に、接続領域８よりも厚さが薄くなっている。これにより、端子領域７の近傍の接続領域８では、導体層３の厚さを厚くして信頼性を確保しながら、信号伝送領域９では、導体層３の厚さを薄くして屈曲性を向上させることができる。
上述のように、上部グランド導体層２を、信号伝送領域９の長さ方向の一方の側（図１中、左側）で、接続領域８よりも厚さが薄くなるようにし、かつ、下部グランド導体層３を、信号伝送領域９の長さ方向の他方の側（図１中、右側）で、接続領域８よりも厚さが薄くなるようにすると、上部グランド導体層２は、信号伝送領域９に、下部グランド導体層３よりも厚さが薄くなっている部分を有し、かつ、下部グランド導体層３は、信号伝送領域９に、上部グランド導体層２よりも厚さが薄くなっている部分を有することになる。

これにより、図２に示すように、フレキシブル基板１をＳ字状に２箇所で屈曲させて用いる場合に、屈曲性を向上させることができる。
ここでは、信号伝送領域９の長さ方向の一方の側では、上部グランド導体層２の厚さが下部グランド導体層３の厚さよりも薄くなっているため、上部グランド導体層２の側が凹状態になって屈曲しやすくなる。この場合、フレキシブル基板１は、信号伝送領域９の長さ方向の一方の側では、上部グランド導体層２の側が内周側になり、下部グランド導体層３の側が外周側になって、屈曲しやすくなる。このため、屈曲性を向上させることができる。

一方、信号伝送領域９の長さ方向の他方の側では、下部グランド導体層３の厚さが上部グランド導体層２の厚さよりも薄くなっているため、下部グランド導体層３の側が凹状態になって屈曲しやすくなる。この場合、フレキシブル基板１は、信号伝送領域９の長さ方向の他方の側では、下部グランド導体層３の側が内周側になり、上部グランド導体層２の側が外周側になって、屈曲しやすくなる。このため、屈曲性を向上させることができる。

なお、ここでは、フレキシブル基板１をＳ字状に２箇所で屈曲させやすくしているが、これに限られるものではなく、３箇所以上で屈曲させやすくしても良い。この場合、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３に、厚さが薄くなっている部分を３箇所以上設ければ良い。例えば、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３で、厚さが薄くなっている部分が、信号伝送領域９が延びる方向に沿って、交互に３箇所以上設けられるようにすれば良い。

次に、本実施形態にかかるフレキシブル基板の製造方法について説明する。
本実施形態のフレキシブル基板の製造方法は、上部グランド導体層（一の外側導体層）２と、下部グランド導体層（他の外側導体層）３と、信号導体層（内側導体層）４とを備えるフレキシブル基板の製造方法である。
本実施形態では、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３を、ビア５に接続される接続領域８以外の信号伝送領域９で、信号導体層４の全長にわたって連続的に延びるように設ける工程と、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の両方を、信号伝送領域９で、部分的に、接続領域８よりも厚さが薄くなるように処理する工程とを含む。

以下、具体的な構成及び製造方法に説明する。
まず、具体的な構成として、フレキシブル基板１は、例えばポリイミドや液晶ポリマなどからなるフィルム（絶縁層）と銅配線を積層した構造になっている。つまり、フレキシブル基板１は、上部グランド導体層２、下部グランド導体層３及び信号導体層４が、銅によって形成されており、これらが絶縁層１０の中に設けられている。また、絶縁層１０に形成された穴に設けられた銅及び穴の内部に充填された樹脂によってビア５、６が形成されている。

そして、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３としての銅配線は、信号伝送領域９で、信号導体層４の全長にわたって連続的に延びている。また、上部グランド導体層２としての銅配線の厚さが、信号伝送領域９の一部の領域で、接続領域８よりも薄くなっており、また、下部グランド導体層３としての銅配線の厚さが、信号伝送領域９の一部の領域で、接続領域８よりも薄くなっている。また、信号伝送領域９の長さ方向の一方の側（図１中、左側）では、上部グランド導体層２の厚さが下部グランド導体層３の厚さよりも薄くなっており、信号伝送領域９の長さ方向の他方の側（図１中、右側）では、下部グランド導体層３の厚さが上部グランド導体層２の厚さよりも薄くなっている。これにより、フレキシブル基板１は、端子領域７の近傍の接続領域８では、導体層の厚さを厚くして信頼性を確保しながら、信号伝送領域９では、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の厚さが薄くなっている部分で屈曲しやすくなっている。

このような構造を有するフレキシブル基板１を製造するためには、部分的なメッキ処理又は部分的なエッチング処理などの処理を行なうことによって、銅配線の厚さが一部の領域で薄くなるようにすれば良い。
ここで、上述のように構成しているのは、以下の理由による。
つまり、まず、フレキシブル基板においてストリップライン構造を選択した場合、３層の導体層が必要となるため、他の配線構造と比べて屈曲性が低下してしまう。

また、ビアはめっき工程で形成され、このビアを形成するためのメッキ工程で、上部グランド導体層及び下部グランド導体層の厚さが厚くなってしまい、屈曲性の更なる低下を引き起こすことになる。
そこで、上述のように、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３としての銅配線は、信号伝送領域９で、信号導体層４の全長にわたって連続的に延びているものとし、また、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３としての銅配線の厚さを、信号伝送領域９の一部の領域で、ビア５に接続される接続領域８よりも薄くしている。

これにより、本実施形態のフレキシブル基板１は、端子領域７の近傍の接続領域８では、導体層の厚さを厚くして信頼性を確保しながら、信号伝送領域９では、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の厚さが薄くなっている部分で屈曲しやすくすることができる。つまり、高速信号の伝送特性と屈曲性を両立させたフレキシブル基板１を実現することができる。

次に、具体的な製造方法を、図３、図４を参照しながら説明する。
まず、図３（Ａ）に示すように、両面に銅箔１１、１２を有するフィルム１３と、片面に銅箔１４を有するフィルム１５とを準備する。ここで、フィルム１３、１５の材料は、例えばポリイミドや液晶ポリマ（ＬＣＰ）などの絶縁材料である。ここでは、厚さが例えば約７ミクロンから約１８ミクロンの銅箔１１、１２、１４を片面又は両面に有する、厚さが約２５ミクロンから約１００ミクロン程度のフィルム１３、１５を、フレキシブル基板１の基材として準備する。なお、図３では、各工程の説明に必要な部分のみを図示している。

次に、図３（Ｂ）に示すように、両面に銅箔１１、１２を有するフィルム１３の片面の銅箔１２をパターニングして、信号配線となる信号導体層（内側導体層）４を形成する。これを、フィルムの銅層（導体層）１２をパターニングする工程という。
次に、図３（Ｃ）に示すように、このようにしてパターニングされた両面に銅箔１１、１２を有するフィルム１３と、片面に銅箔１４を有するフィルム１５とを、例えば厚さ約１０ミクロンから約４０ミクロンの接着フィルム１６を用いて貼り合せる。ここで、接着フィルム１６は、熱硬化性のエポキシ系樹脂を主成分とするものとし、この接着工程は、加圧と加熱によって行なえば良い。このようにして、フィルム１３、１５と銅箔１１、１２、１４とを積層させて、図３（Ｄ）に示すように、３層構造の銅箔１１、１２、１４を有する基板１７とする。これを、複数のフィルム１３、１５を積層して基板１７を形成する工程という。なお、これ以降の工程では、接着フィルム１６は図示していない。

次に、図３（Ｅ）に示すように、例えばドリル加工又はレーザ加工によって、約５０ミクロンから約１５０ミクロンの穴径で機械的に貫通穴１８を形成する。これを基板１７に貫通穴１８を形成する工程という。
次に、図３（Ｆ）に示すように、貫通穴１８の内壁、基板１７の表面及び裏面の全体に、例えば無電解のめっき処理を施して、第１銅層１９を形成する。これを貫通穴１８の内部に銅層（導体層）１９を形成する工程という。ここでは、基板１７の表面上及び裏面上では、銅箔１１、１４上に積層されて第１銅層１９が形成される。ここで、メッキ厚、即ち、第１銅層１９の厚さは、約１０ミクロンから約２０ミクロン程度とする。

次に、図３（Ｇ）に示すように、貫通穴１８の内部に樹脂２０を充填し、貫通穴１８を完全にふさぐ。これを、貫通穴１８の内部を樹脂２０で充填する工程という。ここでは、充填樹脂２０には、例えば、熱硬化性のエポキシ系樹脂を用い、これを貫通穴１８の内部に充填し、硬化させた後に、機械的な研磨によって、表面を平坦にする処理を施す。
次に、図４（Ａ）に示すように、充填樹脂２０の表面、即ち、充填樹脂２０の上下面を含む基板１７の表面及び裏面の全体に、例えば無電解のめっき処理を施して、第２銅層２１を形成する。これを、充填樹脂２０上を含む基板１７の最外層をメッキ処理する工程という。ここでは、充填樹脂２０の上下面上では、充填樹脂２０上に第２銅層２１が形成される。これにより、貫通穴１８に充填された充填樹脂２０の上下面が第２銅層２１で覆われて、ビア５（さらには図示していないビア６）が形成される。また、基板１７の表面上及び裏面上では、第１銅層１９上に積層されて第２銅層２１が形成される。これにより、基板１７の表面上及び裏面上に、銅箔１１、１４、第１銅層１９、第２銅層２１が積層されてなる３層構造の銅層２２が形成される。なお、図４では、ビア６は図示を省略している。

次に、基板１７の表面上及び裏面上に形成された３層構造の銅層２２を部分的にレジストで被覆し、図４（Ｂ）に示すように、被覆されていない領域の銅層２２の厚さをエッチング処理によって薄くする。これを基板１７に形成された銅層（導体層）２２の一部を薄くする工程という。この際、銅層２２の厚さ方向の全体をエッチングで除去するのではなく、エッチング処理液と処理時間を調整して、銅層２２の厚さ方向の一部が残るようにする。

その後、基板１７の表面上及び裏面上に形成された３層構造の銅層２２を、所望の形状にパターニングして、グランド配線となる上部グランド導体層（一の外側導体層）２及び下部グランド導体層（他の外側導体層）３を形成する。これを、基板１７の銅層（導体層）２２をパターニングする工程という。
このようにして、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３を、信号伝送領域９で、信号導体層４の全長にわたって連続的に延びるように形成する。また、上部グランド導体層２の厚さが、信号伝送領域９の一部の領域で、接続領域８よりも薄くなり、また、下部グランド導体層３の厚さが、信号伝送領域９の一部の領域で、接続領域８よりも薄くなるようにする。また、信号伝送領域９の長さ方向の一方の側（図１中、左側）では、上部グランド導体層２の厚さが下部グランド導体層３の厚さよりも薄くなり、信号伝送領域９の長さ方向の他方の側（図１中、右側）では、下部グランド導体層３の厚さが上部グランド導体層２の厚さよりも薄くなるようにする。

最後に、図４（Ｃ）に示すように、ビア５（さらには図示していないビア６）の上方及び下方の領域が開口したカバー層２３を基板１７の表面側及び裏面側に形成する。これを、カバー層２３を形成する工程という。ここで、カバー層２３の厚さは、約１０ミクロンから約５０ミクロンとし、その材料には、ポリイミド、ＬＣＰ、エポキシ等を主成分とした絶縁樹脂を用いる。

なお、ここでは、ビア５（さらには図示していないビア６）の上方及び下方の領域が開口したカバー層２３を設け、ビア５（さらには図示していないビア６）が接続端子として機能するようにしているが、これに限られるものではなく、ビアの上方及び下方以外の領域、例えば、ビアの上方及び下方の領域の近傍の領域が開口したカバー層を設けても良い。この場合、貫通穴１８の内部に樹脂２０を充填しなくても良く、その場合、上述の樹脂充填工程以降の工程は不要となる。つまり、貫通穴１８の内壁等にめっき処理を施して第１銅層及びビアを形成した後、ビアの上方及び下方の領域の近傍の領域が開口したカバー層を設ければ良い。この場合、カバー層の開口した部分に第１銅層が露出している部分が接続端子として機能することになり、ビアが設けられている位置と、接続端子として機能する部分が設けられている位置とがずれることになる。そして、ビア５に接続される接続領域８における上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の厚さよりも、信号伝送領域９における上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の厚さが薄くなっていることになる。

また、ここでは、ビア５、６を形成するのに、貫通穴１８に樹脂２０を充填しているが、これに限られるものではなく、貫通穴に樹脂を充填せずに、銅を埋め込んでビアを形成するようにしても良い。
また、ここでは、ビア５、６の上方及び下方の領域が開口したカバー層２３を設けているが、これに限られるものではなく、ビアの上方及び下方のいずれか一方が開口したカバー層を設けても良い。この場合、ビアの上面及び下面のいずれか一方が接続端子として機能することになる。

また、ここでは、厚さが厚い部分を３層分の厚さを有するものとし、厚さが薄い部分を１層分の厚さを有するものとしているが、これに限られるものではなく、厚い部分に対して薄い部分があれば良く、それぞれ、何層分の厚さであっても良いし、各層の厚さも同じであっても異なっていても良い。
したがって、本実施形態にかかるフレキシブル基板及びその製造方法並びに電子装置によれば、高速信号の伝送特性の低下を招くことなく、屈曲性を向上させたフレキシブル基板１を実現することができるという利点がある。つまり、高速信号の伝送特性を良好に保ったまま、屈曲性に優れたフレキシブル基板１を実現することができるという利点がある。

なお、上述の実施形態では、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の両方が、信号伝送領域９で、部分的に、接続領域８よりも厚さが薄くなっているものとしているが、これに限られるものではなく、上部グランド導体層（一の外側導体層）及び下部グランド導体層（他の外側導体層）の一方が、信号伝送領域で、少なくとも部分的に、接続領域よりも厚さが薄くなっていれば良い。また、上部グランド導体層（一の外側導体層）及び下部グランド導体層（他の外側導体層）の一方が、信号伝送領域に、上部グランド導体層及び下部グランド導体層の他方よりも厚さが薄くなっている部分を有するものとすれば良い。

この場合、製造方法は、上部グランド導体層（一の外側導体層）及び下部グランド導体層（他の外側導体層）の一方を、信号伝送領域で、少なくとも部分的に、接続領域よりも厚さが薄くなるように処理する工程を含むものとすれば良い。また、上部グランド導体層（一の外側導体層）及び下部グランド導体層（他の外側導体層）の一方を、信号伝送領域に、上部グランド導体層及び下部グランド導体層の他方よりも厚さが薄くなっている部分を有するように処理する工程を含むものとすれば良い。

例えば図５に示すように、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の一方（ここでは上部グランド導体層２）が、信号伝送領域９で、部分的に、接続領域８よりも厚さが薄くなっているものとしても良い。この場合、製造方法は、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の一方を、信号伝送領域９で、部分的に、接続領域８よりも厚さが薄くなるように処理する工程を含むものとすれば良い。また、この場合、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の一方が、信号伝送領域９に、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の他方よりも厚さが薄くなっている部分を有するものとなる。この場合、製造方法は、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の一方を、信号伝送領域９に、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の他方よりも厚さが薄くなっている部分を有するように処理する工程を含むものとすれば良い。なお、図５では、厚さが厚い部分を３層分の厚さを有するものとし、厚さが薄い部分を１層分の厚さを有するものとしているが、これに限られるものではなく、厚い部分に対して薄い部分があれば良く、それぞれ、何層分の厚さであっても良いし、各層の厚さも同じであっても異なっていても良い。

また、例えば図６に示すように、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の一方（ここでは上部グランド導体層２）が、信号伝送領域９で、全体的に、接続領域８よりも厚さが薄くなっているものとしても良い。この場合、製造方法は、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の一方を、信号伝送領域９で、全体的に、接続領域８よりも厚さが薄くなるように処理する工程を含むものとすれば良い。また、この場合、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の一方が、信号伝送領域９に、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の他方よりも厚さが薄くなっている部分を有するものとなる。この場合、製造方法は、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の一方を、信号伝送領域９に、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の他方よりも厚さが薄くなっている部分を有するように処理する工程を含むものとすれば良い。なお、図６では、厚さが厚い部分を３層分の厚さを有するものとし、厚さが薄い部分を１層分の厚さを有するものとしているが、これに限られるものではなく、厚い部分に対して薄い部分があれば良く、それぞれ、何層分の厚さであっても良いし、各層の厚さも同じであっても異なっていても良い。

また、例えば図７に示すように、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の両方が、信号伝送領域９で、全体的に、接続領域８よりも厚さが薄くなっているものとしても良い。この場合、製造方法は、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の両方を、信号伝送領域９で、全体的に、接続領域８よりも厚さが薄くなるように処理する工程を含むものとすれば良い。なお、図７では、厚さが厚い部分を３層分の厚さを有するものとし、厚さが薄い部分を１層分の厚さを有するものとしているが、これに限られるものではなく、厚い部分に対して薄い部分があれば良く、それぞれ、何層分の厚さであっても良いし、各層の厚さも同じであっても異なっていても良い。

また、上述の実施形態及び変形例では、上部グランド導体層（一の外側導体層）２及び下部グランド導体層（他の外側導体層）３の一方を、信号伝送領域９で、少なくとも部分的に、接続領域８よりも厚さが薄くなっているものとし、また、上部グランド導体層（一の外側導体層）２及び下部グランド導体層（他の外側導体層）３の一方を、信号伝送領域９に、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の他方よりも厚さが薄くなっている部分を有するものとしているが、これらに限られるものではない。

例えば図８に示すように、上部グランド導体層（一の外側導体層）２及び下部グランド導体層（他の外側導体層）３の一方（ここでは上部グランド導体層２）を、信号伝送領域９に、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の他方（ここでは下部グランド導体層３）よりも幅が狭くなっている部分を有するものとしても良い。また、上部グランド導体層（一の外側導体層）２及び下部グランド導体層（他の外側導体層）３の他方を、信号伝送領域９に、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の一方よりも幅が狭くなっている部分を有するものとしても良い。つまり、上述の実施形態及び変形例のものにおいて、厚さが薄くなっている部分を、幅が狭くなっている部分に置き換えても良い。このように、信号伝送領域９で、信号導体層４の上下に位置する上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の幅を、互いに異なるようにしても良い。これにより、端子領域７の近傍の接続領域８では、導体層の厚さを厚くして信頼性を確保しながら、信号伝送領域９では、導体層の幅を狭くして屈曲性を向上させることができる。また、上部グランド導体層２と下部グランド導体層３とで幅が異なる場合、フレキシブル基板１は、幅が狭くなっている側が凹状態になって屈曲しやすくなる。この場合、フレキシブル基板１は、幅が狭くなっている側が内周側になり、幅が広くなっている側が外周側になって、屈曲しやすくなる。このため、屈曲性を向上させることができる。なお、図８では、厚さが厚い部分を３層分の厚さを有するものとし、厚さが薄い部分を１層分の厚さを有するものとしているが、これに限られるものではなく、厚い部分に対して薄い部分があれば良く、それぞれ、何層分の厚さであっても良いし、各層の厚さも同じであっても異なっていても良い。

この場合、製造方法は、上部グランド導体層（一の外側導体層）２及び下部グランド導体層（他の外側導体層）３の一方を、信号伝送領域９に、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の他方よりも幅が狭くなっている部分を有するように処理する工程を含むものとすれば良い。また、製造方法は、上部グランド導体層（一の外側導体層）２及び下部グランド導体層（他の外側導体層）３の他方を、信号伝送領域９に、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の一方よりも幅が狭くなっている部分を有するように処理する工程を含むものとすれば良い。

また、例えば図９に示すように、上部グランド導体層（一の外側導体層）２及び下部グランド導体層（他の外側導体層）３の一方（ここでは上部グランド導体層２）を、信号伝送領域９に、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の他方（ここでは下部グランド導体層３）よりも厚さが薄くなっており、かつ、幅が狭くなっている部分を有するものとしても良い。また、上部グランド導体層（一の外側導体層）２及び下部グランド導体層（他の外側導体層）３の他方を、信号伝送領域９に、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の一方よりも厚さが薄くなっており、かつ、幅が狭くなっている部分を有するものとしても良い。つまり、上述の実施形態及び変形例のものにおいて、厚さが薄くなっている部分の幅が狭くなっているものとしても良い。なお、図９では、厚さが厚い部分を３層分の厚さを有するものとし、厚さが薄い部分を１層分の厚さを有するものとしているが、これに限られるものではなく、厚い部分に対して薄い部分があれば良く、それぞれ、何層分の厚さであっても良いし、各層の厚さも同じであっても異なっていても良い。

この場合、製造方法は、上部グランド導体層（一の外側導体層）２及び下部グランド導体層（他の外側導体層）３の一方を、信号伝送領域９に、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の他方よりも厚さが薄くなっており、かつ、幅が狭くなっている部分を有するように処理する工程を含むものとすれば良い。また、製造方法は、上部グランド導体層（一の外側導体層）２及び下部グランド導体層（他の外側導体層）３の他方を、信号伝送領域９に、上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３の一方よりも厚さが薄くなっており、かつ、幅が狭くなっている部分を有するように処理する工程を含むものとすれば良い。

なお、幅が狭くなっている部分を有するように処理する工程、又は、厚さが薄くなっており、かつ、幅が狭くなっている部分を有するように処理する工程は、上述の実施形態の製造方法において、基板１７の表面上及び裏面上に形成された３層構造の銅層２２を、所望の形状にパターニングして、グランド配線となる上部グランド導体層（一の外側導体層）２及び下部グランド導体層（他の外側導体層）３を形成する工程に含めれば良い。つまり、上述の実施形態の製造方法において、図１０（Ａ）に示すように、基板１７の表面上及び裏面上に３層構造の銅層２２を形成した後、図１０（Ｂ）に示すように、基板１７の表面上及び裏面上に形成された３層構造の銅層２２を、所望の形状にパターニングして、グランド配線となる上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３を形成する際に、信号導体層４の上下に位置する上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３となる銅層２２の幅が互いに異なる幅になるようにパターニングして、グランド配線となる上部グランド導体層２及び下部グランド導体層３を形成すれば良い。そして、図１０（Ｃ）に示すように、カバー層２３を基板１７の表面側及び裏面側に形成すれば良い。なお、図１０では、厚さが厚い部分を３層分の厚さを有するものとし、厚さが薄い部分を１層分の厚さを有するものとしているが、これに限られるものではなく、厚い部分に対して薄い部分があれば良く、それぞれ、何層分の厚さであっても良いし、各層の厚さも同じであっても異なっていても良い。

また、ここでは、信号導体層４を１本だけ設ける場合を例に挙げて説明しているが、これに限られるものではなく、信号導体層４を、フレキシブル基板１の幅方向に沿って複数本設けても良い。この場合、幅が狭くなっている部分の幅の範囲内に複数本の信号導体層が設けられるようにすれば良い。
なお、本発明は、上述した実施形態及び変形例に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。

以下、上述の実施形態及び変形例に関し、更に、付記を開示する。
（付記１）
基板厚さ方向の一方の側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる一の外側導体層と、
基板厚さ方向の前記一方の側の反対側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる他の外側導体層と、
前記一の外側導体層と前記他の外側導体層との間に設けられ、信号配線となる内側導体層と、
前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層が接続されるビアとを備え、
前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層は、ビアに接続される接続領域以外の信号伝送領域で、前記内側導体層の全長にわたって連続的に延びており、
前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の一方は、前記信号伝送領域で、少なくとも部分的に、前記接続領域よりも厚さが薄くなっていることを特徴とするフレキシブル基板。

（付記２）
基板厚さ方向の一方の側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる一の外側導体層と、
基板厚さ方向の前記一方の側の反対側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる他の外側導体層と、
前記一の外側導体層と前記他の外側導体層との間に設けられ、信号配線となる内側導体層と、
前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層が接続されるビアとを備え、
前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層は、ビアに接続される接続領域以外の信号伝送領域で、前記内側導体層の全長にわたって連続的に延びており、
前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の一方は、前記信号伝送領域に、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の他方よりも厚さが薄くなっている部分を有することを特徴とするフレキシブル基板。

（付記３）
基板厚さ方向の一方の側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる一の外側導体層と、
基板厚さ方向の前記一方の側の反対側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる他の外側導体層と、
前記一の外側導体層と前記他の外側導体層との間に設けられ、信号配線となる内側導体層と、
前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層が接続されるビアとを備え、
前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層は、ビアに接続される接続領域以外の信号伝送領域で、前記内側導体層の全長にわたって連続的に延びており、
前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の一方は、前記信号伝送領域に、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の他方よりも幅が狭くなっている部分を有することを特徴とするフレキシブル基板。

（付記４）
前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の他方は、前記信号伝送領域で、少なくとも部分的に、前記接続領域よりも厚さが薄くなっていることを特徴とする、付記１に記載のフレキシブル基板。
（付記５）
前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の他方は、前記信号伝送領域に、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の一方よりも厚さが薄くなっている部分を有することを特徴とする、付記２に記載のフレキシブル基板。

（付記６）
前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の一方は、前記信号伝送領域に、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の他方よりも厚さが薄くなっており、かつ、幅が狭くなっている部分を有することを特徴とする、付記２に記載のフレキシブル基板。
（付記７）
前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の他方は、前記信号伝送領域に、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の一方よりも厚さが薄くなっており、かつ、幅が狭くなっている部分を有することを特徴とする、付記５に記載のフレキシブル基板。

（付記８）
前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の他方は、前記信号伝送領域に、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の一方よりも幅が狭くなっている部分を有することを特徴とする、付記３に記載のフレキシブル基板。
（付記９）
基板厚さ方向の一方の側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる一の外側導体層と、基板厚さ方向の前記一方の側の反対側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる他の外側導体層と、前記一の外側導体層と前記他の外側導体層との間に設けられ、信号配線となる内側導体層と、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層が接続されるビアとを備えるフレキシブル基板の製造方法であって、
前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層を、ビアに接続される接続領域以外の信号伝送領域で、前記内側導体層の全長にわたって連続的に延びるように設ける工程と、
前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の一方を、前記信号伝送領域で、少なくとも部分的に、前記接続領域よりも厚さが薄くなるように処理する工程とを含むことを特徴とするフレキシブル基板の製造方法。

（付記１０）
基板厚さ方向の一方の側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる一の外側導体層と、基板厚さ方向の前記一方の側の反対側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる他の外側導体層と、前記一の外側導体層と前記他の外側導体層との間に設けられ、信号配線となる内側導体層と、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層が接続されるビアとを備えるフレキシブル基板の製造方法であって、
前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層を、ビアに接続される接続領域以外の信号伝送領域で、前記内側導体層の全長にわたって連続的に延びるように設ける工程と、
前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の一方を、前記信号伝送領域に、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の他方よりも厚さが薄くなっている部分を有するように処理する工程とを含むことを特徴とするフレキシブル基板の製造方法。

（付記１１）
基板厚さ方向の一方の側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる一の外側導体層と、基板厚さ方向の前記一方の側の反対側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる他の外側導体層と、前記一の外側導体層と前記他の外側導体層との間に設けられ、信号配線となる内側導体層と、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層が接続されるビアとを備えるフレキシブル基板の製造方法であって、
前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層を、ビアに接続される接続領域以外の信号伝送領域で、前記内側導体層の全長にわたって連続的に延びるように設ける工程と、
前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の一方を、前記信号伝送領域に、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の他方よりも幅が狭くなっている部分を有するように処理する工程とを含むことを特徴とするフレキシブル基板の製造方法。

（付記１２）
前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の他方を、前記信号伝送領域で、少なくとも部分的に、前記接続領域よりも厚さが薄くなるように処理する工程を含むことを特徴とする、付記９に記載のフレキシブル基板の製造方法。
（付記１３）
前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の他方を、前記信号伝送領域に、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の一方よりも厚さが薄くなっている部分を有するように処理する工程を含むことを特徴とする、付記１０に記載のフレキシブル基板の製造方法。

（付記１４）
前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の一方を、前記信号伝送領域に、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の他方よりも厚さが薄くなっており、かつ、幅が狭くなっている部分を有するように処理する工程を含むことを特徴とする、付記１０に記載のフレキシブル基板の製造方法。

（付記１５）
前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の他方を、前記信号伝送領域に、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の一方よりも厚さが薄くなっており、かつ、幅が狭くなっている部分を有するように処理する工程を含むことを特徴とする、付記１３に記載のフレキシブル基板の製造方法。

（付記１６）
前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の他方を、前記信号伝送領域に、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の一方よりも幅が狭くなっている部分を有するように処理する工程を含むことを特徴とする、付記１１に記載のフレキシブル基板の製造方法。
（付記１７）
付記１〜８のいずれか１項に記載のフレキシブル基板を備えることを特徴とする電子装置。

１ フレキシブル基板
２ 上部グランド導体層（一の外側導体層）
３ 下部グランド導体層（他の外側導体層）
４ 信号導体層（内側導体層）
５、６ ビア
７ 端子領域（ビア領域）
８ 接続領域
９ 信号伝送領域
１０ 絶縁層
１１、１２ 銅箔
１３ フィルム
１４ 銅箔
１５ フィルム
１６ 接着フィルム
１７ 基板
１８ 貫通穴
１９ 第１銅層
２０ 樹脂
２１ 第２銅層
２２ ３層構造の銅層
２３ カバー層

Claims (12)

1. 基板厚さ方向の一方の側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる一の外側導体層と、
   基板厚さ方向の前記一方の側の反対側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる他の外側導体層と、
   前記一の外側導体層と前記他の外側導体層との間に設けられ、信号配線となる内側導体層と、
   前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層が接続されるビアとを備え、
   前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層は、前記ビアに接続される接続領域以外の信号伝送領域で、前記内側導体層の全長にわたって連続的に延びており、
   前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の一方は、前記信号伝送領域で、少なくとも部分的に、前記接続領域よりも厚さが薄くなっていることを特徴とするフレキシブル基板。
2. 基板厚さ方向の一方の側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる一の外側導体層と、
   基板厚さ方向の前記一方の側の反対側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる他の外側導体層と、
   前記一の外側導体層と前記他の外側導体層との間に設けられ、信号配線となる内側導体層と、
   前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層が接続されるビアとを備え、
   前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層は、前記ビアに接続される接続領域以外の信号伝送領域で、前記内側導体層の全長にわたって連続的に延びており、
   前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の一方は、前記信号伝送領域に、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の他方よりも厚さが薄くなっている部分を有することを特徴とするフレキシブル基板。
3. 基板厚さ方向の一方の側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる一の外側導体層と、
   基板厚さ方向の前記一方の側の反対側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる他の外側導体層と、
   前記一の外側導体層と前記他の外側導体層との間に設けられ、信号配線となる内側導体層と、
   前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層が接続されるビアとを備え、
   前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層は、前記ビアに接続される接続領域以外の信号伝送領域で、前記内側導体層の全長にわたって連続的に延びており、
   前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の一方は、前記信号伝送領域に、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の他方よりも幅が狭くなっている部分を有することを特徴とするフレキシブル基板。
4. 前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の他方は、前記信号伝送領域で、少なくとも部分的に、前記接続領域よりも厚さが薄くなっていることを特徴とする、請求項１に記載のフレキシブル基板。
5. 前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の他方は、前記信号伝送領域に、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の一方よりも厚さが薄くなっている部分を有することを特徴とする、請求項２に記載のフレキシブル基板。
6. 前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の一方は、前記信号伝送領域に、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の他方よりも厚さが薄くなっており、かつ、幅が狭くなっている部分を有することを特徴とする、請求項２に記載のフレキシブル基板。
7. 前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の他方は、前記信号伝送領域に、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の一方よりも厚さが薄くなっており、かつ、幅が狭くなっている部分を有することを特徴とする、請求項５に記載のフレキシブル基板。
8. 前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の他方は、前記信号伝送領域に、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の一方よりも幅が狭くなっている部分を有することを特徴とする、請求項３に記載のフレキシブル基板。
9. 基板厚さ方向の一方の側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる一の外側導体層と、基板厚さ方向の前記一方の側の反対側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる他の外側導体層と、前記一の外側導体層と前記他の外側導体層との間に設けられ、信号配線となる内側導体層と、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層が接続されるビアとを備えるフレキシブル基板の製造方法であって、
   前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層を、前記ビアに接続される接続領域以外の信号伝送領域で、前記内側導体層の全長にわたって連続的に延びるように設ける工程と、
   前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の一方を、前記信号伝送領域で、少なくとも部分的に、前記接続領域よりも厚さが薄くなるように処理する工程とを含むことを特徴とするフレキシブル基板の製造方法。
10. 基板厚さ方向の一方の側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる一の外側導体層と、基板厚さ方向の前記一方の側の反対側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる他の外側導体層と、前記一の外側導体層と前記他の外側導体層との間に設けられ、信号配線となる内側導体層と、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層が接続されるビアとを備えるフレキシブル基板の製造方法であって、
    前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層を、前記ビアに接続される接続領域以外の信号伝送領域で、前記内側導体層の全長にわたって連続的に延びるように設ける工程と、
    前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の一方を、前記信号伝送領域に、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の他方よりも厚さが薄くなっている部分を有するように処理する工程とを含むことを特徴とするフレキシブル基板の製造方法。
11. 基板厚さ方向の一方の側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる一の外側導体層と、基板厚さ方向の前記一方の側の反対側に設けられ、電源配線又はグランド配線となる他の外側導体層と、前記一の外側導体層と前記他の外側導体層との間に設けられ、信号配線となる内側導体層と、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層が接続されるビアとを備えるフレキシブル基板の製造方法であって、
    前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層を、前記ビアに接続される接続領域以外の信号伝送領域で、前記内側導体層の全長にわたって連続的に延びるように設ける工程と、
    前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の一方を、前記信号伝送領域に、前記一の外側導体層及び前記他の外側導体層の他方よりも幅が狭くなっている部分を有するように処理する工程とを含むことを特徴とするフレキシブル基板の製造方法。
12. 請求項１〜８のいずれか１項に記載のフレキシブル基板を備えることを特徴とする電子装置。