JP4716819B2 - インターポーザの製造方法 - Google Patents
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Description
無機材料からなる平板状の基体と、該基体を貫通して形成された1個もしくはそれ以上のスルーホールに埋め込まれた導体からなる貫通配線と、前記基体の表面に予め定められたパターンで形成されるともに、前記貫通配線を介して電気的に導通された上部配線及び(又は)下部配線とを有しており、そして
前記貫通配線、上部配線及び下部配線は、それぞれ、前記基体の配線形成部位に少なくとも適用された絶縁材料の層に一括してあるいは順を追って付形された配線予備パターンの上に形成されており、かつ前記配線予備パターンの形成に使用された金型そのものからなるかもしくは、前記金型の微細構造パターンの転写により前記絶縁材料の層に形成された配線予備パターンの上に印刷、めっきもしくは蒸着によって適用された配線材料の層からなることを特徴とするインターポーザにある。
前記基体の配線形成部位に絶縁材料を少なくとも適用し、得られた絶縁材料の層に一括してあるいは順を追って配線予備パターンを付形した後、その配線予備パターンの上に前記貫通配線、上部配線及び下部配線を形成し、かつ、その際、前記配線予備パターンの形成に金型を使用し、使用された金型そのものを前記貫通配線、上部配線及び下部配線として利用するかもしくは、前記金型の微細構造パターンの転写により前記絶縁材料の層に付形された配線予備パターンの上に配線材料を印刷、めっきもしくは蒸着によって適用して前記貫通配線、上部配線及び下部配線を形成することを特徴とするインターポーザの製造方法にある。
無機材料からなる平板状の基体を作製し、
前記基体の貫通配線形成部位に1個もしくはそれ以上のスルーホールを形成し、
絶縁材料を前記スルーホールに充填するとともに、前記基体の表面に所定の厚さで塗布して絶縁材料の層を形成し、
配線パターンに対応する微細な凹凸構造パターンを表面に有するナノ金型を前記絶縁材料の層に押し付けることによって前記凹凸構造パターンを前記絶縁材料の層に転写し、
前記ナノ金型を前記基体から分離して前記絶縁材料の層に付形された配線予備パターンを得、そして
前記配線予備パターンの上に配線材料を印刷、めっきもしくは蒸着によって適用して前記貫通配線、上部配線及び下部配線を形成すること
によって有利に実施することができる。ここで、平板状の基体は、必要ならば、肉厚のものを準備し、バックグラインディングによって背面研磨を行い、所要の厚さに調整してもよい。
無機材料からなる平板状の基体を作製し、
絶縁材料を前記基体の表面に所定の厚さで塗布して第1の絶縁材料の層を形成し、
第1の配線パターンに対応する微細な凹凸構造パターンを表面に有する第1のナノ金型を前記第1の絶縁材料の層に押し付けることによって、前記凹凸構造パターンを前記第1の絶縁材料の層に転写して第1の配線予備パターンを付形し、
前記基体の貫通配線形成部位に1個もしくはそれ以上のスルーホールを形成し、
前記基体の第1の絶縁材料の層とは反対側の表面に絶縁材料を所定の厚さで塗布して、その絶縁材料で前記スルーホールを充填するとともに第2の絶縁材料の層を形成し、
第2の配線パターンに対応する微細な凹凸構造パターンを表面に有する第2のナノ金型を前記第2の絶縁材料の層に押し付けることによって前記凹凸構造パターンを前記第2の絶縁材料の層に転写し、
前記第2のナノ金型を前記基体から分離して前記第2の絶縁材料の層に付形された第2の配線予備パターンを得、そして
前記第1及び第2の配線予備パターンの上に配線材料を印刷、めっきもしくは蒸着によって適用して前記貫通配線、上部配線及び下部配線を形成すること
によって有利に実施することができる。ここで、平板状の基体は、必要ならば、肉厚のものを準備し、バックグラインディングによって背面研磨を行い、所要の厚さに調整してもよい。また、第2の絶縁材料の層の形成に使用される絶縁材料は、所望ならば第1の絶縁材料の層の形成に使用された絶縁材料とは異なっていてもよいが、得られる絶縁性や製造コストなどの面から、第1及び第2の絶縁材料の層は同一の絶縁材料から形成するのが好ましい。
(1)インプリント技術による、配線予備パターンを有する層間絶縁樹脂層33の形成、
(2)層間絶縁樹脂層33の所定の部位におけるビアホールの形成、
(3)銅インクのインクジェット印刷による、貫通配線35及び上部配線36の形成、
(4)ソルダーレジストによるパッシベーション膜の形成(ポリイミド膜やSiN膜であってもよい)、及び
(5)ボード接続端子(はんだボール)の形成。
本例では、図1に示した半導体装置用インターポーザの製造を図4及び図5を参照して説明する。
本例では、図2に示した半導体装置用インターポーザの製造を図6〜図8を参照して説明する。
3 絶縁材料の層
5 貫通配線
6 上部配線
10 インターポーザ
20 インターポーザ
30 インターポーザ
Claims (7)
- 配線基板と、該配線基板に搭載される電子素子との間に介挿されて電子装置を構成するために用いられるインターポーザであって、シリコンからなる平板状の基体と、該基体を貫通して形成された1個もしくはそれ以上のスルーホールに埋め込まれた導体からなる貫通配線と、前記基体のそれぞれの表面に予め定められたパターンで形成されるともに、前記貫通配線を介して電気的に導通された上部配線及び、又は下部配線とを有しているインターポーザを製造するに当たって、
シリコンからなる平板状の基体を作製し、
前記基体の貫通配線形成部位に1個もしくはそれ以上のスルーホールを形成し、
絶縁材料を前記スルーホールに充填するとともに、前記基体の表面に所定の厚さで塗布して絶縁材料の層を形成し、
配線パターンに対応する微細な凹凸構造パターンを表面に有するナノ金型を前記絶縁材料の層に押し付けることによって前記凹凸構造パターンを前記絶縁材料の層に転写し、
前記ナノ金型を前記基体から分離して前記絶縁材料の層に付形された配線予備パターンを得、そして
前記配線予備パターンの上に配線材料を印刷、めっきもしくは蒸着によって適用して前記貫通配線、上部配線及び下部配線を形成することを特徴とするインターポーザの製造方法。 - 前記配線予備パターンを、配線パターンに対応する微細な凹凸構造パターンを表面に有するナノ金型を前記絶縁材料の層に押し付け、前記凹凸構造パターンを前記絶縁材料の層に転写するナノインプリント技術によって付形することを特徴とする請求項1に記載のインターポーザの製造方法。
- 前記貫通配線、上部配線及び、又は下部配線を、前記配線材料のスクリーン印刷、インクジェット印刷又はその組み合わせによって形成することを特徴とする請求項1又は2に記載のインターポーザの製造方法。
- 配線基板と、該配線基板に搭載される電子素子との間に介挿されて電子装置を構成するために用いられるインターポーザであって、シリコンからなる平板状の基体と、該基体を貫通して形成された1個もしくはそれ以上のスルーホールに埋め込まれた導体からなる貫通配線と、前記基体のそれぞれの表面に予め定められたパターンで形成されるともに、前記貫通配線を介して電気的に導通された上部配線及び、又は下部配線とを有しているインターポーザを製造するに当たって、
シリコンからなる平板状の基体を作製し、
絶縁材料を前記基体の表面に所定の厚さで塗布して第1の絶縁材料の層を形成し、
第1の配線パターンに対応する微細な凹凸構造パターンを表面に有する第1のナノ金型を前記第1の絶縁材料の層に押し付けることによって、前記凹凸構造パターンを前記第1の絶縁材料の層に転写して第1の配線予備パターンを付形し、
前記基体の貫通配線形成部位に1個もしくはそれ以上のスルーホールを形成し、
前記基体の第1の絶縁材料の層とは反対側の表面に絶縁材料を所定の厚さで塗布して、その絶縁材料で前記スルーホールを充填するとともに第2の絶縁材料の層を形成し、
第2の配線パターンに対応する微細な凹凸構造パターンを表面に有する第2のナノ金型を前記第2の絶縁材料の層に押し付けることによって前記凹凸構造パターンを前記第2の絶縁材料の層に転写し、
前記第2のナノ金型を前記基体から分離して前記第2の絶縁材料の層に付形された第2の配線予備パターンを得、そして
前記第1及び第2の配線予備パターンの上に配線材料を印刷、めっきもしくは蒸着によって適用して前記貫通配線、上部配線及び下部配線を形成することを特徴とするインターポーザの製造方法。 - 前記配線予備パターンを、配線パターンに対応する微細な凹凸構造パターンを表面に有するナノ金型を前記絶縁材料の層に押し付け、前記凹凸構造パターンを前記絶縁材料の層に転写するナノインプリント技術によって付形することを特徴とする請求項4に記載のインターポーザの製造方法。
- 前記貫通配線、上部配線及び、又は下部配線を、前記配線材料のスクリーン印刷、インクジェット印刷又はその組み合わせによって形成することを特徴とする請求項4又は5に記載のインターポーザの製造方法。
- 前記基体の作製工程に続く一連の加工工程を反復して前記基体の表面に複数の配線層が絶縁層を介して積層された多層構造体を形成することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のインターポーザの製造方法。
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