JP6852404B2 - インターポーザー及びその製造方法、並びに、インターポーザーを備える半導体装置 - Google Patents
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Description
Hp≦H1 ・・・(1)
なお、高さH1は、第1基板面11a上における積層構造において、第1基板面11aからの距離が最大となる位置で定義される。また、配線構造の最も外側の層は、図1のような樹脂層の場合もあり得るし、他の材料の層の場合もあり得る。
1mm≦L1≦10mm ・・・(2)
なお、距離L1は、第1基板面11a上に形成される積層構造の周囲のうち、保護部材21の端部との距離が最小の位置で定義される。また、図1は、第1基板面11a上に形成される構造の端部が樹脂層18の場合を示すが、これ限定されず、他の材料の層の端部の場合もあり得る。
Hp≦H2+10μm ・・・(3)
なお、高さH2は、基板11の第1基板面11aから第2導電層14の下面までの高さで定義される。これは、基板11上の積層構造では複数の絶縁層が積層される場合があり、第1絶縁層13と他の絶縁層との境界を特定することが難しい場合があるためである。
Hp≦H2 ・・・(4)
θ1≦120° ・・・(5)
この構成によれば、図7(b)に示すように、下地層27と電解めっき用シード層29とが分断されることなく、治具30による下地層27への通電が可能となる。これにより、めっき層が成長し、第1導電層12を形成することが可能となる。
11 …基板
12 …第1導電層
13 …第1絶縁層
14 …第2導電層
15 …貫通孔
16 …貫通電極
17 …第3導電層
18 …樹脂層
19 …ビアホール
20 …接続部
21 …保護部材
22 …保護部材の第1部分
23 …保護部材の第2部分
24 …保護部材の第3部分
40 …バンプ
41 …配線基板
42 …半導体チップ
Claims (11)
- 第1基板面と、前記第1基板面に対して反対の側の第2基板面と、前記第1基板面と前記第2基板面とを接続する第3基板面とを有する基板と、
前記第1基板面と前記第2基板面とを導通する貫通電極と、
前記第1基板面に配置され、前記貫通電極と電気的に接続された第1導電層と、
前記第1導電層の上に配置された絶縁層と、
前記絶縁層の上に配置された第2導電層と、を備え、
前記基板の外周の少なくとも一部に保護部材が配置されており、
前記保護部材の端部から前記第1基板面上に形成された構造の端部までの距離をL 1 としたとき、
1mm≦L 1 ≦10mm
である、インターポーザー。 - 前記保護部材は、前記第1基板面の端部を覆う第1部分と、前記第2基板面の端部を覆う第2部分と、前記第3基板面の少なくとも一部を覆う第3部分とを有する、請求項1に記載のインターポーザー。
- 前記第1基板面における前記保護部材の高さをHpとし、前記基板から前記基板上に形成された構造の最も外側の層までの高さをH1としたとき、
Hp≦H1
である、請求項1又は2に記載のインターポーザー。 - 前記基板から前記絶縁層の上面までの高さをH2としたとき、
Hp≦H2+10μm
である、請求項3に記載のインターポーザー。 - Hp≦H2である、請求項4に記載のインターポーザー。
- 前記保護部材が、前記基板と接触する第1面と、前記第1面と反対側の第2面と、前記第1面と前記第2面とを接続する第3面とを有し、
前記第1基板面と前記保護部材の前記第3面とのなす角度をθ1としたとき、
θ1≦120°
である、請求項1〜5のいずれか一項に記載のインターポーザー。 - 前記基板の前記第1基板面と前記第3基板面との間、及び、前記基板の前記第2基板面と前記第3基板面との間が、ラウンド形状または直線状の断面を有する、請求項1〜6のいずれか一項に記載のインターポーザー。
- 前記基板がガラス基板を含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載のインターポーザー。
- 請求項1〜8のいずれか1項記載のインターポーザーと、
前記インターポーザーの前記基板の前記第1基板面側に配置され、前記貫通電極と電気的に接続された半導体チップと、
前記基板の前記第2基板面側に配置され、前記貫通電極と電気的に接続された配線基板と、を有する、半導体装置。 - 第1基板面と、前記第1基板面に対して反対の側の第2基板面と、前記第1基板面と前記第2基板面とを接続する第3基板面とを有する基板であって、前記第1基板面と前記第2基板面を接続する貫通孔を有する前記基板を準備する工程と、
前記基板の外周の少なくとも一部に保護部材を配置する工程と、
前記第1基板面と前記第2基板面とを導通する貫通電極を形成する工程と、
前記第1基板面に配置され、前記貫通電極と電気的に接続された第1導電層を形成する工程と、
前記第1導電層の上に配置された絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上に配置された第2導電層を形成する工程と、を含み、
前記保護部材の端部から前記第1基板面上に形成された構造の端部までの距離をL 1 としたとき、
1mm≦L 1 ≦10mm
である、インターポーザーの製造方法。 - 第1基板面と、前記第1基板面に対して反対の側の第2基板面と、前記第1基板面と前記第2基板面とを接続する第3基板面とを有する基板を準備する工程と、
前記基板の外周の少なくとも一部に保護部材を配置する工程と、
前記基板に前記保護部材が配置された後、前記第1基板面と前記第2基板面を接続する貫通孔を形成する工程と、
前記第1基板面と前記第2基板面とを導通する貫通電極を形成する工程と、
前記第1基板面に配置され、前記貫通電極と電気的に接続された第1導電層を形成する工程と、
前記第1導電層の上に配置された絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上に配置された第2導電層を形成する工程と、を含む、インターポーザーの製造方法。
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