JP2021097243A - インターポーザーの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Hp≦H1 ・・・(1)
なお、高さH1は、第1基板面11a上における積層構造において、第1基板面11aからの距離が最大となる位置で定義される。また、配線構造の最も外側の層は、図1のような樹脂層の場合もあり得るし、他の材料の層の場合もあり得る。
1mm≦L1≦10mm ・・・(2)
なお、距離L1は、第1基板面11a上に形成される積層構造の周囲のうち、保護部材21の端部との距離が最小の位置で定義される。また、図1は、第1基板面11a上に形成される構造の端部が樹脂層18の場合を示すが、これ限定されず、他の材料の層の端部の場合もあり得る。
Hp≦H2+10μm ・・・(3)
なお、高さH2は、基板11の第1基板面11aから第2導電層14の下面までの高さで定義される。これは、基板11上の積層構造では複数の絶縁層が積層される場合があり、第1絶縁層13と他の絶縁層との境界を特定することが難しい場合があるためである。
Hp≦H2 ・・・(4)
θ1≦120° ・・・(5)
この構成によれば、図7(b)に示すように、下地層27と電解めっき用シード層29とが分断されることなく、治具30による下地層27への通電が可能となる。これにより、めっき層が成長し、第1導電層12を形成することが可能となる。
11 …基板
12 …第1導電層
13 …第1絶縁層
14 …第2導電層
15 …貫通孔
16 …貫通電極
17 …第3導電層
18 …樹脂層
19 …ビアホール
20 …接続部
21 …保護部材
22 …保護部材の第1部分
23 …保護部材の第2部分
24 …保護部材の第3部分
40 …バンプ
41 …配線基板
42 …半導体チップ
Claims (1)
- 第1基板面と、前記第1基板面に対して反対の側の第2基板面と、前記第1基板面と前記第2基板面とを接続する第3基板面とを有する基板と、
前記第1基板面と前記第2基板面とを導通する貫通電極と、
前記第1基板面に配置され、前記貫通電極と電気的に接続された第1導電層と、
前記第1導電層の上に配置された絶縁層と、
前記絶縁層の上に配置された第2導電層と、を備え、
前記基板の外周の少なくとも一部に保護部材が配置されている、インターポーザー。
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